【課題】仕上げ研磨の後行うシリコンウェハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェハ１８の粗研磨を経て行われる仕上げ研磨の後、前記シリコンウェハの表面に酸化膜２２を形成し、前記酸化膜２２の除去により前記表面上の不純物を除去するシリコンウェハ１８の洗浄方法であって、前記酸化膜２２の除去は、前記仕上げ研磨時に前記シリコンウェハ１８の研磨面に形成される加工変質層２２が酸化膜除去工程により除去されるまで行う。 （もっと読む）

【課題】周囲に飛散する薬液や水の跳ね返りを抑制することができる半導体基板乾燥装置を提供する。
【解決手段】半導体基板Ｗを保持する保持部２と、保持部を回転させる回転部３と、保持部の周囲を囲って設けられたカップ４とを備え、半導体基板Ｗの乾燥時には、回転部３を回転すると共に、エア吹き付け部５によってカップの内面にエアを吹き付ける。更に、ヒータ６によって少なくともカップ４の内面を１００℃程度に加熱する。 （もっと読む）

【課題】Ｐｔ残留物、Ｐｔ汚染物あるいはＰｔ膜を効果的にエッチングし、且つ、エッチング装置の金属部材の腐食進行を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンを含む半導体基板１上または半導体基板１上に形成されたシリコンを含む導電膜４上に、貴金属膜または貴金属を含む金属膜を形成する工程（ａ）と、工程（ａ）の後、半導体基板１に対して熱処理を行い、半導体基板１上または導電膜４上に貴金属を含むシリサイド膜７を形成する工程（ｂ）と、工程（ｂ）の後、第１の薬液を用いて未反応の貴金属を活性化する工程（ｃ）と、第２の薬液を用いて工程（ｃ）で活性化された未反応の貴金属を溶解する工程（ｄ）とを行う。工程（ｄ）は、工程（ｃ）から３０分以内に行う。 （もっと読む）

【課題】実質的に粘着力を有さないクリーニング層を備えるクリーニング機能付搬送部材であって、搬送性能に優れ、エッジ付近を含むチャックテーブル全面にわたって均一に異物除去性能に優れ、さらに、ウェハのハンドリング部であるウェハエッジ部分付近への異物付着や汚れ付着が効果的に防止でき、機械式固定方式におけるウェハ接触部への異物付着や汚れ付着が効果的に防止できる、クリーニング機能付搬送部材を提供する。また、そのようなクリーニング機能付搬送部材の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のクリーニング機能付搬送部材は、クリーニング層を有するクリーニング機能付搬送部材であって、該クリーニング層は実質的に粘着力を有さず、該クリーニング層は、搬送部材の一方の面の全面と、搬送部材のエッジ部分と、搬送部材のもう一方の面の一部とを連続的に覆うように形成されている。 （もっと読む）

半導体基板が半導体基板支持部上に支持されたベベルエッチング装置内において、プラズマによる半導体基板のベベルエッジエッチングを行う際にアーク放電を防止する方法は、３〜１００Ｔｏｒｒの圧力までベベルエッチング装置を排気した状態で、ウェーハにおいて見られるＲＦ電圧を、アーク放電が回避される十分に低い値に維持しつつ、ベベルエッチング装置においてプラズマによる半導体基板のベベルエッジエッチングを行うステップを備える。 （もっと読む）

【課題】
真空容器の内部の異物の発生を低減し、生産効率を向上できる真空処理装置を提供する。
【解決手段】
内部の処理室内に処理用ガスが供給されプラズマが形成されてこの処理室内に配置されたウエハが処理される真空容器と、この真空容器と連結され前記ウエハが減圧された内部の搬送室内を搬送される真空搬送容器とを備えた真空処理装置であって、前記真空搬送容器の蓋の前記搬送室側の表面に貼り付けられた耐プラズマ性を有する樹脂性のフィルムとを備えた。 （もっと読む）

【課題】ウェハの被処理面に対する裏面の汚染が被処理面側へ回り込んでしまうことを抑制し、且つ、ウェハの被処理面に対する処理を清浄な処理液によって十分に且つ均一に行う。
【解決手段】ウェハ１を保持するウェハ保持部３と、内部に貯留している処理液１９によりウェハ１の被処理面１５に対し、剥離処理、洗浄処理又はエッチング処理が行われる処理槽２とを備える。処理槽２の上端２ｂから処理液１９がオーバーフローするように処理液１９を処理槽２へ供給する処理液供給手段（例えば、循環ポンプ７及び供給配管５１からなる）を備える。処理槽の上端２ｂの開口２ｃはウェハ１よりも大径に形成されている。ウェハ保持部３は、ウェハ１の被処理面１５を下向きにして保持し、その被処理面１５を処理槽２に貯留されている処理液１９に浸漬させる。 （もっと読む）

【課題】ＰＶＡスポンジ等親水性部材を容易に効率良く液飛散防止カップ本体の内面に装着できる基板処理装置の液飛散防止カップ、該液飛散防止カップを備えた基板処理装置、及びその方法を提供すること。
【解決手段】基板を保持し回転させる基板回転機構、該基板回転機構に保持された基板の外周を囲むように配置され、該回転する基板から離脱する液の飛散を防止する液飛散防止カップを備えた基板処理装置の液飛散防止カップであって、液飛散防止カップ本体１１の内周面全面又は該内周面の所定部分に表面に親水性材層１２を設けた液飛散防止シート１６ａを該親水性材層１２がカップの内側を向くように装着手段で装着した。 （もっと読む）

【課題】
被加工試料の外周部で生じるシャワープレートからのガス供給不足を解決し、被加工試料での加工精度の面内均一性を向上させるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】
真空容器と、真空容器内に設けられ被加工試料を載置する試料台と、試料台に対向し被加工試料直径よりも大きな直径のガス供給面を有するガス供給手段とを有し、被加工試料の表面処理を行うプラズマ処理装置において、ガス供給手段のガス供給面には、同一直径のガス噴出し孔が同心円状に設けられており、被加工試料直径またはそれよりも外側にあるガス噴出し孔の孔数密度は、被加工試料直径よりも内側にあるガス噴出し孔の孔数密度よりも高い。また、ガス供給手段のガス供給面には、ガス噴出し孔が同心円状に設けられており、被加工試料直径またはそれよりも外側にあるガス噴出し孔直径は、被加工試料直径よりも内側にあるガス噴出し孔直径よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】基板のフォトリソグラフィー処理前に、基板の周縁部に付着した付着物を適切に除去する。
【解決手段】洗浄装置１は、ウェハＷを保持して回転させるスピンチャック２０を有している。洗浄装置１には、内部に常温より高い温度の純水を貯留する浸漬容器３０が設けられている。浸漬容器３０のウェハＷ側の側面には、ウェハＷの周縁部Ｂを挿入するための側面開口部３３が形成されている。浸漬容器３０は、高温の純水でウェハＷの周縁部Ｂを浸すことができる。洗浄装置１には、ウェハＷの周縁部Ｂに常温より高い温度の洗浄液を所定の圧力で吹き付ける第１の洗浄液ノズル５０と第２の洗浄液ノズル５１が設けられている。これらノズル５０、５１から供給される洗浄液は、洗浄液供給部７０で純水と不活性ガスが混合された洗浄液である。 （もっと読む）

【課題】洗浄時において微細化したパーティクルや有機物の洗浄力に優れ、製造時における歩留まり率の向上や短時間で洗浄が可能となる極めて効率的な高度洗浄を可能にする電子材料用洗浄剤を提供する
【解決手段】 炭素数２〜８の脂肪族第１級アミンのアルキレンオキサイド付加物（Ａ）を含有してなり、前記（Ａ）の２級アミン価と３級アミン価の合計（Ｙ）に対する２級アミン価（Ｘ）の比率［（Ｘ）／（Ｙ）］が、０．５以下であることを特徴とする電子材料用洗浄剤。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハと接着シートとの間に洗浄水等の異物が侵入することを防止できるようにすること。
【解決手段】シート貼付装置１０は、保護シートＨが一方の面に貼付された半導体ウエハＷを保持する保持手段１１と、帯状の剥離シートＲＬに所定間隔を隔てて侵入防止シートＳが仮着された原反Ｒを支持する支持手段１２と、原反Ｒを繰り出す繰出手段１３と、剥離シートＲＬから侵入防止シートＳを剥離するピールプレート１５と、侵入防止シートＳをウエハＷ及び保護シートＨに押圧して貼付する押圧手段１６とを備えている。侵入防止シートＳは、半導体ウエハＷの外縁に沿う閉ループ形状に形成される。押圧手段１６は、侵入防止シートＳの平面形状に対応する形状の凸部３１を備え、当該凸部３１で侵入防止シートＳを押圧することにより、半導体ウエハＷの外縁をカバーするよう当該半導体ウエハＷと保護シートＨに侵入防止シートＳを貼付する。 （もっと読む）

【課題】純水を共用していても純水不足が生じることを防止でき、稼働率を向上させることができて、プロセス特性の悪化を防止することができる。
【解決手段】各基板処理装置Ａ，Ｂにおいて作成された個別のスケジュールにより、管理コンピュータＣは純水の使用タイミングとその使用量を受信することができる。制御部３は、ユーティリティの最大供給量と、全基板処理装置Ａ，Ｂの時間あたりの合計消費量とを比較して、合計消費量が最大供給量を超えている場合には、いずれかの基板処理装置Ａ，Ｂに対して再スケジュールを指示する。指示された基板処理装置Ａ，Ｂでは、純水の使用タイミングを後ろにずらすので、時間あたりの合計消費量が最大供給量以内に収まるようにできる。その結果、純水不足が生じることを防止でき、稼働率を向上させることができて、プロセス特性の悪化を防止できる。 （もっと読む）

【課題】ウェハ洗浄工程においてウェハ表面へのウォーターマークの発生を抑制できるウ
ェハ洗浄方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るウェハ洗浄方法は、半導体ウェハを洗浄液に浸漬させて洗浄す
るウェハ洗浄方法において、半導体ウェハ１７における製品チップ１０領域の長辺方向と
洗浄液１６の液面とが作る角度を３°以内に保ち、且つ半導体ウェハ１７の表面と洗浄液
１６の液面とが作る角度を３°以内に保ちながら、半導体ウェハ１７を洗浄液１６に浸漬
させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、プラズマ処理装置のクリーニング方法であり、プラズマ処理室表面を効率良く清浄化し、スループットを向上できるプラズマ処理装置のクリーニングの方法を提供する。また、クリーニング中にウエハを設置する電極表面がプラズマに曝されないので電極の劣化を防止することができる。更に、クリーニングと同時に被処理体である低誘電率膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）上に形成されたレジストマスクを除去する方法を提供する。
【解決手段】
スループットを向上させる手法として、ＣｘＦｘ系ガスを用いてエッチングされた低誘電率膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）を、そのまま下部電極に載置した状態でＣＯ₂ガスによりプラズマクリーニングを行い、プラズマ処理室表面に付着したデポ物を除去する。この時、同時にＬｏｗ−ｋ膜上にパターニングされたレジストマスクを除去できるため、処理時間の大幅な短縮化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】ウエハのベベル部を良好に洗浄することのできるウエハの洗浄方法に関する技術を提供すること。
【解決手段】 ウエハＷの洗浄時に、ウエハＷをスピンチャック１１により回転させながら、上ノズル９３によりウエハＷ表面７０側のベベル部７２にその上方からシンナー等の洗浄液吐出する工程（ａ）と同時に、内カップ３４に設けられた切り欠き部３７に着脱自在に嵌合された下ノズル４０からウエハＷ裏面７１側のベベル部７２またはウエハＷの側端部からウエハの中心寄り３ｍｍ以内の部位にウエハＷの径方向外方側に向けて洗浄液を吐出することにより、ウエハＷのベベル部７２の洗浄を行う工程（ｂ）とを行い、レジスト膜８０がベベル部７２に残存することを抑えて、ベベル部７２のパーティクルの付着を防止する。 （もっと読む）

【課題】基板上に発生した潮解性を有する汚染物質を簡便かつ確実に除去することができる洗浄方法、並びに装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る洗浄装置は、マスク基板１１上に汚染物質として発生した潮解性の汚染物質１５を除去する洗浄装置であって、汚染物質１５の周辺の相対湿度を、汚染物質の臨界湿度以上１００％未満に制御し、汚染物質を水滴化する冷却手段２３と、水滴化した汚染物質１５にレーザ光を照射する光源２２とを有する。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる際に用いられる半導体基板の表面処理剤を提供する。
【解決手段】半導体基板の表面処理剤は、半導体基板上に形成され、少なくともそれぞれの一部にシリコンを含む膜を有し、表面が洗浄及び改質され、表面にヒドロキシル基を有する複数の凸形状パターンに対して供給されるものであって、前記ヒドロキシル基と反応する加水分解基を含み、前記シリコンを含む膜の表面に、前記シリコンを含む膜よりも水に対する濡れ性の低い撥水性保護膜を形成する。 （もっと読む）

【解決手段】実施形態は、基板表面から汚染物質を除去してデバイス歩留まりを向上させるための基板洗浄技術を提供する。基板洗浄技術は、固体成分と高分子量のポリマとを洗浄液中に分散させることによって形成された流体である洗浄材料を用いる。固体成分は、基板表面上の汚染物質に接触することによって、それらの汚染物質を除去する。高分子量のポリマは、洗浄材料中の固体を捕えて閉じ込めるポリマ鎖及びポリマ網目を形成し、これは、微粒子汚染物質、不純物、及び洗浄材料中の固体成分などの固体が基板表面上に沈下することを阻止する。また、ポリマは、基板表面上の汚染物質に接触することによって、それらの汚染物質を基板表面から除去することを助けることもできる。一実施形態では、洗浄材料は、基板表面上の突出特徴に強い衝撃を与えてそれらを損傷させることなくそれらの突出特徴の周囲を滑走する。 （もっと読む）

【課題】表面にパターンが形成された半導体装置用の基板におけるパターン倒れを防止しつつ、高い洗浄効果の得られる基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】半導体装置用の基板Ｗを洗浄する基板洗浄装置１において、気泡発生手段３は基板保持手段６に保持された基板Ｗに供給される洗浄液中に、正または負の一方に帯電し、且つ、気泡径が１０ｎｍ以上、１００μｍ以下の気泡を発生させ、噴射ノズル２１は、この気泡を含んだ洗浄液を噴霧用のガスと混合して微粒化し、基板Ｗに向けてミストを噴射することにより当該基板Ｗを洗浄する。 （もっと読む）