【課題】半導体基板の表面に洗浄液を供給しながら当該表面をブラシを用いて洗浄する際に、基板表面にスクラッチが形成されてしまうことを防止しつつ、基板上の異物を十分に除去できるようにする。
【解決手段】半導体基板１００の表面に洗浄液４０２を供給しながら当該表面をブラシ３００を用いて洗浄する際に、半導体基板１００の表面におけるブラシ３００と最初に接触する箇所に予め洗浄液４０２を供給しておく。 （もっと読む）

【課題】 ＨＤＩＳ用のフォトレジスト及びイオン注入関連残留物を剥離する改善された方法及び装置を提供する。
【解決手段】 元素水素、弱酸化剤、及びフッ素含有ガスを用いてプラズマが生成される。プラズマ源の下流側及びガス混合物を反応チャンバ内へと導くシャワーヘッドの上流側において不活性ガスがプラズマに導入される。反応チャンバ内では、ガス混合物が高用量注入されたレジストと反応する。このプロセスは、高剥離レートでクラストとバルクレジスト層の両方を除去し、ワークピースの表面には実質的に残留物が残らず、また、シリコン損失も少ない。 （もっと読む）

【課題】装置の搬送に要する時間を短縮することができる基板処理装置および基板受渡方法を提供すること。
【解決手段】インデクサ搬入ハンド１８Ａ，１８Ｃ，１８Ｅ，１８Ｇがそれぞれシャトルハンド３８Ａ，３８Ｃ，３８Ｅ，３８Ｇの下方に進出される。インデクサ搬出ハンド１８Ｂ，１８Ｄ，１８Ｆ，１８Ｈがそれぞれシャトルハンド３８Ｂ，３８Ｄ，３８Ｆ，３８Ｈの上方に進出される。その後、シャトルハンド３８Ａ，３８Ｃ，３８Ｅ，３８Ｇが一括して下降されて、インデクサ搬入ハンド１８Ａ，１８Ｃ，１８Ｅ，１８Ｇに基板Ｗがすくい取られる（図（ａ）参照）。シャトルハンド３８Ａ，３８Ｃ，３８Ｅ，３８Ｇの下降と同期して、シャトルハンド３８Ｂ，３８Ｄ，３８Ｆ，３８Ｈが一括して上昇される。インデクサ搬出ハンド１８Ｂ，１８Ｄ，１８Ｆ，１８Ｈから基板Ｗが受け渡される（図（ａ）参照）。 （もっと読む）

【課題】ウエハを薬液により洗浄する際、配管ラインの一部が帯電している状態でウエハ処理を開始した場合に、薬液がウエハに吐出され、配管内の帯電部分とウエハ間の電位差によって薬液が導線となって電流が流れ、ウエハにダメージが生じることにより歩留まりが発生するのを防ぐ。
【解決手段】薬液を半導体ウエハ１に吐出して洗浄する際、半導体ウエハ１に薬液を吐出する前にノズル１１を半導体ウエハ１外に移動し、半導体ウエハ１外で数秒薬液を吐出してから、半導体ウエハ１上にノズル１１を移動し薬液を吐出することで、帯電による半導体ウエハ１上のパターンの損傷を防ぎ、半導体装置の製造歩留まりを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】部分液交換を工夫することにより、装置の稼働率を向上させてスループットを高めることができるとともに、処理液の消費量を低減することができる。
【解決手段】制御部５１は、燐酸溶液で基板を処理するにあたり、まず、処理槽１に燐酸溶液の新液を貯留させる。その後、小容量部分液交換を小容量ライフタイムごとに繰り返し行わせ、大容量部分液交換を大容量ライフタイムごとに繰り返し行わせる。小容量液交換及び大容量部分液交換は、処理槽１の全容量に相当する燐酸溶液よりも交換する燐酸溶液の量が少ないので、濃度調整及び温調を短時間で完了させることができる。よって、装置の停止時間を短くすることができるので、装置の稼働率を向上させてスループットを高めることができる。また、頻度が高い液交換では交換量が少ないので、燐酸溶液の消費量を低減できる。 （もっと読む）

【課題】ウェハベベル部に残置している不要物を均一にエッチング除去する。
【解決手段】ウェハベベル処理部２には、スプレーヘッド部１１、バルブ１３、バルブ１５、バルブ１７、バルブ１９、バルブ２５乃至２８、薬液回収部２０、薬液供給ポンプ２１、薬液供給ポンプ２２、及び薬液タンク２３が設けられる。スプレーヘッド部１１には、不活性ガス吐出ノズル１２、不活性ガス吐出ノズル１６、薬液・リンス液吐出ノズル１４、薬液・リンス液吐出ノズル１８、及び排出口２９が設けられる。薬液・リンス液吐出ノズル１４は、ウェハ中央側からウェハ端部方向に、ウェハ端部の表面側に薬液或いはリンス液を吐出する。薬液・リンス液吐出ノズル１８は、ウェハ中央側からウェハ端部方向に、ウェハ端部の裏面側に薬液或いはリンス液を吐出する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ−ＣＭＰ後洗浄におけるパーティクルのウェハへの再付着によるポイゾニング不良発生の課題に対して、その不良を抑制し効率よくＣｕ配線構造を形成することにある。
【解決手段】上層配線と、下層配線と、上層配線と下層配線とを接続するビアとを含む多層配線構造の半導体装置の製造方法において、トレンチの形成後に、低誘電率膜の上面に銅を含む導電性膜を成膜する工程と、上記導電性膜を化学的機械的研磨して上記トレンチに下層配線を形成する工程と、上記化学的機械的研磨後に、上記基板を洗浄する工程と、上記低誘電率膜の上面にアンモニアプラズマによる還元処理を実行し、その上に拡散防止膜を形成する工程とを含み、上記洗浄工程は、少なくとも２段階の洗浄を行ない、第１段目は、有機酸洗浄薬液を用いてブラシスクラブ洗浄を行ない、第２段目は、有機アルカリ洗浄薬液を用いて洗浄を行なう。 （もっと読む）

【課題】薬液処理後の水洗処理において、リフターに付着する薬液の水洗槽への持込み量を低減させ、水洗槽でのエッチングを防止できる洗浄装置および洗浄方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の洗浄後にリフター２の洗浄を行い、薬液処理時に用いられた薬液および純水を含む溶液の比抵抗とリフター洗浄前の初期比抵抗の差分が予め設定された所定の値になるまで積分演算を行い、リフターに付着している残留薬液量を算出し、算出された残留薬液量からリフターが清浄な状態になるまでの洗浄時間を算出する。前記洗浄時間が経過するまで純水によるリフターの洗浄を行うことで、水洗処理槽でのエッチングを防止し、微細デバイスの品質、信頼性および歩留りを維持することができる。 （もっと読む）

【課題】加熱槽内の状態に応じてポンプの運転状態を切り換えることにより、溶剤濃度を高く維持して基板の乾燥処理を好適に行うことができるとともに、ポンプの負担を軽減することができる基板乾燥装置を提供する。
【解決手段】制御部は、処理液に基板を浸漬させて処理液による処理を行った後、基板の乾燥を行う際に、チャンバ内を減圧するとともに、温度検出器３７による測定温度と、圧力検出器３９による測定圧力と、飽和蒸気曲線データとに基づきベローズポンプ８７の動作速度を切り換える。したがって、加熱槽７７内における有機溶剤の状態に応じてベローズポンプ８７を動作させることができるので、有機溶剤の状態に係わらず、有機溶剤を蒸発皿８１に対して十分に供給きる。その結果、基板の乾燥不良を防止できる。また、ベローズポンプ８７の空運転を防止できるので、ベローズポンプ８７の負担を軽減できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エレクトロニクス材料等の洗浄工程で要求される製品表面の高清浄度を実現することができ、かつ、リンス時に洗浄剤成分が素早く除去できる水溶性洗浄剤組成物を提供する
【解決手段】
（Ａ）１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、
（Ｂ）式：Ｒ−（ＰＯ）_ｎ−（ＥＯ）_ｍ−ＯＨ
で表される非イオン性界面活性剤、
（Ｃ）式：Ｒ−（ＥＯ）_ｌ−ＯＨ
で表される非イオン性界面活性剤、及び
（Ｄ）有機酸
を含有する水溶性洗浄剤組成物であって、以下の（１）及び（２）の関係式を同時に満たす水溶性洗浄剤組成物。


［式中の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）は各々の成分の重量％を示す。］ （もっと読む）

【課題】支持部材の先端部を基板の下面に当接して基板を略水平姿勢で支持しながら支持部材に押し付けて保持した基板に対して所定の処理を施す基板処理装置および方法において基板保持力を高める。
【解決手段】基板Ｗの保持モードとして、第１保持モードと第２保持モードが設けられている。第１保持モードでは、基板裏面Ｗｂを支持ピンＰＮで支持しながら基板表面Ｗｆに窒素ガスを供給して基板Ｗを支持ピンＰＮに向けて押圧力Ｆａで押圧するのみであるが、第２保持モードでは、上記押圧力Ｆａに加え、基板裏面Ｗｂより基板Ｗに吸引力Ｆｂを与えている。このように、吸引力Ｆｂを付加した分だけ基板Ｗの保持力を高めることができ、基板Ｗを高速回転させる際にも安定して基板Ｗを保持することができ、その結果、基板処理を良好に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 ベースに接着された基板に対し、十分な洗浄ができる基板洗浄装置、基板の製造方法、および歩留まりが向上され特性が優れた太陽電池素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 スライスベースに接着されたブロックをスライスして複数の基板を形成するスライス工程、スライスベースに接着された基板を洗浄液の入った洗浄槽に浸漬して洗浄する洗浄工程、洗浄後に基板をスライスベースから剥離する剥離工程、を有する基板の製造方法において、スライスベースが側面となるように基板を洗浄槽に浸漬し、洗浄槽の下部に設けられた複数の開口を有するノズルから基板のスライスベースがある側面とは反対側の側面に対して洗浄液を槽内に噴出する。 （もっと読む）

【課題】現像後のレジスト基板表面に残存するレジスト残渣を効率的に除去でき、かつパターンの微細化も可能なレジスト基板処理液およびそれを用いたレジスト基板の処理方法の提供。
【解決手段】現像済みフォトレジストパターンを有するレジスト基板を処理するためのレジスト基板処理液であって、現像後のフォトレジストパターンを溶解しない溶媒と、前記溶媒に溶解しえるポリマーとを含んでなるレジスト基板処理液。現像処理後のレジスト基板を、このレジスト基板処理液に接触させ、水などのリンス液による洗浄することによって、基板表面のレジスト残渣を効率的に除去することができる。溶媒には水が好ましく用いられ、ポリマーには水溶性ポリマーが好ましく用いられる。 （もっと読む）

【課題】汚染物質を良好に除去することができ、しかも半導体熱処理治具の表面荒れ等も防止した、半導体熱処理治具の洗浄方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板を熱処理する際にこれを保持するために用いられる、シリコンからなる半導体熱処理治具の洗浄方法である。洗浄液として、弗酸の配合比が質量比で１％以上８％以下、硝酸の配合比が質量比で３５％以上７０％以下、水もしくは水と酢酸との混合物の配合比が質量比で３０％以上６０％以下に調製された、弗酸と硝酸と水もしくは水と酢酸との混合物との混合液を用い、この洗浄液によってシリコンからなる半導体熱処理治具をエッチングすることで、半導体熱処理治具を洗浄する洗浄工程を有する。 （もっと読む）

【解決手段】基板の表面上に形成された金属ゲート構造の周囲からポストエッチング洗浄工程中にポリマ残渣を除去するためのシステム及び方法は、金属ゲート構造に及び除去されるべきポリマ残渣に関連する複数のプロセスパラメータを決定することを含む。１又は複数の製造層が、金属ゲート構造を画定し、プロセスパラメータは、これらの製造層の及びポリマ残渣の特性を定める。第１及び第２の洗浄化学剤が特定され、プロセスパラメータに基づいて、第１及び第２の洗浄化学剤に関連する複数の適用パラメータが定められる。ゲート構造の構造的完全性を維持しつつポリマ残渣を実質的に除去するために、第１及び第２の適用化学剤は、適用パラメータを使用して制御方式で順次適用される。 （もっと読む）

【課題】簡素な構造で、半導体基板のおもて面側へのエッチング液の巻き込みを抑制する手段を提供する。
【解決手段】 半導体基板を、噴出口から半導体基板の半径方向外側に向けて噴出させた噴出ガスにより非接触で保持する回転基台と、回転基台に設けられ、半導体基板の外周面に接触する複数の位置決めピンとを備えた半導体装置の製造装置において、位置決めピンの外周面に、噴出ガスの流れを半径方向外側に案内する案内溝を設ける。 （もっと読む）

【課題】 ベースから基板が落下することを低減し、十分な洗浄ができる基板の製造方法、を提供することを目的とする。
【解決手段】 ベース２に接着されたブロック１と、アルカリ液４と、を準備する工程と、ベース２に接着されたブロック１をスライスし、ベース２に接着された基板列とする工程と、基板列をアルカリ液４により洗浄する工程と、基板列をベース２から剥離し複数の基板１ａとする工程と、を有し、アルカリ液はＢｒｉｘ値で管理される。 （もっと読む）

【課題】クリーニング処理開始前の被処理体の処理枚数に関係なく、ジャストエッチの時点を自動的に確実に把握することにより、エッチング処理の適正な終点時点を決定することが可能な処理装置を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理チャンバー１６と、所定の処理が施される被処理体Ｗを載置する載置台２０と、処理チャンバーへ必要なガスを供給するガス供給手段４０と、途中に真空ポンプが介設されて処理チャンバー内の雰囲気を真空引きする排気系６とを有す処理装置において、排気ガス中に含まれるパーティクル数を計測するために前記排気系に設けられたパーティクル計測手段８と、処理チャンバー内にクリーニングガスを流してクリーニング処理を行う時にパーティクル計測手段の計測値に基づいてクリーニング処理の終点時点を決定するクリーニング終点決定手段１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板面内や基板間の厚さのバラツキを低減することができるとともに、製品性能や製造歩留を向上させる基板処理装置を提供する。
【解決手段】液体または気体が送入される槽ＴＫと、槽ＴＫの内部に液体または気体を送り出す機構ＴＢ、Ａと、を備え、槽ＴＫに被処理基板１を配置し処理を行う基板処理装置であって、被処理基板１と機構ＴＢ、Ａとの間の被処理基板１近傍に、少なくとも一つの整流板ＰＬ１が配置された処理装置。 （もっと読む）

【課題】基板面内や基板間の厚さのバラツキを低減することができるとともに、製品性能や製造歩留を向上させる基板処理装置を提供する。
【解決手段】液体または気体が送入される槽ＴＫと、槽ＴＫ内に液体または気体を送り出す機構と、を備え、槽ＴＫ内に被処理体１を配置して処理を行う基板処理装置であって、機構は、槽ＴＫ内に液体または気体を送出する第１送出手段ＴＢａおよび第２送出手段Ｔｂと、第１送出手段ＴＢａからの液体または気体の送出の開始と停止とを行う第１送入手段Ａと、第２送出手段ＴＢｂからの液体または気体の送出の開始と停止とを行う第２送入手段Ｂと、を備えた基板処理装置。 （もっと読む）