【課題】 薄膜トランジスタや透明電極層を備える表示デバイスにおいて、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明電極層との直接接合が可能であるとともに、ｎ^＋−Ｓｉなどの半導体層とも直接接合が可能なＡｌ系合金配線材料を提供する。
【解決手段】 Ａｌ−Ｎｉ−Ｂ合金配線材料において、ニッケル含有量をニッケルの原子百分率Ｘａｔ％、ボロンの含有量を原子百分率Ｙａｔ％とした場合、式０．５≦Ｘ≦１０．０、０．０５≦Ｙ≦１１．０、Ｙ＋０．２５Ｘ≧１．０、Ｙ＋１．１５Ｘ≦１１．５の各式を満足する領域の範囲内にあり、残部がアルミニウムであるＡｌ−Ｎｉ−Ｂ合金配線材料とした。 （もっと読む）

【課題】高い伝導率と強度を有し長期間にわたって安定して抵抗溶接を行なうことができる抵抗溶接用電極チップを提供すること。
【解決手段】クロム・ジルコニウム系銅合金に、鉄およびニッケルを添加した合金よりなる抵抗溶接用電極チップとした。
なお、クロム・ジルコニウム系銅合金は、Ｃｒ：０．３〜１．０重量％および／またはＺｒ：０．０２〜０．１重量％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなるものであり、前記鉄およびニッケルは、Ｆｅ：０．０１〜０．２重量％、Ｎｉ：０．１〜０．３重量％の範囲で添加するのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 強度、導電性に優れると共に、粗大なZr硫化物を低減した銅合金箔を提供する。
【解決手段】 質量率で、Cr：0.01〜0.4％、Zr：0.01〜0.4％、及びCa,Ba,Ce,La,Ndの群から選ばれる１種以上の添加元素：1〜100ppmを含有し、残部がCu及び不可避的不純物からなり、0.2％耐力が520MPa以上で導電率が70％IACS以上である。 （もっと読む）

【課題】 装置部材の成型加工や装置への取り付け等の際には良好なハンドリング性が得られるだけの充分な強度を備えるとともに、極低温で高純度アルミニウムが有する高い熱伝導度や電気伝導度を発現しうる材料を提供する。
【解決手段】 高純度アルミニウム材が冷間加工されてなる冷間加工材であって、高純度アルミニウム材は、シリコン含有量(Ｃ_Si)が３０質量ｐｐｍ以下、鉄含有量(Ｃ_Fe)が２質量ｐｐｍ以下、銅含有量(Ｃ_Cu)が３質量ｐｐｍ以下、その他の特定元素に関し含有量総和が３質量ｐｐｍ以下、各元素の含有量が各々１質量ｐｐｍ以下であり、５０℃以下の冷間加工温度で冷間加工された後、８０℃以上３００℃以下の範囲にある保持温度Ｔ(℃)において０．５〜２４０時間保持されてなるとともに、冷間加工率Ｗ(％)が、1.5×(Ｃ_Si＋Ｃ_Fe＋Ｃ_Cu)−(Ｔ／10)＋65≦Ｗ≦99を満たす。 （もっと読む）

【課題】 最外層にすず又はすず合金めっきを施した電気配線接続用銅合金板において、異種金属接触電位差による銅成分の溶出を抑制し、電気化学的マイグレーション発生を抑制する。
【解決手段】 Ｆｅ：１．７〜２．３％、Ｓｉ：０．０２〜０．２％、Ｓｎ：０．１％未満、Ｐ：０．０１％未満、Ｎｉ：０．０３％以下、Ｍｎ：０．０３％以下、Ｚｎ：１〜４％及びＭｇ：０．０１〜０．４％、さらに残部がＣｕ及び不可避不純物からなる銅合金板を母材として用いる。この銅合金板の圧延を受けた面の最外層に、断面から観察した厚さが０．５μｍ以上の厚さのすず又はすず合金めっき層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 従来のタフピッチ銅や無酸素銅の圧延銅箔に比較して、耐屈曲特性を損なわず且つ導電率をそれほど低下させることなく、強度及び耐熱性を改善向上させて、これらの特性がバランス良く調和した銅合金圧延箔を提供する。
【解決手段】 ０.０５〜０.２重量％のＳｎ、０.００５〜０.０２重量％のＰ、及び残部のＣｕからなる銅合金圧延箔であって、最終冷間圧延前の焼鈍された状態での結晶粒径が２０μｍ以下である。この銅合金圧延箔は、０.０１０〜０.０２重量％のＰを含有し、最終冷間圧延前の焼鈍された状態での結晶粒径が５μｍ以下であることが好ましい。 （もっと読む）

本発明は、磁性材料Ａのミリメートルスケールの粒子と導電性液体Ｂによって形成される複合材料に関する。この材料において、材料Ａは、平均サイズが０．１ｍｍと２ｍｍの間である粒子の形の磁性化合物および磁性合金から選ばれることと、支持流体Ｂは、材料Ａのキュリー温度未満の温度で液体である金属、金属合金、および塩から、あるいはそれらの混合物から選ばれる導電性流体であることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は磁性材料のマイクロメートル粒子Ａと導電性流体Ｂからなる複合材料に関する。本発明に係る材料は、材料Ａが磁性の化合物及び合金から選択され、平均粒径が０．１μｍと１０μｍの範囲にある粒子の形態にあり、支持流体Ｂは材料Ａのキュリー温度未満の温度で液体である金属、金属合金、および塩から、あるいはそれらの混合物から選択される導電性流体の形態にある。 （もっと読む）

【課題】 半田濡れ性の良好なるニッケル組成物および該ニッケル組成物からなるニッケル面を備えた半田接合用部材を提供することにある。
【解決手段】 重量でアルミニウム０．０２〜０．１５％含有し、残部がニッケルおよび不可避不純物からなるニッケル組成物を提供する。 （もっと読む）

本明細書には、ルテニウムおよび元素周期表のＩＶ族、Ｖ族、もしくはＶＩ族の元素の少なくとも１つの元素またはこれらの組合せが含まれる、蒸着法または原子層堆積法において用いるための合金が記載される。また、本明細書には、ルテニウム系材料またはルテニウム系合金を含む少なくとも１つの層、および元素周期表のＩＶ族、Ｖ族、もしくはＶＩ族の元素の少なくとも１つの元素またはそれらの組合せを含む少なくとも１つの層が含まれる積層材料が記載される。
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【課題】 Ｎｉ含有銅配線層とガラスセラミックス絶縁基板を同時焼成しても、配線層の導体抵抗を上昇させることなく、しかもガラスセラミックスの電気特性を劣化させずに、かつ配線層とガラスセラミックスとの濡れ性を向上させて高い接着強度を得ることの出来る配線層形成用の導体組成物、その導体組成物で配線層を形成した配線基板、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 銅を主成分とする導体組成物であって、前記導体組成物中にＮｉ_２ＳｉＯ_４を含有することを特徴とする導体組成物、及び、その組成物を用いて配線層を形成した配線基板、及びその配線基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 強度と加工性に共に優れた電子機器用銅合金を提供する。
【解決手段】 質量％でFe，Nb，V，Ta及びCrの群から選ばれる1種又は2種以上の添加元素を合計で7％以上20％以下含有し、Co，Ni，Mg，Sn，Ag，Zr，Cd，P，In，Ti及びSiの群から選ばれる1種又は2種以上の微量元素を合計で0．05％以上1％以下含有し、残部Cu及び不可避的不純物からなる二相合金であって、添加元素を含む第二相における微量元素の含有割合が０．５％以下である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、電子部品および電子機器またはそれらの製品に使用される金属合金材料、電子および金属材料の加工方法及び電子光学部品に関し、例えば液晶表示素子、各種半導体製品あるいは部品、プリント配線基板、その他のICチップ部品等に適用して、従来に比して低抵抗率であり、更に製造工程中での優位性を保有した安定かつ加工性に優れた電子部品用金属合金材料、この金属材料を使用した電子部品、電子機器を提供する。
【解決手段】 Ｃｕを主成分とし、Ｗを0.1〜7.0ｗｔ％含有し、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で0.1〜3.0ｗｔ％含有してなる合金を金属材料として適用する。この金属材料によれば、ＣｕにＷを添加してＣｕの粒界にＭｏを均質に混入させることにより、Ｃｕ全体の耐候性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 陽極導線と陽極体との実質的な接触面積を大きくし得、しかもコーナー部分の平滑性を向上し得、その結果、安定して陽極体への固定しうるので陽極体全体の導線としての機能を十分に発揮しうるタンタルもしくはニオブ（Ｎｂ）陽極導線を提供する。
【解決手段】 タンタルもしくはニオブ材料からなり、形状がテープ状であり、そのコーナー部分がアールを付与された曲面形状を有する電解コンデンサ用陽極導線。テープ状の形状は通常厚さ１０〜５００μｍ、幅０．５〜５ｍｍであり、幅方向の断面形状は、好適にはコーナー部分にアールを有する四辺形、楕円形、もしくは各アール値を変えた変形な四辺形である。 （もっと読む）

【課題】３５０℃以上の高温でもヒロックやボイドなどの熱欠陥が発生せず、電気抵抗が低く、安価で信頼性が高く、電子デバイスの高密度化に適した電極配線材料、及び、スパッタリングターゲットを提供する
【解決手段】希土類元素から選ばれる１種又は２種以上の元素を含有するＣｕ合金、元素周期表の第四族元素から選ばれる１種又は２種以上の元素を含有するＣｕ合金、又は、希土類元素から選ばれる１種又は２種以上の元素を含有するとともに、元素周期表の第四族元素から選ばれる１種又は２種以上の元素を含有するＣｕ合金を用いることにより耐熱性に優れた低抵抗の配線材料が得られる。 （もっと読む）

【課題】 低融点の導電材料であっても所定の形状及び寸法の導体層とすることができるメタライズ組成物、及びこれを用いた導体層を備えるセラミック配線基板を提供する。
【解決手段】 本発明のメタライズ組成物は、低融点金属（Ｃｕ等）と、金属化合物（ＷＣ等）とを含有し、且つ低融点金属と金属化合物との合計を１００体積％とした場合に、金属化合物の含有量は３３〜７２体積％である。また、本発明のセラミック配線基板１は、セラミック部１１（アルミナ等からなる。）と、その表面又は内部に配設された導体層１２とを備え、導体層は、セラミック部を構成するセラミック材料の焼結温度よりも融点が低い低融点金属からなる低融点金属部（Ｃｕ等からなる。）と、低融点金属部内に形成され、セラミック材料の焼結温度よりも融点が高い金属化合物からなる金属化合物連接部（ＷＣ等からなる。）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 良好な導電性を有し、しかも、半田による変質がないまたは少ない耐半田性金組成物およびその応用を提供する。
【解決手段】 本発明の耐半田性金組成物は、金またはその合金中に、ケイ素および／またはゲルマニウムが含有されてなり、金とケイ素およびゲルマニウムの合計との割合が、原子数比で９７：３〜７０：３０である。本発明の導電性粒子は、磁性を示す芯粒子の表面に、上記の耐半田性金組成物よりなる導電性被膜が形成されてなる。本発明の異方導電性シートは、それぞれ厚み方向に伸びる複数の導電路形成部が絶縁部によって相互に絶縁されてなる異方導電性シートにおいて、前記導電路形成部の各々は、弾性高分子物質中に、上記の導電性粒子が厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有されてなる。 （もっと読む）

Ｃｕが９０原子％より大である銅合金から製造した導電線のための材料に関する。該材料は、０．５〜１０原子％のＣａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｓｃ、Ｙ、ランタニド、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｉからなる群から選択した１種又は複数の元素および０〜５原子％のＭｇ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｇ、Ａｕ、Ｆｅ、Ｂからなる群から選択した１種又は複数の元素を含む。この材料は、低い電気抵抗、ガラス基材に対する良好な接着性、酸化に対する充分な抵抗性および低いエレクトロマイグレーション速度を有する。 （もっと読む）