【課題】異常により所定の処理が停止しても、リトライ処理を行うことで、ウェハ回収作業等の実施に起因する装置稼働率の低下を抑止できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ウェハ１を搬送する搬送手段と、前記搬送手段を制御する制御手段を備えた基板処理装置であって、前記搬送手段が、前記基板を搬送中にエラーが発生して一時停止したときに、前記制御手段は、所定回数のリトライ処理を前記搬送手段に実施させても前記エラーが解消されない場合、前記搬送手段を待機状態（コマンド入力待ち状態）に移行させる。 （もっと読む）

【課題】露光不良を抑制できる、ステージ装置、露光装置、洗浄方法及びデバイス製造方法を提供すること。
【解決手段】
基板ステージ２の基板保持部５は、液体供給装置７に接続可能な液体供給口３を備える。液体供給装置７は、液体供給口３を介して、チャック面５ａに液体を供給することが可能である。 （もっと読む）

【課題】ウエハ割れやクラックが発生したり、歩留まりが悪くなるようなことがなく、半導体ウエハを１枚ずつ分離することが出来る、半導体ウエハのセパレーター機構を提供する。
【解決手段】半導体ウエハを分離するウエハ分離促進槽と半導体ウエハの位置決めをするストッパー５を３ヶ所に設けられたプレートからなるウエハ設置ベース３と、前記ウエハ設置ベース３が取り付けられたストッパー５と、前記ストッパー５はストッパー高さ調節をするストッパー高さ調整機構に取り付けられて前記ストッパー５のウエハ設置ベース３側の上部に設置したウエハ送りローラー４と前記ウエハ送りローラー４と前記ストッパー５の間に設置した補助ローラーからなる半導体ウエハのセパレーター機構。 （もっと読む）

【課題】パターン倒壊を防止し、低ダスト・高スループットでの超臨界乾燥を実現する。
【解決手段】ウェーハ支持部３１によりウェーハＷを把持して洗浄チャンバ１からウェーハＷを搬出する前に、近接板３３をウェーハＷのデバイス面に近接させ毛細管力でリンス液ＲＬをウェーハＷ上に保持したままで、超臨界乾燥チャンバ２へ搬送する。 （もっと読む）

【課題】レジストパターン及び乾式及び湿式エッチング残渣除去能力に優れ、アルミニウム及び／または銅を含む金属配線の腐食防止力に優れるだけでなく、基板の処理枚数が増えて経済性に優れたレジスト剥離液組成物及びこれを用いたレジストの剥離方法を提供する。
【解決手段】本発明はレジスト剥離液組成物及びこれを用いたレジストの剥離方法に関する。前記レジスト剥離液組成物はレジストパターン及び乾式及び湿式エッチング残渣除去力に優れ、特定のポリオール化合物を含むので、アルミニウム及び／または銅を含む金属配線の腐食防止力に優れる。また、特定のアミド化合物を含むので、多数の基板を処理することができ、原価節減に大きく寄与する。 （もっと読む）

【課題】 ウェハ端面での反射防止膜のリンス処理により形成されたハンプ、又は該ハンプに起因するエッチング段差や膜残渣を除去し、ウェハ端面からの微小異物の飛散を防止する。
【解決手段】 半導体ウェハ１１１の端面において、半導体ウェハ１１１上に成膜された反射防止膜１２１、１４１の外周部をリンス処理により除去した後、反射防止膜１２１、１４１上に設けられたレジストパターン１２３、１４３を用いて、反射防止膜１２１、１４１及びその下地構造をエッチングする。リンス処理は、反射防止膜１２１、１４１の最外周部にハンプ１２２、１４２を生じさせ得る。上記エッチングの前又は後に、ウェハ端面において、ウェハ端面以外の領域にマスクを設けることなく、ハンプ１２２、１４２が形成された位置をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】経時変化や故障、人為的ミス等により所定の閾値を超えた場合に当該事実を自動報知することが可能な極めて実用性に秀れた超音波強度監視装置の提供。
【解決手段】洗浄液１が貯留される洗浄槽２に該洗浄液１に超音波振動を付与する振動部３が設けられ、この超音波振動が付与される洗浄液１により被洗浄物を洗浄する超音波洗浄装置に設けられる超音波強度監視装置であって、前記洗浄槽２に接合部材を介して設けられ前記超音波振動を感知して前記洗浄槽２に伝達される超音波強度を検出する超音波強度検出センサ４と、この超音波強度検出センサ４と接続され該超音波強度検出センサ４で検出した前記超音波強度が所定の上限閾値若しくは下限閾値を超えた際、この上限閾値若しくは下限閾値を超えたことを報知する報知機構を有する制御部５とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板表面にウォーターマークが生成されるのを抑制しつつ、疎水性を示す基板表面を洗浄後にリンスし乾燥させることができるようにする。
【解決手段】少なくとも一部が疎水性である基板Ｗの表面をリンスし乾燥させる基板処理装置であって、水平に配置された基板Ｗの外周部を囲繞する位置に堰１８を配置し、基板Ｗの表面にリンス水を供給して基板Ｗの全表面に堰１８によって流れを堰き止めたリンス水の連続した液膜２６を形成し、基板Ｗを回転させ基板Ｗの表面の中心部にある液膜２６を基板Ｗの表面の外周部に移動させて基板表面の中心部を露出させ、しかる後、基板Ｗの表面の液膜２６を完全に除去して基板Ｗの表面を乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＡ等の使用量を可能な限り減少させ、しかも液滴やミストの発生を最小限に抑えることによって、乾燥後の基板表面にウォーターマークが発生することを抑制できるようにする。
【解決手段】少なくとも一部に疎水性を有する基板Ｗの表面を乾燥させる基板処理方法であって、基板Ｗの表面と近接した位置に近接板１６を該基板Ｗの表面に対向させて平行に配置して、基板Ｗの表面と近接板１６との間に該基板Ｗの表面及び該近接板１６にそれぞれ接する連続した被覆液膜２８を形成し、基板Ｗと近接板１６とを互いに平行に一方向に相対移動させて被覆液膜２８の基板Ｗの表面に対する位置を変更させることで、基板Ｗの表面の近接板１６で覆われなくなった領域に位置していた被覆液膜２８を基板Ｗの表面から除去する。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物に対するダメージを抑え、所望な洗浄性能を発揮することができる超音波洗浄装置を提供すること。
【解決手段】超音波洗浄装置１は、洗浄液７００を用いて被洗浄物８００を超音波洗浄処理する洗浄処理部１００と、洗浄液７００に対して超音波振動を照射する振動子２００と、振動子２００を圧電効果によって超音波振動させるために、所望の周波数で、且つ所望の振幅の電気信号を振動子２００に付与する発振器３００と、洗浄液７００中に所望の気体４１０を溶解する気体溶解部４００と、洗浄液７００に溶解している気体４１０の濃度を測定する気体濃度測定部５００と、データベースに基づいて超音波の出力範囲を算出する制御部６００とを有している。制御部６００は、気体４１０の濃度と、超音波の出力範囲との関係に基づいて、発振器３００が振動子２００へ付与する超音波の出力値を制御し、発振器３００が振動子２００に付与する電気信号を制御する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面に微細な凹凸パターンを有するシリコンウェハの製造方法において、パターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善するためのシリコンウェハ用洗浄剤を提供することを課題とする。
【解決手段】シリコンウェハ用洗浄剤は少なくとも水系洗浄液と、洗浄過程中に凹凸パターンの少なくとも凹部を撥水化するための撥水性洗浄液とを含み、該撥水性洗浄液は、シリコンウェハのＳｉと化学的に結合可能な反応性部位と疎水性基を含む撥水性化合物と、少なくともアルコール溶媒を含む有機溶媒が混合されて含まれるものとすること。 （もっと読む）

【課題】複数のバッチ式洗浄処理槽を有する洗浄処理装置の洗浄処理効率を向上させることができる半導体基板洗浄生産管理システムを提供する。
【解決手段】洗浄管理装置２は、洗浄処理装置１で処理予定の複数の仕掛かりロットについて仕掛かりロット情報を取得するとともに、その時点での洗浄処理装置１の装置稼動情報を取得する検知部２１を備える。シミュレーション部２２は、検知部２１が取得した情報に基づいて洗浄処理装置１において各仕掛かりロットのいずれかに対する洗浄処理を開始する場合の、当該仕掛かりロットの各洗浄処理槽４への割り当てをシミュレーションし、当該シミュレーション結果に基づいて仕掛かりロットの処理完了時間または不処理時間を仕掛かりロットごとに算出する。処理順決定部２３は、各仕掛かりロットの処理完了時間または不処理時間が最短の仕掛かりロットを次処理ロットに決定する。 （もっと読む）

【課題】スラリーのような固形分を含んだ薬液であっても、生産に寄与しない使用を抑え且つ効率よく供給できる薬液供給装置および薬液供給方法を提供する。
【解決手段】本発明の薬液供給装置は、順次に交換して設置される先後のドラム1,2などから希釈・供給ユニット6への薬液受入量と、この希釈・供給ユニット6の薬液を生産設備8へ供給する薬液供給量とを基に、制御ユニット20により、現ドラム1(あるいは2)と生産設備8との間の全薬液中における先の薬液容器からの薬液の残存率を演算するとともに、この演算値が前記先の薬液の残存率について予め決めた閾値以下となるようにドレインバルブ13を通じて薬液ドレイン量を制御する。 （もっと読む）

【課題】基板の保持を行う保持部材の保持部に洗浄液が噴射されることによりこの保持部が洗浄されている間に、保持部材における乾燥処理が困難な箇所である基端部に洗浄液が付着してしまうことを防止することができる洗浄装置、基板処理システム、洗浄方法、プログラムおよび記憶媒体を提供する。
【解決手段】保持部材３１、３２、３３の洗浄を行う洗浄装置４０は、保持部材３１、３２、３３の保持部３１ｐ、３２ｐ、３３ｐに洗浄液を噴射することにより当該保持部３１ｐ、３２ｐ、３３ｐの洗浄を行う洗浄部５０と、保持部材３１、３２、３３に対して進退を行い保持部材３１、３２、３３の基端部３１ｑ、３２ｑ、３３ｑをカバーするカバー部６０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴを用いた半導体装置において、ＴＦＴ中の汚染不純物を低減し、信頼性のあるＴＦＴを得ることを課題とする。
【解決手段】ガラス基板上のＴＦＴの被膜に存在する汚染不純物を、フッ素を含有する酸性溶液を被膜表面に接触させ、酸性溶液を一定方向に流すことにより、被膜表面の汚染不純物を除去することにより、信頼性のあるＴＦＴを得ることができる。なお、酸性溶液は、フッ酸とフッ化アンモニウムの混合比が体積比で１：５０のバッファードフッ酸を用いる。 （もっと読む）

【課題】メガソニック洗浄装置での基板洗浄において、超音波によるダメージに強く、基板保持位置の変位による基板の搬送トラブルを防止でき、良好な洗浄を実施できる基板保持治具を提供することを目的とする。
【解決手段】バッチ式のメガソニック洗浄装置において、洗浄時に洗浄槽内で基板を保持する基板保持治具であって、洗浄槽内に基板を保持するための対向する側板と、側板に両端が接続された２以上の石英製支持部材と、１つの保持溝を有し、石英製支持部材に複数取り付けられた樹脂製保持部材とを具備し、樹脂製保持部材が他の樹脂製保持部材と接触しないように石英製支持部材に取り付けられたものであり、樹脂製保持部材の保持溝に基板の周縁部を嵌めることで基板が保持されるものである基板保持治具。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置において、チャンバ内壁からの反応生成物の剥離によるパーティクルの抑制とチャンバ内雰囲気の安定化を、簡易な制御と構成で実現する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、アウターチャンバ１１とインナーチャンバ１２からなるチャンバ４を備える。インナーチャンバ１２は薄肉円筒状の放熱部１２ａと、この放熱部１２ａの上端側に一体に形成された温調部１２ｂを備える。温調部１２ｂにはシーズヒータ３１が取り付けられている。アウターチャンバ１１の排気口１１ｃと対向して、インナーチャンバ１２の放熱部１２ａに排気貫通孔１２ｃが設けられている。インナーチャンバ１２の温調部１２ｂには排気貫通孔１２ｃの上方に相当する部位に熱電対３５が取り付けられている。この熱電対３５の検出する温度に基づいて、シーズヒータ３１の発熱量が制御される。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物にダメージを与えることなく、洗浄液の使用量を抑えることが可能な超
音波洗浄ユニット及び超音波洗浄装置を提供する。
【解決手段】本発明の超音波洗浄ユニット２０は、間隙を持って被洗浄物Ｓの被洗浄面Ｓ
ａに対向するように配置された超音波伝達手段２５と、前記超音波伝達手段２５に設けら
れ前記超音波伝達手段２５を介して前記被洗浄面Ｓａ上の洗浄液Ｌに超音波を与える超音
波振動子２３と、前記洗浄液Ｌが流通する流路４０ａを前記超音波伝達手段２５の外周側
面に有して囲み前記超音波伝達手段２５よりも前記被洗浄面Ｓａに近接するように配置さ
れ前記洗浄液Ｌを前記間隙に吐出する導液手段４０とを具備していることを特徴とする。
この超音波洗浄ユニット２０により、超音波伝達手段２５と被洗浄物Ｓとの間で洗浄液Ｌ
を維持され、被洗浄物にダメージを与えることなく、少量の洗浄液で効率のよい超音波洗
浄を行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】たとえＣＭＰ後洗浄の場合等、残留物が基板に強固に付着して、既存の二流体ジェット洗浄を単に適用するだけでは十分な洗浄性能が得られない場合であっても、二流体ジェット洗浄をより有効に利用して、洗浄能力を高めた洗浄を行うことができるようにする。
【解決手段】基板に付着した汚染物を洗浄する基板の洗浄方法において、基板と基板上に付着している汚染物のゼータ電位の絶対値を増加させる処理を行い、しかる後、基板の表面に洗浄具を接触させて基板の表面を洗浄する接触洗浄と、ガスと液体を基板表面に向け同時に噴射して基板表面を洗浄する二流体ジェット洗浄とを行う。 （もっと読む）

【課題】 トランジスタの動作性能劣化を引き起こす可能性を軽減しつつ、低温プロセス、かつ、高スループットで有機化合物ガスを用いた基板処理を可能とする基板処理方法を提供すること。
【解決手段】 銅又は銅合金を含む薄膜を有した被処理基板の基板処理方法であって、複数の被処理基板Ｗと、複数のダミー基板ＤＷとを、複数段の被処理基板保持部６ａを有する被処理基板ボート５に、交互に保持させていく工程と、被処理基板Ｗ及びダミー基板ＤＷを、交互に保持した被処理基板ボート５を、有機化合物ガスを用いたドライ処理を行う処理容器に搬入する工程と、処理容器内において、被処理基板ボート５に保持された被処理基板Ｗに対し、有機化合物ガスを用い、銅又は銅合金を含む薄膜に対してドライ処理を行う工程と、を具備する。 （もっと読む）