【課題】基板表面に残留している金属不純物を適切に除去する。
【解決手段】電気光学装置の製造方法における洗浄工程は、基板表面にオゾン水を供給するオゾン水処理工程と、オゾン水処理工程の後に基板表面に純水を供給する第１リンス処理工程と、第１リンス処理工程の後に基板表面に希フッ酸を供給する第１希フッ酸処理工程と、第１希フッ酸処理工程の後に基板表面に純水を供給する第２リンス処理工程と、第２リンス処理工程の後に基板表面に、洗浄液及び気体が混合されてなる混合流体を供給する第１混合流体処理工程と、第１混合流体処理工程の後に基板表面に純水を供給する第３リンス処理工程と、第３リンス処理工程の後に基板表面に希フッ酸を供給する第２希フッ酸処理工程と、第２希フッ酸処理工程の後に基板表面に純水を供給する第４リンス処理工程と、第４リンス処理工程の後に基板を乾燥させる乾燥工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】微細配線を有する半導体装置を高信頼性及び高歩留まりで得る。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、下層配線を形成する工程（ステップＳ１０１）と、下層配線上に絶縁膜を形成する工程（ステップＳ１０２）と、絶縁膜上にレジストを形成する工程（ステップＳ１０３）と、レジストをマスクとしてドライエッチングにより下層配線を露出する開口部を形成する工程（ステップＳ１０４）と、開口部を洗浄液を用いて洗浄する工程（ステップＳ１０５）と、洗浄した開口部をリンスする工程（ステップＳ１０６）と、含む。ステップＳ１０６では、リンス液と還元性ガスとを二流体ノズルから吐出して、開口部の底部をリンスする。 （もっと読む）

【課題】特殊な酸化剤を用いることなく微細突起の発生を抑制できる異方性ウェットエッチング方法およびＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスを構成する赤外線センサＡは、シリコン基板１ａを用いて形成されており、シリコン基板１ａの一表面側において熱型赤外線検出部３の一部の直下に空洞部１１が形成されている。ＭＥＭＳデバイスの製造方法において、シリコン基板１の一部を異方性エッチングして空洞部１１を形成する異方性エッチング工程では、アルカリ系溶液としてＳｉを溶解させたＴＭＡＨ水溶液を用いるようにし、シリコン基板１ａを所定深さｄｐまで異方性エッチングする途中で、シリコン基板１ａを乾燥させることなく少なくとも１回の洗浄工程を行う。 （もっと読む）

【課題】ペリクルを損傷させることなく、異物を除去することができる異物除去装置を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様に係る異物除去装置１０は、ペリクルフレーム２３を介してペリクル２２が装着されたマスク２０のペリクル２２上の異物を除去する異物除去装置であって、ペリクル２２側から超音波を照射して、ペリクル２２の近傍を腹とする定在波を発生させる超音波発生手段１１を備える。また、ペリクル２２と異物２５との間の静電気を除去するイオナイザ１２をさらに備える。 （もっと読む）

【課題】液浸液中の洗浄液の濃度を確実に規定値以下とすることが可能な液浸露光装置を提供する。
【解決手段】投影光学系１４下端部の鉛直下方に配設可能で、露光対象膜を有する半導体基板を載置し、退避可能な基板ステージ１７、投影光学１４系下端部と露光対象膜との間に液浸液を満たすように供給する液浸液供給部３２及び液浸液を排出する液浸液排出部３６と液浸液排出管３７、基板ステージ１７を置き換えて、投影光学系１４下端部の鉛直下方に配設可能で、供給口から排出口へ流れる洗浄液２５または液浸液を保持し、退避可能な洗浄ステージ１５、洗浄ステージ１５中に、液浸液と接した接触領域を含むように洗浄液２５を供給する洗浄液供給部２１及び洗浄液を排出する洗浄液排出管２８、並びに、液浸液排出管３７に配設され、液浸液中の洗浄液２５の濃度を測定する濃度測定器３０を備える。 （もっと読む）

【課題】従来は塗布の前処理として洗浄を行う製造ラインにおいて洗浄工程から塗布工程の間に設備間の移動が必要であった。そのため洗浄後の清浄部に空気中に浮遊しているゴミをかみこみ、濡れ性不足、接着強度不足、信頼性の低下を招く恐れがあった。
【解決手段】本発明は、被照射部にスポット照射を行い清浄化する洗浄ヘッド２１と、前記洗浄ヘッドと被照射体の相対位置関係において前記洗浄ヘッド２１の進行方向の後ろ側に配された前記塗布ヘッド２２を具備する洗浄塗布装置である。係る発明を用いることで、洗浄工程後、清浄部に汚染物質が再付着する前に塗布工程を行うことができる。また、洗浄工程と塗布工程の間に搬送工程を含まず、一つの装置で洗浄塗布工程が行えるため、工程及び設備の簡易化が可能である。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の表面処理装置および方法を提供する。
【解決手段】半導体基板Ｗに形成された凸形状パターンの表面に撥水性保護膜を形成するために、基板表面に撥水化剤１０６を供給する。撥水化剤を供給する前に、酸化力の強い薬液１０３を供給するか、又はＵＶ光を照射して、凸形状パターン表面を強制的に酸化させる。これにより、凸形状パターン表面に撥水性保護膜が形成され易くなり、乾燥処理時の凸形状パターンの倒壊を防止することができる。 （もっと読む）

【解決手段】統合された無電解堆積プロセスを含むプロセスを通して基板を処理する方法およびシステムは、堆積溶液を用いて基板の導電性フィーチャの上に層を堆積させるように、無電解堆積モジュールにおいて基板の表面を処理することを含む。その後、基板表面は、無電解堆積モジュールにおいて洗浄液で洗浄される。この洗浄は、表面の脱湿を防いで、洗浄液から形成される転移膜によって基板表面が被覆されたままとなるように、調節される。基板は、その基板表面に転移膜を保持したまま、無電解堆積モジュールから取り出される。基板表面の転移膜によって基板表面の乾燥を防ぐことで、ウェットな状態で取り出しが行われる。無電解堆積モジュールから取り出された基板は、その基板表面に転移膜を保持したまま、堆積後モジュールの中に移される。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に形成された半導体デバイス等へのダメージを抑制し、基板の表面から、異物を除去することができる、基板の洗浄方法及び基板の洗浄装置を提供する。
【解決手段】被処理基板上に、第１の洗浄液による第１の洗浄液層と、第１の洗浄液層上に形成され第１の洗浄液よりも比重の小さい第２の洗浄液による第２の洗浄液層とを形成し、第２の洗浄液層に超音波を印加して被処理基板を洗浄する。 （もっと読む）

【解決手段】処理対象とされるウエハ表面の層に、気液分散系、すなわち硫酸中にオゾンの発泡体が含まれたものが適用されるように、気体オゾンと加熱硫酸とを組み合わせることによって、枚葉式フロントエンドウェット処理ステーションにおける、イオン注入されたフォトレジストの除去が改善された。 （もっと読む）

【課題】スループットの向上を図り、不具合が発生した場合でも、装置全体の稼働率の低下を抑えることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】キャリアＣに対してウエハの受け渡しを行う搬入出アームＢを備えた基板搬入ブロックの後段側に、第１の処理ブロック３１と第２の処理ブロック３２と第３の処理ブロック３３とを順に配置する。基板搬入ブロックに、前記搬入出アームＢから第１の処理ブロック３１にウエハを受け渡すための受け渡しステージ（２１ａ ２１ｂ）と、第２の処理ブロックにウエハを受け渡すための受け渡しステージ２２と、第３の処理ブロックにウエハを受け渡すための受け渡しステージ２３と、を設け、受け渡しステージ２２上のウエハを第１直接搬送機構Ａ１により第２の処理ブロック３２に直接搬送し、受け渡しステージ２３上のウエハを第２直接搬送機構Ａ２により第３の処理ブロック３３に直接搬送する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板表面に残存するナノパーティクルを効率的に除去するとともに、パーティクルの再付着や凝集を防止するために洗浄液の排出を促進することのできる洗浄加工布を提供する。
【解決手段】洗浄加工布は、単繊維の数平均直径が１〜１０００ｎｍであり、撚数が１０００Ｔ／Ｍ以上で撚糸されたマルチフィラメントの織物または編物からなる洗浄層１がクッション材３と積層一体化されなる積層体であり、その積層体のアスカーＣ硬度が７０以下の洗浄加工布である。 （もっと読む）

【課題】減圧処理室内の部材表面から微粒子を飛散させて部材の清浄化を行う。
【解決手段】減圧処理内の部材に付着した微粒子を飛散させて部材を清浄化するために、（１）微粒子を帯電させてクーロン力を利用して飛散させる手段、（２）減圧処理室にガスを導入し、微粒子の付着した部材にガス衝撃波を到達させ、微粒子を飛散させる手段、（３）部材の温度を上昇させ、熱応力及び熱泳動力により微粒子を飛散させる手段、又は（４）部材に機械的振動を与えて微粒子を飛散させる手段を用いる。さらに、飛散させた微粒子を比較的高圧雰囲気でガス流に乗せて除去する。 （もっと読む）

ブラシボックス内に配置された円柱状ローラの処理表面をコンディショニングするための方法および装置を記載する。一実施形態では、ブラシボックスを記載する。ブラシボックスは、内部容積を有するタンクと、内部容積内に少なくとも部分的に配置された１対の円柱状ローラであって、円柱状ローラの各々が、それぞれの軸の周りを回転可能である、１対の円柱状ローラと、円柱状ローラが近接している第１の位置と円柱状ローラが互いに間隔を空けて離れている第２の位置との間でそれぞれの円柱状ローラを移動させるために円柱状ローラの各々に連結されたアクチュエータアセンブリと、円柱状ローラの各々のためのコンディショニング装置であって、各コンディショニング装置が内部容積内に配置されたコンディショナを含み、ローラが第２の位置にあるときに、コンディショナが円柱状ローラの各々の外側表面と接触する、コンディショニング装置とを含む。
（もっと読む）

【課題】不具合が発生した場合でも、装置全体を停止することなく基板処理を継続できる可能性の高い基板処理装置を提供する。
【解決手段】
基板処理装置１は、基板Ｗを搬送するための第１、第２の基板搬送機構１４１ａ、１４１ｂと、当該基板搬送機構１４１ａ、１４１ｂの左右両側に各々設けられ、同一の処理が行われる処理ユニットの列Ｕ１〜Ｕ４と、を備えた第１、第２の処理ブロック１４ａ、１４ｂを備えている。処理ユニットの列Ｕ１、Ｕ３及び、他方側の処理ユニットの列Ｕ２、Ｕ４は各々共通化された処理流体の供給系３ａ、３ｂと接続されている。そしていずれかの基板搬送機構１４１ａ、１４１ｂ、処理流体の供給系３ａ、３ｂに不具合が発生すると、健全な基板搬送機構１４１ｂ、１４１ａ、処理流体の供給系３ｂ、３ａが受け持つ処理ユニットの列Ｕ１〜Ｕ４にて基板Ｗを処理する。 （もっと読む）

【課題】 基板へのダメージを抑制しつつ、基板の表面に対して超音波による洗浄処理を施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】 基板処理装置１は、基板Ｗを水平に保持して回転させるスピンチャック１０と、スピンチャック１０に保持された基板Ｗの上面に第１処理液（ＨＦＥ）、第２処理液（気体溶存水）をそれぞれ供給する第１処理液供給ノズル２０、第２処理液供給ノズル１７を備えている。スピンチャック１０に保持された基板Ｗの上面にＨＦＥおよび気体溶存水が供給され、基板Ｗの上面にＨＦＥの液膜が形成され、さらにその上層に気体溶存水の液膜が形成される。この状態で気体溶存水とＨＦＥの液膜に超音波振動が付与される。これにより、気体溶存水の液膜でのみ発生したキャビテーションによる衝撃エネルギーがＨＦＥの液膜で緩和されつつ、基板Ｗの洗浄処理が施される。 （もっと読む）

【課題】超音波洗浄時における基板のパターンへのダメージを抑制することができる。
【解決手段】（１／２）ｆの出力が、処理液を脱気水としたときの出力値以下になる最適洗浄条件を決定した上で、制御部５７が最適洗浄条件となるように各部を操作して、製品の基板Ｗに対する洗浄処理を行わせる。したがって、（１／２）ｆのサブハーモニクスによる悪影響を抑制することができ、超音波洗浄時における基板Ｗのパターンへのダメージを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】乾燥ガスが光透過部材から被処理基板上に滴下することを防止することにより、製品歩留まりの低下を防止することが可能な乾燥室、洗浄・乾燥処理装置、被処理基板を乾燥する乾燥処理方法、および記録媒体を提供する。
【解決手段】乾燥室１０は、被処理基板Ｗを収容する乾燥室本体１１と、乾燥室本体１１の内壁１１ａに設けられた光透過部材１２と、乾燥室本体１１の内壁１１ａと光透過部材１２との間に設けられた加熱用光源１３とを備えている。光透過部材１２の下方には、光透過部材１２側に向けて乾燥ガスを供給するガス供給部１４が設けられている。光透過部材１２の内面１２ａは、乾燥ガスがこの光透過部材１２の内面１２ａに液膜として付着するように表面処理が施されている。 （もっと読む）

【課題】純水の表面張力を低減することにより、微細パターン倒れを防止する基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】制御部５９は、処理槽１に疎水化溶液を供給させて、処理槽１内の純水を置換させるとともに、疎水化溶液により基板Ｗの改質処理を行わせる。改質処理により基板Ｗの表面全体が疎水化される。制御部５９は、純水を処理槽１に供給させて基板Ｗをリンス処理させた後、保持機構３９を上方位置に移動させるが、基板Ｗは疎水化されているので、純水の液残りを少なくすることができるともに、純水により基板Ｗの微細パターンにかかる表面張力を非常に小さくできる。したがって、純水から上方へ基板Ｗを持ち上げても、基板Ｗの微細パターンが純水の表面張力により受ける力を低減でき、基板Ｗの微細パターンが倒れるのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】洗浄工程における洗浄性能の向上と、被洗浄体に与えるダメージの低減とを図る。
【課題手段】
スポンジローラ１は、湿潤状態で弾性を有するポリビニルアセタール系樹脂多孔質素材によって構成され、略円筒形状のロール体３と、ロール体３の外周面３ａ上に一体形成された複数の突起５とを有し、これら複数の突起５を被洗浄面に回転接触させて被洗浄面を洗浄する。スポンジローラ１を構成するポリビニルアセタール系樹脂は、アニオン性官能基を有する。 （もっと読む）