【課題】比較的低コストで製造でき、低い静電正接を有し、加工性に優れた酸化アルミニウム焼結体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化アルミニウムの純度が９９．０重量％以上の酸化アルミニウム焼結体であって、酸化チタンおよび二酸化ケイ素が合計で０．２重量％以上０．８重量％以下含有され、酸化アルミニウム粒子の長尺方向の平均粒径が２０μｍ以上である。このように、酸化チタンが含有されることで、酸化アルミニウム粒子が粗大化し、酸化アルミニウム粒子同士の粒界が少なくなるため、誘電正接を低下させることができる。一方で、二酸化ケイ素が含有されるため、安定的に誘電正接を低下させることができる。また、粒子が粗大化することによって加工性を向上させることができる。また、極端に高い酸化アルミニウムの純度は不要であり、低コスト化できる。 （もっと読む）

【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】ＢａＴｉＯ_３ で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する化合物を主成分として含有し、化合物１００モルに対して、各元素換算で、Ｍｇの酸化物を０．６〜２．０モル、Ｍｎおよび／またはＣｒの酸化物を０．０１０〜０．６モル、Ｖ、ＭｏおよびＷから選ばれる１つ以上の酸化物を０．０１０〜０．２モル、Ｒ１の酸化物（Ｒ１はＹ、Ｙｂ、ＥｒおよびＨｏから選ばれる１つ以上）を０．１０〜１．０モル、Ｒ２の酸化物（Ｒ２はＤｙ、ＧｄおよびＴｂから選ばれる１つ以上）を０．１０〜１．０モル、Ｂａの酸化物および／またはＣａの酸化物と、Ｓｉの酸化物と、からなる成分を０．２〜１．５モル、副成分として含有することを特徴とする誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウムからなる主成分を含有し、前記チタン酸バリウム１００モルに対して、各元素換算で、Ｍｇの酸化物を１．００〜２．５０モルと、Ｍｎおよび／またはＣｒの酸化物を０．０１〜０．２０モルと、Ｖ、ＭｏおよびＷからなる群から選ばれる少なくとも１つの酸化物を０．０３〜０．１５モルと、Ｒ１の酸化物（Ｒ１は、Ｙ、およびＨｏからなる群から選ばれる少なくとも１つである）を０．２０〜１．５０モルと、Ｒ２の酸化物（Ｒ２は、Ｅｕ、ＧｄおよびＴｂからなる群から選ばれる少なくとも１つである）を０．２０〜１．５０モルと、Ｓｉおよび／またはＢの酸化物を０．３０〜１．５０モルと、を副成分として含有することを特徴とする誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】高い電界強度下においても良好な特性を示す誘電体磁器組成物および該誘電体磁器組成物が誘電体層に適用された電子部品を提供すること。
【解決手段】複数の誘電体粒子と、誘電体粒子間に存在する粒界と、を有する誘電体磁器組成物であって、誘電体粒子が、コアとコアの周囲に存在しＭｎが固溶しているシェルとからなるコアシェル構造を有する粒子を含み、シェルに存在するＭｎ量に対する粒界に存在するＭｎ量が４倍以上である。誘電体粒子の平均結晶粒子径は０．３μｍ以下であることが好ましい。誘電体磁器組成物は、主成分としてチタン酸バリウムを含有し、副成分として、希土類元素の酸化物と、Ｂａおよび／またはＣａの酸化物と、Ｍｎの酸化物と、Ｍｇ、Ｖ、ＺｒおよびＣｒから選ばれる１つ以上の酸化物と、Ｓｉを含む酸化物と、を含有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】低温焼結が可能で、高周波領域での誘電損失が低く、メッキ耐食性に優れたセラミックス焼結体を得ることが可能なセラミックス組成物、該組成物から得られるセラミックス焼結体、及び該焼結体を用いた電子部品を提供する。
【解決手段】固相反応法により合成されたディオプサイド結晶粉末１００質量部に対し、ＳｒＴｉＯ_３粉末を６〜１９質量部、Ａｌ成分を酸化物換算で１．４〜６質量部、Ｌｉ成分を酸化物換算で０．３〜０．９質量部、Ｂ成分を酸化物換算で１．６〜３．２質量部、Ｚｎ成分を酸化物換算で３．２〜５．１質量部、Ｃｕ成分を酸化物換算で０．５〜０．９質量部、Ａｇ成分を酸化物換算で０〜３質量部、Ｃｏ成分を酸化物換算で０〜４．５質量部含有するセラミックス組成物。該組成物を用いて、セラミックス焼結体及び電子部品を得る。 （もっと読む）

【課題】小さい粒子径でかつ高い正方晶性を有するチタン酸バリウム粉末の製造方法およびそのチタン酸バリウム粉末を用いた積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。
【解決手段】ＢＥＴ法による比表面積がそれぞれ２０ｍ²／ｇ以上の炭酸バリウム粉末と２０ｍ²／ｇ以上の酸化チタン粉末を少なくとも含む原料粉末を準備する準備工程と、ＢＥＴ法による比表面積がＡｍ²／ｇの前記炭酸バリウム粉末ｘｇとＢＥＴ法による比表面積がＢｍ²／ｇの前記酸化チタン粉末ｙｇを混合する際に
Ｃ＝（Ａｘ＋Ｂｙ）／（ｘ＋ｙ）
で表される混合前の前記原料粉末のトータル比表面積Ｃｍ²／ｇに対し混合後の混合粉末のＢＥＴ法による比表面積が１．１×Ｃｍ²／ｇ以下となるように混合する混合工程と、この混合工程にて得られた混合粉末を１×１０²Ｐａ以下の酸素分圧中で熱処理する熱処
理工程を含む、チタン酸バリウム粉末の製造方法。 （もっと読む）

【課題】拡散剤にＰｂ系材料を使用しなくても、良好な電気特性を提供する。
【解決手段】粒界絶縁型半導体セラミックは、主成分がＳｒＴｉＯ_３系化合物で形成されると共に、粒界絶縁化剤とガラス成分とを含む拡散剤が含有されている。粒界絶縁化剤は、Ｐｂを含まない非Ｐｂ系材料で形成されると共に、ガラス成分が、Ｂ及びＰｂを含まないＳｉＯ_２−ＸＯ_２−ＭＯ−ＴｉＯ_２系ガラス材（Ｘはアルカリ金属、ＭはＢａ、Ｓｒ、Ｃａから選択された少なくとも１種を示す。）を主成分とし、かつ、前記ガラス成分の含有量は、前記粒界絶縁化剤１００重量部に対し３〜１５重量部である。部品素体２は、この粒界絶縁型半導体セラミックで形成されている。 （もっと読む）

【課題】低温焼成が可能で、高周波領域での誘電損失が低く、メッキ耐食性に優れた焼結体を得ることが可能なセラミックス組成物及び電子部品を提供する。
【解決手段】Ｂａ_４（Ｒｅ_{（１−ｘ）}，Ｂｉ_ｘ）_９．３３Ｔｉ_１８Ｏ_５４で現わされる主相成分と、主相成分１００質量部に対し酸化物換算で、Ｂ成分を０．３〜１．４質量部、Ｌｉ成分を０．１〜０．３質量部、Ｚｎ成分を１．５〜７質量部及びＡｇ成分を１．５〜２質量部含有する第１副成分と、主相成分１００質量部に対し酸化物換算で、Ｓｉ成分を０〜１．２５質量部、Ａｌ成分を０〜１．２５質量部、Ｂｉ成分を０〜５質量部含有する第２副成分とを含むセラミックス組成物。該セラミックス組成物を焼成して得られるセラミックス層と、該セラミックス層の表面及び／又は内部にあって、セラミックス組成物と同時焼成して得られる導体層とを有する電子部品。 （もっと読む）

【課題】内部の気泡を低減し得るとともに、高性能な高周波回路に十分対応可能な低誘電損失特性を有する結晶性ガラス粉末を提供する。
【解決手段】熱処理によって、主結晶としてディオプサイド結晶と長石結晶が析出することを特徴とする結晶性ガラス粉末。結晶性ガラス粉末は、ガラス組成として質量％で、ＳｉＯ_２ ２０〜６５％、ＣａＯ ３〜２５％、ＭｇＯ ７〜３０％、Ａｌ_２Ｏ_３ ０〜２０％、ＢａＯ ５〜４０％を含有し、かつ質量比で、１≦ＳｉＯ_２／ＢａＯ≦４の関係を満たすことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】比誘電率および交流破壊電圧が高く、誘電損失が低く、温度特性および焼結性が良好な誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】（Ｂａ_{１−ｘ−ｙ}，Ｃａ_ｘ，Ｓｒ_ｙ）_ｍ（Ｔｉ_{１−ｚ−ａ}，Ｚｒ_ｚ，Ｓｎ_ａ）Ｏ_３の組成式で表わされる主成分と、第１副成分と、第２副成分と、を有する誘電体磁器組成物であって、０．０３≦ｘ≦０．３０、０．００＜ｙ≦０．０５、０．０２＜ｚ≦０．２、０≦ａ≦０．２、０．０４≦ｚ＋ａ≦０．３、０．９７≦ｍ≦１．０３、第１副成分は、酸化亜鉛であり、第２副成分は、Ｌａ、Ｐｒ、Ｐｍ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、ＧｄおよびＹから選ばれる少なくとも１種の酸化物であり、第１副成分が主成分１００重量％に対して０．４５〜１０重量％含有されており、第２副成分は主成分１００重量％に対して酸化物換算で０．０重量％より多く、０．３重量％以下含有されている誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】内部の気泡が少ないため薄型化しても配線の断線を引き起こしにくく、かつ高性能な高周波回路に十分対応可能な低誘電損失特性を有するガラスセラミック誘電体に好適な結晶性ガラス粉末を提供する。
【解決手段】熱処理によって、主結晶としてディオプサイド結晶を析出するとともに、長石結晶を析出することを特徴とする結晶性ガラス粉末、およびそれを焼成してなるガラスセラミック誘電体。 （もっと読む）

【課題】低コストかつ純度の高い低誘電損失のアルミナセラミックスを得る。
【解決手段】化学成分において、ＳｉＯ_２をモル比でＮａ_２Ｏの２倍以上でかつ０．０５質量％以上０．５質量％以下含有し、さらに、Ｙ_２Ｏ_３を０．０５質量％以上０．５質量％以下含有し、残部がＡｌ_２Ｏ_３と不可避的不純物からなり、１ＭＨｚ〜１ＧＨｚにおける誘電損失がｔａｎδ＝１０×１０^−４以下であり、体積固有抵抗率が１×１０^１４Ωｃｍ以上、密度が３．８ｇ／ｃｍ^３以上であるアルミナセラミックス。 （もっと読む）

【課題】高い電界強度下においても良好な特性を示す誘電体磁器組成物、および該誘電体磁器組成物が誘電体層に適用されたセラミック電子部品を提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウムを主成分として含有し、チタン酸バリウム１００モルに対して、副成分として、Ｍｇの酸化物をＭｇＯ換算で１．０〜３．０モル、Ｒの酸化物（Ｒは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕから選ばれる少なくとも１つ）をＲ_２Ｏ_３換算で２．０〜５．０モル、Ｍｎの酸化物をＭｎＯ換算で０．０５〜１．０モル、Ｓｉを含む酸化物をＳｉＯ_２換算で２．０〜１２．０モル、含有し、Ｍｇの酸化物の含有量（α）およびＲの酸化物の含有量（β）が、０．４５≦α／β＜１．００である関係を満足する誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】電気絶縁材料の誘電損失を小さくすると共に、加熱処理されたときに電気絶縁材料が熱膨張するのを抑制することができる絶縁性フィラーを提供する。
【解決手段】比誘電率および誘電正接の小さいポリマー粒子１０１と、ポリマー粒子１０１の表面を覆う絶縁体層１０２とにより形成される絶縁性フィラー１００を含有して電気絶縁材料が形成されることで、絶縁性フィラー１００は比誘電率および誘電正接の小さいポリマー粒子１０１を含んでいるため、電気絶縁材料の誘電損失を小さくすることができる。また、ポリマー粒子１０１を覆う絶縁体層１０２を形成する無機絶縁物の熱膨張率がポリマー粒子１０１よりも小さいため、絶縁性フィラー１００が加熱されたときにポリマー粒子１０１の表面を覆う絶縁体層１０２によりポリマー粒子１０１の熱膨張が抑制されるため、加熱処理されたときに電気絶縁材料が熱膨張するのを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】低温で焼成して得ることを可能としつつ、焼結性を確保し、抗折強度を維持すると共に、優れた誘電特性を有する誘電体磁器、誘電体磁器の製造方法及び電子部品を提供する。
【解決手段】誘電体磁器は、Ｍｇ₂ＳｉＯ₄を含む主成分と、亜鉛酸化物及びガラス成分を含む副成分とを含み、Ｘ線回折において、主相であるＭｇ₂ＳｉＯ₄の２θが３６．０°から３７．０°の間におけるＸ線回折ピーク強度Ｉ_Aに対する、未反応なまま存在する亜鉛酸化物の２θが３１．０°から３２．０°及び３３．０°から３４．０°におけるＸ線回折ピーク強度Ｉ_Bのピーク強度比Ｉ_B／Ｉ_Aが１０％以下であると共に、相対密度が９６％以上である。 （もっと読む）

【課題】低温で焼成して得ることを可能としつつ、焼結性を確保し、優れた誘電特性を有する誘電体磁器、誘電体磁器の製造方法及び電子部品を提供する。
【解決手段】本発明に係る誘電体磁器組成物は、Ｍｇ₂ＳｉＯ₄を含む主成分と、亜鉛酸化物及びガラス成分を含み、かつアルミニウム酸化物とチタン酸化物との何れか一方又は両方を含む副成分とを含む。 （もっと読む）

【課題】比誘電率、誘電正接が低く、回路基板を構成する基板または層間絶縁膜に有用である充填材を提供すること。
【解決手段】キュービック型細孔構造を有し、かつ窒素吸着により求められる比表面積が１０ｍ^２／ｇ以下である多孔質無機酸化物。 （もっと読む）

【課題】非接触式電力伝達系を提供する。
【解決手段】この電力伝達系は誘電材料を含む場集束素子を含む。誘電材料は（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ_３又はＣａＣｕ_３Ｔｉ_４Ｏ_１２の群から選択される組成物を含む。（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ_３の組成物には、Ｃａ_{１−ｘ−ｙ}Ｂａ_ｘＳｒ_ｙＴｉ_１−ｚＣｒ_ｚＯ_３−δＮ_ｐのような材料が包含され、ここで０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、０≦ｚ≦０．０１、０≦δ≦１、０≦ｐ≦１である。ＣａＣｕ_３Ｔｉ_４Ｏ_１２の組成物には、Ｃａ_{１−ｘ−ｙ}Ｂａ_ｘＳｒ_ｙ（Ｃａ_１−ｚＣｕ_ｚ）Ｃｕ_２Ｔｉ_４−δＡｌ_δＯ_{１２−０．５δ}のような材料が包含され、ここで０≦ｘ＜０．５、０≦ｙ＜０．５、０≦ｚ≦１、０≦ｄ≦０．１である。 （もっと読む）

【課題】低誘電正接で、かつ高強度のアルミナ質焼結体を提供する。
【解決手段】１〜１０ＭＨｚにおける誘電正接が１０×１０^−４以下、３点曲げ強度が４００ＭＰａ以上であって、ＳｉＯ_２を０．０８〜０．８質量％含み、かつ実質的にコーディエライト相を含まないことを特徴とするアルミナ質焼結体。ＸＲＤピーク強度により算出される結晶配向度Ｏ：Ｉ_３００／（Ｉ_３００＋Ｉ_１０４）のうち、鋳込み成形の着肉方向に垂直な面４１の結晶配向度Ｏ１と、鋳込み成形の着肉方向に平行な面４２の結晶配向度Ｏ２との差：Ｏ２−Ｏ１が、０．１２〜０．１８である。 （もっと読む）

【課題】内部の気泡が少ないため薄型化しても配線の断線を引き起こしにくく、かつ高性能な高周波回路に十分対応可能な低誘電損失特性を有するガラスセラミック誘電体に好適な結晶性ガラスを提供する。
【解決手段】組成として質量％で、ＳｉＯ_２ ５０〜６５％、ＣａＯ ２０超〜２７％（ただし、モル比でＣａＯ／ＳｉＯ_２が０．５未満または０．５５以上）、ＭｇＯ １２〜２５％、Ａｌ_２Ｏ_３ ０．０１〜０．５％未満を含有し、主結晶としてディオプサイド結晶を析出することを特徴とする結晶性ガラス。 （もっと読む）