フェライト磁器組成物、セラミック電子部品、及びセラミック電子部品の製造方法
【課題】Ｃｕを主成分とする導電性材料と同時焼成しても、絶縁性を確保でき、良好な電気特性を得ることができ、高信頼性を有するＬＣ複合部品等のセラミック電子部品を実現する。
【解決手段】コイル導体５ａ、５ｂが磁性体部６ａ、６ｂに埋設されたコイル部３ａと、容量電極７が誘電体部８に埋設されたコンデンサ部２とを備える。コイル導体５ａ、５ｂ、容量電極７がＣｕを主成分とする導電性材料で形成され、磁性体部６ａ、６ｂ、誘電体部８が、ＣｕＯの含有モル量が５ｍｏｌ％以下、Ｆｅ２Ｏ３の含有モル量ｘ、Ｍｎ２Ｏ３の含有モル量ｙを（ｘ，ｙ）で表したときに、（ｘ，ｙ）が、Ａ（２５,１）、Ｂ（４７，１）、Ｃ（４７，７．５）、Ｄ（４５，７．５）、Ｅ（４５，１０）、Ｆ（３５，１０）、Ｇ（３５，７．５）、及びＨ（２５，７．５）の範囲内にあるＮｉ−Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトで形成される。
【解決手段】コイル導体５ａ、５ｂが磁性体部６ａ、６ｂに埋設されたコイル部３ａと、容量電極７が誘電体部８に埋設されたコンデンサ部２とを備える。コイル導体５ａ、５ｂ、容量電極７がＣｕを主成分とする導電性材料で形成され、磁性体部６ａ、６ｂ、誘電体部８が、ＣｕＯの含有モル量が５ｍｏｌ％以下、Ｆｅ２Ｏ３の含有モル量ｘ、Ｍｎ２Ｏ３の含有モル量ｙを（ｘ，ｙ）で表したときに、（ｘ，ｙ）が、Ａ（２５,１）、Ｂ（４７，１）、Ｃ（４７，７．５）、Ｄ（４５，７．５）、Ｅ（４５，１０）、Ｆ（３５，１０）、Ｇ（３５，７．５）、及びＨ（２５，７．５）の範囲内にあるＮｉ−Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトで形成される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はフェライト磁器組成物、セラミック電子部品、及びセラミック電子部品の製造方法に関し、より詳しくは、Ｃｕを主成分とした導電性材料との同時焼成が可能なフェライト磁器組成物、該フェライト磁器組成物を使用したＬＣ複合部品等のセラミック電子部品とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、セラミック電子部品が各方面で広範に使用されており、例えば、携帯電話、ノートパソコン等の電子機器から発生するノイズ除去のフィルタ回路として、ＬＣ複合部品が広く用いられている。
【０００３】
上記ＬＣ複合部品としては種々のものがあり、例えば特許文献１には、誘電体層と容量電極（コンデンサ用電極層）とが交互に積層されたコンデンサ部分、及び磁性体層とコイル導体（コイル用渦巻パターン）とをコイル導体が層間で接続されるように交互積層されたコイル部分から成り、これら両部分が重畳されており、前記コンデンサ部分の端部電極と前記コイル部分のコイル導体の一端とが電気的に接続されて前記コンデンサ部分と、前記コイル部分とが直列接続されたＬＣ複合部品が提案されている。
【０００４】
また、この特許文献１では、磁性体自身が有する誘電率を利用し、コンデンサ部分の誘電体層を磁性体材料で形成することが記載され、さらに内部電極である容量電極及びコイル導体にはＰｄ、Ａｇ−Ｐｄ等の耐熱性金属が使用されることが記載されている。
【０００５】
すなわち、ＬＣ複合部品では、良好な生産性を得る観点等から、誘電体層と磁性体層とを同時焼成して製造するのが望ましいが、この場合、誘電体層と磁性体層を形成する材料が異なると、これら材料種の収縮挙動の相違に起因し、同時焼成時にデラミネーション（層間剥離）やクラック等の構造欠陥が生じるおそれがある。
【０００６】
そこで、特許文献１では、磁性体材料が有する誘電率を利用し、誘電体層を磁性体層と同一の材料で形成することにより、コンデンサ部分とコイル部分とを同時焼成しても構造欠陥が生じるのを回避しようとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】実公昭６０−１７８９５号公報（請求項１、第２欄第１９行目〜第３欄第１３行目）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ＬＣ複合部品のようなセラミック電子部品では、特許文献１にも記載されているように、磁性体自身の有する誘電率を利用し、磁性体層と誘電体層とを同一材料で形成し、さらに容量電極とコイル導体とを同一材料で形成するのが望ましい。
【０００９】
しかしながら、特許文献１のようにコイル導体及び容量電極にＰｄやＡｇ−Ｐｄ等の貴金属材料を使用すると材料コストが高価になる。
【００１０】
また、コイル部品のコイル導体材料には、通常、Ａｇが使用されるが、斯かるＡｇをコンデンサ部分の容量電極材料にも使用すると、マイグレーションが発生し、短絡等が生じるおそれがある。すなわち、コンデンサ部分の容量電極にＡｇを使用した場合、高湿度環境下で長時間放置すると、Ａｇがイオン化して誘電体層上を移動するマイグレーションが発生し、このため容量電極間の絶縁抵抗が低下して短絡等が生じるおそれがあり、高い信頼性を得るのが困難である。
【００１１】
したがって、容量電極及びコイル導体としては、低抵抗で導通性に優れかつＡｇよりも安価なＣｕを主成分としたＣｕ系材料を使用するのが望ましい。
【００１２】
ところが、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧とＦｅ２Ｏ３−Ｆｅ３Ｏ４の平衡酸素分圧との関係から、８００℃以上の高温ではＣｕとＦｅ２Ｏ３とが共存する領域が存在しないことが知られている。
【００１３】
すなわち、８００℃以上の温度では、Ｆｅ２Ｏ３の状態を維持するような酸化性雰囲気に酸素分圧を設定して焼成を行った場合、Ｃｕも酸化されてＣｕ２Ｏを生成する。一方、Ｃｕ金属の状態を維持するような還元性雰囲気に酸素分圧を設定して焼成を行った場合は、Ｆｅ２Ｏ３が還元されてＦｅ３Ｏ４を生成する。
【００１４】
このようにＣｕとＦｅ２Ｏ３とが共存する領域が存在しないことから、Ｃｕが酸化しないような還元性雰囲気で焼成するとＦｅ２Ｏ３がＦｅ３Ｏ４に還元され、このため比抵抗ρが低下し、電気特性の劣化を招くおそれがある。
【００１５】
本発明はこのような事情に鑑みなされたものであって、Ｃｕを主成分とする導電性材料と同時焼成しても、絶縁性を確保でき、良好な電気特性を得ることができるフェライト磁器組成物、該フェライト磁器組成物を使用した高信頼性を有するＬＣ複合部品等のセラミック電子部品、及びセラミック電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明者らは、一般式Ｘ２Ｏ３・ＭｅＯ（ＸはＦｅ、Ｍｎ、ＭｅはＺｎ、Ｃｕ、Ｎｉ）で表わされるスピネル型結晶構造のフェライト材料について鋭意研究を行ったところ、ＣｕＯの含有モル量を５ｍｏｌ％以下とした上で、Ｆｅ２Ｏ３とＭｎ２Ｏ３との配合量を特定範囲とすることにより、Ｃｕ系材料とフェライト材料とを同時焼成しても、所望の良好な絶縁性を得ることができ、これにより良好な電気特性を有するセラミック電子部品を得ることが可能であるという知見を得た。
【００１７】
本発明はこのような知見に基づきなされたものであって、本発明に係るフェライト磁器組成物は、少なくともＦｅ、Ｍｎ、Ｚｎ、及びＮｉを含有したフェライト磁器組成物であって、Ｃｕの含有モル量がＣｕＯに換算して０〜５ｍｏｌ％であり、かつＦｅをＦｅ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｘｍｏｌ％、及びＭｎをＭｎ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｙｍｏｌ％を（ｘ，ｙ）で表したときに、（ｘ，ｙ）が、Ａ（２５,１）、Ｂ（４７，１）、Ｃ（４７，７．５）、Ｄ（４５，７．５）、Ｅ（４５，１０）、Ｆ（３５，１０）、Ｇ（３５，７．５）、及びＨ（２５，７．５）で囲まれる領域であることを特徴としている。
【００１８】
また、本発明者らの更なる鋭意研究の結果、より一層良好な特性を得る観点からは、フェライト磁器組成物磁中にＺｎＯを含有させるのが好ましいが、ＺｎＯの含有量が３３ｍｏｌ％を超えるとキュリー点Ｔｃが低下し、高温での動作保証が損なわれて信頼性の低下を招くおそれがあることが分かった。
【００１９】
すなわち、本発明のフェライト磁器組成物は、前記Ｚｎの含有モル量が、ＺｎＯに換算して３３ｍｏｌ％以下であるのが好ましい。
【００２０】
さらに、本発明者らの研究結果により、フェライトの透磁率μを考慮すると、ＺｎＯの含有量は６ｍｏｌ％以上であるのが望ましいことが分かった。
【００２１】
すなわち、本発明のフェライト磁器組成物は、前記Ｚｎの含有モル量が、ＺｎＯに換算して６ｍｏｌ％以上であるのが好ましい。
【００２２】
また、本発明に係るセラミック電子部品は、コイル導体が磁性体層に埋設されたコイル部と、容量電極が誘電体層に埋設されたコンデンサ部とを備えたセラミック電子部品であって、前記コイル導体及び前記容量電極がＣｕを主成分とする導電性材料で形成されると共に、前記磁性体層及び前記誘電体層が上述したフェライト磁器組成物で形成されていることを特徴としている。
【００２３】
さらに、本発明のセラミック電子部品は、前記コイル導体及び前記容量電極と、前記磁性体層及び前記誘電体層とが同時焼成されてなるのが好ましい。
【００２４】
また、本発明に係るセラミック電子部品は、容量電極がコイル導体間に挟み込まれるような形態で前記コイル導体と前記容量電極とが磁性体層に埋設され、前記コイル導体と容量電極との間で静電容量が形成されたセラミック電子部品であって、前記コイル導体及び前記容量電極がＣｕを主成分とする導電性材料で形成されると共に、前記磁性体層が上述したフェライト磁器組成物で形成されていることを特徴としている。
【００２５】
また、本発明に係るセラミック電子部品は、前記コイル導体及び容量電極と、前記磁性体層とが同時焼成されてなるのが好ましい。
【００２６】
また、本発明のセラミック電子部品は、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下の雰囲気で焼成されてなるのが好ましい。
【００２７】
また、本発明に係るセラミック電子部品の製造方法は、Ｃｕの含有モル量がＣｕＯに換算して０〜５ｍｏｌ％であり、かつ、ＦｅをＦｅ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｘｍｏｌ％、及びＭｎをＭｎ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｙｍｏｌ％を（ｘ，ｙ）で表したときに、（ｘ，ｙ）が、Ａ（２５,１）、Ｂ（４７，１）、Ｃ（４７，７．５）、Ｄ（４５，７．５）、Ｅ（４５，１０）、Ｆ（３５，１０）、Ｇ（３５，７．５）、及びＨ（２５，７．５）で囲まれる領域となるようにＦｅ化合物、Ｍｎ化合物、Ｃｕ化合物、Ｚｎ化合物、及びＮｉ化合物をそれぞれ秤量し、これら秤量物を混合した後、仮焼して仮焼粉末を作製する仮焼工程と、前記仮焼粉末からセラミック薄層体を作製するセラミック薄層体作製工程と、Ｃｕを主成分とする導電膜を前記セミック薄層体上に形成する導電膜形成工程と、前記導電膜が形成された前記セラミック薄層体を所定順序に積層し、積層体を形成する積層体形成工程と、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下の焼成雰囲気で前記積層体を焼成し、前記セラミック薄層体と前記導電膜とを同時焼成する焼成工程とを含んでいることを特徴としている。
【発明の効果】
【００２８】
上記フェライト磁器組成物によれば、Ｃｕの含有モル量がＣｕＯに換算して０〜５ｍｏｌ％であり、かつ、ＦｅをＦｅ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｘｍｏｌ％、及びＭｎをＭｎ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｙｍｏｌ％を（ｘ，ｙ）で表したときに、（ｘ，ｙ）が、上述した点Ａ〜点Ｈで囲まれる特定領域にあるので、Ｃｕ系材料と同時焼成しても、Ｃｕが酸化されたりＦｅ２Ｏ３が還元されるのを抑制することができ、これにより比抵抗ρの低下を招くこともなく、所望の絶縁性を確保することができる。
【００２９】
具体的には、比抵抗ρは１０７Ω・ｃｍ以上の良好な絶縁性を得ることができる。そしてこれにより、インピーダンス特性等の電気特性の良好な所望のセラミック電子部品を得ることが可能となる。
【００３０】
また、Ｚｎの含有モル量をＺｎＯに換算して３３ｍｏｌ％以下とすることにより、十分なキュリー点を確保することができ、使用時の温度が高い条件下での動作保証がなされたセラミック電子部品を得ることができる。
【００３１】
さらに、Ｚｎの含有モル量をＺｎＯに換算して６ｍｏｌ％以上とすることにより、良好な透磁率を確保することが可能となる。
【００３２】
また、本発明のセラミック電子部品によれば、コイル導体が磁性体層に埋設されたコイル部と、容量電極が誘電体層に埋設されたコンデンサ部とを備えたセラミック電子部品の場合であっても、コイル導体及び容量電極がＣｕを主成分とする導電性材料で形成されると共に、磁性体層及び誘電体層が上述したフェライト磁器組成物で形成されているので、Ｃｕ系材料と同時焼成しても所望の良好な電気特性や磁気特性を有すると共に、マイグレーションが生じるのを回避することが可能となり、高信頼性を有するセラミック電子部品を得ることが可能となる。
【００３３】
すなわち、容量電極にもＣｕを主成分とした導電性材料を使用しているので、Ａｇ系材料のようにコンデンサ部でマイグレーションが生じるのを回避することができる。したがって、高湿度下で長時間放置しても良好な絶縁抵抗を得ることができ、高信頼性を有するセラミック電子部品としてのＬＣ複合部品を得ることができる。
【００３４】
また、本発明のセラミック電子部品によれば、容量電極がコイル導体間に挟み込まれた形態で前記コイル導体と前記容量電極とが磁性体層に埋設され、前記コイル導体と容量電極との間で静電容量が形成された場合であっても、コイル導体及び容量電極がＣｕを主成分とする導電性材料で形成されると共に、磁性体層が上述したいずれかに記載のフェライト磁器組成物で形成されているので、上述と同様、Ｃｕ系材料と同時焼成しても所望の良好な電気特性や磁気特性を有すると共に、マイグレーションが生じるのを回避することが可能となり、高信頼性を有するＬＣ複合部品等のセラミック電子部品を得ることが可能となる。
【００３５】
また、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下の雰囲気で焼成されることにより、コイル導体及び容量電極にＣｕを主成分とする導電性材料を使用して磁性体層及び誘電体層と同時焼成しても、Ｃｕが酸化されることなく、焼結させることができ、耐湿性の良好な高信頼性を有するＬＣ複合部品等のセラミック電子部品を得ることができる。
【００３６】
また、本発明のセラミック電子部品の製造方法によれば、Ｃｕの含有モル量がＣｕＯに換算して０〜５ｍｏｌ％であり、かつ、ＦｅをＦｅ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｘｍｏｌ％、及びＭｎをＭｎ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｙｍｏｌ％を（ｘ，ｙ）で表したときに、（ｘ，ｙ）が、上述した点Ａ〜点Ｈで囲まれる特定範囲を満たすようにＦｅ化合物、Ｍｎ化合物、Ｃｕ化合物、Ｚｎ化合物、及びＮｉ化合物をそれぞれ秤量し、これら秤量物を混合した後、仮焼して仮焼粉末を作製する仮焼工程と、前記仮焼粉末からセラミック薄層体を作製するセラミック薄層体作製工程と、Ｃｕを主成分とする所定パターンの導電膜を前記セラミック薄層体上に形成する導電膜形成工程と、前記導電膜が形成された前記セラミック薄層体を所定順序に積層し、積層体を形成する積層体形成工程と、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下の焼成雰囲気で前記積層体を焼成し、前記セラミックグリーンシートと前記導電膜とを同時焼成する焼成工程とを含んでいるので、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下の焼成雰囲気でセラミックグリーンシートとＣｕを主成分とした導電膜とを同時焼成しても、Ｆｅが還元されることもなく、絶縁性が良好で高信頼性を有するセラミック電子部品を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明に係るフェライト磁器組成物のＦｅ２Ｏ３とＭｎ２Ｏ３の組成範囲を示す図である。
【図２】本発明に係るセラミック電子部品としてのＬＣ複合部品の一実施の形態（第1の実施の形態）を示す斜視図である。
【図３】図２の断面図である。
【図４】上記第１の実施の形態の等価回路図である。
【図５】上記第１の実施の形態の要部を示す分解斜視図である。
【図６】本発明に係るセラミック電子部品としてのＬＣ複合部品の第２の実施の形態の斜視図である。
【図７】図６の断面図である。
【図８】上記第１の実施の形態の要部を示す分解斜視図である。
【図９】本発明に係るセラミック電子部品としてのＬＣ複合部品の第３の実施の形態の断面図である。
【図１０】上記第３の実施の形態の等価回路図である。
【図１１】上記第３の実施の形態の要部を示す分解斜視図である。
【図１２】本発明に係るセラミック電子部品としてのＬＣ複合部品の第４の実施の形態の内部構造を示す模式図である。
【図１３】上記第４の実施の形態の等価回路図である。
【図１４】上記第４の実施の形態の要部を示す分解斜視図である。
【図１５】実施例１で作製された比抵抗測定用試料の断面図である。
【図１６】実施例２で作製された本発明試料の挿入損失を本発明範囲外の比較例試料と共に示した図である。
【図１７】実施例３で作製された本発明試料の挿入損失を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
次に、本発明の実施の形態を詳説する。
【００３９】
本発明の一実施の形態としてのフェライト磁器組成物は、一般式Ｘ２Ｏ３・ＭｅＯで表わされるスピネル型結晶構造を有し、少なくとも３価の元素化合物であるＦｅ２Ｏ３、Ｍｎ２Ｏ３、及び２価の元素化合物であるＺｎＯ、ＮｉＯを含み、必要に応じて２価の元素化合物であるＣｕＯを含有している。
【００４０】
具体的には、本フェライト磁器組成物は、ＣｕＯの含有モル量が０〜５ｍｏｌ％とされ、Ｆｅ２Ｏ３及びＭｎ２Ｏ３の各含有モル量は、図１に示すように、Ｆｅ２Ｏ３の含有モル量をｘｍｏｌ％、Ｍｎ２Ｏ３の含有モル量をｙｍｏｌ％としたときに、（ｘ，ｙ）が点Ａ〜点Ｈで囲まれる斜線部Ｘの領域とされ、残部がＺｎＯ、ＮｉＯで形成されている。
【００４１】
ここで、点Ａ〜点Ｈの各点（ｘ，ｙ）は、以下の含有モル量を示している。
【００４２】
Ａ（２５,１）、Ｂ（４７，１）、Ｃ（４７，７．５）、Ｄ（４５，７．５）、Ｅ（４５，１０）、Ｆ（３５，１０）、Ｇ（３５，７．５）、及びＨ（２５，７．５）
次に、ＣｕＯ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｍｎ２Ｏ３の含有モル量を、上述の範囲にした理由について詳述する。
【００４３】
（１）ＣｕＯの含有モル量
Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトでは、融点が１０２６℃と低いＣｕＯをフェライト磁器組成物中に含有させることにより、より低温での焼成が可能となり、焼結性を向上させることができる。
【００４４】
一方、Ｃｕを主成分としたＣｕ系材料とフェライト材料とを同時焼成する場合、大気雰囲気で焼成するとＣｕは容易に酸化されてＣｕ２Ｏを生成することから、Ｃｕが酸化しないような還元性雰囲気で焼成する必要がある。
【００４５】
しかしながら、このような還元性雰囲気で焼成した場合、ＣｕＯの含有モル量が５ｍｏｌ％を超えると、フェライト原料中のＣｕＯが還元されてＣｕ２Ｏの生成量が増加し、このため比抵抗ρの低下を招くおそれがある。
【００４６】
そこで、本実施の形態では、ＣｕＯの含有モル量が５ｍｏｌ％以下、すなわち０〜５ｍｏｌ％となるように配合量を調整している。
【００４７】
（２）Ｆｅ２Ｏ３及びＭｎ２Ｏ３の各含有モル量
Ｆｅ２Ｏ３を化学量論組成から減量させ、Ｆｅの一部をＭｎで置換する形態でＭｎ２Ｏ３を含有させることにより、比抵抗ρが低下するのを回避でき、絶縁性の向上を図ることができる。
【００４８】
すなわち、スピネル型結晶構造（一般式Ｘ２Ｏ３・ＭｅＯ）の場合、化学量論組成では、Ｘ２Ｏ３（Ｘ：Ｆｅ、Ｍｎ）とＭｅＯ（Ｍｅ：Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ）との比率は５０：５０であり、Ｘ２Ｏ３とＭｅＯとは、通常、概ね化学量論組成となるように配合される。
【００４９】
そして、Ｃｕを主成分としたＣｕ系材料とフェライト材料とを同時焼成する場合、大気雰囲気で焼成するとＣｕは容易に酸化されてＣｕ２Ｏを生成することから、Ｃｕが酸化しないような還元性雰囲気で焼成する必要がある。一方、フェライト材料の主成分であるＦｅ２Ｏ３を還元性雰囲気で焼成するとＦｅ３Ｏ４を生成することから、Ｆｅ２Ｏ３に対しては酸化性雰囲気で焼成する必要がある。
【００５０】
しかしながら、〔発明が解決しようとする課題〕の項でも述べたように、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧とＦｅ３Ｏ４−Ｆｅ２Ｏ３の平衡酸素分圧との関係から、８００℃以上の温度で焼成する場合、Ｃｕ金属とＦｅ２Ｏ３とが共存する領域が存在しないことが知られている。
【００５１】
しかるに、Ｍｎ２Ｏ３は、８００℃以上の温度領域ではＦｅ２Ｏ３に比べ、より高い酸素分圧で還元性雰囲気となる。したがって、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下の酸素分圧では、Ｍｎ２Ｏ３はＦｅ２Ｏ３に比べ強還元性雰囲気となり、このためＭｎ２Ｏ３が優先的に還元されて焼結を完了させることが可能となる。つまり、Ｍｎ２Ｏ３がＦｅ２Ｏ３に比べて優先的に還元されることから、Ｆｅ２Ｏ３がＦｅ３Ｏ４に還元される前に焼成処理を完了させることが可能となる。
【００５２】
このようにＦｅ２Ｏ３の含有モル量を化学量論組成から減量させる一方で、同じ３価の元素化合物であるＭｎ２Ｏ３をフェライト磁器組成物中に含有させることにより、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下でＣｕ系材料とフェライト材料とを同時焼成しても、Ｍｎ２Ｏ３が優先的に還元されることから、Ｆｅ２Ｏ３が還元される前に焼結を完了させることが可能となり、Ｃｕ金属とＦｅ２Ｏ３とをより効果的に共存させることができる。そしてこれにより比抵抗ρが低下するのを回避でき、絶縁性を向上させることができる。
【００５３】
ただし、Ｆｅ２Ｏ３の含有モル量が２５ｍｏｌ％未満になると、Ｆｅ２Ｏ３の含有モル量が過度に少なくなって却って比抵抗ρの低下を招き、所望の絶縁性を確保できなくなる。
【００５４】
また、Ｍｎ２Ｏ３の含有モル量が１ｍｏｌ％未満になると、Ｍｎ２Ｏ３の含有モル量が過度に少なくなるため、Ｆｅ２Ｏ３がＦｅ３Ｏ４に還元されやすくなり、比抵抗ρが低下し、十分な絶縁性を確保できない。
【００５５】
また、Ｆｅ２Ｏ３の含有モル量が４７ｍｏｌ％を超える場合も、Ｆｅ２Ｏ３の含有モル量が過剰となってＦｅ２Ｏ３がＦｅ３Ｏ４に還元されやすくなり、比抵抗ρが低下し、十分な絶縁性を確保できない。
【００５６】
また、Ｍｎ２Ｏ３の含有モル量が１０ｍｏｌ％を超えた場合も、十分に大きな比抵抗ρを得ることができず、絶縁性を確保できない。
【００５７】
さらに、Ｆｅ２Ｏ３の含有モル量が２５ｍｏｌ％以上であっても３５ｍｏｌ％未満の場合、及びＦｅ２Ｏ３の含有モル量が４５ｍｏｌ％以上であっても４７ｍｏｌ％未満の場合は、Ｍｎ２Ｏ３の含有モル量が７．５ｍｏｌ％を超えると、却って比抵抗ρの低下を招き、所望の絶縁性を確保できなくなる。
【００５８】
そこで、本実施の形態では、Ｆｅ２Ｏ３及びＭｎ２Ｏ３の含有モル量は、図１の点Ａ〜点Ｈに囲まれた領域となるように各含有モル量を調整している。
【００５９】
尚、フェライト磁器組成物中のＺｎＯ及びＮｉＯの各含有モル量は、特に限定されるものではなく、Ｆｅ２Ｏ３、Ｍｎ２Ｏ３、及びＣｕＯの各含有モル量に応じて適宜設定することができるが、ＺｎＯ：６〜３３ｍｏｌ％、ＮｉＯ：残部となるように配合するのが好ましい。
【００６０】
すなわち、ＺｎＯの含有モル量が３３ｍｏｌ％を超えると、キュリー点Ｔｃが低下し、高温での動作保証がなされない可能性があることから、ＺｎＯの含有量は３３ｍｏｌ％以下が好ましい。
【００６１】
一方、ＺｎＯは透磁率μの向上に寄与する効果があるが、斯かる効果を発揮するためにはＺｎＯの含有モル量は６ｍｏｌ％が必要である。
【００６２】
したがって、ＺｎＯの含有モル量は６〜３３ｍｏｌ％が好ましい。
【００６３】
このように本フェライト磁器組成物は、Ｃｕの含有モル量がＣｕＯに換算して０〜５ｍｏｌ％であり、かつ、ＦｅをＦｅ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｘｍｏｌ％、及びＭｎをＭｎ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｙｍｏｌ％を（ｘ，ｙ）で表したときに、（ｘ，ｙ）が、上述した点Ａ〜点Ｈに囲まれる特定の範囲にあるので、Ｃｕ系材料と同時焼成しても、比抵抗ρの低下を招くこともなく、所望の絶縁性を確保することが可能となる。
【００６４】
具体的には、比抵抗ρは１０７Ω・ｃｍ以上の良好な絶縁性を得ることができる。そしてこれにより、インピーダンス特性等の電気特性の良好な所望のセラミック電子部品を得ることが可能となる。
【００６５】
また、Ｚｎの含有モル量をＺｎＯに換算して６〜３３ｍｏｌ％とすることにより、良好な透磁率を有すると共に、十分なキュリー点を確保することができ、使用時の温度が高い条件下での動作が保証されたセラミック電子部品を得ることができる。
【００６６】
次に、上記フェライト磁器組成物を使用したセラミック電子部品について、図２〜図１４を参照しながら詳述する。
【００６７】
図２は、本発明に係るセラミック電子部品としてのＬＣ複合部品の一実施の形態（第１の実施の形態）を示す斜視図であり、図３は図２の断面図である。
【００６８】
この第１の実施の形態は、集中定数型の縦巻きＴ型ＬＣ複合部品を示している。
【００６９】
すなわち、このＬＣ複合部品は、部品素体１は、コンデンサ部２が一対のコイル部３ａ、３ｂ間に介在されている。コイル部３ａ、３ｂは、コイル導体５ａ、５ｂと、該コイル導体５ａ、５ｂが埋設された磁性体層６ａ、６ｂとを備え、また、コンデンサ部２は、容量電極７と、該容量電極７が埋設された誘電体層８とを備えている。そして、これらコイル部３ａ、３ｂのコイル導体５ａ、５ｂは前記部品素体１の両端部に形成された第１及び第２の外部電極４ａ、４ｂに電気的に接続され、コンデンサ部２の容量電極７は前記部品素体１の側面中央部に形成された第３及び第４の外部電極４ｃ、４ｄに電気的に接続されている。
【００７０】
図４は、上記ＬＣ複合部品の等価回路を示す回路図である。
【００７１】
すなわち、上記ＬＣ複合部品は、コイル部３ａによって付与されるインダクタンスＬ１とコイル部３ｂによって付与されるインダクタンスＬ２と、コンデンサ部２によって付与される静電容量Ｃにより、Ｔ型の回路構成を形成している。
【００７２】
そして、本第１の実施の形態では、コイル導体５ａ、５ｂ、容量電極７がＣｕを主成分とするＣｕ系材料で形成されると共に、磁性体層６ａ、６ｂのみならず誘電体層８も上述した本発明のフェライト磁器組成物で形成されている。すなわち、誘電体層８はフェライト磁器組成物の有する誘電率を利用し、該フェライト磁器組成物でもって誘電体層８を形成している。
【００７３】
そしてこれによりＣｕが酸化されたりＦｅ２Ｏ３が還元されることもなく、所望の良好な電気特性や磁気特性を有する。具体的には、比抵抗ρを１０７Ω・ｃｍ以上に改善することができ、特定周波数域でノイズ吸収に適したＬＣ複合部品を得ることができる。
【００７４】
また、容量電極７にもＣｕ系材料を使用しているので、Ａｇ系材料のようにコンデンサ部２でマイグレーションが生じるのを回避することが可能となり、高湿度下で長時間放置しても良好な絶縁抵抗を得ることができ、高信頼性を有するＬＣ複合部品を得ることができる。
【００７５】
図５は、部品素体１の分解斜視図である。
【００７６】
以下、この図５を参照しながら上記ＬＣ複合部品の製造方法を詳述する。
【００７７】
まず、セラミック素原料として、Ｆｅ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＮｉＯ、及び必要に応じてＣｕＯを用意する。そして、ＣｕＯが０〜５ｍｏｌ％であって、Ｆｅ２Ｏ３及びＭｎ２Ｏ３が点Ａ〜点Ｈで囲まれる特定領域を満たすように各セラミック素原料を秤量する。
【００７８】
次いで、これらの秤量物を純水及びＰＳＺ（部分安定化ジルコニア）ボール等の玉石と共にポットミルに入れ、湿式で十分に混合粉砕し、蒸発乾燥させた後、７００〜８００℃の温度で所定時間仮焼する。
【００７９】
次いで、これらの仮焼粉末に、ポリビニルブチラール系等の有機バインダ、エタノール、トルエン等の有機溶剤、及びＰＳＺボールと共に、再びポットミルに投入し、十分に混合粉砕し、セラミックスラリーを作製する。
【００８０】
次に、ドクターブレード法等を使用して前記セラミックスラリーをシート状に成形加工し、所定膜厚の磁性体セラミックグリーンシート（セラミック薄層体；以下、単に「磁性体シート」という。）９ａ〜９ｍを作製する。
【００８１】
次いで、これらの磁性体シート９ａ〜９ｍのうち磁性体シート９ｄ〜９ｉについて、互いに電気的に接続可能となるようにレーザ加工機を使用し、所定箇所にビアホールを形成する。
【００８２】
次に、Ｃｕを主成分とした導電性ペースト（以下、「Ｃｕペースト」という。）を用意する。そして、該Ｃｕペーストを使用してスクリーン印刷し、磁性体シート９ｄ〜９ｊ上にコイルパターン１０ａ〜１０ｄ又は容量パターン１１ａ〜１１ｃ（導電膜）を形成し、かつ、ビアホールを前記Ｃｕペーストで充填しビア導体１２ａ〜１２ｆを作製する。
【００８３】
尚、磁性体シート９ｄ及び磁性体シート９ｊに形成された各コイルパターン１０ａ、１０ｄには、第１及び第２の外部電極４ａ、４ｂと電気的接続が可能となるように引出部１０ａ′、１０ｄ′が形成されている。また、磁性体シート９ｇに形成された容量パターン１１ｂには、第３及び第４の外部電極４ｃ、４ｄと電気的接続が可能となるように引出部１１ｂ′が形成され、かつ磁性体シート９ｇのビアホール１２ｄの周囲にはランド部１３が形成されている。
【００８４】
次いで、これら磁性体シート９ｄ〜９ｊを積層し、上下両主面に外装用磁性体シート９ａ〜９ｃ、９ｋ〜９ｍを配し、これらを加圧・圧着させた後、所定寸法に切断して積層成形体を作製する。そしてこれによりコイルパターン１０ａ〜１０ｄはビア導体１２ａ〜１２ｆを介して電気的に接続されて焼結後にはコイル導体５ａ、５ｂを形成し、引出部１０ａ′、１０ｄ′を介して第１及び第２の外部電極４ａ、４ｂと導通可能とされる。また、磁性体シート９ｇはコイルパターン１０ａ〜１０ｄと電気的に絶縁されて焼結後には磁性体シート９ｆ〜９ｈによりコンデンサ部２を形成し、引出部１１ｂ′を介して第３及び第４の外部電極４ｃ、４ｄに導通可能とされる。
【００８５】
次に、この積層成形体をＣｕが酸化しないような雰囲気下、所定温度で十分に脱脂した後、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下となるようにＮ２−Ｈ２−Ｈ２Ｏの混合ガスで雰囲気調整された焼成炉に供給し、９００〜１０５０℃で所定時間焼成し、これによりコイル導体５ａ、５ｂが磁性体層６ａ、６ｂに埋設され、かつ容量電極７が誘電体層８に埋設された部品素体１を得る。
【００８６】
次に、部品素体１の両端部及び側面中央部に、Ｃｕ等を主成分とした外部電極用導電ペーストを塗布し、乾燥させた後、９００℃程度の温度で焼き付けて第１〜第４の外部電極４ａ〜４ｄを形成し、これにより上述したＬＣ複合部品が作製される。
【００８７】
このように本第１の実施の形態では、Ｃｕの含有モル量がＣｕＯに換算して０〜５ｍｏｌ％であり、かつ、ＦｅをＦｅ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｘｍｏｌ％、及びＭｎをＭｎ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｙｍｏｌ％を（ｘ，ｙ）で表したときに、（ｘ，ｙ）が、上述した点Ａ〜点Ｈに囲まれる特定領域を満たすようにＦｅ化合物、Ｍｎ化合物、Ｃｕ化合物、Ｚｎ化合物、及びＮｉ化合物をそれぞれ秤量し、これら秤量物を混合した後、仮焼して仮焼粉末を作製する仮焼工程と、前記仮焼粉末から磁性体シート９ａ〜９ｍを作製する磁性体シート作製工程と、Ｃｕペーストを磁性体シートに塗布して所定パターンのコイルパターン１０ａ〜１０ｄ又は容量パターン１１ａ〜１１ｃを形成する導電パターン（導電膜）形成工程と、前記パターンが形成された磁性体シート９ｄ〜９ｊを所定順序に積層し、積層成形体を形成する積層体形成工程と、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下の焼成雰囲気で前記積層成形体を焼成し、前記磁性体シート９ａ〜９ｍと導電パターン１０ａ〜１０ｄ、１１ａ〜１１ｃとを同時焼成する焼成工程とを含んでいるので、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下の焼成雰囲気で磁性体シート９ａ〜９ｍと導電パターン１０ａ〜１０ｄ、１１ａ〜１１ｃとを同時焼成しても、Ｃｕが酸化されたりＦｅが還元されることもなく、絶縁性が良好で高信頼性を有するＬＣ複合部品を得ることができる。
【００８８】
図６は、本発明に係るセラミック電子部品としてのＬＣ複合部品の第２の実施の形態を示す斜視図であり、図７は図６の断面図である。
【００８９】
この第２の実施の形態は、集中定数型の横巻きＴ型ＬＣ複合部品を示している。
【００９０】
すなわち、このＬＣ複合部品は、第１の実施の形態と同様、部品素体１５は、コンデンサ部１６が一対のコイル部１７ａ、１７ｂ間に介在されている。これらコイル部１７ａ、１７ｂは、コイル導体２０ａ、２０ｂと、該コイル導体２０ａ、２０ｂが埋設された磁性体層２１ａ、２１ｂとを備え、また、コンデンサ部１６は、容量電極２２と、該容量電極２２が埋設された誘電体層２３とを備えている。そして、これらコイル部１７ａ、１７ｂのコイル導体２０ａ、２０ｂは前記部品素体１の上面及び下面に形成された第１及び第２の外部電極１８ａ、１８ｂに電気的に接続され、コンデンサ部１６の容量電極２２は前記部品素体１５の側面中央部に周設された第３の外部電極１８ｃに電気的に接続されている。
【００９１】
上記ＬＣ複合部品も、第１の実施の形態と同様、Ｔ型の回路構成を形成している。
【００９２】
そして、本第２の実施の形態でも、コイル導体２０ａ、２０ｂ、容量電極２２がＣｕで形成されると共に、磁性体層２１ａ、２１ｂのみならず誘電体層２３も上述した本発明のフェライト磁器組成物で形成されている。
【００９３】
そしてこれにより、第１の実施の形態と同様、Ｃｕが酸化されたりＦｅ２Ｏ３が還元されることもなく、所望の良好な電気特性や磁気特性を有し、かつマイグレーションが生じることもなく、高信頼性を有するセラミック電子部品を得ることが可能となる。
【００９４】
しかも、本第２の実施の形態では、第１の実施の形態に比べ、コイル部１７ａ、１７ｂでの浮遊容量を低下させることができることから、挿入損失がより一層低下したＬＣ複合部品を得ることが可能となる。
【００９５】
図８は、部品素体１５の分解斜視図である。
【００９６】
以下、この図８を参照しながら上記ＬＣ複合部品の製造方法を詳述する。
【００９７】
まず、第１の実施の形態と同様の方法で仮焼粉末を作製し、次いでセラミックスラリーを作製する。
【００９８】
次に、ドクターブレード法等を使用して前記セラミックスラリーをシート状に成形加工し、所定膜厚の磁性体シート２０ａ〜２０ｑを作製する。
【００９９】
次いで、各磁性体シート２０ａ〜２０ｑ間が導通可能となるようにレーザ加工機を使用し、所定箇所にビアホールを形成する。
【０１００】
次に、Ｃｕペーストを用意する。そして、該Ｃｕペーストを使用してスクリーン印刷し、磁性体シート２０ｄ〜２０ｎ上にコイルパターン２１ａ〜２１ｆ又は容量パターン２２ａ〜２２ｅを形成し、かつ、ビアホールを前記Ｃｕペーストで充填しビア導体２３ａ〜２３ｑを作製する。
【０１０１】
尚、磁性体シート２０ｈ、２０ｊに形成された容量パターン２２ｂ、２２ｄには、第３の外部電極１９と電気的接続が可能となるように引出部２２ｂ′２２ｄ′が形成されている。
【０１０２】
そして、これら磁性体シート２０ａ〜２０ｑを積層し、加圧・圧着させ、所定寸法に切断して積層成形体を作製する。そしてこれによりコイルパターン２１ａ〜２１ｃ、２０ｄ〜２０ｆはビア導体２３ｄ〜２３ｍを介して電気的に接続されて焼結後にはコイル導体２０ａ、２０ｂを形成し、ビア導体２３ａ〜２３ｃ、２３ｏ〜２３ｑを介して第１及び第２の外部電極１８ａ、１８ｂと導通可能とされる。また、磁性体シート２０ｈ、２０ｊはコイルパターン２１ａ〜２１ｃ、２０ｄ〜２０ｆと電気的に絶縁されて焼結後には磁性体シート２０ｇ〜２０ｋによりコンデンサ部１６を形成し、引出部２２ｂ′、２２ｄ′を介して第３の外部電極１８ｃに導通可能とされる。
【０１０３】
次に、この積層成形体をＣｕが酸化しないような雰囲気下、加熱して十分に脱脂した後、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下となるようにＮ２−Ｈ２−Ｈ２Ｏの混合ガスで雰囲気調整された焼成炉に供給し、９００〜１０５０℃で所定時間焼成し、これによりコイル導体２０ａ、２０ｂが磁性体層２１ａ、２１ｂに埋設され、かつ容量電極２２が誘電体層２３に埋設された部品素体１５を得る。
【０１０４】
次に、部品素体１の両端部及び側面中央部に、Ｃｕ等を主成分とした外部電極用導電ペーストを塗布し、乾燥させた後、９００℃で焼き付けて第１〜第３の外部電極１８ａ〜１８ｃを形成し、これにより上述したＬＣ複合部品が作製される。
【０１０５】
このように本第２の実施の形態でも、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下の焼成雰囲気で前記積層体を焼成し、前記セラミックグリーンシートと前記導電膜とを同時焼成しているので、第１の実施の形態と同様、Ｃｕが酸化されたりＦｅが還元されることもなく、比抵抗ρを１０７Ω・ｃｍ以上の絶縁性が良好で高信頼性を有するＬＣ複合部品を得ることができる。
【０１０６】
また、容量電極２２にＣｕ系材料を使用しているので、マイグレーションが生じるのを回避することができ、高信頼性を有するＬＣ複合部品を得ることができる。
【０１０７】
しかも、本第２の実施の形態では、第１の実施の形態に比べ、コイル部１７ａ、１７ｂでの浮遊容量を低下させることができることから、挿入損失がより一層低下したＬＣ複合部品を得ることが可能となる。
【０１０８】
図９は、本発明に係るセラミック電子部品としてのＬＣ複合部品の第３の実施の形態を示す断面図である。
【０１０９】
この第３の実施の形態は、集中定数型のπ型ＬＣ複合部品を示している。
【０１１０】
すなわち、このＬＣ複合部品は、部品素体３０は、コイル部３１が一対のコンデンサ部３２ａ、３２ｂ間に介在されている。これらコンデンサ部３２ａ、３２ｂは、容量電極３６ａ、３６ｂと、該容量電極３６ａ、３６ｂが埋設された誘電体層３７ａ、３７ｂとを備え、また、コイル部３１は、コイル導体３４と、該コイル導体３４が埋設された磁性体３５とを備えている。そして、コンデンサ部３２ａ、３２ｂの容量電極３６ａ、３６ｂは、部品素体３０の両端部に形成された第１及び第２の外部電極３３ａ、３３ｂに電気的に接続され、コイル部３１のコイル導体３４は、部品素体３０の側面中央部に形成された第３及び第４の外部電極（不図示）に電気的に接続されている。
【０１１１】
図１０は、本ＬＣ複合部品の等価回路を示す回路図である。
【０１１２】
すなわち、本ＬＣ複合部品は、コンデンサ部３２ａによって付与される静電容量Ｃ１とコンデンサ部３２ｂによって付与される静電容量Ｃ２が、コイル部３１によって付与されるインダクタンスＬを介して並列接続されたいわゆるπ型の回路構成を形成している。
【０１１３】
そして、本第３の実施の形態でも、コイル導体３４、容量電極３６ａ、３６ｂがＣｕ系材料で形成されると共に、磁性体層３５のみならず誘電体層３７ａ、３７ｂも上述した本発明のフェライト磁器組成物で形成されている。
【０１１４】
そしてこれにより、第１及び第２の実施の形態と同様、Ｃｕが酸化されたりＦｅ２Ｏ３が還元されることもなく、所望の良好な電気特性や磁気特性を有すると共に、マイグレーションが生じることもなく、高信頼性を有するセラミック電子部品を得ることが可能となる。
【０１１５】
図１１は、部品素体３０の分解斜視図である。
【０１１６】
以下、この図１１を参照しながら上記ＬＣ複合部品の製造方法を詳述する。
【０１１７】
まず、第１及び第２の実施の形態と同様の方法で仮焼粉末を作製し、次いでセラミックスラリーを作製する。
【０１１８】
次に、ドクターブレード法等を使用して前記セラミックスラリーをシート状に成形加工し、所定膜厚の磁性体シート３８ａ〜３８ｐを作製する。
【０１１９】
次いで、磁性体シート３８ｈ、３８ｉ間が導通可能となるようにレーザ加工機を使用し、所定箇所にビアホールを形成する。
【０１２０】
次に、Ｃｕペーストを用意する。そして、該Ｃｕペーストを使用してスクリーン印刷し、磁性体シート３８ｄ〜３８ｆ及び３８ｋ〜３８ｍ上に容量パターン３９ａ〜３９ｃ、３９ｆ〜３９ｈを形成し、磁性体シート３８ｈ、３ｉにコイルパターン３９ｄ、３９ｅを形成し、かつ、ビアホールを前記導電性ペーストで充填しビア導体４０を作製する。
【０１２１】
尚、各容量パターン３９ａ〜３９ｃ、３９ｆ〜３９ｈ及びコイルパターン３９ｄ、３９ｅには、各外部電極と電気的接続が可能となるように引出部３９ａ′〜３９ｃ′、３９ｆ′〜３９ｈ′、３９ｄ′、３９ｅ′が形成されている。
【０１２２】
そして、これら磁性体シート３８ｄ〜３８ｎを積層し、上下両主面に外装用磁性体シート３８ａ〜３８ｃ、３８ｎ〜３８ｐを配し、これらを加圧・圧着させ、その後、所定寸法に切断して積層成形体を作製する。
【０１２３】
次に、この積層成形体をＣｕが酸化しないような雰囲気下、所定温度で十分に脱脂した後、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下となるようにＮ２−Ｈ２−Ｈ２Ｏの混合ガスで雰囲気調整された焼成炉に供給し、９００〜１０５０℃で所定時間焼成し、これにより容量電極３６ａ、３６ｂが誘電体層３７ａ、３７ｂに埋設され、かつコイル導体３４が磁性体層３５に埋設された部品素体３０を得る。
【０１２４】
次に、部品素体３０の両端部及び側面中央部に、Ｃｕ等を主成分とした外部電極用導電ペーストを塗布し、乾燥させた後、９００℃で焼き付けて第１〜第４の外部電極を形成し、これにより上述したＬＣ複合部品が作製される。
【０１２５】
このように本第３の実施の形態でも、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下の焼成雰囲気で前記積層体を焼成し、前記セラミックグリーンシートと前記導電膜とを同時焼成しているので、第１及び第２の実施の形態と同様、Ｃｕが酸化されたりＦｅが還元されることもなく、比抵抗ρを１０７Ω・ｃｍ以上の絶縁性が良好で高信頼性を有するＬＣ複合部品を得ることができる。
【０１２６】
また、容量電極３６ａ、３６ｂにＣｕ系材料を使用しているので、マイグレーションが生じるのを回避することができ、高信頼性を有するＬＣ複合部品を得ることができる。
【０１２７】
図１２は本発明に係るセラミック電子部品としてのＬＣ複合部品の第４の実施の形態を示す内部構造図である。
【０１２８】
この第４の実施の形態は、分布定数型の横巻きＴ型ＬＣ複合部品を示している。
【０１２９】
すなわち、このＬＣ複合部品は、部品素体４０は、容量電極４２がコイル導体４１間に挟み込まれるような形態でコイル導体４１と容量電極４２とが磁性体層４３に埋設されている。そして、コイル導体４１の両端は第１及び第２の外部電極４９ａ、４９ｂに電気的に接続されると共に、容量電極４２は第３及び第４の外部電極（グランド電極）４９ｃ、４９ｄに電気的に接続されている。
【０１３０】
図１３は、本ＬＣ複合部品の等価回路を示す回路図である。
【０１３１】
すなわち、本ＬＣ複合部品は、コイル導体４１に沿うような形態で容量電極４２が配されることから、コイル導体４１と磁性体層４３とで付与されるインダクタンスＬと容量電極４２との間で静電容量Ｃとが形成されている。したがって、このＬＣ複合部品では、コイル導体４１と磁性体層４３とで付与されるインダクタンスＬが外部電極４９ａ、４９ｂ間に連続的に形成され、かつインダクタンスＬが付与されるコイル導体４１の略全長に亙って容量電極４２との間で静電容量Ｃが連続的に形成されるので、入力信号側と出力信号側とのインピーダンス整合がとれ、所望の信号波形を伝送できる高周波特性にも優れたものとなる。
【０１３２】
そして、本第４の実施の形態でも、コイル導体４１、容量電極４２がＣｕ系材料で形成されると共に、磁性体層４３が上述した本発明のフェライト磁器組成物で形成されている。
【０１３３】
そしてこれにより、第１〜第３の実施の形態と同様、Ｃｕが酸化されたりＦｅ２Ｏ３が還元されることもなく、所望の良好な電気特性や磁気特性を有すると共に、マイグレーションが生じることもなく、高信頼性を有するセラミック電子部品を得ることが可能となる。
【０１３４】
図１４は部品素体４０の分解斜視図である。
【０１３５】
以下、この図１４を参照しながら上記ＬＣ複合部品の製造方法を詳述する。
【０１３６】
まず、第１〜第３の実施の形態と同様の方法で仮焼粉末を作製し、次いでセラミックスラリーを作製する。
【０１３７】
次に、ドクターブレード法等を使用して前記セラミックスラリーをシート状に成形加工し、所定膜厚の磁性体シート４４ａ〜４４ｊを作製する。
【０１３８】
次いで、レーザ加工機を使用し、磁性体シート４４ｂ〜４４ｈの所定箇所にビアホールを形成する。
【０１３９】
次に、Ｃｕペーストを用意する。そして、該Ｃｕペーストを使用してスクリーン印刷し、磁性体シート４４ｂ、４４ｃ、４４ｅ、及び４４ｇ〜４４ｉ上にコイルパターン４５ａ〜４５ｆを形成し、磁性体シート４４ｄ、４４ｆに容量パターン４６ａ、４６ｂを形成し、かつ、ビアホールを前記Ｃｕペーストで充填しビア導体４７ａ〜４７ｉを作製する。
【０１４０】
そして、これら磁性体シート４４ｂ〜４４ｉを積層し、上下両主面に外装用磁性体シート４４ａ、４４ｊを配し、これらを加圧・圧着させ、その後所定寸法に切断して積層成形体を作製する。
【０１４１】
次に、この積層成形体をＣｕが酸化しないような雰囲気下、所定温度で十分に脱脂した後、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下となるようにＮ２−Ｈ２−Ｈ２Ｏの混合ガスで雰囲気調整された焼成炉に供給し、９００〜１０５０℃で所定時間焼成し、これによりコイル導体４１及び容量電極４２が磁性体層４３に埋設された部品素体４０を得る。
【０１４２】
次に、部品素体４０の両端部及び側面中央部に、Ｃｕ等を主成分とした外部電極用導電ペーストを塗布し、乾燥させた後、９００℃で焼き付けて第１〜第４の外部電極を形成し、これにより上述したＬＣ複合部品が作製される。
【０１４３】
このように本第４の実施の形態でも、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下の焼成雰囲気で前記積層体を焼成し、前記セラミックグリーンシートと前記導電膜とを同時焼成しているので、第１〜第３の実施の形態と同様、Ｃｕが酸化されたりＦｅが還元されることもなく、比抵抗ρを１０７Ω・ｃｍ以上の絶縁性が良好で高信頼性を有するＬＣ複合部品を得ることができる。
【０１４４】
また、容量電極４２もＣｕ系材料で形成されているので、マイグレーションが生じるのを回避することができ、高信頼性を有するＬＣ複合部品を得ることができる。
【０１４５】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。例えば、上記実施の形態では、仮焼粉末からセラミックグリーンシート９ａ〜９ｍを作製しているが、セラミック薄層体であればよく、例えば、ＰＥＴフィルム上に印刷処理を行なって磁性塗膜を形成し、斯かる磁性塗膜上に導電膜であるコイルパターンや容量パターンを形成してもよい。
【０１４６】
また、上記実施の形態では、コイルパターンや容量パターンをスクリーン印刷で形成しているが、導電膜の作製方法も特に限定されるものではなく、他の方法、例えばめっき法、転写法、或いはスパッタ等の薄膜形成方法で形成してもよい。
【０１４７】
また、上記実施の形態では、ＬＣ複合部品について説明したが、これらの形態に限定されるものでない。また、フェライト材料をＣｕ系材料と同時焼成する用途に広範に使用することができ、他のセラミック電子部品にも適用可能であるのはいうまでもない。
【０１４８】
次に、本発明の実施例を具体的に説明する。
【実施例１】
【０１４９】
セラミック素原料として、Ｆｅ２Ｏ３、Ｍｎ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＣｕＯ、及びＮｉＯを用意し、含有モル量が表１〜３に示すような組成となるように、これらセラミック素原料を秤量した。すなわち、ＺｎＯを３０ｍｏｌ％、ＣｕＯを１ｍｏｌ％に固定し、Ｆｅ２Ｏ３とＭｎ２Ｏ３との含有モル量を種々異ならせ、残部がＮｉＯとなるように各セラミック素原料を秤量した。
【０１５０】
次いで、これら秤量物を純水及びＰＳＺボールと共に塩化ビニル製のポットミルに入れ、湿式で十分に混合粉砕し、これを蒸発乾燥させた後、７５０℃の温度で仮焼し、仮焼粉末を得た。
【０１５１】
次いで、この仮焼粉末を、ポリビニルブチラール系バインダ（有機バインダ）、エタノール（有機溶剤）、及びＰＳＺボールと共に、再び塩化ビニル製のポットミルに投入し、十分に混合粉砕し、セラミックスラリーを得た。
【０１５２】
次に、ドクターブレード法を使用し、厚さが２５μｍとなるようにセラミックスラリーをシート状に成形し、これを縦５０ｍｍ、横５０ｍｍの大きさに打ち抜き、磁性体シートを作製した。
【０１５３】
次いで、このようにして作製された磁性体シートを、厚さが総計で１．０ｍｍとなるように複数枚積層し、６０℃に加熱し、１００ＭＰａの圧力で６０秒間加圧して圧着し、その後、外径２０がｍｍ、内径が１２ｍｍとなるようにリング状に切り出し、セラミック成形体を得た。
【０１５４】
次いで、得られたセラミック成形体を加熱して十分に脱脂した。そして、Ｎ２−Ｈ２−Ｈ２Ｏの混合ガスを焼成炉に供給して酸素分圧を６．７×１０-2Ｐａに調整した後、前記セラミック成形体を焼成炉に投入し、１０００℃の温度で２時間焼成し、これによりリング状試料を得た。
【０１５５】
尚、この酸素分圧６．７×１０-2Ｐａは、１０００℃におけるＣｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧であり、セラミック成形体をＣｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧で２時間焼成し、これにより試料番号１〜１０４のリング状試料を作製した。
【０１５６】
そして、試料番号１〜１０４の各リング状試料について、軟銅線を２０ターン巻回し、インピーダンスアナライザ（アジレント・テクノロジー社製、Ｅ４９９１Ａ）を使用し、測定周波数１ＭＨｚでインダクタンスを測定し、その測定値から透磁率μを求めた。
【０１５７】
次に、テルピネオール（有機溶剤）及びエチルセルロース樹脂（バインダ樹脂）を含有した有機ビヒクルにＣｕ粉末を混合し、三本ロールミルで混錬し、これによりＣｕペーストを作製した。
【０１５８】
次に、磁性体シートの表面にＣｕペーストをスクリーン印刷し、所定パターンの導電膜を作製した。そして、導電膜の形成された磁性体シートを所定順序で所定枚数積層し、導電膜の形成されていない磁性体シートで挟持し、圧着し、所定の大きさに切断し、積層成形体を得た。
【０１５９】
次いで、積層成形体を十分に脱脂した後、Ｎ２−Ｈ２−Ｈ２Ｏの混合ガスを焼成炉に供給して酸素分圧を６．７×１０-2Ｐａ（１０００℃におけるＣｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧）に調整し、この積層成形体を焼成炉に供給した後、１０００℃の温度で２時間焼成し、内部電極が埋設されたセラミック焼結体を得た。
【０１６０】
次いで、このセラミック焼結体を水と共にポットに投入し、遠心バレル機を用いてセラミック焼結体にバレル処理を施し、これによりセラミック素体を得た。
【０１６１】
そして、セラミック素体の両端部に、Ｃｕを主成分とする外部電極用導電性ペーストを塗布し、乾燥した後、酸素分圧を４．３×１０-3Ｐａに調整した焼成炉内で９００℃の温度で焼き付け処理を行い、試料番号１〜１０４の比抵抗測定用試料を作製した。尚、酸素分圧：４．３×１０-3Ｐａは温度９００℃におけるＣｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧である。
【０１６２】
比抵抗測定用試料の外形寸法は、縦３．０ｍｍ、横３．０ｍｍ、厚み１．０ｍｍであった。
【０１６３】
図１５は、比抵抗測定用試料の断面図であって、セラミック素体５１には引出部が互い違いとなるように内部電極５２ａ〜５２ｄが磁性体層５３に埋設され、かつ、セラミック素体５１の両端面には外部電極５４ａ、５４ｂが形成されている。
【０１６４】
次に、試料番号１〜１０４の比抵抗測定用試料について、外部電極５４ａ、５４ｂに５０Ｖの電圧を３０秒間印加し、電圧印加時の電流を測定した。そしてこの測定値から抵抗を算出し、試料寸法から比抵抗の対数logρ（以下、「比抵抗logρ」という。）を算出した。
【０１６５】
表１〜３は試料番号１〜１０４のフェライト組成と測定結果を示している。
【０１６６】
【表１】
【０１６７】
【表２】
【０１６８】
【表３】
【０１６９】
試料番号１〜１７、２２〜２５、３０〜３３、３９〜４１、４７〜４９、５５〜５７、６３〜６５、７１〜７３、７８〜８１、及び８６〜１０４は、図１の斜線部Ｘの領域外であるので、比抵抗logρが７未満となって比抵抗logρが小さく、所望の絶縁性を得ることができなかった。
【０１７０】
これに対し試料番号１８〜２１、２６〜２９、３４〜３８、４２〜４６、５０〜５４、５８〜６２、６６〜７０、７４〜７７、及び８２〜８５は、図１の斜線部Ｘに囲まれる領域内にあるので、比抵抗logρが７以上となり、良好な絶縁性が得られ、透磁率μも５０以上の実用的に十分な値が得られることが分かった。
【実施例２】
【０１７１】
セラミック素原料を、表４に示すように、Ｆｅ２Ｏ３の含有モル量を４４ｍｏｌ％、Ｍｎ２Ｏ３の含有モル量を５ｍｏｌ％と本発明範囲内とし、さらにＺｎＯの含有モル量を３０ｍｏｌ％とし、ＣｕＯを種々異ならせ、残部がＮｉＯとなるように秤量した。そしてそれ以外は、実施例１と同様の方法・手順で試料番号２０１〜２０９のリング状試料及び比抵抗測定用試料を作製した。
【０１７２】
次いで、試料番号２０１〜２０９について、実施例１と同様の方法・手順で比抵抗logρ及び透磁率を測定した。
【０１７３】
表４は、試料番号２０１〜２０９のフェライト組成と測定結果を示している。
【０１７４】
【表４】
【０１７５】
試料番号２０７〜２０９は、ＣｕＯの含有モル量が５ｍｏｌ％を超えているため、比抵抗logρが７未満となって比抵抗logρが小さく、所望の絶縁性を得ることができなかった。
【０１７６】
これに対し２０１〜２０６は、ＣｕＯの含有モル量が０〜５ｍｏｌ％と本発明範囲内であるので、比抵抗logρが７以上となり、良好な絶縁性が得られ、透磁率μも２１０以上と良好な結果が得られた。
【実施例３】
【０１７７】
表５に示すように、Ｆｅ２Ｏ３の含有モル量を４４ｍｏｌ％、Ｍｎ２Ｏ３の含有モル量を５ｍｏｌ％、ＣｕＯの含有モル量を１ｍｏｌ％と本発明範囲内とし、ＺｎＯの含有モル量を種々異ならせ、残部がＮｉＯとなるようにセラミック素原料を秤量した以外は、実施例１と同様の方法・手順で試料番号３０１〜３０９のリング状試料及び比抵抗測定用試料を作製した。
【０１７８】
そして、試料番号３０１〜３０９について、実施例１と同様の方法・手順で比抵抗logρ及び透磁率を測定した。
【０１７９】
また、試料番号３０１〜３０９について、振動試料型磁力計（東英工業社製ＶＳＭ−５−１５型）を使用し、１Ｔ（テスラ）の磁界を印加し、飽和磁化の温度依存性を測定した。そして、この飽和磁化の温度依存性からキュリー点Ｔｃを求めた。
【０１８０】
表５は、試料番号３０１〜３０９のフェライト組成と測定結果を示している。
【０１８１】
【表５】
【０１８２】
試料番号３０９は、ＺｎＯの含有モル量が３３ｍｏｌ％を超えているので、比抵抗logρや透磁率μは良好であったが、キュリー点Ｔｃが１１０℃となり、他の試料に比べて低くなることが分った。
【０１８３】
また、試料番号３０１、３０２は、ＺｎＯの含有モル量が６ｍｏｌ％未満であるので、比抵抗logρやキュリー点Ｔｃは良好であったが、透磁率μが２０以下に低下した。
【０１８４】
これに対し試料番号３０３〜３０８は、ＺｎＯの含有モル量が６〜３３ｍｏｌ％であるので、キュリー点Ｔｃは１６５℃以上となって１３０℃程度の高温下での動作保証を得ることができ、また、透磁率μも３５以上となって実用的な透磁率μが得られることが分かった。
【０１８５】
以上よりＺｎＯの含有モル量を増加させると透磁率μが大きくなるが、過度に増量させるとキュリー点Ｔｃが低下することが確認された。
【実施例４】
【０１８６】
実施例１で作製した試料番号１、実施例２で作製した試料番号２０３、試料番号２０９と同一組成の磁性体シートを使用し、縦巻きＴ型ＬＣ複合部品を作製した（図２〜図５参照）。
【０１８７】
試料番号１及び試料番号２０３の磁性体シートについては、コイル導体材料及び容量電極材料にＣｕを使用し、試料番号１′、２０３′の試料（縦巻きＴ型ＬＣ複合部品）を作製した。
【０１８８】
また、試料番号２０９の磁性体シートについては、コイル導体材料及び外部電極材料にＡｇを使用し、試料番号２０９′の試料（縦巻きＴ型ＬＣ複合部品）を作製した。
【０１８９】
すなわち、試料番号２０９′の試料を作製するために、実施例１〜３で使用したＣｕペーストの他、Ａｇを主成分とした導電性ペースト（以下、「Ａｇペースト」という。）を用意した。
【０１９０】
そして、以下の手順で試料番号１′、２０３′、及び２０９′の試料を作製した。
【０１９１】
まず、レーザ加工機を使用し、試料番号１、２０３及び２０９の磁性体シートの所定箇所にビアホールを形成した。
【０１９２】
次に、Ｃｕペースト又はＡｇペーストを使用してスクリーン印刷し、磁性体シート上にコイルパターン又は容量パターンを形成し、かつ、ビアホールを前記Ｃｕペースト又はＡｇペーストで充填しビア導体を作製した。
【０１９３】
そして、これら磁性体シートを積層し、上下両主面に外装用磁性体シートを配し、これらを６０℃に加熱し１００ＭＰａの圧力で６０秒間加圧して圧着し、所定寸法に切断し、試料番号１′、２０３′及び２０９′の積層成形体を作製した。
【０１９４】
次に、試料番号１′及び２０３′については、Ｃｕが酸化しないような雰囲気下、加熱して十分に脱脂した後、酸素分圧が６．７×１０-2ＰａとなるようにＮ２−Ｈ２−Ｈ２Ｏの混合ガスで雰囲気調整された焼成炉に供給し、１０００℃の温度で２時間焼成し、部品素体を得た。
【０１９５】
次いで、上記部品素体の両端部及び側面中央部に、Ｃｕを主成分とした外部電極用導電ペーストを塗布し、乾燥させ、その後、酸素分圧を４．３×１０-３Ｐａに調整した焼成炉内で９００℃の温度で焼き付け処理を行い、これにより第１〜第４の外部電極を形成した。次いで、電解めっきを施して、第１〜第４の外部電極の表面にＮｉ皮膜及びＳｎ皮膜を順次形成し、これにより試料番号１′、２０３′の縦巻きＴ型ＬＣ複合部品を作製した。
【０１９６】
一方、試料番号２０９′ついては、部品素体の両端部及び側面中央部に、Ａｇを主成分とした外部電極用導電ペーストを塗布し、乾燥させ、その後、大気雰囲気下、７５０℃の温度で焼き付け処理を行い、これにより第１〜第４の外部電極を形成した。そしてその後は、試料番号１′、２０３′と同様、電解めっきを施して、第１〜第４の外部電極の表面にＮｉ皮膜及びＳｎ皮膜を順次形成し、これにより試料番号２０９′の縦巻きＴ型ＬＣ複合部品を作製した。
【０１９７】
作製された各試料の外形寸法は、縦：２．０ｍｍ、横：１.２５ｍｍ、厚み：０．９ｍｍであった。
【０１９８】
尚、各試料は、測定周波数１ＭＨｚでインダクタンスＬは約０．３μＨ、静電容量Ｃが約３６０ｐＦとなるようにコイル導体及びコンデンサの仕様を調整した。
【０１９９】
次に、試料番号１′、２０３′及び２０９′の各試料について、エレクトロメータ（アドバンテスト社製Ｒ８３４０Ａ）を使用し、コイル導体用外部電極とコンデンサ用外部電極との間の絶縁抵抗、すなわち端子間の絶縁抵抗logＩＲを測定した。
【０２００】
表６は、試料番号１′、２０３′及び２０９′の各試料のフェライト組成及び測定結果を示している。
【０２０１】
【表６】
【０２０２】
この表６から明らかなように、試料番号１′は絶縁抵抗logＩＲは３．１と低くなった。これはフェライト組成中、Ｆｅ２Ｏ３とＭｎ２Ｏ３の含有モル量が本発明範囲外であるため、Ｆｅ２Ｏ３がＦｅ３Ｏ４に還元されてしまい、このため絶縁抵抗logＩＲが低下したものと思われる。
【０２０３】
一方、試料番号２０３′、２０９′は、Ｆｅ２Ｏ３とＭｎ２Ｏ３の含有モル量が本発明範囲内であるため、絶縁抵抗logＩＲは７．２、８．９と良好な結果を得た。尚、試料番号２０９′は、大気中で焼成しているため、フェライト材料が還元されることもないことから、絶縁抵抗logＩＲについては良好な結果が得られた。
【０２０４】
次に、試料番号１′、２０３′及び２０９′の各試料について、ネットワークアナライザ（アジレント・テクノロジー社製Ｅ５０６２Ａ）使用し、挿入損失を測定した。
【０２０５】
図１６はその測定結果を示している。
【０２０６】
試料番号１′は、試料番号２０３′、２０９′に比べ挿入損失が劣化した。これはＦｅ２Ｏ３とＭｎ２Ｏ３の含有モル量が本発明範囲外であるため、上述したようにＦｅ２Ｏ３がＦｅ３Ｏ４に還元されてしまい、磁性体層の抵抗が低下したためと考えられる。
【０２０７】
次に、試料番号２０３′、２０９′の各試料３０個について、温度８５℃、湿度８５％ＲＨの高温多湿下、５Ｖの直流電圧を印加して耐湿負荷試験を行った。すなわち、各試料について、試験開始前、試験開始後２５０時間、５００時間、１０００時間、及び２０００時間経過後に端子間で絶縁抵抗を測定し、試験前に比べて絶縁抵抗logＩＲが２０％以上低下した試料を不良品とし、該不良品の個数を計数して耐湿性を評価した。
【０２０８】
表７は、その測定結果を示している。
【０２０９】
【表７】
【０２１０】
試料番号２０９′は、経時的に不良品の個数が増加し、１０００時間経過後には不良発生率が１００％となった。これは容量電極をＡｇで形成しているため、マイグレーションが発生し、コンデンサ部の抵抗が低下したためと考えられる。
【０２１１】
これに対し試料番号２０３′は、容量電極をＣｕで形成しているため、マイグレーションが発生せず、２０００時間経過後も不良品は発生せず、信頼性の高いＬＣ複合部品を得ることができることが分かった。
【実施例５】
【０２１２】
実施例２で作製した試料番号２０３と同一組成の磁性体シートを使用し、コイル導体材料及び容量電極材料にＣｕを使用して横巻きＴ型ＬＣ複合部品を作製した（試料番号２０３″）（図６〜図８参照）。
【０２１３】
すなわち、まず、試料番号２０３の磁性体シートの所定箇所にレーザ加工機を使用し、所定箇所にビアホールを形成した。
【０２１４】
次に、Ｃｕペーストを使用してスクリーン印刷し、磁性体シート上にコイルパターン又は電極パターンを形成し、かつ、ビアホールを前記Ｃｕペーストで充填し、ビア導体を作製した。
【０２１５】
そして、これら磁性体シートを積層し、上下両主面に外装用磁性体シートを配し、これらを６０℃に加熱し１００ＭＰａの圧力で６０秒間加圧して圧着し、所定寸法に切断し、試料番号２０３″の積層成形体を作製した。
【０２１６】
次に、Ｃｕが酸化しないような雰囲気下、加熱して十分に脱脂した後、酸素分圧を６．７×１０-2ＰａとなるようにＮ２−Ｈ２−Ｈ２Ｏの混合ガスで雰囲気調整された焼成炉に供給し、１０００℃の温度で２時間焼成し、部品素体を得た。
【０２１７】
次に、部品素体の両端部及び側面中央部に、Ｃｕペーストを塗布し、乾燥させた後、９００℃で焼き付けて第１〜第４の外部電極を形成し、その後電解めっきを施して、第１〜第４の外部電極の表面にＮｉ皮膜及びＳｎ皮膜を順次形成し、これにより試料番号２０３″の縦巻きＴ型ＬＣ複合部品を作製した。
【０２１８】
尚、焼付雰囲気は、酸素分圧を９００℃のＣｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧である４．３×１０-3Ｐａに調整して行った。
【０２１９】
作製された試料の外形寸法は、縦：２．０ｍｍ、横：１.２５ｍｍ、厚み：０．９ｍｍであった。尚、各試料は、測定周波数１ＭＨｚでインダクタンスＬは約０．３μＨ、静電容量Ｃが約３６０ｐＦとなるようにコイル導体及びコンデンサの仕様を調整した。
【０２２０】
次に、試料番号２０３″について、実施例２と同様の方法・手順で挿入損失を測定した。
【０２２１】
図１７はその測定結果を示している。
【０２２２】
この図１７から明らかなように、試料番号２０３″は試料番号２０３′に比べ挿入損失が向上しているのが分かる。これは試料番号２０３′が縦巻き構造であるのに対し、試料２０３″は横巻き構造であるため、コイル部での浮遊容量がより低下したためと思われる。
【産業上の利用可能性】
【０２２３】
Ｃｕを主成分とする導電性材料をコイル導体や容量電極に使用し、これらと磁性体層とを同時焼成しても、絶縁性が良好で、良好な電気特性を有し、しかもコンデンサ部でのマイグレーションの発生を抑制できるＬＣ複合部品等のセラミック電子部品を実現できる。
【符号の説明】
【０２２４】
２、１６、３２ａ、３２ｂ コンデンサ部
３ａ、３ｂ、１７ａ、１７ｂ、３１ コイル部
５ａ、５ｂ、２０ａ、２０ｂ、３４、４１ コイル導体
６ａ、６ｂ、２１ａ、２１ｂ、３５、４３ 磁性体層
７、２２、３６ａ、３６ｂ、４２ 容量電極
８、２３、３７ａ、３７ｂ 誘電体層
【技術分野】
【０００１】
本発明はフェライト磁器組成物、セラミック電子部品、及びセラミック電子部品の製造方法に関し、より詳しくは、Ｃｕを主成分とした導電性材料との同時焼成が可能なフェライト磁器組成物、該フェライト磁器組成物を使用したＬＣ複合部品等のセラミック電子部品とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、セラミック電子部品が各方面で広範に使用されており、例えば、携帯電話、ノートパソコン等の電子機器から発生するノイズ除去のフィルタ回路として、ＬＣ複合部品が広く用いられている。
【０００３】
上記ＬＣ複合部品としては種々のものがあり、例えば特許文献１には、誘電体層と容量電極（コンデンサ用電極層）とが交互に積層されたコンデンサ部分、及び磁性体層とコイル導体（コイル用渦巻パターン）とをコイル導体が層間で接続されるように交互積層されたコイル部分から成り、これら両部分が重畳されており、前記コンデンサ部分の端部電極と前記コイル部分のコイル導体の一端とが電気的に接続されて前記コンデンサ部分と、前記コイル部分とが直列接続されたＬＣ複合部品が提案されている。
【０００４】
また、この特許文献１では、磁性体自身が有する誘電率を利用し、コンデンサ部分の誘電体層を磁性体材料で形成することが記載され、さらに内部電極である容量電極及びコイル導体にはＰｄ、Ａｇ−Ｐｄ等の耐熱性金属が使用されることが記載されている。
【０００５】
すなわち、ＬＣ複合部品では、良好な生産性を得る観点等から、誘電体層と磁性体層とを同時焼成して製造するのが望ましいが、この場合、誘電体層と磁性体層を形成する材料が異なると、これら材料種の収縮挙動の相違に起因し、同時焼成時にデラミネーション（層間剥離）やクラック等の構造欠陥が生じるおそれがある。
【０００６】
そこで、特許文献１では、磁性体材料が有する誘電率を利用し、誘電体層を磁性体層と同一の材料で形成することにより、コンデンサ部分とコイル部分とを同時焼成しても構造欠陥が生じるのを回避しようとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】実公昭６０−１７８９５号公報（請求項１、第２欄第１９行目〜第３欄第１３行目）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ＬＣ複合部品のようなセラミック電子部品では、特許文献１にも記載されているように、磁性体自身の有する誘電率を利用し、磁性体層と誘電体層とを同一材料で形成し、さらに容量電極とコイル導体とを同一材料で形成するのが望ましい。
【０００９】
しかしながら、特許文献１のようにコイル導体及び容量電極にＰｄやＡｇ−Ｐｄ等の貴金属材料を使用すると材料コストが高価になる。
【００１０】
また、コイル部品のコイル導体材料には、通常、Ａｇが使用されるが、斯かるＡｇをコンデンサ部分の容量電極材料にも使用すると、マイグレーションが発生し、短絡等が生じるおそれがある。すなわち、コンデンサ部分の容量電極にＡｇを使用した場合、高湿度環境下で長時間放置すると、Ａｇがイオン化して誘電体層上を移動するマイグレーションが発生し、このため容量電極間の絶縁抵抗が低下して短絡等が生じるおそれがあり、高い信頼性を得るのが困難である。
【００１１】
したがって、容量電極及びコイル導体としては、低抵抗で導通性に優れかつＡｇよりも安価なＣｕを主成分としたＣｕ系材料を使用するのが望ましい。
【００１２】
ところが、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧とＦｅ２Ｏ３−Ｆｅ３Ｏ４の平衡酸素分圧との関係から、８００℃以上の高温ではＣｕとＦｅ２Ｏ３とが共存する領域が存在しないことが知られている。
【００１３】
すなわち、８００℃以上の温度では、Ｆｅ２Ｏ３の状態を維持するような酸化性雰囲気に酸素分圧を設定して焼成を行った場合、Ｃｕも酸化されてＣｕ２Ｏを生成する。一方、Ｃｕ金属の状態を維持するような還元性雰囲気に酸素分圧を設定して焼成を行った場合は、Ｆｅ２Ｏ３が還元されてＦｅ３Ｏ４を生成する。
【００１４】
このようにＣｕとＦｅ２Ｏ３とが共存する領域が存在しないことから、Ｃｕが酸化しないような還元性雰囲気で焼成するとＦｅ２Ｏ３がＦｅ３Ｏ４に還元され、このため比抵抗ρが低下し、電気特性の劣化を招くおそれがある。
【００１５】
本発明はこのような事情に鑑みなされたものであって、Ｃｕを主成分とする導電性材料と同時焼成しても、絶縁性を確保でき、良好な電気特性を得ることができるフェライト磁器組成物、該フェライト磁器組成物を使用した高信頼性を有するＬＣ複合部品等のセラミック電子部品、及びセラミック電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明者らは、一般式Ｘ２Ｏ３・ＭｅＯ（ＸはＦｅ、Ｍｎ、ＭｅはＺｎ、Ｃｕ、Ｎｉ）で表わされるスピネル型結晶構造のフェライト材料について鋭意研究を行ったところ、ＣｕＯの含有モル量を５ｍｏｌ％以下とした上で、Ｆｅ２Ｏ３とＭｎ２Ｏ３との配合量を特定範囲とすることにより、Ｃｕ系材料とフェライト材料とを同時焼成しても、所望の良好な絶縁性を得ることができ、これにより良好な電気特性を有するセラミック電子部品を得ることが可能であるという知見を得た。
【００１７】
本発明はこのような知見に基づきなされたものであって、本発明に係るフェライト磁器組成物は、少なくともＦｅ、Ｍｎ、Ｚｎ、及びＮｉを含有したフェライト磁器組成物であって、Ｃｕの含有モル量がＣｕＯに換算して０〜５ｍｏｌ％であり、かつＦｅをＦｅ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｘｍｏｌ％、及びＭｎをＭｎ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｙｍｏｌ％を（ｘ，ｙ）で表したときに、（ｘ，ｙ）が、Ａ（２５,１）、Ｂ（４７，１）、Ｃ（４７，７．５）、Ｄ（４５，７．５）、Ｅ（４５，１０）、Ｆ（３５，１０）、Ｇ（３５，７．５）、及びＨ（２５，７．５）で囲まれる領域であることを特徴としている。
【００１８】
また、本発明者らの更なる鋭意研究の結果、より一層良好な特性を得る観点からは、フェライト磁器組成物磁中にＺｎＯを含有させるのが好ましいが、ＺｎＯの含有量が３３ｍｏｌ％を超えるとキュリー点Ｔｃが低下し、高温での動作保証が損なわれて信頼性の低下を招くおそれがあることが分かった。
【００１９】
すなわち、本発明のフェライト磁器組成物は、前記Ｚｎの含有モル量が、ＺｎＯに換算して３３ｍｏｌ％以下であるのが好ましい。
【００２０】
さらに、本発明者らの研究結果により、フェライトの透磁率μを考慮すると、ＺｎＯの含有量は６ｍｏｌ％以上であるのが望ましいことが分かった。
【００２１】
すなわち、本発明のフェライト磁器組成物は、前記Ｚｎの含有モル量が、ＺｎＯに換算して６ｍｏｌ％以上であるのが好ましい。
【００２２】
また、本発明に係るセラミック電子部品は、コイル導体が磁性体層に埋設されたコイル部と、容量電極が誘電体層に埋設されたコンデンサ部とを備えたセラミック電子部品であって、前記コイル導体及び前記容量電極がＣｕを主成分とする導電性材料で形成されると共に、前記磁性体層及び前記誘電体層が上述したフェライト磁器組成物で形成されていることを特徴としている。
【００２３】
さらに、本発明のセラミック電子部品は、前記コイル導体及び前記容量電極と、前記磁性体層及び前記誘電体層とが同時焼成されてなるのが好ましい。
【００２４】
また、本発明に係るセラミック電子部品は、容量電極がコイル導体間に挟み込まれるような形態で前記コイル導体と前記容量電極とが磁性体層に埋設され、前記コイル導体と容量電極との間で静電容量が形成されたセラミック電子部品であって、前記コイル導体及び前記容量電極がＣｕを主成分とする導電性材料で形成されると共に、前記磁性体層が上述したフェライト磁器組成物で形成されていることを特徴としている。
【００２５】
また、本発明に係るセラミック電子部品は、前記コイル導体及び容量電極と、前記磁性体層とが同時焼成されてなるのが好ましい。
【００２６】
また、本発明のセラミック電子部品は、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下の雰囲気で焼成されてなるのが好ましい。
【００２７】
また、本発明に係るセラミック電子部品の製造方法は、Ｃｕの含有モル量がＣｕＯに換算して０〜５ｍｏｌ％であり、かつ、ＦｅをＦｅ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｘｍｏｌ％、及びＭｎをＭｎ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｙｍｏｌ％を（ｘ，ｙ）で表したときに、（ｘ，ｙ）が、Ａ（２５,１）、Ｂ（４７，１）、Ｃ（４７，７．５）、Ｄ（４５，７．５）、Ｅ（４５，１０）、Ｆ（３５，１０）、Ｇ（３５，７．５）、及びＨ（２５，７．５）で囲まれる領域となるようにＦｅ化合物、Ｍｎ化合物、Ｃｕ化合物、Ｚｎ化合物、及びＮｉ化合物をそれぞれ秤量し、これら秤量物を混合した後、仮焼して仮焼粉末を作製する仮焼工程と、前記仮焼粉末からセラミック薄層体を作製するセラミック薄層体作製工程と、Ｃｕを主成分とする導電膜を前記セミック薄層体上に形成する導電膜形成工程と、前記導電膜が形成された前記セラミック薄層体を所定順序に積層し、積層体を形成する積層体形成工程と、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下の焼成雰囲気で前記積層体を焼成し、前記セラミック薄層体と前記導電膜とを同時焼成する焼成工程とを含んでいることを特徴としている。
【発明の効果】
【００２８】
上記フェライト磁器組成物によれば、Ｃｕの含有モル量がＣｕＯに換算して０〜５ｍｏｌ％であり、かつ、ＦｅをＦｅ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｘｍｏｌ％、及びＭｎをＭｎ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｙｍｏｌ％を（ｘ，ｙ）で表したときに、（ｘ，ｙ）が、上述した点Ａ〜点Ｈで囲まれる特定領域にあるので、Ｃｕ系材料と同時焼成しても、Ｃｕが酸化されたりＦｅ２Ｏ３が還元されるのを抑制することができ、これにより比抵抗ρの低下を招くこともなく、所望の絶縁性を確保することができる。
【００２９】
具体的には、比抵抗ρは１０７Ω・ｃｍ以上の良好な絶縁性を得ることができる。そしてこれにより、インピーダンス特性等の電気特性の良好な所望のセラミック電子部品を得ることが可能となる。
【００３０】
また、Ｚｎの含有モル量をＺｎＯに換算して３３ｍｏｌ％以下とすることにより、十分なキュリー点を確保することができ、使用時の温度が高い条件下での動作保証がなされたセラミック電子部品を得ることができる。
【００３１】
さらに、Ｚｎの含有モル量をＺｎＯに換算して６ｍｏｌ％以上とすることにより、良好な透磁率を確保することが可能となる。
【００３２】
また、本発明のセラミック電子部品によれば、コイル導体が磁性体層に埋設されたコイル部と、容量電極が誘電体層に埋設されたコンデンサ部とを備えたセラミック電子部品の場合であっても、コイル導体及び容量電極がＣｕを主成分とする導電性材料で形成されると共に、磁性体層及び誘電体層が上述したフェライト磁器組成物で形成されているので、Ｃｕ系材料と同時焼成しても所望の良好な電気特性や磁気特性を有すると共に、マイグレーションが生じるのを回避することが可能となり、高信頼性を有するセラミック電子部品を得ることが可能となる。
【００３３】
すなわち、容量電極にもＣｕを主成分とした導電性材料を使用しているので、Ａｇ系材料のようにコンデンサ部でマイグレーションが生じるのを回避することができる。したがって、高湿度下で長時間放置しても良好な絶縁抵抗を得ることができ、高信頼性を有するセラミック電子部品としてのＬＣ複合部品を得ることができる。
【００３４】
また、本発明のセラミック電子部品によれば、容量電極がコイル導体間に挟み込まれた形態で前記コイル導体と前記容量電極とが磁性体層に埋設され、前記コイル導体と容量電極との間で静電容量が形成された場合であっても、コイル導体及び容量電極がＣｕを主成分とする導電性材料で形成されると共に、磁性体層が上述したいずれかに記載のフェライト磁器組成物で形成されているので、上述と同様、Ｃｕ系材料と同時焼成しても所望の良好な電気特性や磁気特性を有すると共に、マイグレーションが生じるのを回避することが可能となり、高信頼性を有するＬＣ複合部品等のセラミック電子部品を得ることが可能となる。
【００３５】
また、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下の雰囲気で焼成されることにより、コイル導体及び容量電極にＣｕを主成分とする導電性材料を使用して磁性体層及び誘電体層と同時焼成しても、Ｃｕが酸化されることなく、焼結させることができ、耐湿性の良好な高信頼性を有するＬＣ複合部品等のセラミック電子部品を得ることができる。
【００３６】
また、本発明のセラミック電子部品の製造方法によれば、Ｃｕの含有モル量がＣｕＯに換算して０〜５ｍｏｌ％であり、かつ、ＦｅをＦｅ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｘｍｏｌ％、及びＭｎをＭｎ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｙｍｏｌ％を（ｘ，ｙ）で表したときに、（ｘ，ｙ）が、上述した点Ａ〜点Ｈで囲まれる特定範囲を満たすようにＦｅ化合物、Ｍｎ化合物、Ｃｕ化合物、Ｚｎ化合物、及びＮｉ化合物をそれぞれ秤量し、これら秤量物を混合した後、仮焼して仮焼粉末を作製する仮焼工程と、前記仮焼粉末からセラミック薄層体を作製するセラミック薄層体作製工程と、Ｃｕを主成分とする所定パターンの導電膜を前記セラミック薄層体上に形成する導電膜形成工程と、前記導電膜が形成された前記セラミック薄層体を所定順序に積層し、積層体を形成する積層体形成工程と、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下の焼成雰囲気で前記積層体を焼成し、前記セラミックグリーンシートと前記導電膜とを同時焼成する焼成工程とを含んでいるので、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下の焼成雰囲気でセラミックグリーンシートとＣｕを主成分とした導電膜とを同時焼成しても、Ｆｅが還元されることもなく、絶縁性が良好で高信頼性を有するセラミック電子部品を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明に係るフェライト磁器組成物のＦｅ２Ｏ３とＭｎ２Ｏ３の組成範囲を示す図である。
【図２】本発明に係るセラミック電子部品としてのＬＣ複合部品の一実施の形態（第1の実施の形態）を示す斜視図である。
【図３】図２の断面図である。
【図４】上記第１の実施の形態の等価回路図である。
【図５】上記第１の実施の形態の要部を示す分解斜視図である。
【図６】本発明に係るセラミック電子部品としてのＬＣ複合部品の第２の実施の形態の斜視図である。
【図７】図６の断面図である。
【図８】上記第１の実施の形態の要部を示す分解斜視図である。
【図９】本発明に係るセラミック電子部品としてのＬＣ複合部品の第３の実施の形態の断面図である。
【図１０】上記第３の実施の形態の等価回路図である。
【図１１】上記第３の実施の形態の要部を示す分解斜視図である。
【図１２】本発明に係るセラミック電子部品としてのＬＣ複合部品の第４の実施の形態の内部構造を示す模式図である。
【図１３】上記第４の実施の形態の等価回路図である。
【図１４】上記第４の実施の形態の要部を示す分解斜視図である。
【図１５】実施例１で作製された比抵抗測定用試料の断面図である。
【図１６】実施例２で作製された本発明試料の挿入損失を本発明範囲外の比較例試料と共に示した図である。
【図１７】実施例３で作製された本発明試料の挿入損失を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
次に、本発明の実施の形態を詳説する。
【００３９】
本発明の一実施の形態としてのフェライト磁器組成物は、一般式Ｘ２Ｏ３・ＭｅＯで表わされるスピネル型結晶構造を有し、少なくとも３価の元素化合物であるＦｅ２Ｏ３、Ｍｎ２Ｏ３、及び２価の元素化合物であるＺｎＯ、ＮｉＯを含み、必要に応じて２価の元素化合物であるＣｕＯを含有している。
【００４０】
具体的には、本フェライト磁器組成物は、ＣｕＯの含有モル量が０〜５ｍｏｌ％とされ、Ｆｅ２Ｏ３及びＭｎ２Ｏ３の各含有モル量は、図１に示すように、Ｆｅ２Ｏ３の含有モル量をｘｍｏｌ％、Ｍｎ２Ｏ３の含有モル量をｙｍｏｌ％としたときに、（ｘ，ｙ）が点Ａ〜点Ｈで囲まれる斜線部Ｘの領域とされ、残部がＺｎＯ、ＮｉＯで形成されている。
【００４１】
ここで、点Ａ〜点Ｈの各点（ｘ，ｙ）は、以下の含有モル量を示している。
【００４２】
Ａ（２５,１）、Ｂ（４７，１）、Ｃ（４７，７．５）、Ｄ（４５，７．５）、Ｅ（４５，１０）、Ｆ（３５，１０）、Ｇ（３５，７．５）、及びＨ（２５，７．５）
次に、ＣｕＯ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｍｎ２Ｏ３の含有モル量を、上述の範囲にした理由について詳述する。
【００４３】
（１）ＣｕＯの含有モル量
Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトでは、融点が１０２６℃と低いＣｕＯをフェライト磁器組成物中に含有させることにより、より低温での焼成が可能となり、焼結性を向上させることができる。
【００４４】
一方、Ｃｕを主成分としたＣｕ系材料とフェライト材料とを同時焼成する場合、大気雰囲気で焼成するとＣｕは容易に酸化されてＣｕ２Ｏを生成することから、Ｃｕが酸化しないような還元性雰囲気で焼成する必要がある。
【００４５】
しかしながら、このような還元性雰囲気で焼成した場合、ＣｕＯの含有モル量が５ｍｏｌ％を超えると、フェライト原料中のＣｕＯが還元されてＣｕ２Ｏの生成量が増加し、このため比抵抗ρの低下を招くおそれがある。
【００４６】
そこで、本実施の形態では、ＣｕＯの含有モル量が５ｍｏｌ％以下、すなわち０〜５ｍｏｌ％となるように配合量を調整している。
【００４７】
（２）Ｆｅ２Ｏ３及びＭｎ２Ｏ３の各含有モル量
Ｆｅ２Ｏ３を化学量論組成から減量させ、Ｆｅの一部をＭｎで置換する形態でＭｎ２Ｏ３を含有させることにより、比抵抗ρが低下するのを回避でき、絶縁性の向上を図ることができる。
【００４８】
すなわち、スピネル型結晶構造（一般式Ｘ２Ｏ３・ＭｅＯ）の場合、化学量論組成では、Ｘ２Ｏ３（Ｘ：Ｆｅ、Ｍｎ）とＭｅＯ（Ｍｅ：Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ）との比率は５０：５０であり、Ｘ２Ｏ３とＭｅＯとは、通常、概ね化学量論組成となるように配合される。
【００４９】
そして、Ｃｕを主成分としたＣｕ系材料とフェライト材料とを同時焼成する場合、大気雰囲気で焼成するとＣｕは容易に酸化されてＣｕ２Ｏを生成することから、Ｃｕが酸化しないような還元性雰囲気で焼成する必要がある。一方、フェライト材料の主成分であるＦｅ２Ｏ３を還元性雰囲気で焼成するとＦｅ３Ｏ４を生成することから、Ｆｅ２Ｏ３に対しては酸化性雰囲気で焼成する必要がある。
【００５０】
しかしながら、〔発明が解決しようとする課題〕の項でも述べたように、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧とＦｅ３Ｏ４−Ｆｅ２Ｏ３の平衡酸素分圧との関係から、８００℃以上の温度で焼成する場合、Ｃｕ金属とＦｅ２Ｏ３とが共存する領域が存在しないことが知られている。
【００５１】
しかるに、Ｍｎ２Ｏ３は、８００℃以上の温度領域ではＦｅ２Ｏ３に比べ、より高い酸素分圧で還元性雰囲気となる。したがって、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下の酸素分圧では、Ｍｎ２Ｏ３はＦｅ２Ｏ３に比べ強還元性雰囲気となり、このためＭｎ２Ｏ３が優先的に還元されて焼結を完了させることが可能となる。つまり、Ｍｎ２Ｏ３がＦｅ２Ｏ３に比べて優先的に還元されることから、Ｆｅ２Ｏ３がＦｅ３Ｏ４に還元される前に焼成処理を完了させることが可能となる。
【００５２】
このようにＦｅ２Ｏ３の含有モル量を化学量論組成から減量させる一方で、同じ３価の元素化合物であるＭｎ２Ｏ３をフェライト磁器組成物中に含有させることにより、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下でＣｕ系材料とフェライト材料とを同時焼成しても、Ｍｎ２Ｏ３が優先的に還元されることから、Ｆｅ２Ｏ３が還元される前に焼結を完了させることが可能となり、Ｃｕ金属とＦｅ２Ｏ３とをより効果的に共存させることができる。そしてこれにより比抵抗ρが低下するのを回避でき、絶縁性を向上させることができる。
【００５３】
ただし、Ｆｅ２Ｏ３の含有モル量が２５ｍｏｌ％未満になると、Ｆｅ２Ｏ３の含有モル量が過度に少なくなって却って比抵抗ρの低下を招き、所望の絶縁性を確保できなくなる。
【００５４】
また、Ｍｎ２Ｏ３の含有モル量が１ｍｏｌ％未満になると、Ｍｎ２Ｏ３の含有モル量が過度に少なくなるため、Ｆｅ２Ｏ３がＦｅ３Ｏ４に還元されやすくなり、比抵抗ρが低下し、十分な絶縁性を確保できない。
【００５５】
また、Ｆｅ２Ｏ３の含有モル量が４７ｍｏｌ％を超える場合も、Ｆｅ２Ｏ３の含有モル量が過剰となってＦｅ２Ｏ３がＦｅ３Ｏ４に還元されやすくなり、比抵抗ρが低下し、十分な絶縁性を確保できない。
【００５６】
また、Ｍｎ２Ｏ３の含有モル量が１０ｍｏｌ％を超えた場合も、十分に大きな比抵抗ρを得ることができず、絶縁性を確保できない。
【００５７】
さらに、Ｆｅ２Ｏ３の含有モル量が２５ｍｏｌ％以上であっても３５ｍｏｌ％未満の場合、及びＦｅ２Ｏ３の含有モル量が４５ｍｏｌ％以上であっても４７ｍｏｌ％未満の場合は、Ｍｎ２Ｏ３の含有モル量が７．５ｍｏｌ％を超えると、却って比抵抗ρの低下を招き、所望の絶縁性を確保できなくなる。
【００５８】
そこで、本実施の形態では、Ｆｅ２Ｏ３及びＭｎ２Ｏ３の含有モル量は、図１の点Ａ〜点Ｈに囲まれた領域となるように各含有モル量を調整している。
【００５９】
尚、フェライト磁器組成物中のＺｎＯ及びＮｉＯの各含有モル量は、特に限定されるものではなく、Ｆｅ２Ｏ３、Ｍｎ２Ｏ３、及びＣｕＯの各含有モル量に応じて適宜設定することができるが、ＺｎＯ：６〜３３ｍｏｌ％、ＮｉＯ：残部となるように配合するのが好ましい。
【００６０】
すなわち、ＺｎＯの含有モル量が３３ｍｏｌ％を超えると、キュリー点Ｔｃが低下し、高温での動作保証がなされない可能性があることから、ＺｎＯの含有量は３３ｍｏｌ％以下が好ましい。
【００６１】
一方、ＺｎＯは透磁率μの向上に寄与する効果があるが、斯かる効果を発揮するためにはＺｎＯの含有モル量は６ｍｏｌ％が必要である。
【００６２】
したがって、ＺｎＯの含有モル量は６〜３３ｍｏｌ％が好ましい。
【００６３】
このように本フェライト磁器組成物は、Ｃｕの含有モル量がＣｕＯに換算して０〜５ｍｏｌ％であり、かつ、ＦｅをＦｅ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｘｍｏｌ％、及びＭｎをＭｎ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｙｍｏｌ％を（ｘ，ｙ）で表したときに、（ｘ，ｙ）が、上述した点Ａ〜点Ｈに囲まれる特定の範囲にあるので、Ｃｕ系材料と同時焼成しても、比抵抗ρの低下を招くこともなく、所望の絶縁性を確保することが可能となる。
【００６４】
具体的には、比抵抗ρは１０７Ω・ｃｍ以上の良好な絶縁性を得ることができる。そしてこれにより、インピーダンス特性等の電気特性の良好な所望のセラミック電子部品を得ることが可能となる。
【００６５】
また、Ｚｎの含有モル量をＺｎＯに換算して６〜３３ｍｏｌ％とすることにより、良好な透磁率を有すると共に、十分なキュリー点を確保することができ、使用時の温度が高い条件下での動作が保証されたセラミック電子部品を得ることができる。
【００６６】
次に、上記フェライト磁器組成物を使用したセラミック電子部品について、図２〜図１４を参照しながら詳述する。
【００６７】
図２は、本発明に係るセラミック電子部品としてのＬＣ複合部品の一実施の形態（第１の実施の形態）を示す斜視図であり、図３は図２の断面図である。
【００６８】
この第１の実施の形態は、集中定数型の縦巻きＴ型ＬＣ複合部品を示している。
【００６９】
すなわち、このＬＣ複合部品は、部品素体１は、コンデンサ部２が一対のコイル部３ａ、３ｂ間に介在されている。コイル部３ａ、３ｂは、コイル導体５ａ、５ｂと、該コイル導体５ａ、５ｂが埋設された磁性体層６ａ、６ｂとを備え、また、コンデンサ部２は、容量電極７と、該容量電極７が埋設された誘電体層８とを備えている。そして、これらコイル部３ａ、３ｂのコイル導体５ａ、５ｂは前記部品素体１の両端部に形成された第１及び第２の外部電極４ａ、４ｂに電気的に接続され、コンデンサ部２の容量電極７は前記部品素体１の側面中央部に形成された第３及び第４の外部電極４ｃ、４ｄに電気的に接続されている。
【００７０】
図４は、上記ＬＣ複合部品の等価回路を示す回路図である。
【００７１】
すなわち、上記ＬＣ複合部品は、コイル部３ａによって付与されるインダクタンスＬ１とコイル部３ｂによって付与されるインダクタンスＬ２と、コンデンサ部２によって付与される静電容量Ｃにより、Ｔ型の回路構成を形成している。
【００７２】
そして、本第１の実施の形態では、コイル導体５ａ、５ｂ、容量電極７がＣｕを主成分とするＣｕ系材料で形成されると共に、磁性体層６ａ、６ｂのみならず誘電体層８も上述した本発明のフェライト磁器組成物で形成されている。すなわち、誘電体層８はフェライト磁器組成物の有する誘電率を利用し、該フェライト磁器組成物でもって誘電体層８を形成している。
【００７３】
そしてこれによりＣｕが酸化されたりＦｅ２Ｏ３が還元されることもなく、所望の良好な電気特性や磁気特性を有する。具体的には、比抵抗ρを１０７Ω・ｃｍ以上に改善することができ、特定周波数域でノイズ吸収に適したＬＣ複合部品を得ることができる。
【００７４】
また、容量電極７にもＣｕ系材料を使用しているので、Ａｇ系材料のようにコンデンサ部２でマイグレーションが生じるのを回避することが可能となり、高湿度下で長時間放置しても良好な絶縁抵抗を得ることができ、高信頼性を有するＬＣ複合部品を得ることができる。
【００７５】
図５は、部品素体１の分解斜視図である。
【００７６】
以下、この図５を参照しながら上記ＬＣ複合部品の製造方法を詳述する。
【００７７】
まず、セラミック素原料として、Ｆｅ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＮｉＯ、及び必要に応じてＣｕＯを用意する。そして、ＣｕＯが０〜５ｍｏｌ％であって、Ｆｅ２Ｏ３及びＭｎ２Ｏ３が点Ａ〜点Ｈで囲まれる特定領域を満たすように各セラミック素原料を秤量する。
【００７８】
次いで、これらの秤量物を純水及びＰＳＺ（部分安定化ジルコニア）ボール等の玉石と共にポットミルに入れ、湿式で十分に混合粉砕し、蒸発乾燥させた後、７００〜８００℃の温度で所定時間仮焼する。
【００７９】
次いで、これらの仮焼粉末に、ポリビニルブチラール系等の有機バインダ、エタノール、トルエン等の有機溶剤、及びＰＳＺボールと共に、再びポットミルに投入し、十分に混合粉砕し、セラミックスラリーを作製する。
【００８０】
次に、ドクターブレード法等を使用して前記セラミックスラリーをシート状に成形加工し、所定膜厚の磁性体セラミックグリーンシート（セラミック薄層体；以下、単に「磁性体シート」という。）９ａ〜９ｍを作製する。
【００８１】
次いで、これらの磁性体シート９ａ〜９ｍのうち磁性体シート９ｄ〜９ｉについて、互いに電気的に接続可能となるようにレーザ加工機を使用し、所定箇所にビアホールを形成する。
【００８２】
次に、Ｃｕを主成分とした導電性ペースト（以下、「Ｃｕペースト」という。）を用意する。そして、該Ｃｕペーストを使用してスクリーン印刷し、磁性体シート９ｄ〜９ｊ上にコイルパターン１０ａ〜１０ｄ又は容量パターン１１ａ〜１１ｃ（導電膜）を形成し、かつ、ビアホールを前記Ｃｕペーストで充填しビア導体１２ａ〜１２ｆを作製する。
【００８３】
尚、磁性体シート９ｄ及び磁性体シート９ｊに形成された各コイルパターン１０ａ、１０ｄには、第１及び第２の外部電極４ａ、４ｂと電気的接続が可能となるように引出部１０ａ′、１０ｄ′が形成されている。また、磁性体シート９ｇに形成された容量パターン１１ｂには、第３及び第４の外部電極４ｃ、４ｄと電気的接続が可能となるように引出部１１ｂ′が形成され、かつ磁性体シート９ｇのビアホール１２ｄの周囲にはランド部１３が形成されている。
【００８４】
次いで、これら磁性体シート９ｄ〜９ｊを積層し、上下両主面に外装用磁性体シート９ａ〜９ｃ、９ｋ〜９ｍを配し、これらを加圧・圧着させた後、所定寸法に切断して積層成形体を作製する。そしてこれによりコイルパターン１０ａ〜１０ｄはビア導体１２ａ〜１２ｆを介して電気的に接続されて焼結後にはコイル導体５ａ、５ｂを形成し、引出部１０ａ′、１０ｄ′を介して第１及び第２の外部電極４ａ、４ｂと導通可能とされる。また、磁性体シート９ｇはコイルパターン１０ａ〜１０ｄと電気的に絶縁されて焼結後には磁性体シート９ｆ〜９ｈによりコンデンサ部２を形成し、引出部１１ｂ′を介して第３及び第４の外部電極４ｃ、４ｄに導通可能とされる。
【００８５】
次に、この積層成形体をＣｕが酸化しないような雰囲気下、所定温度で十分に脱脂した後、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下となるようにＮ２−Ｈ２−Ｈ２Ｏの混合ガスで雰囲気調整された焼成炉に供給し、９００〜１０５０℃で所定時間焼成し、これによりコイル導体５ａ、５ｂが磁性体層６ａ、６ｂに埋設され、かつ容量電極７が誘電体層８に埋設された部品素体１を得る。
【００８６】
次に、部品素体１の両端部及び側面中央部に、Ｃｕ等を主成分とした外部電極用導電ペーストを塗布し、乾燥させた後、９００℃程度の温度で焼き付けて第１〜第４の外部電極４ａ〜４ｄを形成し、これにより上述したＬＣ複合部品が作製される。
【００８７】
このように本第１の実施の形態では、Ｃｕの含有モル量がＣｕＯに換算して０〜５ｍｏｌ％であり、かつ、ＦｅをＦｅ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｘｍｏｌ％、及びＭｎをＭｎ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｙｍｏｌ％を（ｘ，ｙ）で表したときに、（ｘ，ｙ）が、上述した点Ａ〜点Ｈに囲まれる特定領域を満たすようにＦｅ化合物、Ｍｎ化合物、Ｃｕ化合物、Ｚｎ化合物、及びＮｉ化合物をそれぞれ秤量し、これら秤量物を混合した後、仮焼して仮焼粉末を作製する仮焼工程と、前記仮焼粉末から磁性体シート９ａ〜９ｍを作製する磁性体シート作製工程と、Ｃｕペーストを磁性体シートに塗布して所定パターンのコイルパターン１０ａ〜１０ｄ又は容量パターン１１ａ〜１１ｃを形成する導電パターン（導電膜）形成工程と、前記パターンが形成された磁性体シート９ｄ〜９ｊを所定順序に積層し、積層成形体を形成する積層体形成工程と、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下の焼成雰囲気で前記積層成形体を焼成し、前記磁性体シート９ａ〜９ｍと導電パターン１０ａ〜１０ｄ、１１ａ〜１１ｃとを同時焼成する焼成工程とを含んでいるので、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下の焼成雰囲気で磁性体シート９ａ〜９ｍと導電パターン１０ａ〜１０ｄ、１１ａ〜１１ｃとを同時焼成しても、Ｃｕが酸化されたりＦｅが還元されることもなく、絶縁性が良好で高信頼性を有するＬＣ複合部品を得ることができる。
【００８８】
図６は、本発明に係るセラミック電子部品としてのＬＣ複合部品の第２の実施の形態を示す斜視図であり、図７は図６の断面図である。
【００８９】
この第２の実施の形態は、集中定数型の横巻きＴ型ＬＣ複合部品を示している。
【００９０】
すなわち、このＬＣ複合部品は、第１の実施の形態と同様、部品素体１５は、コンデンサ部１６が一対のコイル部１７ａ、１７ｂ間に介在されている。これらコイル部１７ａ、１７ｂは、コイル導体２０ａ、２０ｂと、該コイル導体２０ａ、２０ｂが埋設された磁性体層２１ａ、２１ｂとを備え、また、コンデンサ部１６は、容量電極２２と、該容量電極２２が埋設された誘電体層２３とを備えている。そして、これらコイル部１７ａ、１７ｂのコイル導体２０ａ、２０ｂは前記部品素体１の上面及び下面に形成された第１及び第２の外部電極１８ａ、１８ｂに電気的に接続され、コンデンサ部１６の容量電極２２は前記部品素体１５の側面中央部に周設された第３の外部電極１８ｃに電気的に接続されている。
【００９１】
上記ＬＣ複合部品も、第１の実施の形態と同様、Ｔ型の回路構成を形成している。
【００９２】
そして、本第２の実施の形態でも、コイル導体２０ａ、２０ｂ、容量電極２２がＣｕで形成されると共に、磁性体層２１ａ、２１ｂのみならず誘電体層２３も上述した本発明のフェライト磁器組成物で形成されている。
【００９３】
そしてこれにより、第１の実施の形態と同様、Ｃｕが酸化されたりＦｅ２Ｏ３が還元されることもなく、所望の良好な電気特性や磁気特性を有し、かつマイグレーションが生じることもなく、高信頼性を有するセラミック電子部品を得ることが可能となる。
【００９４】
しかも、本第２の実施の形態では、第１の実施の形態に比べ、コイル部１７ａ、１７ｂでの浮遊容量を低下させることができることから、挿入損失がより一層低下したＬＣ複合部品を得ることが可能となる。
【００９５】
図８は、部品素体１５の分解斜視図である。
【００９６】
以下、この図８を参照しながら上記ＬＣ複合部品の製造方法を詳述する。
【００９７】
まず、第１の実施の形態と同様の方法で仮焼粉末を作製し、次いでセラミックスラリーを作製する。
【００９８】
次に、ドクターブレード法等を使用して前記セラミックスラリーをシート状に成形加工し、所定膜厚の磁性体シート２０ａ〜２０ｑを作製する。
【００９９】
次いで、各磁性体シート２０ａ〜２０ｑ間が導通可能となるようにレーザ加工機を使用し、所定箇所にビアホールを形成する。
【０１００】
次に、Ｃｕペーストを用意する。そして、該Ｃｕペーストを使用してスクリーン印刷し、磁性体シート２０ｄ〜２０ｎ上にコイルパターン２１ａ〜２１ｆ又は容量パターン２２ａ〜２２ｅを形成し、かつ、ビアホールを前記Ｃｕペーストで充填しビア導体２３ａ〜２３ｑを作製する。
【０１０１】
尚、磁性体シート２０ｈ、２０ｊに形成された容量パターン２２ｂ、２２ｄには、第３の外部電極１９と電気的接続が可能となるように引出部２２ｂ′２２ｄ′が形成されている。
【０１０２】
そして、これら磁性体シート２０ａ〜２０ｑを積層し、加圧・圧着させ、所定寸法に切断して積層成形体を作製する。そしてこれによりコイルパターン２１ａ〜２１ｃ、２０ｄ〜２０ｆはビア導体２３ｄ〜２３ｍを介して電気的に接続されて焼結後にはコイル導体２０ａ、２０ｂを形成し、ビア導体２３ａ〜２３ｃ、２３ｏ〜２３ｑを介して第１及び第２の外部電極１８ａ、１８ｂと導通可能とされる。また、磁性体シート２０ｈ、２０ｊはコイルパターン２１ａ〜２１ｃ、２０ｄ〜２０ｆと電気的に絶縁されて焼結後には磁性体シート２０ｇ〜２０ｋによりコンデンサ部１６を形成し、引出部２２ｂ′、２２ｄ′を介して第３の外部電極１８ｃに導通可能とされる。
【０１０３】
次に、この積層成形体をＣｕが酸化しないような雰囲気下、加熱して十分に脱脂した後、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下となるようにＮ２−Ｈ２−Ｈ２Ｏの混合ガスで雰囲気調整された焼成炉に供給し、９００〜１０５０℃で所定時間焼成し、これによりコイル導体２０ａ、２０ｂが磁性体層２１ａ、２１ｂに埋設され、かつ容量電極２２が誘電体層２３に埋設された部品素体１５を得る。
【０１０４】
次に、部品素体１の両端部及び側面中央部に、Ｃｕ等を主成分とした外部電極用導電ペーストを塗布し、乾燥させた後、９００℃で焼き付けて第１〜第３の外部電極１８ａ〜１８ｃを形成し、これにより上述したＬＣ複合部品が作製される。
【０１０５】
このように本第２の実施の形態でも、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下の焼成雰囲気で前記積層体を焼成し、前記セラミックグリーンシートと前記導電膜とを同時焼成しているので、第１の実施の形態と同様、Ｃｕが酸化されたりＦｅが還元されることもなく、比抵抗ρを１０７Ω・ｃｍ以上の絶縁性が良好で高信頼性を有するＬＣ複合部品を得ることができる。
【０１０６】
また、容量電極２２にＣｕ系材料を使用しているので、マイグレーションが生じるのを回避することができ、高信頼性を有するＬＣ複合部品を得ることができる。
【０１０７】
しかも、本第２の実施の形態では、第１の実施の形態に比べ、コイル部１７ａ、１７ｂでの浮遊容量を低下させることができることから、挿入損失がより一層低下したＬＣ複合部品を得ることが可能となる。
【０１０８】
図９は、本発明に係るセラミック電子部品としてのＬＣ複合部品の第３の実施の形態を示す断面図である。
【０１０９】
この第３の実施の形態は、集中定数型のπ型ＬＣ複合部品を示している。
【０１１０】
すなわち、このＬＣ複合部品は、部品素体３０は、コイル部３１が一対のコンデンサ部３２ａ、３２ｂ間に介在されている。これらコンデンサ部３２ａ、３２ｂは、容量電極３６ａ、３６ｂと、該容量電極３６ａ、３６ｂが埋設された誘電体層３７ａ、３７ｂとを備え、また、コイル部３１は、コイル導体３４と、該コイル導体３４が埋設された磁性体３５とを備えている。そして、コンデンサ部３２ａ、３２ｂの容量電極３６ａ、３６ｂは、部品素体３０の両端部に形成された第１及び第２の外部電極３３ａ、３３ｂに電気的に接続され、コイル部３１のコイル導体３４は、部品素体３０の側面中央部に形成された第３及び第４の外部電極（不図示）に電気的に接続されている。
【０１１１】
図１０は、本ＬＣ複合部品の等価回路を示す回路図である。
【０１１２】
すなわち、本ＬＣ複合部品は、コンデンサ部３２ａによって付与される静電容量Ｃ１とコンデンサ部３２ｂによって付与される静電容量Ｃ２が、コイル部３１によって付与されるインダクタンスＬを介して並列接続されたいわゆるπ型の回路構成を形成している。
【０１１３】
そして、本第３の実施の形態でも、コイル導体３４、容量電極３６ａ、３６ｂがＣｕ系材料で形成されると共に、磁性体層３５のみならず誘電体層３７ａ、３７ｂも上述した本発明のフェライト磁器組成物で形成されている。
【０１１４】
そしてこれにより、第１及び第２の実施の形態と同様、Ｃｕが酸化されたりＦｅ２Ｏ３が還元されることもなく、所望の良好な電気特性や磁気特性を有すると共に、マイグレーションが生じることもなく、高信頼性を有するセラミック電子部品を得ることが可能となる。
【０１１５】
図１１は、部品素体３０の分解斜視図である。
【０１１６】
以下、この図１１を参照しながら上記ＬＣ複合部品の製造方法を詳述する。
【０１１７】
まず、第１及び第２の実施の形態と同様の方法で仮焼粉末を作製し、次いでセラミックスラリーを作製する。
【０１１８】
次に、ドクターブレード法等を使用して前記セラミックスラリーをシート状に成形加工し、所定膜厚の磁性体シート３８ａ〜３８ｐを作製する。
【０１１９】
次いで、磁性体シート３８ｈ、３８ｉ間が導通可能となるようにレーザ加工機を使用し、所定箇所にビアホールを形成する。
【０１２０】
次に、Ｃｕペーストを用意する。そして、該Ｃｕペーストを使用してスクリーン印刷し、磁性体シート３８ｄ〜３８ｆ及び３８ｋ〜３８ｍ上に容量パターン３９ａ〜３９ｃ、３９ｆ〜３９ｈを形成し、磁性体シート３８ｈ、３ｉにコイルパターン３９ｄ、３９ｅを形成し、かつ、ビアホールを前記導電性ペーストで充填しビア導体４０を作製する。
【０１２１】
尚、各容量パターン３９ａ〜３９ｃ、３９ｆ〜３９ｈ及びコイルパターン３９ｄ、３９ｅには、各外部電極と電気的接続が可能となるように引出部３９ａ′〜３９ｃ′、３９ｆ′〜３９ｈ′、３９ｄ′、３９ｅ′が形成されている。
【０１２２】
そして、これら磁性体シート３８ｄ〜３８ｎを積層し、上下両主面に外装用磁性体シート３８ａ〜３８ｃ、３８ｎ〜３８ｐを配し、これらを加圧・圧着させ、その後、所定寸法に切断して積層成形体を作製する。
【０１２３】
次に、この積層成形体をＣｕが酸化しないような雰囲気下、所定温度で十分に脱脂した後、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下となるようにＮ２−Ｈ２−Ｈ２Ｏの混合ガスで雰囲気調整された焼成炉に供給し、９００〜１０５０℃で所定時間焼成し、これにより容量電極３６ａ、３６ｂが誘電体層３７ａ、３７ｂに埋設され、かつコイル導体３４が磁性体層３５に埋設された部品素体３０を得る。
【０１２４】
次に、部品素体３０の両端部及び側面中央部に、Ｃｕ等を主成分とした外部電極用導電ペーストを塗布し、乾燥させた後、９００℃で焼き付けて第１〜第４の外部電極を形成し、これにより上述したＬＣ複合部品が作製される。
【０１２５】
このように本第３の実施の形態でも、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下の焼成雰囲気で前記積層体を焼成し、前記セラミックグリーンシートと前記導電膜とを同時焼成しているので、第１及び第２の実施の形態と同様、Ｃｕが酸化されたりＦｅが還元されることもなく、比抵抗ρを１０７Ω・ｃｍ以上の絶縁性が良好で高信頼性を有するＬＣ複合部品を得ることができる。
【０１２６】
また、容量電極３６ａ、３６ｂにＣｕ系材料を使用しているので、マイグレーションが生じるのを回避することができ、高信頼性を有するＬＣ複合部品を得ることができる。
【０１２７】
図１２は本発明に係るセラミック電子部品としてのＬＣ複合部品の第４の実施の形態を示す内部構造図である。
【０１２８】
この第４の実施の形態は、分布定数型の横巻きＴ型ＬＣ複合部品を示している。
【０１２９】
すなわち、このＬＣ複合部品は、部品素体４０は、容量電極４２がコイル導体４１間に挟み込まれるような形態でコイル導体４１と容量電極４２とが磁性体層４３に埋設されている。そして、コイル導体４１の両端は第１及び第２の外部電極４９ａ、４９ｂに電気的に接続されると共に、容量電極４２は第３及び第４の外部電極（グランド電極）４９ｃ、４９ｄに電気的に接続されている。
【０１３０】
図１３は、本ＬＣ複合部品の等価回路を示す回路図である。
【０１３１】
すなわち、本ＬＣ複合部品は、コイル導体４１に沿うような形態で容量電極４２が配されることから、コイル導体４１と磁性体層４３とで付与されるインダクタンスＬと容量電極４２との間で静電容量Ｃとが形成されている。したがって、このＬＣ複合部品では、コイル導体４１と磁性体層４３とで付与されるインダクタンスＬが外部電極４９ａ、４９ｂ間に連続的に形成され、かつインダクタンスＬが付与されるコイル導体４１の略全長に亙って容量電極４２との間で静電容量Ｃが連続的に形成されるので、入力信号側と出力信号側とのインピーダンス整合がとれ、所望の信号波形を伝送できる高周波特性にも優れたものとなる。
【０１３２】
そして、本第４の実施の形態でも、コイル導体４１、容量電極４２がＣｕ系材料で形成されると共に、磁性体層４３が上述した本発明のフェライト磁器組成物で形成されている。
【０１３３】
そしてこれにより、第１〜第３の実施の形態と同様、Ｃｕが酸化されたりＦｅ２Ｏ３が還元されることもなく、所望の良好な電気特性や磁気特性を有すると共に、マイグレーションが生じることもなく、高信頼性を有するセラミック電子部品を得ることが可能となる。
【０１３４】
図１４は部品素体４０の分解斜視図である。
【０１３５】
以下、この図１４を参照しながら上記ＬＣ複合部品の製造方法を詳述する。
【０１３６】
まず、第１〜第３の実施の形態と同様の方法で仮焼粉末を作製し、次いでセラミックスラリーを作製する。
【０１３７】
次に、ドクターブレード法等を使用して前記セラミックスラリーをシート状に成形加工し、所定膜厚の磁性体シート４４ａ〜４４ｊを作製する。
【０１３８】
次いで、レーザ加工機を使用し、磁性体シート４４ｂ〜４４ｈの所定箇所にビアホールを形成する。
【０１３９】
次に、Ｃｕペーストを用意する。そして、該Ｃｕペーストを使用してスクリーン印刷し、磁性体シート４４ｂ、４４ｃ、４４ｅ、及び４４ｇ〜４４ｉ上にコイルパターン４５ａ〜４５ｆを形成し、磁性体シート４４ｄ、４４ｆに容量パターン４６ａ、４６ｂを形成し、かつ、ビアホールを前記Ｃｕペーストで充填しビア導体４７ａ〜４７ｉを作製する。
【０１４０】
そして、これら磁性体シート４４ｂ〜４４ｉを積層し、上下両主面に外装用磁性体シート４４ａ、４４ｊを配し、これらを加圧・圧着させ、その後所定寸法に切断して積層成形体を作製する。
【０１４１】
次に、この積層成形体をＣｕが酸化しないような雰囲気下、所定温度で十分に脱脂した後、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下となるようにＮ２−Ｈ２−Ｈ２Ｏの混合ガスで雰囲気調整された焼成炉に供給し、９００〜１０５０℃で所定時間焼成し、これによりコイル導体４１及び容量電極４２が磁性体層４３に埋設された部品素体４０を得る。
【０１４２】
次に、部品素体４０の両端部及び側面中央部に、Ｃｕ等を主成分とした外部電極用導電ペーストを塗布し、乾燥させた後、９００℃で焼き付けて第１〜第４の外部電極を形成し、これにより上述したＬＣ複合部品が作製される。
【０１４３】
このように本第４の実施の形態でも、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下の焼成雰囲気で前記積層体を焼成し、前記セラミックグリーンシートと前記導電膜とを同時焼成しているので、第１〜第３の実施の形態と同様、Ｃｕが酸化されたりＦｅが還元されることもなく、比抵抗ρを１０７Ω・ｃｍ以上の絶縁性が良好で高信頼性を有するＬＣ複合部品を得ることができる。
【０１４４】
また、容量電極４２もＣｕ系材料で形成されているので、マイグレーションが生じるのを回避することができ、高信頼性を有するＬＣ複合部品を得ることができる。
【０１４５】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。例えば、上記実施の形態では、仮焼粉末からセラミックグリーンシート９ａ〜９ｍを作製しているが、セラミック薄層体であればよく、例えば、ＰＥＴフィルム上に印刷処理を行なって磁性塗膜を形成し、斯かる磁性塗膜上に導電膜であるコイルパターンや容量パターンを形成してもよい。
【０１４６】
また、上記実施の形態では、コイルパターンや容量パターンをスクリーン印刷で形成しているが、導電膜の作製方法も特に限定されるものではなく、他の方法、例えばめっき法、転写法、或いはスパッタ等の薄膜形成方法で形成してもよい。
【０１４７】
また、上記実施の形態では、ＬＣ複合部品について説明したが、これらの形態に限定されるものでない。また、フェライト材料をＣｕ系材料と同時焼成する用途に広範に使用することができ、他のセラミック電子部品にも適用可能であるのはいうまでもない。
【０１４８】
次に、本発明の実施例を具体的に説明する。
【実施例１】
【０１４９】
セラミック素原料として、Ｆｅ２Ｏ３、Ｍｎ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＣｕＯ、及びＮｉＯを用意し、含有モル量が表１〜３に示すような組成となるように、これらセラミック素原料を秤量した。すなわち、ＺｎＯを３０ｍｏｌ％、ＣｕＯを１ｍｏｌ％に固定し、Ｆｅ２Ｏ３とＭｎ２Ｏ３との含有モル量を種々異ならせ、残部がＮｉＯとなるように各セラミック素原料を秤量した。
【０１５０】
次いで、これら秤量物を純水及びＰＳＺボールと共に塩化ビニル製のポットミルに入れ、湿式で十分に混合粉砕し、これを蒸発乾燥させた後、７５０℃の温度で仮焼し、仮焼粉末を得た。
【０１５１】
次いで、この仮焼粉末を、ポリビニルブチラール系バインダ（有機バインダ）、エタノール（有機溶剤）、及びＰＳＺボールと共に、再び塩化ビニル製のポットミルに投入し、十分に混合粉砕し、セラミックスラリーを得た。
【０１５２】
次に、ドクターブレード法を使用し、厚さが２５μｍとなるようにセラミックスラリーをシート状に成形し、これを縦５０ｍｍ、横５０ｍｍの大きさに打ち抜き、磁性体シートを作製した。
【０１５３】
次いで、このようにして作製された磁性体シートを、厚さが総計で１．０ｍｍとなるように複数枚積層し、６０℃に加熱し、１００ＭＰａの圧力で６０秒間加圧して圧着し、その後、外径２０がｍｍ、内径が１２ｍｍとなるようにリング状に切り出し、セラミック成形体を得た。
【０１５４】
次いで、得られたセラミック成形体を加熱して十分に脱脂した。そして、Ｎ２−Ｈ２−Ｈ２Ｏの混合ガスを焼成炉に供給して酸素分圧を６．７×１０-2Ｐａに調整した後、前記セラミック成形体を焼成炉に投入し、１０００℃の温度で２時間焼成し、これによりリング状試料を得た。
【０１５５】
尚、この酸素分圧６．７×１０-2Ｐａは、１０００℃におけるＣｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧であり、セラミック成形体をＣｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧で２時間焼成し、これにより試料番号１〜１０４のリング状試料を作製した。
【０１５６】
そして、試料番号１〜１０４の各リング状試料について、軟銅線を２０ターン巻回し、インピーダンスアナライザ（アジレント・テクノロジー社製、Ｅ４９９１Ａ）を使用し、測定周波数１ＭＨｚでインダクタンスを測定し、その測定値から透磁率μを求めた。
【０１５７】
次に、テルピネオール（有機溶剤）及びエチルセルロース樹脂（バインダ樹脂）を含有した有機ビヒクルにＣｕ粉末を混合し、三本ロールミルで混錬し、これによりＣｕペーストを作製した。
【０１５８】
次に、磁性体シートの表面にＣｕペーストをスクリーン印刷し、所定パターンの導電膜を作製した。そして、導電膜の形成された磁性体シートを所定順序で所定枚数積層し、導電膜の形成されていない磁性体シートで挟持し、圧着し、所定の大きさに切断し、積層成形体を得た。
【０１５９】
次いで、積層成形体を十分に脱脂した後、Ｎ２−Ｈ２−Ｈ２Ｏの混合ガスを焼成炉に供給して酸素分圧を６．７×１０-2Ｐａ（１０００℃におけるＣｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧）に調整し、この積層成形体を焼成炉に供給した後、１０００℃の温度で２時間焼成し、内部電極が埋設されたセラミック焼結体を得た。
【０１６０】
次いで、このセラミック焼結体を水と共にポットに投入し、遠心バレル機を用いてセラミック焼結体にバレル処理を施し、これによりセラミック素体を得た。
【０１６１】
そして、セラミック素体の両端部に、Ｃｕを主成分とする外部電極用導電性ペーストを塗布し、乾燥した後、酸素分圧を４．３×１０-3Ｐａに調整した焼成炉内で９００℃の温度で焼き付け処理を行い、試料番号１〜１０４の比抵抗測定用試料を作製した。尚、酸素分圧：４．３×１０-3Ｐａは温度９００℃におけるＣｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧である。
【０１６２】
比抵抗測定用試料の外形寸法は、縦３．０ｍｍ、横３．０ｍｍ、厚み１．０ｍｍであった。
【０１６３】
図１５は、比抵抗測定用試料の断面図であって、セラミック素体５１には引出部が互い違いとなるように内部電極５２ａ〜５２ｄが磁性体層５３に埋設され、かつ、セラミック素体５１の両端面には外部電極５４ａ、５４ｂが形成されている。
【０１６４】
次に、試料番号１〜１０４の比抵抗測定用試料について、外部電極５４ａ、５４ｂに５０Ｖの電圧を３０秒間印加し、電圧印加時の電流を測定した。そしてこの測定値から抵抗を算出し、試料寸法から比抵抗の対数logρ（以下、「比抵抗logρ」という。）を算出した。
【０１６５】
表１〜３は試料番号１〜１０４のフェライト組成と測定結果を示している。
【０１６６】
【表１】
【０１６７】
【表２】
【０１６８】
【表３】
【０１６９】
試料番号１〜１７、２２〜２５、３０〜３３、３９〜４１、４７〜４９、５５〜５７、６３〜６５、７１〜７３、７８〜８１、及び８６〜１０４は、図１の斜線部Ｘの領域外であるので、比抵抗logρが７未満となって比抵抗logρが小さく、所望の絶縁性を得ることができなかった。
【０１７０】
これに対し試料番号１８〜２１、２６〜２９、３４〜３８、４２〜４６、５０〜５４、５８〜６２、６６〜７０、７４〜７７、及び８２〜８５は、図１の斜線部Ｘに囲まれる領域内にあるので、比抵抗logρが７以上となり、良好な絶縁性が得られ、透磁率μも５０以上の実用的に十分な値が得られることが分かった。
【実施例２】
【０１７１】
セラミック素原料を、表４に示すように、Ｆｅ２Ｏ３の含有モル量を４４ｍｏｌ％、Ｍｎ２Ｏ３の含有モル量を５ｍｏｌ％と本発明範囲内とし、さらにＺｎＯの含有モル量を３０ｍｏｌ％とし、ＣｕＯを種々異ならせ、残部がＮｉＯとなるように秤量した。そしてそれ以外は、実施例１と同様の方法・手順で試料番号２０１〜２０９のリング状試料及び比抵抗測定用試料を作製した。
【０１７２】
次いで、試料番号２０１〜２０９について、実施例１と同様の方法・手順で比抵抗logρ及び透磁率を測定した。
【０１７３】
表４は、試料番号２０１〜２０９のフェライト組成と測定結果を示している。
【０１７４】
【表４】
【０１７５】
試料番号２０７〜２０９は、ＣｕＯの含有モル量が５ｍｏｌ％を超えているため、比抵抗logρが７未満となって比抵抗logρが小さく、所望の絶縁性を得ることができなかった。
【０１７６】
これに対し２０１〜２０６は、ＣｕＯの含有モル量が０〜５ｍｏｌ％と本発明範囲内であるので、比抵抗logρが７以上となり、良好な絶縁性が得られ、透磁率μも２１０以上と良好な結果が得られた。
【実施例３】
【０１７７】
表５に示すように、Ｆｅ２Ｏ３の含有モル量を４４ｍｏｌ％、Ｍｎ２Ｏ３の含有モル量を５ｍｏｌ％、ＣｕＯの含有モル量を１ｍｏｌ％と本発明範囲内とし、ＺｎＯの含有モル量を種々異ならせ、残部がＮｉＯとなるようにセラミック素原料を秤量した以外は、実施例１と同様の方法・手順で試料番号３０１〜３０９のリング状試料及び比抵抗測定用試料を作製した。
【０１７８】
そして、試料番号３０１〜３０９について、実施例１と同様の方法・手順で比抵抗logρ及び透磁率を測定した。
【０１７９】
また、試料番号３０１〜３０９について、振動試料型磁力計（東英工業社製ＶＳＭ−５−１５型）を使用し、１Ｔ（テスラ）の磁界を印加し、飽和磁化の温度依存性を測定した。そして、この飽和磁化の温度依存性からキュリー点Ｔｃを求めた。
【０１８０】
表５は、試料番号３０１〜３０９のフェライト組成と測定結果を示している。
【０１８１】
【表５】
【０１８２】
試料番号３０９は、ＺｎＯの含有モル量が３３ｍｏｌ％を超えているので、比抵抗logρや透磁率μは良好であったが、キュリー点Ｔｃが１１０℃となり、他の試料に比べて低くなることが分った。
【０１８３】
また、試料番号３０１、３０２は、ＺｎＯの含有モル量が６ｍｏｌ％未満であるので、比抵抗logρやキュリー点Ｔｃは良好であったが、透磁率μが２０以下に低下した。
【０１８４】
これに対し試料番号３０３〜３０８は、ＺｎＯの含有モル量が６〜３３ｍｏｌ％であるので、キュリー点Ｔｃは１６５℃以上となって１３０℃程度の高温下での動作保証を得ることができ、また、透磁率μも３５以上となって実用的な透磁率μが得られることが分かった。
【０１８５】
以上よりＺｎＯの含有モル量を増加させると透磁率μが大きくなるが、過度に増量させるとキュリー点Ｔｃが低下することが確認された。
【実施例４】
【０１８６】
実施例１で作製した試料番号１、実施例２で作製した試料番号２０３、試料番号２０９と同一組成の磁性体シートを使用し、縦巻きＴ型ＬＣ複合部品を作製した（図２〜図５参照）。
【０１８７】
試料番号１及び試料番号２０３の磁性体シートについては、コイル導体材料及び容量電極材料にＣｕを使用し、試料番号１′、２０３′の試料（縦巻きＴ型ＬＣ複合部品）を作製した。
【０１８８】
また、試料番号２０９の磁性体シートについては、コイル導体材料及び外部電極材料にＡｇを使用し、試料番号２０９′の試料（縦巻きＴ型ＬＣ複合部品）を作製した。
【０１８９】
すなわち、試料番号２０９′の試料を作製するために、実施例１〜３で使用したＣｕペーストの他、Ａｇを主成分とした導電性ペースト（以下、「Ａｇペースト」という。）を用意した。
【０１９０】
そして、以下の手順で試料番号１′、２０３′、及び２０９′の試料を作製した。
【０１９１】
まず、レーザ加工機を使用し、試料番号１、２０３及び２０９の磁性体シートの所定箇所にビアホールを形成した。
【０１９２】
次に、Ｃｕペースト又はＡｇペーストを使用してスクリーン印刷し、磁性体シート上にコイルパターン又は容量パターンを形成し、かつ、ビアホールを前記Ｃｕペースト又はＡｇペーストで充填しビア導体を作製した。
【０１９３】
そして、これら磁性体シートを積層し、上下両主面に外装用磁性体シートを配し、これらを６０℃に加熱し１００ＭＰａの圧力で６０秒間加圧して圧着し、所定寸法に切断し、試料番号１′、２０３′及び２０９′の積層成形体を作製した。
【０１９４】
次に、試料番号１′及び２０３′については、Ｃｕが酸化しないような雰囲気下、加熱して十分に脱脂した後、酸素分圧が６．７×１０-2ＰａとなるようにＮ２−Ｈ２−Ｈ２Ｏの混合ガスで雰囲気調整された焼成炉に供給し、１０００℃の温度で２時間焼成し、部品素体を得た。
【０１９５】
次いで、上記部品素体の両端部及び側面中央部に、Ｃｕを主成分とした外部電極用導電ペーストを塗布し、乾燥させ、その後、酸素分圧を４．３×１０-３Ｐａに調整した焼成炉内で９００℃の温度で焼き付け処理を行い、これにより第１〜第４の外部電極を形成した。次いで、電解めっきを施して、第１〜第４の外部電極の表面にＮｉ皮膜及びＳｎ皮膜を順次形成し、これにより試料番号１′、２０３′の縦巻きＴ型ＬＣ複合部品を作製した。
【０１９６】
一方、試料番号２０９′ついては、部品素体の両端部及び側面中央部に、Ａｇを主成分とした外部電極用導電ペーストを塗布し、乾燥させ、その後、大気雰囲気下、７５０℃の温度で焼き付け処理を行い、これにより第１〜第４の外部電極を形成した。そしてその後は、試料番号１′、２０３′と同様、電解めっきを施して、第１〜第４の外部電極の表面にＮｉ皮膜及びＳｎ皮膜を順次形成し、これにより試料番号２０９′の縦巻きＴ型ＬＣ複合部品を作製した。
【０１９７】
作製された各試料の外形寸法は、縦：２．０ｍｍ、横：１.２５ｍｍ、厚み：０．９ｍｍであった。
【０１９８】
尚、各試料は、測定周波数１ＭＨｚでインダクタンスＬは約０．３μＨ、静電容量Ｃが約３６０ｐＦとなるようにコイル導体及びコンデンサの仕様を調整した。
【０１９９】
次に、試料番号１′、２０３′及び２０９′の各試料について、エレクトロメータ（アドバンテスト社製Ｒ８３４０Ａ）を使用し、コイル導体用外部電極とコンデンサ用外部電極との間の絶縁抵抗、すなわち端子間の絶縁抵抗logＩＲを測定した。
【０２００】
表６は、試料番号１′、２０３′及び２０９′の各試料のフェライト組成及び測定結果を示している。
【０２０１】
【表６】
【０２０２】
この表６から明らかなように、試料番号１′は絶縁抵抗logＩＲは３．１と低くなった。これはフェライト組成中、Ｆｅ２Ｏ３とＭｎ２Ｏ３の含有モル量が本発明範囲外であるため、Ｆｅ２Ｏ３がＦｅ３Ｏ４に還元されてしまい、このため絶縁抵抗logＩＲが低下したものと思われる。
【０２０３】
一方、試料番号２０３′、２０９′は、Ｆｅ２Ｏ３とＭｎ２Ｏ３の含有モル量が本発明範囲内であるため、絶縁抵抗logＩＲは７．２、８．９と良好な結果を得た。尚、試料番号２０９′は、大気中で焼成しているため、フェライト材料が還元されることもないことから、絶縁抵抗logＩＲについては良好な結果が得られた。
【０２０４】
次に、試料番号１′、２０３′及び２０９′の各試料について、ネットワークアナライザ（アジレント・テクノロジー社製Ｅ５０６２Ａ）使用し、挿入損失を測定した。
【０２０５】
図１６はその測定結果を示している。
【０２０６】
試料番号１′は、試料番号２０３′、２０９′に比べ挿入損失が劣化した。これはＦｅ２Ｏ３とＭｎ２Ｏ３の含有モル量が本発明範囲外であるため、上述したようにＦｅ２Ｏ３がＦｅ３Ｏ４に還元されてしまい、磁性体層の抵抗が低下したためと考えられる。
【０２０７】
次に、試料番号２０３′、２０９′の各試料３０個について、温度８５℃、湿度８５％ＲＨの高温多湿下、５Ｖの直流電圧を印加して耐湿負荷試験を行った。すなわち、各試料について、試験開始前、試験開始後２５０時間、５００時間、１０００時間、及び２０００時間経過後に端子間で絶縁抵抗を測定し、試験前に比べて絶縁抵抗logＩＲが２０％以上低下した試料を不良品とし、該不良品の個数を計数して耐湿性を評価した。
【０２０８】
表７は、その測定結果を示している。
【０２０９】
【表７】
【０２１０】
試料番号２０９′は、経時的に不良品の個数が増加し、１０００時間経過後には不良発生率が１００％となった。これは容量電極をＡｇで形成しているため、マイグレーションが発生し、コンデンサ部の抵抗が低下したためと考えられる。
【０２１１】
これに対し試料番号２０３′は、容量電極をＣｕで形成しているため、マイグレーションが発生せず、２０００時間経過後も不良品は発生せず、信頼性の高いＬＣ複合部品を得ることができることが分かった。
【実施例５】
【０２１２】
実施例２で作製した試料番号２０３と同一組成の磁性体シートを使用し、コイル導体材料及び容量電極材料にＣｕを使用して横巻きＴ型ＬＣ複合部品を作製した（試料番号２０３″）（図６〜図８参照）。
【０２１３】
すなわち、まず、試料番号２０３の磁性体シートの所定箇所にレーザ加工機を使用し、所定箇所にビアホールを形成した。
【０２１４】
次に、Ｃｕペーストを使用してスクリーン印刷し、磁性体シート上にコイルパターン又は電極パターンを形成し、かつ、ビアホールを前記Ｃｕペーストで充填し、ビア導体を作製した。
【０２１５】
そして、これら磁性体シートを積層し、上下両主面に外装用磁性体シートを配し、これらを６０℃に加熱し１００ＭＰａの圧力で６０秒間加圧して圧着し、所定寸法に切断し、試料番号２０３″の積層成形体を作製した。
【０２１６】
次に、Ｃｕが酸化しないような雰囲気下、加熱して十分に脱脂した後、酸素分圧を６．７×１０-2ＰａとなるようにＮ２−Ｈ２−Ｈ２Ｏの混合ガスで雰囲気調整された焼成炉に供給し、１０００℃の温度で２時間焼成し、部品素体を得た。
【０２１７】
次に、部品素体の両端部及び側面中央部に、Ｃｕペーストを塗布し、乾燥させた後、９００℃で焼き付けて第１〜第４の外部電極を形成し、その後電解めっきを施して、第１〜第４の外部電極の表面にＮｉ皮膜及びＳｎ皮膜を順次形成し、これにより試料番号２０３″の縦巻きＴ型ＬＣ複合部品を作製した。
【０２１８】
尚、焼付雰囲気は、酸素分圧を９００℃のＣｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧である４．３×１０-3Ｐａに調整して行った。
【０２１９】
作製された試料の外形寸法は、縦：２．０ｍｍ、横：１.２５ｍｍ、厚み：０．９ｍｍであった。尚、各試料は、測定周波数１ＭＨｚでインダクタンスＬは約０．３μＨ、静電容量Ｃが約３６０ｐＦとなるようにコイル導体及びコンデンサの仕様を調整した。
【０２２０】
次に、試料番号２０３″について、実施例２と同様の方法・手順で挿入損失を測定した。
【０２２１】
図１７はその測定結果を示している。
【０２２２】
この図１７から明らかなように、試料番号２０３″は試料番号２０３′に比べ挿入損失が向上しているのが分かる。これは試料番号２０３′が縦巻き構造であるのに対し、試料２０３″は横巻き構造であるため、コイル部での浮遊容量がより低下したためと思われる。
【産業上の利用可能性】
【０２２３】
Ｃｕを主成分とする導電性材料をコイル導体や容量電極に使用し、これらと磁性体層とを同時焼成しても、絶縁性が良好で、良好な電気特性を有し、しかもコンデンサ部でのマイグレーションの発生を抑制できるＬＣ複合部品等のセラミック電子部品を実現できる。
【符号の説明】
【０２２４】
２、１６、３２ａ、３２ｂ コンデンサ部
３ａ、３ｂ、１７ａ、１７ｂ、３１ コイル部
５ａ、５ｂ、２０ａ、２０ｂ、３４、４１ コイル導体
６ａ、６ｂ、２１ａ、２１ｂ、３５、４３ 磁性体層
７、２２、３６ａ、３６ｂ、４２ 容量電極
８、２３、３７ａ、３７ｂ 誘電体層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともＦｅ、Ｍｎ、Ｚｎ、及びＮｉを含有したフェライト磁器組成物であって、
Ｃｕの含有モル量が、ＣｕＯに換算して０〜５ｍｏｌ％であり、
かつ、ＦｅをＦｅ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｘｍｏｌ％、及びＭｎをＭｎ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｙｍｏｌ％を（ｘ，ｙ）で表したときに、（ｘ，ｙ）が、Ａ（２５,１）、Ｂ（４７，１）、Ｃ（４７，７．５）、Ｄ（４５，７．５）、Ｅ（４５，１０）、Ｆ（３５，１０）、Ｇ（３５，７．５）、及びＨ（２５，７．５）で囲まれる領域にあることを特徴とするフェライト磁器組成物。
【請求項２】
前記Ｚｎの含有モル量が、ＺｎＯに換算して３３ｍｏｌ％以下であることを特徴とする請求項１記載のフェライト磁器組成物。
【請求項３】
前記Ｚｎの含有モル量が、ＺｎＯに換算して６ｍｏｌ％以上であることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のフェライト磁器組成物。
【請求項４】
コイル導体が磁性体部に埋設されたコイル部と、容量電極が誘電体部に埋設されたコンデンサ部とを備えたセラミック電子部品であって、
前記コイル導体及び前記容量電極がＣｕを主成分とする導電性材料で形成されると共に、
前記磁性体部及び誘電体部が請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のフェライト磁器組成物で形成されていることを特徴とするセラミック電子部品。
【請求項５】
前記コイル部は、前記磁性体部を構成する複数の磁性体層と前記コイル導体を構成する複数のコイルパターン部とが交互に積層され、前記コンデンサ部は、前記誘電体部を構成する複数の誘電体層と前記容量電極を構成する複数の電極パターン部とが交互に積層されていることを特徴とする請求項４記載のセラミック電子部品。
【請求項６】
前記コイル導体及び前記容量電極と、前記磁性体部及び前記誘電体部とが同時焼成されてなることを特徴とする請求項４又は請求項５記載のセラミック電子部品。
【請求項７】
コイル導体と容量電極とが磁性体部に埋設された部品素体を有し、前記コイル導体と容量電極との間で静電容量が形成されたセラミック電子部品であって、
前記コイル導体及び前記容量電極がＣｕを主成分とする導電性材料で形成されると共に、
前記磁性体部が請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のフェライト磁器組成物で形成されていることを特徴とするセラミック電子部品。
【請求項８】
前記部品素体は、前記容量電極が前記コイル導体間に挟み込まれていることを特徴とする請求項７記載のセラミック電子部品。
【請求項９】
前記コイル導体及び容量電極と、前記磁性体部とが同時焼成されてなることを特徴とする請求項７又は請求項８記載のセラミック電子部品。
【請求項１０】
Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下の雰囲気で焼成されてなることを特徴とする請求項４乃至請求項９のいずれかに記載のセラミック電子部品。
【請求項１１】
Ｃｕの含有モル量がＣｕＯに換算して０〜５ｍｏｌ％であり、かつ、ＦｅをＦｅ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｘｍｏｌ％、及びＭｎをＭｎ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｙｍｏｌ％を（ｘ，ｙ）で表したときに、（ｘ，ｙ）が、Ａ（２５,１）、Ｂ（４７，１）、Ｃ（４７，７．５）、Ｄ（４５，７．５）、Ｅ（４５，１０）、Ｆ（３５，１０）、Ｇ（３５，７．５）、及びＨ（２５，７．５）で囲まれる領域を満たすようにＦｅ化合物、Ｍｎ化合物、Ｃｕ化合物、Ｚｎ化合物、及びＮｉ化合物をそれぞれ秤量し、これら秤量物を混合した後、仮焼して仮焼粉末を作製する仮焼工程と、
前記仮焼粉末からセラミック薄層体を作製するセラミック薄層体作製工程と、
Ｃｕを主成分とする所定パターンの導電膜を前記セラミック薄層体上に形成する導電膜形成工程と、
前記導電膜が形成された前記セラミック薄層体を所定順序に積層し、積層体を形成する積層体形成工程と、
Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下の焼成雰囲気で前記積層体を焼成し、前記セラミック薄層体と前記導電膜とを同時焼成する焼成工程とを含んでいることを特徴とするセラミック電子部品の製造方法。
【請求項１】
少なくともＦｅ、Ｍｎ、Ｚｎ、及びＮｉを含有したフェライト磁器組成物であって、
Ｃｕの含有モル量が、ＣｕＯに換算して０〜５ｍｏｌ％であり、
かつ、ＦｅをＦｅ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｘｍｏｌ％、及びＭｎをＭｎ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｙｍｏｌ％を（ｘ，ｙ）で表したときに、（ｘ，ｙ）が、Ａ（２５,１）、Ｂ（４７，１）、Ｃ（４７，７．５）、Ｄ（４５，７．５）、Ｅ（４５，１０）、Ｆ（３５，１０）、Ｇ（３５，７．５）、及びＨ（２５，７．５）で囲まれる領域にあることを特徴とするフェライト磁器組成物。
【請求項２】
前記Ｚｎの含有モル量が、ＺｎＯに換算して３３ｍｏｌ％以下であることを特徴とする請求項１記載のフェライト磁器組成物。
【請求項３】
前記Ｚｎの含有モル量が、ＺｎＯに換算して６ｍｏｌ％以上であることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のフェライト磁器組成物。
【請求項４】
コイル導体が磁性体部に埋設されたコイル部と、容量電極が誘電体部に埋設されたコンデンサ部とを備えたセラミック電子部品であって、
前記コイル導体及び前記容量電極がＣｕを主成分とする導電性材料で形成されると共に、
前記磁性体部及び誘電体部が請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のフェライト磁器組成物で形成されていることを特徴とするセラミック電子部品。
【請求項５】
前記コイル部は、前記磁性体部を構成する複数の磁性体層と前記コイル導体を構成する複数のコイルパターン部とが交互に積層され、前記コンデンサ部は、前記誘電体部を構成する複数の誘電体層と前記容量電極を構成する複数の電極パターン部とが交互に積層されていることを特徴とする請求項４記載のセラミック電子部品。
【請求項６】
前記コイル導体及び前記容量電極と、前記磁性体部及び前記誘電体部とが同時焼成されてなることを特徴とする請求項４又は請求項５記載のセラミック電子部品。
【請求項７】
コイル導体と容量電極とが磁性体部に埋設された部品素体を有し、前記コイル導体と容量電極との間で静電容量が形成されたセラミック電子部品であって、
前記コイル導体及び前記容量電極がＣｕを主成分とする導電性材料で形成されると共に、
前記磁性体部が請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のフェライト磁器組成物で形成されていることを特徴とするセラミック電子部品。
【請求項８】
前記部品素体は、前記容量電極が前記コイル導体間に挟み込まれていることを特徴とする請求項７記載のセラミック電子部品。
【請求項９】
前記コイル導体及び容量電極と、前記磁性体部とが同時焼成されてなることを特徴とする請求項７又は請求項８記載のセラミック電子部品。
【請求項１０】
Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下の雰囲気で焼成されてなることを特徴とする請求項４乃至請求項９のいずれかに記載のセラミック電子部品。
【請求項１１】
Ｃｕの含有モル量がＣｕＯに換算して０〜５ｍｏｌ％であり、かつ、ＦｅをＦｅ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｘｍｏｌ％、及びＭｎをＭｎ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｙｍｏｌ％を（ｘ，ｙ）で表したときに、（ｘ，ｙ）が、Ａ（２５,１）、Ｂ（４７，１）、Ｃ（４７，７．５）、Ｄ（４５，７．５）、Ｅ（４５，１０）、Ｆ（３５，１０）、Ｇ（３５，７．５）、及びＨ（２５，７．５）で囲まれる領域を満たすようにＦｅ化合物、Ｍｎ化合物、Ｃｕ化合物、Ｚｎ化合物、及びＮｉ化合物をそれぞれ秤量し、これら秤量物を混合した後、仮焼して仮焼粉末を作製する仮焼工程と、
前記仮焼粉末からセラミック薄層体を作製するセラミック薄層体作製工程と、
Ｃｕを主成分とする所定パターンの導電膜を前記セラミック薄層体上に形成する導電膜形成工程と、
前記導電膜が形成された前記セラミック薄層体を所定順序に積層し、積層体を形成する積層体形成工程と、
Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下の焼成雰囲気で前記積層体を焼成し、前記セラミック薄層体と前記導電膜とを同時焼成する焼成工程とを含んでいることを特徴とするセラミック電子部品の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【公開番号】特開２０１３−５３０４０（Ｐ２０１３−５３０４０Ａ）
【公開日】平成２５年３月２１日（２０１３．３．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１９２０２０（Ｐ２０１１−１９２０２０）
【出願日】平成２３年９月２日（２０１１．９．２）
【出願人】（０００００６２３１）株式会社村田製作所 (3,635)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年３月２１日（２０１３．３．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年９月２日（２０１１．９．２）
【出願人】（０００００６２３１）株式会社村田製作所 (3,635)
【Ｆターム（参考）】
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