説明

Fターム[5G323BA02]の内容

電線ケーブルの製造 (4,138) | 導電層の出発材料 (1,212) | 酸化物 (540)

Fターム[5G323BA02]に分類される特許

121 - 140 / 540


【課題】成膜面にダメージを与えることなく、効率よく酸化物透明導電膜を成膜し、かつ装置コストを抑制する。
【解決手段】単一のスパッタ装置1を用いて成膜用基板S上に酸化物透明導電膜を成膜する方法であって、成膜中におけるスパッタ装置1の投入電力を一定とし、成膜時の圧力(P)、およびターゲットTと成膜用基板Sとの距離(dTS)の積(P×dTS)で表される成膜パラメータを、酸化物透明導電膜の成膜開始時に60Pa・mm以上とし、酸化物透明導電膜の成膜途中に、成膜パラメータが60Pa・mmよりも小さくなるように、成膜時圧力および/または距離を変化させる。 (もっと読む)


【課題】PETフィルム等の汎用高分子基板を用いた場合でも、基板上に優れた導電性と光透過性とを有する導電性膜を、簡易かつ安価に、そして生産性良く製造することができる、導電性膜の製造方法、及び、導電性膜を提供する。
【解決手段】導電性微粒子を含む有機溶媒分散体を用いて基板上に導電性膜を製造する方法であって、該製造方法は、有機溶媒分散体を基板に塗工し、パターンを有する導電性膜を形成する工程と、赤外線を照射する工程とをこの順に行うことによって基板上にパターンを有する導電性膜を形成することを特徴とする導電性膜の製造方法。 (もっと読む)


【課題】酸化亜鉛を有する透明導電膜を含み、シート抵抗が低く、かつ、湿熱条件後においてもシート抵抗の変動が少なく、屈曲性に優れた酸化亜鉛系導電性積層体及びその製造方法並びに酸化亜鉛系導電性積層体を用いた電子デバイスを提供する。
【解決手段】酸化亜鉛系導電性積層体1は、基材11の少なくとも片面に、アンダーコート層12と、透明導電膜13とが形成された酸化亜鉛系導電性積層体であって、透明導電膜は、酸化亜鉛系導電材料からなる透明導電層を複数層形成してなり、かつ透明導電膜のキャリア密度が2.0×1020〜9.8×1020cm−3であり、酸化亜鉛系導電性積層体は、直径15mm丸棒に対して透明導電膜を内側にして屈曲させ、屈曲前後でのシート抵抗値変化率が50以下である。 (もっと読む)


【課題】タッチパネルに用いた際のペン摺動耐久性、高温高湿条件下での抵抗安定性に優れる透明導電性フィルムの製造方法を提供すること。
【解決手段】透明プラスチックフィルム基材上の少なくとも一方の面に結晶質の酸化インジウムを主とした透明導電膜が10nm以上積層された透明導電性フィルムの製造方法であって、透明プラスチックフィルム基材上の少なくとも一方の面に結晶質の酸化インジウムを主とした透明導電膜を成膜する際、透明導電膜の膜厚が10nm以上のときの成膜雰囲気の酸素ガス分圧に対する質量数28のガス分圧の比が、1.0×10−4〜1.0×10−1になるように、ガス分析装置でインライン観測を行うことで、酸素流量を制御して成膜する透明導電性フィルムの製造方法。 (もっと読む)


【課題】汎用性の高いフレキシブル基材上にシート抵抗値が十分に小さく、湿熱条件後においてもシート抵抗値の上昇が抑制できる透明導電層を具備する透明導電性フィルム及びその製造方法並びに透明導電性フィルムを用いた電子デバイスを提供する。
【解決手段】フレキシブル基材11の少なくとも片面に、(A)珪素、炭素及び酸素を含む元素からなる化合物を含有するコート材料からなるアンダーコート層12と、(B)透明導電層13とが順次形成された透明導電性フィルムとする。 (もっと読む)


【課題】高い光散乱能を達成し、製造プロセスの温度を低く抑えるために、表面テクスチャの微細構造を精密に制御した透明導電膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛系ターゲットを用いて、加熱した基板上にスパッタリングし、表面処理を施すことにより、TiとAlを原子比で、0.001≦Ti/(Zn+Al+Ti)≦0.079、かつ0.001≦Al/(Zn+Al+Ti)≦0.079、ただし、0.01≦(Ti+Al)/(Zn+Al+Ti)≦0.08の割合で含有し、中心線平均表面粗さが30nm以上200nm以下で、表面にサイズの異なる凹型レンズ状テクスチャを有し、そのテクスチャ幅の平均値が100nm〜10μmである酸化亜鉛系透明導電膜を製造し、電子素子、光学素子又は太陽電池に利用する。 (もっと読む)


【課題】
光閉じ込め効果に優れたテクスチャが形成された透明導電層付き基板を提供する。
【解決手段】
導電性基板上に酸化亜鉛を主成分とする透明導電層が形成されてなる透明導電層付き導電性基板であって、 当該透明導電層は、酸化亜鉛を主成分とする第一の透明導電層と、酸化亜鉛を主成分とする第二の透明導電層とが順次積層されてなり、前記第一の透明導電層は、SIMSで測定した原子濃度として、5×1018個/cm以上、5×1021個/cm以下の窒素原子を含み、前記第二の透明導電層は、SIMSで測定した原子濃度として、2×1019個/cm以上、2×1021個/cm以下のホウ素原子を含み、かつ、2×1020個/cm以上、8×1021個/cm以下の水素原子を含む、透明導電層付き導電性基板、によって解決する。 (もっと読む)


【課題】他の部材と貼り合わせるときに気泡が残留し難い透明電極シートを得る。
【解決手段】透光性を有しその表面に電極を支持可能な支持基材と、透光性を有し前記支持基材の表面に備えられた透明電極とを有する透明電極シートで、透明電極の側面が凸凹である。透明電極は、例えばタッチパネルのセンサ電極である。好ましくは、透明電極を支持基材の表面に固定する感光性接着剤層を支持基材と透明電極との間に備え、透明電極が、導電性微粒子の集合体を圧縮して形成した圧縮膜からなる。 (もっと読む)


【課題】好ましい透明性及び導電性を有する透明導電性積層体、及び塗布法によってこのような透明導電性積層体を得る方法を提供する。
【解決手段】本発明の透明導電性積層体は、透明基材3、この透明基材上に堆積している透明導電性膜を有する。ここで、透明導電性膜は、第1の導電性金属酸化物の粒子20の層、及びこの層中に存在している第2の導電性金属酸化物4、4’を有する。また、第2の導電性金属酸化物4、4’は、第1の導電性金属酸化物の粒子の層20中において金属化合物を焼成して得られた金属酸化物である。また更に、第2の導電性金属酸化物4、4’は、第1の導電性金属酸化物の粒子の層20の、透明基材3とは反対の表面側に偏在しており、且つ/又は第2の導電性金属酸化物4、4’は、第1の導電性金属酸化物の粒子の層20中に分散している金属化合物を、溶解させ、再析出させ、そして焼成して得られた導電性金属酸化物である。 (もっと読む)


【課題】透明導電膜のヘイズ率を高くしても、その表面の表面粗さの上昇を抑制できる透明導電膜付きガラス板を提供する。
【解決手段】ガラス板11と、ガラス板11上に形成された透明導電膜15と、を備え、透明導電膜15が透明導電層(透明導電層A)13と透明導電層(透明導電層B)14を有し、透明導電層B14が透明導電層A13の上に形成され、透明導電膜15が複数の空孔13a(13b)を含み、複数の空孔13a(13b)の各々が、透明導電層A13の表面における凹部13hを透明導電層B14塞いだものである、透明導電膜付きガラス板10、を提供する。透明導電膜ガラス板10は、透明導電層A13の表面の一部の領域をエッチングによって膜厚方向に後退させるとともに、当該一部の領域を塞ぐように透明導電層A13の上に透明導電層B14を形成することで得ることができる。 (もっと読む)


【課題】ITOがアモルファスとなる成膜温度で、低抵抗で表面が平坦なITO透明導電膜を、膜剥がれを起こさずに安定して形成するための形成方法、それによって形成されたITO透明導電膜、およびそれを形成するための形成装置を提供する。
【解決手段】ITO透明導電膜の形成装置100は、レーザー光Lの照射機構を備えており、真空チャンバー1内で、スパッタリング法によりITOの薄膜を形成する成膜工程と、薄膜にレーザー光Lを照射するレーザー光照射工程とを繰り返えすことによりITO透明導電膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】優れた導電性と化学的耐久性とを兼ね備えた酸化亜鉛系透明導電膜の成膜を可能にする酸化亜鉛系透明導電膜形成材料、その製造方法、それを用いたターゲットおよび酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 実質的に亜鉛、チタン、酸素および窒素からなる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料であって、該透明導電膜形成材料は、チタンが原子数比でTi/(Zn+Ti)=0.02超0.1以下、窒素とチタンが原子数比でN/Ti=0.1〜0.6となるよう含有されている酸化物混合体または酸化物焼結体であり、前記酸化物混合体が、酸化亜鉛相、低原子価酸化チタン相および窒化チタン相から構成され、前記酸化物焼結体が、酸化亜鉛相、チタン酸亜鉛相、窒化チタン相から構成される。 (もっと読む)


【課題】良好な可視光の透過率とある程度の電気抵抗を維持しながら、エッチング特性に優れた透明電極膜であり、この透明電極膜を形成するスパッタリングプロセスにおいて、ノジュールの形成や異常放電を少なくすることができるターゲットとなり、さらにターゲットの製造に際して、焼結性の高い粉体を供給するための粉砕工程において、粉砕メディア(ジルコニア)からの汚染(コンタミ)を無視できる組成のターゲットを提供する。
【解決手段】酸化インジウム中に酸化ジルコニウム5重量%(超)〜10重量%含有することを特徴とする透明電極膜。 (もっと読む)


【課題】可視光透過率及び導電性に優れ、安価な透明導電膜を提供する。
【解決手段】一般式M(1−G)(但し、M元素は、H、He、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類元素、Fe、In、Tl、Sn、のうちから選択される1種類以上の元素、A元素は、Mo、Nb、Ta、のうちから選択される1種類以上の元素、Wはタングステン、Oは酸素、0<E≦1.2、0<G≦1、2≦J≦3)で表記される複合酸化物を含み、波長400nm以上780nm以下の領域で透過率の最大値が10%以上92%未満であり、膜の表面抵抗が1.0×1010Ω/□以下である透明導電膜を提供する。 (もっと読む)


【課題】 優れた導電性と化学的耐久性とを兼ね備えた酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明の酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法は、パルスレーザ堆積法(PLD法)により酸化亜鉛系透明導電膜を形成する方法であって、実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなる酸化物焼結体または酸化物混合体を加工してなるターゲットを膜形成材料とし、該膜形成材料中に含まれるチタンと亜鉛との原子数比がTi/(Zn+Ti)=0.02超0.1以下である。 (もっと読む)


【課題】 基板と、前記基板上に形成された亜鉛と錫との複合酸化物からなる透明導電膜とを備える透明導電膜付基板における透明導電膜の改質方法において、基板の熱劣化や熱ひずみを十分に抑制しつつ、透明導電膜の抵抗率を短時間で効率よく且つ十分に低下させることが可能な透明導電膜の改質方法を提供すること。
【解決手段】 基板と、該基板上に形成された亜鉛と錫との複合酸化物からなる透明導電膜とを備える透明導電膜付基板における透明導電膜の改質方法であって、前記透明導電膜にフラッシュランプを用いて光照射量が2〜25J/cmであるフラッシュ光を照射して前記透明導電膜を加熱することによりアニール処理を施すことを特徴とする透明導電膜の改質方法。 (もっと読む)


【課題】アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属膜の上に、インジウムを含む金属酸化物からなる透明導電膜が積層された構造の導電膜パターンを良好に形成する。
【解決手段】弗酸を含む水溶液を用いて透明導電膜40をエッチングし、そのエッチング側面43をサイドエッチングしてレジスト膜50の下に後退させる。次に、第2エッチャント70でエッチングすると、レジスト膜50の下面52、エッチング側面43、エッチング側面33及び金属膜30のエッチング底面32で形成される領域に液溜まり71が形成され、ラインP1→P2→P3のように、エッチング底面32が下方向に後退しながら、透明導電膜40のエッチング側面43及び金属膜30のエッチング側面33も後退していくので、エッチング側面43とエッチング側面33とが連続した面一の面あるいはエッチング側面43の方が後退した形状に形成される。 (もっと読む)


【課題】これまでの透明電極付き基板では、表面粗さは基板に依存しており、その上に形成される下地層や透明電極層では表面粗さを制御できず、この為、ミクロンオーダー以下の凹凸の制御ができず、光学設計にも限界があった。
【解決手段】下地層として、一部または全部が粒子状の酸化ケイ素からなる層を用いることで、ナノレベルの凹凸の制御および屈折率の制御が可能となり、結果として透明電極付き基板の光学特性を大きく向上することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】簡便な工程で、帯電防止機能が高く且つ透明性に優れる透明導電膜を透明基板上に形成する。
【解決手段】本発明の透明導電膜の製造方法は、導電性粒子と、樹脂と、前記樹脂を溶解可能で且つ沸点が120℃以上の溶剤とを含むコーティング組成物を作製する工程と、透明基板の上に、前記コーティング組成物をスプレーコーターにより塗布して塗膜を形成する工程と、前記塗膜を乾燥して透明導電膜を形成する工程とを含むことを特徴とする。また、本発明の透明導電膜は、上記本発明の透明導電膜の製造方法によって形成されたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 優れた導電性と化学的耐久性と近赤外領域での高透過性とを兼ね備えた酸化亜鉛系透明導電膜の成膜を可能にする透明導電膜形成材料と、その製造方法およびそれを用いたターゲット、そのターゲットを用いる酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 実質的に亜鉛と、銅と、アルミニウムまたはガリウムと、酸素とからなり、銅と、アルミニウムまたはガリウムと、亜鉛がそれぞれ原子数比で以下の関係を有する酸化物混合体または酸化物焼結体から構成される酸化亜鉛系透明導電膜形成材料である。
(a)Cu/(Zn+Cu+M)=0.01〜0.10
(b)M/(Zn+Cu+M)=0.01〜0.10
(c)(Cu+M)/(Zn+Cu+M)=0.02〜0.10
(但し、MはAlまたはGaを表わす。) (もっと読む)


121 - 140 / 540