【課題】 絶縁性と圧電性が良好で、鉛とカリウムを含まない圧電材料、前記圧電材料を用いた圧電素子または積層圧電素子を提供する。
【解決手段】 下記一般式（１）で表わされるペロブスカイト型金属酸化物からなる圧電材料。
一般式（１）
（１−ｘ）｛（Ｎａ_ｙＢａ_１−ｚ）（Ｎｂ_ｚＴｉ_１−ｚ）Ｏ_３｝−ｘＢｉＦｅＯ_３（式中、ｘ、ｙ、ｚは、０＜ｘ≦０．０１５、０．８０≦ｙ≦０．９５、０．８５≦ｚ≦０．９５を表す。）上記の圧電材料と、前記圧電材料に接して設けられた一対の電極とを少なくとも有する圧電素子。上記の圧電材料からなる圧電材料層と、内部電極を含む電極とが交互に積層された積層圧電素子。 （もっと読む）

【課題】
少ないフィラー添加量で線膨張係数を従来並みか若しくはより低い値に抑制し、結果として複合絶縁樹脂の誘電率を抑制して放電劣化を抑制すること。
【解決手段】
本発明は、上記課題を解決するために、大小の粒子径を持ち、かつ、該小粒子径が長径と短径から成る無機フィラーを含有する複合絶縁樹脂であって、前記小粒子径の無機フィラーの短径が、１００ｎｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】対向配置された回路部材の電極同士を高い信頼性で導電接続できるとともに、絶縁性を確保すべき隣接する電極間の導電を確実に防止できる異方導電材料を得るのに有用な絶縁被覆用粒子及びこれを備える絶縁被覆導電粒子を提供すること。
【解決手段】表面が導電性を有する金属からなる基材粒子を被覆して絶縁被覆導電粒子を形成するための絶縁被覆用粒子であって、コア粒子及びシェル層を有するコアシェル構造を備え、コア粒子が有機高分子を含み、シェル層がＳｉＯ_４／２単位、ＲＳｉＯ_３／２単位及びＲ_２ＳｉＯ_２／２単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の単位を有するシリコーン系化合物を含む、絶縁被覆用粒子。上記Ｒは、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数６〜２４の芳香族基、ビニル基、及び、γ−（メタ）アクリロキシプロピル基からなる群より選ばれる少なくとも１種を示す。 （もっと読む）

【課題】比較的に高い比誘電率及び耐電圧を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲（−５５〜４００℃）において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】一般式ＫＮｂＯ_３で表される第一の相と、一般式ＢａＴｉＯ_３で表される第二の相との混晶体から成る主成分を有し、副成分としてＭｎ、Ｓｉの元素を含有する。ＫＮｂＯ_３とＢａＴｉＯ_３との混晶体から成る主成分とすることで、１００℃以下では、ＢａＴｉＯ_３が有する高い比誘電率を利用し、１５０℃以上では、ＫＮｂＯ_３が有する高い比誘電率を利用することができる。 （もっと読む）

【課題】比較的に高い比誘電率を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲（−５５〜４００℃）において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】一般式Ｋ_ｍＮｂ_ｎＯ_３で表される第一の相と、一般式Ｂａ_αＴｉ_βＯ_３で表される第二の相との混晶体から成る主成分を有し、前記ｍ、ｎ、α、βが０．９９０≦ｍ／ｎ≦１．００５、０．９９５≦α／β≦１．０１０、且つ、ｍ／ｎとα／βとが同時に1を取らないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】比較的低コストで製造でき、低い静電正接を有し、加工性に優れた酸化アルミニウム焼結体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化アルミニウムの純度が９９．０重量％以上の酸化アルミニウム焼結体であって、酸化チタンおよび二酸化ケイ素が合計で０．２重量％以上０．８重量％以下含有され、酸化アルミニウム粒子の長尺方向の平均粒径が２０μｍ以上である。このように、酸化チタンが含有されることで、酸化アルミニウム粒子が粗大化し、酸化アルミニウム粒子同士の粒界が少なくなるため、誘電正接を低下させることができる。一方で、二酸化ケイ素が含有されるため、安定的に誘電正接を低下させることができる。また、粒子が粗大化することによって加工性を向上させることができる。また、極端に高い酸化アルミニウムの純度は不要であり、低コスト化できる。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕを主成分とする導電性材料と同時焼成しても、絶縁性を確保でき、良好な電気特性を得ることができ、高信頼性を有するＬＣ複合部品等のセラミック電子部品を実現する。
【解決手段】コイル導体５ａ、５ｂが磁性体部６ａ、６ｂに埋設されたコイル部３ａと、容量電極７が誘電体部８に埋設されたコンデンサ部２とを備える。コイル導体５ａ、５ｂ、容量電極７がＣｕを主成分とする導電性材料で形成され、磁性体部６ａ、６ｂ、誘電体部８が、ＣｕＯの含有モル量が５ｍｏｌ％以下、Ｆｅ_２Ｏ_３の含有モル量ｘ、Ｍｎ_２Ｏ_３の含有モル量ｙを（ｘ，ｙ）で表したときに、（ｘ，ｙ）が、Ａ（２５,１）、Ｂ（４７，１）、Ｃ（４７，７．５）、Ｄ（４５，７．５）、Ｅ（４５，１０）、Ｆ（３５，１０）、Ｇ（３５，７．５）、及びＨ（２５，７．５）の範囲内にあるＮｉ−Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトで形成される。 （もっと読む）

【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す誘電体磁器組成物および電子部品を提供すること。
【解決手段】ペロブスカイト型化合物（ＡＢＯ_３）を含有し、化合物１００モルに対して、各酸化物換算で、ＲＡ_２Ｏ_３（ＲＡはＤｙ、ＧｄおよびＴｂから選ばれる１つ以上）を０．６〜２．５モル、ＲＢ_２Ｏ_３（ＲＢはＨｏおよび／またはＹ）を０．２〜１．０モル、ＲＣ_２Ｏ_３（ＲＣはＹｂおよび／またはＬｕ）を０．１〜１．０モル含有し、Ｍｇ酸化物を、Ｍｇ換算で０．８〜２．０モル、Ｓｉ化合物をＳｉ換算で１．２〜３．０モル含有し、ＲＡ_２Ｏ_３の含有量（α）、ＲＢ_２Ｏ_３の含有量（β）およびＲＣ_２Ｏ_３の含有量（γ）が、１．２≦α／β≦５．０、０．５≦β／γ≦１０．０である誘電体磁器組成物。該誘電体磁器組成物は、誘電体層厚みが５．０μｍ以下の電子部品に適用することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高い温度で使用可能であり、加えて従来よりも高い誘電率を有する誘電体組成物およびその製造方法を提供する。
【解決手段】一般式：Ｍ（１）_１−ｘＭ（２）_ｘＭ（３）_１−ｙＭ（４）_ｙＯ_{２＋ｘ―ｙ}Ｎ_{１―ｘ＋ｙ}で示される組成であることを特徴とする誘電体組成物（但し、Ｍ（１）元素はＹ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｇｄから選ばれる1種以上の元素であり、Ｍ（２）元素はＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａから選ばれる１種以上の元素であり、Ｍ（３）元素はＴｉ，Ｚｒから選ばれる１種以上の元素であり、Ｍ（４）元素はＶ，Ｎｂ，Ｔａから選ばれる１種以上の元素であり、Ｏ元素とＮ元素は酸素と窒素である。）により上記課題が解決できる。 （もっと読む）

【課題】（１１０）面に優先的に結晶配向が制御された強誘電体薄膜をシード層やバッファ層を設けることなく、簡便に得ることが可能な、強誘電体薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】結晶面が（１１１）軸方向に配向した下部電極を有する基板の下部電極上に、強誘電体薄膜形成用組成物を塗布し、加熱して結晶化させることにより下部電極上に強誘電体薄膜を製造する方法の改良であり、強誘電体薄膜が（１１０）面に優先的に結晶配向が制御された配向制御層により構成され、配向制御層を結晶化後の層厚を５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲内にすることにより形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である熱伝導体を導電層に接着するために用いられ、硬化後の硬化物の反りが少なく、更に該硬化物の放熱性が高い絶縁材料を提供する。
【解決手段】本発明に係る絶縁材料は、熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である熱伝導体２を導電層４に接着するために用いられる。本発明に係る絶縁材料は、分子量が１０００以下であり、かつビフェニル骨格とオキセタニル基とを有する硬化性化合物と、硬化剤と、熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である無機フィラーとを含む。 （もっと読む）

【課題】高い比誘電率εｒ，Ｑｆ値と、良好な共振周波数の温度係数を示す誘電体セラミックス、ならびに気温差の激しい場所においても長期間にわたって安定して良好な性能を維持できる誘電体フィルタの提供。
【解決手段】組成式ａＢａＯ・ｂＮｄ_２Ｏ_３・ｃ［｛1-（ｘ／２）-（ｙ／２）｝ＴｉＯ_２＋１／２ｘＮｂ_２Ｏ_５＋１／２ｙＡｌ_２Ｏ_３］と表したとき、ａ，ｂ，ｃ，ｘ，ｙが、13.5≦ａ≦16.1、17.6≦ｂ≦19.4、64.5≦ｃ≦68.8、0.01≦ｘ≦0.15、0.01≦ｙ≦0.15、ａ＋ｂ＋ｃ＝100を満足する誘電体セラミックスを得る。この誘電体セラミックスは高い比誘電率εｒ，Ｑｆ値と、良好な共振周波数の温度係数を示し、この誘電体セラミックス５と電磁界結合された入力端子３および出力端子４とを備える誘電体フィルタ１は、気温差の激しい場所においても長期間にわたって安定して良好な性能を維持できる。 （もっと読む）

【課題】 基材、特に表面にアルカリイオンを含むアモルファスなガラス基材に対しても、緻密で高い光触媒活性を示すペロブスカイトチタン酸化物膜が形成でき、かつ長期に安定なチタン水溶液の提供。
【解決手段】 チタンイオンに対する配位数が６であり、式：Ｚ_１−ＣＯ−ＣＨ_２−ＣＯ−Ｚ_２（式中、Ｚ_１およびＺ_２は、独立して、アルキル基またはアルコキシ基である。）で表され、二座配位子として機能する第１の配位子と、カルボキシラートである第２の配位子と、アルコキシドおよび水酸化物イオンからなる群から、それぞれ選択される第３の配位子および第４の配位子と、Ｈ_２Ｏである第５の配位子と、がチタンイオンに配位してなるチタン錯体と、ペロブスカイト型チタン酸化物におけるＡサイトを占め得る金属のイオンと、溶媒としての水とを含んでなるチタン水溶液は、緻密で高い光触媒活性を示すペロブスカイトチタン酸化物膜が形成でき、かつ長期に安定である。 （もっと読む）

【課題】銅の薄膜上に成膜した誘電体薄膜の膜質を維持できる簡易な誘電体薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１２上には、（１１１）の一軸配向性を有するＣｕ下部電極１４が形成される。該Ｃｕ下部電極１４上に、ペロブスカイト型誘電体のナノ粒子の単分散スラリーをスピンコート法により塗布し、窒素雰囲気で乾燥させる。その後、還元性雰囲気で熱処理を行うことにより、ナノ粒子をＣｕ下部電極１４上でエピタキシャル成長させて一軸配向性を有する誘電体薄膜１６を形成する。該誘電体薄膜１６に上部電極１８を形成すると薄膜キャパシタ１０が得られる。この製造方法によれば、Ｃｕ下部電極１４に与えるダメージが少なく変質・変形を抑制できるため、該Ｃｕ下部電極１４上に形成される誘電体薄膜１６の膜質の維持が可能になるとともに、少ない工程で高結晶性の誘電体薄膜１６の作製が可能となる。 （もっと読む）

【課題】有機溶媒及び前記有機溶媒に分散されたペロブスカイト構造を有する薄片状酸化物粒子を含む有機溶媒分散体を提供する。
【解決手段】層状ペロブスカイト酸化物粒子を有機カチオンと接触させ、層状構造を剥離して、薄片状ペロブスカイト酸化物粒子の水性分散体を製造する第一工程、前記水性分散体から薄片状ペロブスカイト酸化物粒子を含む固形分を抽出する第二工程、及び前記固形分を有機溶媒に分散させる第三工程を含む方法により製造する。 （もっと読む）

【課題】色素増感太陽電池等に代表される電子材料基板用の絶縁性被覆材料、電極保護被覆材料及び封着材料として用いられる絶縁被覆用無鉛低融点ガラスペーストを提供すること
【解決手段】質量％でＳiＯ_２を０〜７、Ｂ_２Ｏ_３を１０〜２０、ＺｎＯを７〜３０、Ｂi_２Ｏ_３を３５〜８０含有するガラスフリットが、有機成分を必須成分とするガラスペースト中に９５〜５０質量％含有されることを特徴とする絶縁被覆用無鉛低融点ガラスペースト。 （もっと読む）

【課題】均質な金属酸化物で硫化亜鉛を被覆すること。
【解決手段】カルシウム、ストロンチウムおよびバリウムよりなる第１群から選ばれた少なくとも一種の金属の酸化物と、チタンおよびジルコニウムよりなる第２群から選ばれた少なくとも一種の金属の酸化物とからなる誘電体で、硫化亜鉛を被覆した誘電体被覆物の製造方法であって、第１群と第２群の金属のアルコキシドおよび配位性アルコール溶媒を含む混合物に硫化亜鉛の存在下０℃以下で水を添加し、０℃以上に昇温して前記アルコキシドを加水分解して第１群と第２群の金属の酸化物を生成するとともに非プロトン性溶媒の存在下で前記酸化物を前記硫化亜鉛の表面に堆積させることを特徴とする誘電体被覆物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 ＭＨｚ〜ＧＨｚにおける誘電正接を小さくできるとともに、高強度のアルミナ質焼結体を提供する。
【解決手段】 元素としてＡｌをＡｌ_２Ｏ_３換算で９９．３質量％以上含有し、他の元素としてＳｉおよびＭ（ＭはＭｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａのうち少なくとも１種）を含有するアルミナ質焼結体であって、アルミナ結晶粒子を主結晶粒子とし、該アルミナ結晶粒子の平均粒径が体積分布平均で２０μｍ以上であるとともに、粒径が１０μｍ以上のアルミナ結晶粒子からなる大径粒子１で構成される３重点Ｒに、粒径が５μｍ以下のアルミナ結晶粒子からなる小径粒子２が複数集合した組織を有するとともに、３重点ＲにＭＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８で表される化合物が存在することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶性の良い複合酸化物を経済的に製造する方法を提供する。
【解決手段】バリウム、ストロンチウム、カルシウム、マグネシウム及び鉛からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物と、チタン、ジルコニア及び錫からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物とを混合して焼成温度まで加熱し、焼成し、降温して複合酸化物を製造する複合酸化物の製造方法において、前記降温工程における降温速度を３℃／分以上、４００℃／分以下に調整する。降温は好ましくは炉内に気体を導入して行う。 （もっと読む）

【課題】アンテナ用基体を構成する液晶ポリエステル樹脂組成物において、組成物ペレットを安定的に生産する。
【解決手段】液晶ポリエステル樹脂組成物は、液晶ポリエステル５０〜８０体積％と高誘電性フィラー２０〜５０体積％とを含有している。この液晶ポリエステルは、以下の式（１）で示される構造単位を全構造単位に対して８０モル％以上含むとともに、全構造単位における全芳香族基の中で２，６−ナフタレンジイル基を６０モル％以上含み、流動開始温度が２８０℃以上であり、流動開始温度より高い温度で測定されるメルトテンションの最大値が０．００９８Ｎ以上である。
（１）−Ｏ−Ａｒ¹ −ＣＯ−
（式中、Ａｒ¹ は、２，６−ナフタレンジイル基、１，４−フェニレン基および４，４’−ビフェニレン基からなる群から選ばれる１種以上の芳香族基を表す。） （もっと読む）