【課題】薄膜キャパシタ等に用いた場合に、高いチューナビリティ及び高い誘電率を発現させ得る誘電体薄膜を形成する方法及び該誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】誘電体薄膜形成用組成物を耐熱性基板に塗布し乾燥する工程を繰返し行って所望の厚さの組成物の未焼成膜を得た後、基板上に形成した未焼成膜を焼成することにより誘電体薄膜を形成する方法において、形成する誘電体薄膜がペロブスカイト型酸化物を主成分とする薄膜であるとき、基板上に形成した未焼成膜の焼成が、６０〜６０００℃／分の急速昇温加熱による第一次焼成と、０．５〜３０℃／分の低速昇温加熱による第二次焼成とをこの順番に少なくとも含むことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、銅内電極積層セラミックコンデンサの作製に用いられることができる銅内電極と整合する１種の耐還元性高周波低温焼結セラミック媒体材料を開示する。主結晶相と、改質添加剤と、焼結フラックスとから組成され、主結晶相の構造式がＭｇ_ｘＢａ_{（１−ｘ）}Ｚｒ_ｙＳｉ_{（１−ｙ）}Ｏ_３で、そのうち、０．８≦ｘ≦０．９５、０．０５≦ｙ≦０．２で、前記改質添加剤がＭｎＯ_２、ＣａＯ、Ｌｉ_２Ｏ、Ｂｉ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２のうちの１種または複数種で、前記焼結フラックスがＢ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、ＺｎＯ、ＣｕＯ、Ｋ_２Ｏ、ＢａＯのうちの１種または複数種である。前記セラミック媒体材料はＥＩＡ標準のＣＯＧ特性を満足し、且つ材料は均一で、粒度分布が均一で、分散性が高く、成型プロセスが良い特徴を備え、環境保全の要求を満足し、誘電特性が優良である。 （もっと読む）

【課題】均質な金属酸化物で硫化亜鉛を被覆すること。
【解決手段】カルシウム、ストロンチウムおよびバリウムよりなる第１群から選ばれた少なくとも一種の金属の酸化物と、チタンおよびジルコニウムよりなる第２群から選ばれた少なくとも一種の金属の酸化物とからなる誘電体で、硫化亜鉛を被覆した誘電体被覆物の製造方法であって、第１群と第２群の金属のアルコキシドおよび配位性アルコール溶媒を含む混合物に硫化亜鉛の存在下０℃以下で水を添加し、０℃以上に昇温して前記アルコキシドを加水分解して第１群と第２群の金属の酸化物を生成するとともに非プロトン性溶媒の存在下で前記酸化物を前記硫化亜鉛の表面に堆積させることを特徴とする誘電体被覆物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電子機器の小型化を可能とする小型のコンデンサに必要な薄膜の誘電体磁器を形成可能な、超微粒子や凝集粒が少なく、粒度分布がシャープで、分散性に優れるとともに、特に、結晶性が高く、電気特性に優れたチタン酸カルシウムおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ペロブスカイト結晶構造を有し、正方柱または正方柱類似の形状を有するチタン酸カルシウム粉末であり、塩基性化合物の存在するアルカリ性溶液中で、飽和溶解度以上のカルシウム塩と酸化チタンゾルを混合、反応させることにより製造することができる。 （もっと読む）

【課題】高い比誘電率を示し、絶縁抵抗に優れ、十分な信頼性が確保されたコンデンサ等の電子部品を製造するのに好適な誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】一般式（Ｂａ_１−αＭ_α）_Ａ（Ｔｉ_１−βＭｎ_β）_ＢＯ_３で表され、結晶構造が六方晶であって、Ｍの１２配位時の有効イオン半径が、１２配位時のＢａ^２＋の有効イオン半径に対して±２０％以内であり、Ａ、Ｂ、αおよびβが、０．９００≦（Ａ／Ｂ）≦１．０４０、０．００３≦α≦０．０５、０．０３≦β≦０．２の関係を満足する六方晶系チタン酸バリウムを主成分とし、該主成分１００モルに対し、副成分としてＭｇＯ等のアルカリ土類酸化物と、Ｍｎ_３Ｏ_４および／またはＣｒ_２Ｏ_３と、ＣｕＯと、Ａｌ_２Ｏ_３と、希土類元素酸化物と、ＳｉＯ_２を含むガラス成分とを特定量含んでなる誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】比較的に高い比誘電率を示し、絶縁抵抗にも優れ、十分な信頼性が確保された電子部品の誘電体層を製造するのに好適な誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】一般式（Ｂａ_１−αＭ_α）_Ａ（Ｔｉ_１−βＭｎ_β）_ＢＯ_３で表され、結晶構造が六方晶であって、Ｍの有効イオン半径が、１２配位時のＢａ^２＋の有効イオン半径に対して±２０％以内であり、Ａ、Ｂ、αおよびβが、１．０００＜Ａ／Ｂ≦１．０４０、０≦α＜０．００３、０．０３≦β≦０．２の関係を満足する六方晶系チタン酸バリウムを主成分とし、該主成分１００モルに対し、副成分として、ＭｇＯ等のアルカリ土類酸化物、Ｍｎ_３Ｏ_４および／またはＣｒ_２Ｏ_３と、ＣｕＯと、Ａｌ_２Ｏ_３と、希土類元素酸化物と、ＳｉＯ_２を含むガラス成分とを特定量含んでなる誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】サイズ効果によっても誘電率が低下しにくく、しかも絶縁抵抗と高い誘電率とを両立させることが容易であり、比誘電率の温度変化が少ない新規な誘電体磁器組成物と、その誘電体磁器組成物を誘電体層として用いる積層セラミックコンデンサなどの電子部品を提供すること。
【解決手段】誘電体粒子２ａが形成された誘電体磁器組成物である。誘電体粒子２ａが、六方晶のチタン酸バリウムで構成されるコア２２ａと、コア２２ａの外周に形成される立方晶または正方晶のチタン酸バリウムで構成されるシェル２４ａとを有する。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率であるとともに比誘電率のばらつきが小さく、かつ低い分極電荷を示すとともに分極電荷のばらつきの小さい積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 チタン酸バリウムを主成分とし立方晶系の結晶粒子を有し、前記結晶粒子の平均粒径が０．０８〜０．２μｍであるとともにＹｂ_２ＴｉＯ_５相を有する誘電体磁器からなり、積層セラミックコンデンサを酸に溶解させて求められる元素の含有量が、バリウム１モルに対して、イットリウムがＹＯ_３／２換算で０．００５〜０．０３モル、マンガンがＭｎＯ換算で０．０２〜０．０４モル、マグネシウムがＭｇＯ換算で０．００７５〜０．０４モル、イッテルビウムがＹｂＯ_３／２換算で０．０２５〜０．１２モルであり、かつ前記誘電体層のＸ線回折分析のリートベルト法解析において、バリウム１モルに対する前記Ｙｂ_２ＴｉＯ_５の含有量が０．００２５〜０．００８０モルである。 （もっと読む）

【課題】誘電体セラミック層が薄層化されても、誘電体セラミックの比誘電率が高く、温度変化や機械的衝撃に対する信頼性に優れた、積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ１の誘電体セラミック層２を構成する誘電体セラミックとして、（Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（ただし、０．０４５≦ｘ≦０．１５）を主成分とし、かつＲｅ_２Ｏ_３（ただし、Ｒｅは、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、ＹｂおよびＹから選ばれる少なくとも１種）、ＭｇＯ、ＭｎＯ、Ｖ_２Ｏ_５およびＳｉＯ_２を副成分とし、一般式：１００（Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３＋ａＲｅ_２Ｏ_３＋ｂＭｇＯ＋ｃＭｎＯ＋ｄＶ_２Ｏ_５＋ｅＳｉＯ_２で表わされ、０．６５≦ａ≦１．５、０．１５≦ｂ≦２．０、０．４≦ｃ≦１．５、０．０２≦ｄ≦０．２５、および０．２≦ｅ≦３．０の各条件を満足する、誘電体セラミックを用いる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、比誘電率が高く、また静電容量の温度変化の小さい積層セラミックコンデンサを得ることができる誘電体磁器組成物を提供することを目的としている。
【解決手段】 本発明に係る誘電体磁器組成物は、８６.３２〜９７.６４モル％のＢａＴｉＯ₃、０.０１〜１０.００モル％のＹ₂Ｏ₃、０.０１〜１０.００モル％のＭｇＯ、０.００１〜０.２００モルのＶ₂Ｏ₅からなる誘電体主成分と、ＭｎＯ，Ｃｒ₂Ｏ₃，Ｃｏ₂Ｏ₃からなる群から選ばれる一種以上の第１添加物０.０１〜１.０モル％と、｛Ｂａα，Ｃａ（１−α）｝ＳｉＯ₃（ただし、０≦α≦１）である第２添加物０.５〜１０.０モル％と、ＢａＴｉＯ₃１００重量部に対し、Ｓｒ：１０〜５００ｐｐｍ Ｓ：１０〜５０ｐｐｍ Ａｌ：１０〜５０ｐｐｍ Ｆｅ：１０〜５０ｐｐｍ Ｚｒ：１００〜８００ｐｐｍ Ｙ：１０〜１００ｐｐｍ Ｈｆ：１０〜１００ｐｐｍを含むことを特徴としている。 （もっと読む）

実施形態は、有機性の液相材料中に金属含有分散相材料を含む液体複合誘電材料（ＬＣＤＭ）であって、４０Ｈｚにおいて１００００以上の誘電体誘電率（ε_ｒ）および４０Ｈｚにおいて１以下の誘電損失（ｔａｎδ）を有するＬＣＤＭに関する。
（もっと読む）

【課題】 従来の誘電体磁器組成物は、焼成温度が高く、小型化、薄型化が可能な積層型電子部品に用いることができなかった。また、共振周波数における温度係数が高いため、特に、バンドパスフィルタに用いた場合、通過帯域における信号の挿入損失が大きく、バンドパスフィルタとして十分な特性が得られない。
【解決手段】 ＭｇＴｉＯ_３、Ｍｇ_２ＴｉＯ_４、ＣａＴｉＯ_３を含有し、一般式でｘＭｇＴｉＯ_３・ｙＭｇ_２ＴｉＯ_４・ｚＣａＴｉＯ_３と表される組成において、ｘ、ｙ、ｚがモル％でそれぞれ、７５．８≦ｘ≦８２．５、１４．１≦ｙ≦１８．１、１．５≦ｚ≦６．１の範囲にあるセラミックスであり、セラミックス１００重量部に対して、結晶化ガラスを２５〜３０重量部添加する。
【効果】 共振周波数における温度係数を小さくできると共に、積層型電子部品の誘電体層間の導体パターンを構成する銀や銅等の融点よりも低い温度で焼結可能になる。 （もっと読む）

【課題】結晶性の良い複合酸化物を経済的に製造する方法を提供する。
【解決手段】バリウム、ストロンチウム、カルシウム、マグネシウム及び鉛からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物と、チタン、ジルコニア及び錫からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物とを混合して焼成温度まで加熱し、焼成し、降温して複合酸化物を製造する複合酸化物の製造方法において、前記降温工程における降温速度を３℃／分以上、４００℃／分以下に調整する。降温は好ましくは炉内に気体を導入して行う。 （もっと読む）

【課題】薄膜キャパシタ等に用いた場合に、高いチューナビリティを発現させ得る誘電体薄膜を形成する方法及び該方法により得られた誘電体薄膜を有する薄膜キャパシタとチューナブルデバイスを提供する。
【解決手段】Ｂａ_1-xＳｒ_xＴｉ_yＯ₃（０．２＜ｘ＜０．６、０．９＜ｙ＜１．１）の誘電体薄膜をゾルゲル法で形成するときに、塗布から焼成までの工程は２〜９回行い、初回の焼成後に形成される薄膜の厚さは２０〜８０ｎｍとし、２回目以降の焼成後に形成される各薄膜の厚さは２０〜２００ｎｍ未満とし、初回から２〜９回までのそれぞれの焼成は大気圧雰囲気下、昇温速度１〜５０℃／分で５００〜８００℃の範囲内の所定の温度まで昇温させることにより行い、誘電体薄膜の総厚は１００〜６００ｎｍとする。 （もっと読む）

【課題】ＢａとＴｉとを含む配合原料を熱処理することにより合成される、ペロブスカイト型結晶構造を有するセラミック粉末であって、仮焼・合成度が高く、特性の良好なセラミック粉末を確実に提供することが可能なセラミック粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】 少なくともＢａとＴｉとを含む配合原料を仮焼することにより合成される、ペロブスカイト型結晶構造を有するセラミック粉末を加熱・昇温し、５００℃から９００℃の温度範囲における重量減少率を測定して、該重量減少率の値から前記セラミック粉末の合成度を評価する工程を設ける。
上記のペロブスカイト型結晶構造を有するセラミック粉末がＢａＴｉＯ₃を主たる成分とするものである場合に、上記の評価方法を適用して合成度を評価する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低温同時焼成セラミック基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明による低温同時焼成セラミック基板は、ディオプサイド系結晶化ガラスを有する第１誘電体層が１つ以上積層されたセラミック本体と、前記セラミック本体の上面及び下面のうち少なくとも一面に形成され、前記第１誘電体層の焼成温度で前記第１誘電体層とともに焼結され、１０ｗｔ％以上の非晶質を含む第２誘電体層と、を含む。本発明による低温同時焼成セラミック基板は、ディオプサイド系結晶化ガラスを含むため、高周波帯域において誘電損失が小さく、第２誘電体層がディオプサイド系結晶を形成する第１ガラス粉末の急激な結晶化による流動性を補充する。これによって、均一な表面を有し、且つ反り現象が発生しない低温同時焼成セラミック基板を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率であり、比誘電率の温度変化率が小さくかつＡＣ電界特性の小さい誘電体磁器およびそれを用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】 チタン酸バリウムを主成分とする結晶相を主たる結晶相とする誘電体磁器であって、その結晶粒子の平均粒径が０．０５〜０．２μｍであり、前記イットリウムおよび前記マンガンの含有量が、前記誘電体磁器に含まれるバリウム１モルに対して、前記イットリウムがＹＯ_３／２換算で０．００１４〜０．０３モル、前記マンガンがＭｎＯ換算で０．０００２〜０．０４５モルであり、前記マグネシウムの含有量が、前記チタン酸バリウム１００質量部に対して、ＭｇＯ換算で０．０６５〜０．３４質量部であり、かつ、前記誘電体磁器のＸ線回折チャートにおいて、チタン酸バリウムの面指数（１１０）の回折強度に対するパイロクロアの面指数（２２２）の回折強度の割合が５．８〜２０．０％である。 （もっと読む）

【課題】静電容量の温度特性を示すＸ７Ｒ特性（ＥＩＡ規格）およびＢ特性（ＥＩＡＪ規格）をいずれも満足することができ、且つ、静電容量および絶縁抵抗の電圧依存性が小さく、絶縁破壊耐力に優れ、内部電極層としてＮｉまたはＮｉ合金が使用可能な積層コンデンサなどの電子部品と、その電子部品の誘電体層として用いて好適な誘電体磁器組成物およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウムと、Ｍ成分（ただし、Ｍはマンガン酸化物、鉄酸化物、コバルト酸化物およびニッケル酸化物の群から選択される少なくとも１種類以上の成分）とを主成分とし、強誘電体相領域を有する誘電体磁器組成物であって、前記強誘電体相領域における前記Ｍ成分の濃度が、外側から中心に向けて変化している。 （もっと読む）

【課題】一般式：ＡＢＯ₃で表されるペロブスカイト型構造を有する誘電体磁器組成物であって、Ａ／Ｂ比（モル比）が１以下で、結晶性に優れ、高い誘電率を有する誘電体磁器組成物を確実に、しかも効率よく製造することが可能な誘電体磁器組成物の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の工程で、Ａサイト元素化合物と、Ｂサイト元素化合物を、モル比：Ａ／Ｂが１を超える割合で配合し、焼成することにより、一般式：ＡＢＯ₃で表されるペロブスカイト型複合酸化物を合成した後、第２の工程で、このペロブスカイト型複合酸化物に、Ｚｒ化合物を、ＺｒがＢサイト成分の一部と考えた場合に、全体としての前記、モル比：Ａ／Ｂが１以下となるような割合で混合してセラミック原料とする。
好ましくは、第２の工程において、モル比：Ａ／Ｂが１未満になるような割合で前記Ｚｒ化合物を混合する。 （もっと読む）

【課題】誘電体セラミック層が薄層化されても、信頼性、特に負荷試験における寿命特性に優れた、積層セラミックコンデンサを実現できる、誘電体セラミックを提供する。
【解決手段】主成分が（Ｂａ，Ｒ）（Ｔｉ，Ｍｎ）Ｏ_３系または（Ｂａ，Ｃａ，Ｒ）（Ｔｉ，Ｍｎ）Ｏ_３系（Ｒは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕおよび／またはＹ）であり、副成分として、Ｍ（Ｍは、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｖ、Ｗ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ａｌおよび／またはＭｇ）と、Ｓｉとを含む、誘電体セラミック。各主成分粒子１１の断面上における、Ｍが存在している領域１２の面積割合が、平均値で１０％以下である。 （もっと読む）