【課題】洗浄効果の高い小さなバブルサイズのマイクロバブルを外部に供給することができ且つ装置を小型化することができ、装置の配置の自由度を向上させることができるマイクロバブル生成装置及びシリコンウェハ洗浄装置を提供する。
【解決手段】マイクロバブル生成装置１は、マイクロバブル生成機構１０とマイクロバブルを外部に導出する導出導管２０とを備える。導出導管２０は拡幅部２１と管部２２とを備え、導出導管２０において、拡幅部２１と管部２２とは互いに接続されており、互いに連通している。拡幅部２１は、軸ｚを中心軸とする中空円柱形であり、底面２３，２４と、円筒形の周面２５とを有し、拡幅部２１の一方の底面２３を介してマイクロバブル生成機構１０の噴出口１１が、他方の底面２４を介して管部２２が連通している。拡幅部２１のマイクロバブルの流路軸ｚに直交する断面の面積は、管部２２の流路軸ｚに直交する断面の面積より大きい。 （もっと読む）

【課題】
被加工試料の外周部で生じるシャワープレートからのガス供給不足を解決し、被加工試料での加工精度の面内均一性を向上させるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】
真空容器と、真空容器内に設けられ被加工試料を載置する試料台と、試料台に対向し被加工試料直径よりも大きな直径のガス供給面を有するガス供給手段とを有し、被加工試料の表面処理を行うプラズマ処理装置において、ガス供給手段のガス供給面には、同一直径のガス噴出し孔が同心円状に設けられており、被加工試料直径またはそれよりも外側にあるガス噴出し孔の孔数密度は、被加工試料直径よりも内側にあるガス噴出し孔の孔数密度よりも高い。また、ガス供給手段のガス供給面には、ガス噴出し孔が同心円状に設けられており、被加工試料直径またはそれよりも外側にあるガス噴出し孔直径は、被加工試料直径よりも内側にあるガス噴出し孔直径よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウェハ処理装置及び半導体装置の製造方法に関し、特にウェハを保持する保持部材に溝を設けることにより、処理液の液溜まりを抑制することが可能なウェハ処理装置及び半導体装置の製造方法である。
【解決手段】本発明に係るウェハ処理装置は、回転台６ａ、６ｂと、回転台を回転させる回転軸５と、回転台６ａ上に取り付けられ、ウェハ１０の外縁を保持する固定チャックピン１と、固定チャックピン１に設けられた溝２ａと、回転台６ａ、６ｂの上方に設けられた処理液を吐出するノズル１１と、を具備し、固定チャックピン１におけるウェハ１０の外縁との接触面３は、ウェハ１０の外縁に沿うように形成されており、溝２ａの開口部は接触面３に形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】処理容器内にて被処理体を回転させながら処理する処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、処理源１５５を用いて内部にて基板Ｇを処理する処理容器１００と、処理容器１００の壁部に配設され、基板Ｇを処理容器内に搬入又は処理容器内から搬出する複数のバルブＶと、処理容器１００の底面に対して鉛直方向の中心軸Ｏを中心に点対称に配置され、処理容器内にて中心軸Ｏを中心に回転可能な複数のステージ１１０ａ，１１０ｂと、複数のステージ１１０ａ，１１０ｂを支持し、複数のステージ１１０ａ，１１０ｂのうちのいずれかのステージを複数のバルブのうちのいずれかの搬送口近傍まで回転させるタイミングに併せて、複数のステージ１１０ａ，１１０ｂのうちの他のいずれかのステージを複数のバルブＶのうちの他のいずれかのバルブＶの近傍まで回転させるステージ支持部材１１５と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ノズルへ供給される処理液を一定温度に維持できる処理液供給ユニットと、これを利用する基板処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理装置及び方法は、ノズルアームと待機ポートとの間の熱伝達、そしてノズルアームとノズル移動ユニットとの間の熱伝達を通じて、待機位置での待機の時、工程位置での工程進行の時、待機位置と工程位置との間で移動する時、にノズルアームに内蔵された処理液配管内の処理液の温度を調節することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板にダメージを与えるプラズマを発生させずに気相でエッチングを行う。
【解決手段】シリコン酸化物１０１の除去に供される基板１０を格納したチャンバ２には大気圧よりも低圧のもと室温でテトラフルオロエチレンガスとオゾンガスが供される。オゾンガスはオゾン発生装置４から供される。オゾン発生装置４はオゾン含有ガスを蒸気圧の差に基づいてオゾンのみを液化分離した後に再び気化させて超高濃度オゾンガスを得る。チャンバ２は混合室と処理室を有するようにしてもよい。混合室、処理室はチャンバ２を上下二つの室に区画する仕切りによって成る。混合室にはテトラフルオロエチレンガスとオゾンガスが供される。混合室内のテトラフルオロエチレンとオゾンの混合ガスは基板１０を格納した処理室に移行する。仕切りは混合室内のガスを処理室内に移行させるシャワーヘッドを備える。シャワーヘッドは仕切りに複数の孔を形成して成る。 （もっと読む）

【課題】基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去するための基板洗浄方法および基板洗浄装置において、高いスループットを得られ、しかもパーティクル等を効果的に除去することのできる技術を提供する。
【解決手段】基板Ｗの表面Ｗｆ（パターン形成面）については、凍結洗浄技術によってパーティクル等の除去を行う。一方、基板裏面については、回転する基板下面中心に向けて凝固点近傍温度まで冷却されたＤＩＷと、ＤＩＷの凝固点温度よりも低温の冷却ガスとを吐出する。こうして冷やされたＤＩＷが基板裏面Ｗｂに沿って流れる際に、基板に付着したパーティクル等を除去する。 （もっと読む）

【課題】ＳＰＭ洗浄法を用いた半導体洗浄装置に組み込める簡易なシステムであって、過酸化水素に由来する洗浄液の硫酸濃度の低下を抑制することにより硫酸溶液寿命を延長し、これにより環境負荷低減を図ることができる洗浄システムを実現すること。
【解決手段】本発明の洗浄システムは、硫酸溶液と過酸化水素の混合液を洗浄液として半導体基板を洗浄する洗浄手段と、前記洗浄手段から洗浄液を排出して前記洗浄手段に還流させる循環ラインと、内部が分子ふるい型水分子選択性透過膜で隔てられた濃縮側と透過側の領域を有し、前記濃縮側の領域を前記循環ラインに介設した脱水モジュールを有する脱水手段と、前記脱水手段の透過側を減圧する真空ポンプと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】基板表面に対するダメージの発生及び処理力の低下を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１において、被処理面を有する基板Ｗを保持して回転させる回転機構５と、回転機構５により回転する基板Ｗの被処理面に対して処理液を供給する供給ノズル６と、供給ノズル６を基板Ｗの周縁に向かって並ぶ複数の供給位置に順次移動させる移動機構７と、被処理面上の処理液の液膜厚を測定する測定部８と、測定部８により測定された液膜厚に応じて、複数の供給位置毎に基板Ｗの回転数を変更し、被処理面上に形成された液膜厚が一定になるように基板Ｗの回転数を制御する手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板を品質よく処理することができる基板処理装置、ガス溶解液供給方法、および、基板処理方法を提供する。
【解決手段】二流体ノズル２１と、二酸化炭素が溶解された炭酸ガス溶解水を二流体ノズルに供給する溶解液供給管２２と、炭酸ガス溶解水の溶存ガスと同じ二酸化炭素をキャリアガスとして二流体ノズル２１に供給するキャリアガス供給管２３と、を備えている。二流体ノズル２１は、炭酸ガス溶解水の液滴をキャリアガス（二酸化炭素）とともに基板Ｗに噴射する。噴射された炭酸ガス溶解水は溶解濃度が比較的に高い状態で基板Ｗに着液する。よって、基板を品質よく処理することができる。 （もっと読む）

【課題】フープ本体を把持する本体把持部及びドアを把持するドア把持部を共通の把持部駆動機構で駆動することができ、構造の簡素化及び製造コストの低減が図れるフープ洗浄乾燥装置を提供する。
【解決手段】前面に開口部を有するフープ本体２ａと該フープ本体２ａの開口部にロック・アンロック可能に装着されたドア２ｂとを有するフープ２を、上記フープ本体２ａと上記ドア２ｂとに分離して洗浄乾燥するフープ洗浄乾燥装置１であって、上記フープ２を把持して搬送するためのロボットアーム７を備え、該ロボットアーム７の先端部には、上記フープ本体２ａの上部に突設された被把持部２ｘを把持する本体把持部１９と、上記ドア２ｂを把持するドア把持部２０とを駆動するための同一軸線上で互いに接近又は離反する一対の移動体２１を有する共通の把持部駆動機構２２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 シールリングの劣化による液漏れリスクを低減し、メンテナンスコストの削減を図るとともに、信頼性向上に寄与する。
【解決手段】 外面に形成した熱交換面を冷却又は加熱することにより内部に流通する薬液Ｌに対して熱交換を行う薬液用熱交換器１を構成するに際して、所定の焼成素材Ｍを焼結して全体を一体形成することにより、内部に薬液Ｌを流通させる薬液流通路Ｒを設け、かつ少なくとも外面となる上面２ｕ及び下面２ｄに熱交換面Ｃｕ，Ｃｄを設けるとともに、上面２ｕ及び下面２ｄの少なくとも一方に薬液流通路Ｒに臨む流入口Ｒｉ及び流出口Ｒｅを設けた熱交換ブロック２と、上面２ｕ及び下面２ｄの少なくとも一方２ｕ（２ｄ）に固定し、かつ流入口Ｒｉに連通する流入側接続部Ｊｉ及び流出口Ｒｅに連通する流出側接続部Ｊｅを設けた接続用ヘッダ３とを具備する。 （もっと読む）

【課題】装置を複雑化、大型化させることなく、ウエハのエッジに付着した異物を洗い落とす。
【解決手段】洗浄ブラシ３は、円柱状である。洗浄ブラシ３の外周面上には、その中心軸Ｐ方向の高さ位置を連続的に変化させながら周方向に延びるＶ字状の切り込み部１１が設けられている。ウエハＷの下面の周縁部及び端面部を洗浄する場合には、切り込み部１１における高さ位置が最も高い部分ＡがウエハＷと当接するように、洗浄ブラシ３の中心軸Ｐ回りの回転位置を位置決めする。また、ウエハＷの上面の周縁部及び端面部を洗浄する場合には、切り込み部１１における高さ位置が最も低い部分ＢがウエハＷと当接するように、洗浄ブラシ３の回転位置を位置決めする。 （もっと読む）

【課題】基板の端面を含む周縁部に付着した付着物をブラシにより効果的に除去することができる基板洗浄装置を提供すること。
【解決手段】基板洗浄装置１は、基板Ｗを回転可能に保持するスピンチャック３と、スピンチャック３に保持されている基板Ｗを回転するモーター４と、スピンチャック３に保持されている基板Ｗに洗浄液を供給する洗浄液供給機構１０と、洗浄時に基板Ｗの周縁部に接触する周縁部洗浄部２１ｃを有するブラシ２１、ブラシ２１を回転させる回転機構３３，３４、およびブラシ２１をウエハＷに押しつける押しつけ機構２７を有する洗浄機構２０とを具備する。周縁部洗浄部２１ｃは、径方向で洗浄力分布が形成されるように径方向に沿って状態が変化している状態変化部分５２を有する。 （もっと読む）

【課題】より簡単な構成で基板を把持することができる基板把持機構を提供する。
【解決手段】基板把持機構は、基台１と、基台１に支持され、該基台１に対して上下方向に相対移動可能な複数の基板支持部材２と、基板支持部材２の上端にそれぞれ設けられた基板把持部２８と、基板支持部材２を上下動させる駆動機構２０と、少なくとも１つの基板支持部材２および基台１のうちのいずれか一方に取り付けられた第１の磁石３１と、少なくとも１つの基板支持部材２および基台１のうちの他方に取り付けられた第２の磁石３２とを備える。第１の磁石３１の磁石は、基板支持部材２の上下動に伴って、第２の磁石３２と近接した位置となるように配置され、第１の磁石３１と第２の磁石３２が近接したときに、第１の磁石３１と第２の磁石３２との間に発生する磁力により基板把持部２８が基板Ｗの端部を押圧する方向に基板支持部材２を移動させる。 （もっと読む）

【課題】 洗浄の高速化に確実に対応でき、しかも洗浄時の装置の振動を抑制でき、均一で効率的な洗浄を可能にする高圧水噴射洗浄装置を提供する。
【解決手段】 ケーシング３３の先端に高圧水噴射ノズルｎを設けたホルダー３０を備え、ケーシング３３の内部に回転自在に支持した支持軸２７を設け、この支持軸２７の先端側に軸心のずれた偏心部を形成し、この偏心部と前記支持軸２７とに軸受面が揺動可能な軸受２６を設け、この軸受２６に前記ホルダー３０の基部側を回転自在に支持し、ホルダー３０に高圧水チューブ３１を連結した高圧水噴射洗浄装置であって、高圧水噴射ノズルｎに３つの高圧水噴射孔ｎｋを設けている。 （もっと読む）

【課題】広範囲にわたる基板の処理を行うことができるとともに、設置面積を削減することができる基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム及び基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供すること。
【解決手段】本発明では、基板を収容する基板処理室内で気体と液体とを混合した２流体を基板に向けて吐出して基板の処理を行う基板処理装置において、前記基板処理室内に、ノズルの内部で２流体を混合して外部に吐出する内部混合手段と、ノズルの外部に２流体をそれぞれ吐出して外部で混合する外部混合手段とを設けることにした。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で、流速又は衝突力を低下させることなく、微細気泡を含む水流を広い角度範囲で生成できるノズル及びそれを備えた装置を提供する。
【解決手段】気泡発生ノズルは、ベンチュリ管を形成する液体流路（ノズル本体１の上流側から先端部の噴出口６に向かって、流路幅が絞られた最小流路部４と、この最小流路部の下流域で流路幅が拡がる拡大流路部５とで構成された液体流路）と、前記最小流路部と合流する気体流路７，８と、前記ノズル本体１の前方方向に延び、噴出口の中心軸線に向かって放物線状に湾曲して形成され、かつ噴出口からの流体を広角に案内するためのガイド壁９とを備えている。ガイド壁のガイド面１０は幅方向に断面Ｕ字状に湾曲している。 （もっと読む）

【課題】熱の再利用ができ、配管の破損が生じても問題が生じることがなく、その上、装置のコストアップを抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】二重容器２７における熱交換により、排出される燐酸と供給される燐酸との間で熱の再利用ができる。また、熱交換が燐酸同士であるので、二重容器２７の内容器２９が破損したとしても問題が生じない。その上、別体の予備温調ユニットを設けることなく、供給する燐酸に加温することができるので、装置のコストアップを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の上面に処理液を供給し基板を鉛直軸回りに回転させて基板を処理する際に、基板を加熱することなく基板上の処理液を加熱して、処理液の温度を基板面内で均一に保ち、基板面内における処理品質の均一性を向上させることができる方法を提供する。
【解決手段】基板保持部１２に水平姿勢に保持されて鉛直軸回りに回転するシリコン基板Ｗの上面へ給液ノズル１６から水溶液の処理液を供給して基板を処理する際に、ハロゲンランプ１８からシリコン基板Ｗの下面側へ波長が１．２μｍ〜５．０μｍの範囲である赤外線を照射する。シリコン基板Ｗを透過した赤外線は、基板上面の処理液に吸収されて、処理液の温度が上昇する。 （もっと読む）