【課題】本発明は、貫通孔の中心の位置ずれを抑制することができる素子収納用パッケージ及びこれを備えた電子装置を提供する。
【解決手段】素子収納用パッケージであって、基体１と、互いに対向して配置された第１および第３の側壁２ａ、２ｃならびに第２および第４の側壁２ｂ，２ｄを有し、第１および第３の側壁２ａ，２ｃの両方の側部の一部が切り欠かれた切欠き部２ｆを有する、基体に設けられた枠体２と、切欠き部２ｆに取り付けられた入出力端子３と、枠体２の上面のシールリング５と、シールリング５の上面の蓋体７とを備えており、第２および第４の側壁２ｂ，２ｄの幅が第１および第３の側壁２ａ，２ｃの幅よりも狭く、入出力端子３は、入出力端子の第１および第３の側壁２ａ，２ｃ側の両端面３ｅが第１および第３の側壁２ａ，２ｃの外側に突き出た状態で切欠き部２ｆに取り付けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】制御回路と光モジュール間の距離を近接させつつ、これらを効果的に冷却することができる回路基板を提供すること。
【解決手段】電子機器の筐体内に配置され、相互に接続された光モジュールと制御回路とが実装された回路基板であって、上記制御回路に搭載され当該制御回路に対して送風して当該制御回路を冷却するファン付きヒートシンクと、上記回路基板上に設けられ上記ファン付きヒートシンクの吸気口に対して上記筐体の外部から取り込んだ外気を流通させる外気導入管と、を備え、上記外気導入管の形成箇所に沿った所定位置に、上記光モジュールを配置した。 （もっと読む）

【課題】発光素子の高速駆動を可能にすること。
【解決手段】信号整形回路１１０は、発光素子１２０の駆動信号を整形する整形回路である。プリエンファシス回路１１１は、駆動信号の立ち上がり部分および立ち下がり部分を対称に強調する。オフセット調整回路１１２は、駆動信号の直流オフセットを調整する。アンプ１１３は、入出力特性に非線形部を有し、オフセット調整回路１１２によって直流オフセットを調整された駆動信号を増幅する。 （もっと読む）

【課題】光モジュールの筐体を構成する放熱カバーの放熱接触面と、光サブアセンブリを構成するセラミックパッケージの背面の放熱面部とが、簡単で安価な構造で熱的に結合され、効果的に放熱することができる光モジュールおよびその組立方法を提供する。
【解決手段】光電変換素子が実装された光サブアセンブリ２１、電気信号の授受を行う電子部品群が実装されている回路基板１５等を、放熱カバー１１により覆った光モジュールであって、少なくとも発光素子が実装される光サブアセンブリ２１がセラミックパッケージ２２で形成される。該セラミックパッケージの背面の放熱面２５が放熱カバー１１の放熱接触面１１ｂと直交するように配され、前記の放熱面２５と放熱接触面１１ｂとは弾性と熱伝導性を有する金属板からなる放熱板１６により熱的に結合される。 （もっと読む）

【課題】よりいっそうの低消費電力化が可能な面発光レーザ、光源、及び光モジュールを提供すること。
【解決手段】電流狭窄層を挟むように形成され、第２導電型コンタクト層側に配置された第１組成傾斜層および活性層側に配置された第２組成傾斜層を備え、第１組成傾斜層および第２組成傾斜層は、積層方向において電流狭窄層からそれぞれ反対側の隣接する層に近づくにつれてそのバンドギャップエネルギーが単調減少し、隣接する層のバンドギャップエネルギーに近づくように構成され、第２導電型クラッド層はキャリアの移動度を低下させる材料を含み、第２組成傾斜層のキャリア濃度が、電流狭窄層の電流注入部のキャリア濃度以上である。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ素子が不良とされる率を低減させて、半導体レーザモジュールの製造コストを下げることのできる半導体レーザモジュールの製造方法を提供すること。
【解決手段】本製造方法は、半導体レーザ素子３と光ファイバ７とを備える半導体レーザモジュール１の製造方法であって、半導体レーザ素子３の端面位相を検出する検出工程と、半導体レーザ素子３の端面位相が何れであってもその周波数特性が略一定となるように設定されている駆動電流値Ｉｂ１のうち検出工程で検出された端面位相に応じた駆動電流値Ｉｂ１を取得する取得工程と、取得工程で取得した駆動電流値Ｉｂ１の駆動電流を半導体レーザ素子３に与えた際に光ファイバ７からの光出力が略一定となるように、半導体レーザ素子３と光ファイバ７との間の光軸調整を行う調整工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】低コストで容易な構造の光量モニタ可能な面発光レーザモジュールを提供する。
【解決手段】基板面に対し垂直方向に光を出射する面発光レーザを有する面発光レーザ素子と、前記面発光レーザの光をモニタするための受光素子と、前記面発光レーザ素子を取り囲むように形成されるパッケージと、を有し、前記パッケージには、前記面発光レーザの光の出射方向に、前記光を透過する材料により形成された出射窓を有し、前記受光素子は、前記出射窓の端面からの光を受光するように配置されていることを特徴とする面発光レーザモジュールを提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】実装時に生じる応力による影響を極力抑え、配線箇所の強度及び素子部の信頼性の向上を図ることが可能な光配線部品を提供する。
【解決手段】レーザ発光部２３を有する素子部２２が設けられたアレイチップ１２がフェルール１３に実装されて素子部２２のチャンネル数が１０チャンネル以上である光配線部品１１であって、６チャンネル以下のアレイチップ１２が、フェルール１３に複数個実装されている。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高い光デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 光デバイスは、第１の厚みを有し部品搭載領域となる第１領域と、前記第１の厚みよりも大きい第２の厚みを有し、そこから端部までの間は部品が搭載されない部品非搭載領域となる第２領域とを備えるキャリアと、前記キャリアの第１領域に搭載された光学部品と、上部に前記キャリアを搭載する温度制御装置と、を備える。光デバイスの製造方法は、 第１の厚みを有し部品搭載領域となる第１領域と、前記第１の厚みよりも大きい第２の厚みを有し、そこから端部までの間は部品が搭載されない部品非搭載領域となる第２領域とを備えるキャリアを準備する第１工程と、第１工程後に、前記キャリアを温度制御装置上に搭載する第２工程と、第２工程後に、前記キャリアの第１領域に第１光部品を搭載する第３工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】Ｓ／Ｎ比を向上させ、かつ、安定した強度の光信号を受信可能とする光通信用モジュールを提供すること。
【解決手段】本発明の実施形態にかかる光通信用モジュール１００は、電気信号を光信号に変換して出射する少なくとも１つの平面発光素子５ａ（５ｂ）を有する。平面発光素子５ａ（５ｂ）の光信号の放射角が３０度以下になるように平面発光素子５ａ（５ｂ）の光軸方向に所定の間隔をもって設置され、第１の光信号と第２の光信号を出力するレンズ７ａ（７ｂ）を有する。レンズ７ａ（７ｂ）の光軸中心上に設置され、第１の光信号を特定方向に変更して透過する第１の偏光板２２を有する。さらに、レンズの光軸中心上で、第１の偏光板２２に隣接して設置され、第１の光信号に対して偏光格差が９０度になるように第２の光信号を偏光して透過する第２の偏光板２３とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法によって正確なマイクロホールを備えたマイクロホールアレイを製造することができ、しかもマイクロホールと光デバイスとの調心作業を行うことなく信頼性能高い光接続を可能とする光モジュール及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｎ本の光ファイバ２０からなる多心光ファイバ２の端部とＶＣＳＥＬ、ＰＤ等の複数の光デバイス１１との間で光伝送を行う光モジュール１は、複数の光デバイス１１を搭載した光デバイスモジュール１２と、複数のマイクロホール１３が穿設されたマイクロホールアレイ１４と、端部がマイクロホール１３に挿入された光ファイバ２０とを有する。Ｎ本の光ファイバ２０をマイクロホール１３に挿入するのみで、光ファイバ２０は無調整で光デバイスモジュール１２の光デバイス１１に同心に位置決めされて効率の良い光伝送が行われる。 （もっと読む）

【課題】コンパクトな構成で、混信や迷光を生じさせることなく、複数の光ファイバを２列に整列配置したコネクタとの間でマルチチャンネル光通信を実現すること。
【解決手段】切り欠き部２４に全反射面２４ａを形成し、凹み部２５に、透過面２５ａ、透過面２５ｂおよび全反射面２５ｃを形成する。全反射面２４ａは、第１のレンズ３１より出射された各レーザ光Ｌ１を全反射させる。透過面２５ａおよび透過面２５ｂは、入射した各レーザ光Ｌ１を透過させる。全反射面２５ｃは、第３のレンズ３３より出射された各レーザ光Ｌ２を全反射させる。レンズアレイ２０の本体２１は、レーザ光Ｌ１の光路とレーザ光Ｌ２の光路とが交差することなく、光ファイバと光電変換素子（発光素子１１、受光素子１２）とを光学的に結合する。 （もっと読む）

【課題】部品点数が削減された、低コスト、低消費電力の光インターコネクションシステムを提供すること。
【解決手段】直接変調により、互いに異なる１．０〜１．２μｍの波長のレーザ信号光を出力する複数の面発光レーザ素子を有する面発光レーザアレイ素子と、受光アレイ素子とを備える複数の半導体集積素子と、前記レーザ信号光を導波するシリコン光導波路と、前記レーザ信号光を前記シリコン光導波路に結合させる光合波器と、前記シリコン光導波路を導波する前記レーザ信号光を前記複数の半導体集積素子のうちの所定の半導体集積素子に結合させる光分波器と、を備える。 （もっと読む）

【課題】フレキシブル基板の曲げ性を劣化させることなく配線密度を低下させ、線路間のアイソレーションを確保することができる光モジュールを得る。
【解決手段】フレキシブル基板５は、誘電体層１１と、誘電体層１１を挟んで対向する第１地導体パターン、および電気端子と電気的に接続された第１配線パターンを有する第１パターン対向部と、誘電体層を挟んで対向する第２地導体パターン、および電気端子と電気的に接続された第２配線パターンを有し、誘電体層１１の長さ方向について、第１パターン対向部と対向する第２パターン対向部と、を有し、第１パターン対向部と第２パターン対向部との間の部分を中心に誘電体層１１を折り曲げたときに、第１地導体パターンおよび第２地導体パターンの少なくとも一方が、第１配線パターンと第２配線パターンとの間に位置する。 （もっと読む）

【課題】 基板上に光素子や信号配線を高密度に実装する際、送受信間における光および電気の干渉によるクロストークノイズの影響を低減した光インターコネクションモジュールおよび、それを用いた光電気混載回路ボードの提供。
【解決手段】 一部が段になっている基板10と、段差上部に設置された発光素子アレイ11と、段差下部に設置された受光素子アレイ12と、発光素子アレイと接続された駆動回路13と、受光素子アレイと接続された信号増幅回路14と、基板面に沿って配線されたコア16を複数有する光導波路と、発光素子アレイから出射する光を光路変換しコア16へ入射させ、コア16から出射した光を受光素子アレイへ入射させる光路変換部とを備えた光インターコネクションモジュールとする。 （もっと読む）

【課題】光モジュールの筐体を構成する放熱カバーの放熱接触面と、光サブアセンブリを構成するセラミックパッケージの背面の放熱面部とが、簡単で安価な構造で熱的に結合され、効果的に放熱することができる光モジュールを提供する。
【解決手段】光電変換素子が実装された光サブアセンブリ２１」、電気信号の授受を行う電子部品群が実装されている回路基板１５を、放熱カバー１１により覆った光モジュールであって、少なくとも発光素子が実装される光サブアセンブリ２１がセラミックパッケージ２２で形成され、放熱カバー１１の放熱接触面１１ｂと直交するパッケージの背面の放熱面部２５に、弾性部材１７により放熱ブロック１６が押圧接触され、且つ放熱ブロック１６と放熱カバー１１の放熱接触面とが熱結合されている （もっと読む）

【課題】コンパクトな構成で電気的なクロストークが低減された光送受信モジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】発光素子４ａと、発光素子４ａからの光を送信する送信用光ファイバ６ａを収容する送信側光ファイバ位置決め部品３ａと、発光素子５ａの発光を電気的に制御する送信用半導体素子５ａとが素子搭載面２１ａに設けられた送信側基板２ａと、受光素子４ｂと、受光素子４ｂへ光を伝達する受信用光ファイバ６ｂを収容する受信側光ファイバ位置決め部品３ｂと、受光素子４ｂからの電気信号を増幅する受信用半導体素子５ｂとが素子搭載面２１ｂに設けられた受信側基板２ｂとを備え、送信側基板２ａの素子搭載面２１ａの反対側と、受信側基板２ｂの素子搭載面２１ｂの反対側とが向かい合うように配置されている光送受信モジュール１により上記目的が達成される。 （もっと読む）

【課題】挿抜容易性を保ちつつシールド性能をより高めることができる光トランシーバを提供する。
【解決手段】光トランシーバ１０は、光レセプタクル１６Ａと、光レセプタクル１６Ａに一端部が固定され、当該光トランシーバ１０がケージＣに挿入された際にケージＣの内面と接触する可撓性のフィンガ部３０ｆと、光レセプタクル１６Ａの外面上に配置された可動部材３２とを備える。可動部材３２は、ケージＣへの挿入時にケージＣの縁に当接する第一当接面３２ｂと、フィンガ部３０ｆと光レセプタクル１６Ａとの間に延びる第二当接面３２ｃとを有する。第一当接面３２ｂとケージＣとが当接することにより、可動部材３２がケージへの挿入方向と交差する軸を中心として回転し、第二当接面３２ｃがフィンガ部３０ｆの端部を押し上げる。 （もっと読む）

【課題】コンパクトでかつ伝送効率の良好な光送受信モジュールを提供する。
【解決手段】発光素子４ａと、発光素子４ａからの光を送信する送信用光ファイバ６ａを収容する送信側光ファイバ位置決め部品３ａと、発光素子４ａの発光を電気的に制御する送信用半導体素子５ａとが素子搭載面２１ａに設けられた送信側基板２ａと、受光素子４ｂと、受光素子４ｂへ光を伝達する受信用光ファイバ６ｂを収容する受信側光ファイバ位置決め部品３ｂと、受光素子４ｂからの電気信号を増幅する受信用半導体素子５ｂとが素子搭載面２１ｂに設けられた受信側基板２ｂと、を備え、送信側基板２ａの素子搭載面２１ａと受信側基板２ｂの素子搭載面２１ｂとが向かい合うように配置されている光送受信モジュール１により上記目的が達成される。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層と基板のＳｉ面とを接合させる構造において、Ｉｎを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層と基板とに剥がれが生じることを抑制すること。
【解決手段】本発明は、ＧａＡｓ基板３２の主面上に形成された光を発振する活性層３８を含む積層半導体層４６のうちの最表面の層である、Ｉｎを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であるＧａＡｓからなるコンタクト層４４の表面に、ＩｎＡｓの複数の量子ドットからなる接合層２２を形成する工程と、コンタクト層４４の表面を、接合層２２を介して、基板１０に含まれるＳｉ薄膜層１６のＳｉ面に接合させる工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）