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Fターム[5F157DB47]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 最適処理を目的とするもの (4,470) | 時間短縮 (605) | 歩留まり、稼働率 (252)

Fターム[5F157DB47]に分類される特許

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【課題】 高圧水噴射洗浄装置において、製造ラインで要求されるクリーン度への対応が容易であること、均一な洗浄を可能にすること、構造を簡単にし、コストダウンを図れること、ならびに洗浄時の装置の振動を低減することである。
【解決手段】 洗浄対象物を洗浄装置本体に対し一定速度で移動させながら、高圧水噴射ノズルから一斉に高圧水を前記洗浄対象物に噴射させて洗浄する装置で、洗浄対象物を横切る長さ以上の長さを有する支持フレーム6の一面に、複数の高圧水噴射ノズル7aを洗浄対象物に向けかつ間隔をあけて配列し、支持フレーム6の両端延長部11をその延長面に直交する駆動軸15を介して偏心回転可能に支持するとともに、駆動軸15を駆動装置17にて回転させることにより支持フレーム6が偏心回転するように構成し、回転円運動する各高圧水噴射ノズル7aから高圧水を一斉に噴射させるようにしている。 (もっと読む)


【課題】表面荒れや欠陥、または汚染源となる不要な付着材などの発生した基板の周縁部を効率良くかつ効果的に処理すること。
【解決手段】基板の周縁部における基板面の処理を行う基板の周縁部の処理方法であって、前記基板の周縁部の表面状態をモニタする表面状態モニタ工程と、前記基板面の処理を実行するための条件であって前記基板面の処理の必要性の有無を含む基板面処理条件を、前記表面状態のモニタ結果に基づいて決定する処理条件決定工程と、前記基板面処理条件に基づいて、前記基板面の処理の必要性がある場合に前記基板の周縁部に対して前記基板面の処理を実行する基板面処理工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】 大型化、薄型化した板ガラス等の板材に対してその品質の一層の向上を図り、迅速に効果的な洗浄処理を行いうる板材の洗浄設備を提供すること。
【解決手段】 縦状態の板ガラスの下端を支持するベルトコンベア2と、板ガラスGの側面に流体圧を作用させることによって板ガラスを立った状態で支持する流体ガイド8と、流体ガイド8から洗浄液を板ガラスの表面に供給する洗剤洗浄装置3と、板ガラスの両面側から高圧液スプレーを噴射する高圧液スプレー部材19を上下動可能に備えた高圧液スプレー洗浄装置4と、板ガラスの両面側から上下方向に延びる膜状の気流であるエアナイフを吹き付ける水切り部材30を備えた水切り装置6とを備えている。 (もっと読む)


【課題】被処理基板裏面の汚染物質に起因する半導体装置の製造歩留まりの低下を抑制できる。
【解決手段】本発明の例に関わる基板処理方法は、被処理基板の表面に塗布膜を形成する工程(ST1)と、被処理基板の裏面に対して親水化処理を行う工程(ST2)と、親水化処理を行った後、被処理基板の裏面に洗浄液を供給し、前記被処理基板の裏面を洗浄する工程(ST3)とを備える。 (もっと読む)


【課題】薬液供給装置を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態による薬液供給装置は、それぞれ前後方向に移動可能な複数のノズルと、複数のノズルを内部に収容し、ノズルが出入り自在に一方の側が開放されたノズルカバー及びそれぞれのノズルを前後方向に移動させるノズル駆動部を備える。 (もっと読む)


【課題】基板支持部材、これを有する基板処理装置及びこれを用いた基板処理装置洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板支持部材は、基板が載置されるスピンヘッド、回転結合部、及び流体を供給する供給配管を含む。回転結合部は供給配管から流体を供給され、回転するスピンヘッドに流体を提供する。スピンヘッドは流体を噴射する少なくとも一つの噴射孔が形成され、回転すると共に流体を側面方向に噴射する。これにより、基板支持部材は流体を処理容器の内壁に提供できるので、処理容器の洗浄効率及び生産性を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】搬入禁止であった処理室のエラーが解除された場合、搬送経路を最適化する。
【解決手段】処理システムは、プロセスモジュールPM1、PM2とロードロックモジュールLLM1、LLM2と装置コントローラECとマシーンコントローラMCとを有する。ECは、処理システム内のウエハの搬送と処理を制御する。ECの搬送先決定部は、正常に稼働しているPM1、PM2に対してウエハが順番に搬送されるようにウエハの搬送先を定める。ECの退避部は、PM2に異常が発生した場合、異常PM2を搬送先と定め、かつ異常PM2に未だ搬入していないウエハP12を、一旦、カセット容器Cに退避させる。ECの搬送先変更部は、異常が発生していたPM2のエラーが解除されたとき、カセット容器Cから最先に搬出予定のウエハP14の搬送先を搬入禁止が解除されたPM2に変更する。 (もっと読む)


【課題】異常発生時に退避させたウエハの新たな搬送先のPMにて直前に実行される処理の内容が所定の場合、新たな搬送先への搬送を禁止する。
【解決手段】処理システム10は、PM1、PM2とLLM1、LLM2とEC200とMC100とを有する。EC200は、処理システム内のウエハの搬送と処理を制御する。EC200の搬送先決定部255は、正常PMに対してウエハが順番に搬送されるようにウエハの搬送先を定める。退避部260は、PMに異常が発生した場合、異常PMを搬送先と定め、かつ異常PMに未だ搬入していないウエハを、一旦、カセットステージCSに退避させる。搬送禁止部265は、退避ウエハの搬送先が新たに定められた場合、新たな搬送先のPMにて退避ウエハを処理する直前に実行される処理が所定の条件を満たしているとき、新たな搬送先に退避ウエハを搬送することを禁止する。 (もっと読む)


【課題】クリーニング搬送部材を用いて基板処理装置をクリーニングする方法であって、該クリーニング搬送部材は、被着体に対して必要な粘着力を有し、クリーニング部位に汚染を生じることなくサブミクロンレベルの異物も除去でき、耐熱性に優れ、高温下でも十分な粘着力と凝集力を発揮し、使用後に被着体から引き剥がす際に被着体に糊残りを生じることなく容易に剥離する事が可能であり、使用後に再利用することが可能である、基板処理装置のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】本発明の基板処理装置のクリーニング方法は、クリーニング搬送部材を用いて基板処理装置をクリーニングする方法であって、該クリーニング搬送部材は搬送部材の表面に該表面からの仰角が90度未満で突出したアスペクト比が1以上の斜め柱状構造体の集合層を備え、該クリーニング搬送部材を清浄処理した後に用いる。 (もっと読む)


【課題】物体を良好にクリーニングできるクリーニング装置を提供する。
【解決手段】クリーニング装置は、物体に向けて、物体と異なる温度のクリーニング材を噴射する第1供給口と、第1供給口から噴射されたクリーニング材の周囲の少なくとも一部を取り囲むようにクリーニング材と異なる流体を供給する第2供給口とを備えている。 (もっと読む)


【課題】複数種類の液体を用いる基板処理方法において、液体を用いた処理の後に基板上に残留している当該液体を、次に使用される液体によって迅速かつより確実に置換することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理方法は、処理液によって基板Wを処理する工程と、基板上に置換液を供給し、基板上に残留する処理液を置換液で置換する工程と、を備える。置換する工程に用いられる置換液は、処理液の表面張力よりも小さい表面張力を有し、かつ、処理液の密度と同一の密度を有する。 (もっと読む)


【課題】被処理基板の裏面端部や側面に付着した膜(汚染物質)を除去することを可能にする汚染物質除去方法等を提供する。
【解決手段】本発明の汚染物質除去方法は、表面に薄膜が形成された被処理基板7の裏面縁部及び側面に対して、真空中において、指向性を有するビームを照射することを含む。 (もっと読む)


【課題】ロットに含まれる基板に対して所定の処理を施す際に、装置の稼働率を向上させることができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】各処理ユニット1〜4では、予め規定された3つの測定清浄度レベルMA〜MCからパーティクルカウンタ41〜44の測定結果に対応する清浄度レベルが測定レベルとして設定される。一方で、ロット側でも、予め規定された3つの要求清浄度レベルから基板Wが属するロットに要求される清浄度レベルが要求レベルとして設定される。3つの測定清浄度レベルMA〜MCと3つの要求清浄度レベルRA〜RCとの間の対応関係に基づいて、要求レベルに応じて処理ユニット1〜4のいずれかが選択され、選択された処理ユニットで基板Wが処理される。 (もっと読む)


【課題】基板の端部を清浄に維持することが可能な基板処理装置を提供することである。
【解決手段】現像液吐出ノズル911が現像液を吐出しつつ基板Wの上方を通過する。これにより、基板W上の全面に現像液が液盛され、レジスト膜の現像処理が進行する。現像処理終了後、基板W上から現像液および溶解したレジスト膜が洗い流される。そして、基板Wの回転およびリンス液の吐出が維持された状態で、洗浄ブラシ920の溝C1が基板Wの端部に押し当てられる。これにより、基板Wの端部が洗浄され、基板Wの端部に付着するレジストカバー膜の残渣およびレジスト膜の残渣等の汚染物が取り除かれる。 (もっと読む)


【課題】酸素濃度の低減処理を効率的に行うことにより、スループットを向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部67は、基板Wに対して処理液による処理を行わせた後、窒素ガスを供給させるとともに、排気ポンプ28bを操作して排気を行わせてチャンバ27内の酸素濃度を低減させ、所定時間が経過した時点で排気及び不活性ガスの供給を停止させ、溶剤ノズル33から溶剤蒸気を供給させてチャンバ27内を溶剤雰囲気にさせた後に乾燥処理を行わせる。窒素ガスでの酸素の追い出しだけでなく、排気ポンプ28bでの気体の排出を併用するので、チャンバ27内の酸素濃度を急速に低減させることができる。したがって、基板Wを乾燥位置へ引き上げるまでの時間を短縮することができ、スループットを向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】基板端部の洗浄を行なうことによって、基板端部で生じた異物に起因する汚染発生を防止し、歩留まり低下を抑制することのできる基板洗浄装置及び基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板Wの端部W1を洗浄する基板洗浄装置1A、1Bであって、前記基板Wを略水平姿勢に保持し、該基板Wを鉛直軸周りに回転自在な基板保持手段2と、前記基板保持手段2により保持され、所定の回転速度で回転する基板Wの端部W1に洗浄液を噴射する洗浄液噴射手段7とを備え、前記洗浄液噴射手段7は、前記洗浄液を前記基板Wの端部W1に対し側方から噴射する。 (もっと読む)


【課題】基板表面に付着したパーティクルや有機物の汚染、金属汚染及び有機物と金属による複合汚染の除去性と再付着防止性に優れ、基板表面を腐食することなく、高度に清浄化することができる半導体デバイス用基板洗浄液を提供する。特に、疎水性のため薬液をはじき易く、パーティクル除去性が悪い低誘電率(Low−k)材料の洗浄性に優れた洗浄液を提供する。
【解決手段】(A)有機酸及び(B)HLB値が5以上13未満の非イオン型界面活性剤を含有することを特徴とする半導体デバイス用基板洗浄液。 (もっと読む)


【課題】半導体基板に残存したレジストを基板表面全体に均一に、損傷を与えることなく、単位体積当りのオゾン水のフォトレジストへの反応効率を上げて効果的に剥離、除去する。
【解決手段】フォトレジスト除去装置1は、回転支持台3と、洗浄ノズル7と、高濃度オゾン水供給装置4とを備え、洗浄ノズル7は、高濃度オゾン水を注水する円筒管11と、円筒管11の下端に取り付けられた透明円盤13とを有し、透明円盤13は、回転支持台3に支持された基板9に対して一定の隙間14を介して対向するように配置されており、円筒管11から注水される高濃度オゾン水を、基板9表面において厚さの均一な薄液膜15として放射方向に流しながらエキシマー光照射源8からのエキシマー光を透明円盤13を透過させて基板9表面に照射することにより、基板9表面に残存しているフォトレジストを除去する。 (もっと読む)


【課題】超音波発振子から発せられる超音波を洗浄液の加振に効率よく利用しつつ、超音波発振子の作動状況と洗浄液の吐出圧力を含めて洗浄液の吐出状態を監視できる超音波洗浄装置を提供すること。
【解決手段】超音波洗浄装置は、洗浄すべき基板を搭載して回転する回転テーブルと、超音波発振子を有し超音波が印加された洗浄液を吐出して基板の洗浄処理を行う洗浄ノズルと、洗浄ノズル近傍の湿度を測定する湿度センサと、湿度センサによって測定される湿度を監視する監視部とを備える。 (もっと読む)


【課題】めっき処理した半導体基板をめっき液除去および洗浄する際の異物付着を抑えることができる半導体装置の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】ウェーハW(半導体基板)をめっき処理槽1内のめっき液13に浸漬して金属膜を形成する工程と、金属膜が形成されたウェーハWをめっき液13の上方のめっき処理槽1内で純水の噴射および回転を付与してウェーハ表面のめっき液を除去する工程とを含んだ半導体装置の製造方法において、ウェーハ表面のめっき液を除去する工程でさらにウェーハWを振動させる。ウェーハWを振動させることでめっき液を振り落とすので、回転のみで液切りする場合に比べて外方へ飛散するめっき液量を抑え、槽の側壁へのめっき液やそれから生じる異物(結晶)の付着、その異物のウェーハWへの再付着を抑えることができる。 (もっと読む)


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