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Fターム[5G323BA02]の内容

電線ケーブルの製造 (4,138) | 導電層の出発材料 (1,212) | 酸化物 (540)

Fターム[5G323BA02]に分類される特許

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【課題】ペン入力耐久性および高温高湿信頼性に優れる透明導電体層を有する透明導電性フィルムを提供すること。
【解決手段】透明なフィルム基材の片面に少なくとも1層のアンダーコート層を介して、透明導電体層を有する透明導電性フィルムであって、前記透明導電体層は、厚さdが15〜35nmであり、平均表面粗さRaが0.37〜1nmであることを特徴とする透明導電性フィルム。 (もっと読む)


【課題】本発明では、導電性積層体を、高温での処理を行わずに得ることを可能にする方法を提供する。また、本発明では、このような方法によって製造できる新規な導電性積層体を提供する。
【解決手段】基材及びこの基材上に堆積している導電性膜を有する導電性積層体を製造する本発明の方法は、導電性材料の粒子が分散している分散液の層を、基材上に提供し、分散液の層を乾燥及び焼成して、基材上に導電性粒子層を形成し、導電性粒子層に、第1の光源、そして第2の光源を用いて照射することを含む。ここで、第1の光源は、境界波長以下の波長のエネルギーの割合が第2の光源よりも少なく、且つ境界波長が、250nm〜450nmの範囲の波長から選択される。 (もっと読む)


【課題】タッチパネルに適用される透明導電構造及びその製造方法を提供すること
【解決手段】少なくとも1つの透明基板を有する基板ユニットと、前記少なくとも1つの透明基板の上表面に形成された少なくとも1つの第1の被覆層を有する第1の被覆ユニットと、前記少なくとも1つの第1の被覆層の上表面に形成された少なくとも1つの透明導電層を有し、前記少なくとも1つの透明導電層の内部に所定の埋め込み型回路パターンに配列形成された複数の嵌め込み型導電回路が設けられた透明導電ユニットと、前記少なくとも1つの透明導電層の上表面に形成されるとともに前記複数の嵌め込み型導電回路を被覆するための少なくとも1つの第2の被覆層を有し、前記少なくとも1つの第2の被覆層の頂端に操作子(例えばユーザの指又は如何なる他のタッチペン等)がタッチ可能なタッチ表面が設けられた第2の被覆ユニットと、を備える。 (もっと読む)


【課題】透明フィルム基材上に、透明導電層および導電性金属層がこの順に形成された導電性積層フィルムの製造において、導電性金属層成膜時のシワの発生を抑止する。
【解決手段】本発明の製造方法は、ポリエステル系樹脂を構成材料とする長尺透明フィルム基材上に透明導電層が形成された長尺透明導電性フィルムが搬送されながら、透明導電性フィルムの透明導電層形成面側に導電性金属層を連続的に成膜される金属層成膜工程を有する。金属層成膜工程は、1Pa以下の減圧環境で行われる。長尺状透明導電性フィルムは、搬送張力が付与されることで連続的に搬送され、透明導電層非形成面側が成膜ロールの表面に接触した状態で、透明導電層形成面側に前記導電性金属層が連続的に堆積される。前記成膜ロールの表面温度は110℃〜200℃であることが好ましい。成膜箇所におけるフィルム基材の長手方向に垂直な面の単位面積あたりの搬送張力が0.6〜1.8N/mmであることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】結晶性ITO膜を、加熱処理を行うことなく短時間で容易に製造することができる、結晶性ITO膜の製造方法を提供する。
【解決手段】不活性ガスおよび酸素ガスを含む第1の混合ガスをチャンバ内に導入した状態で、基板上に種結晶を含むITO膜120をスパッタリング成膜した後に、不活性ガスおよび酸素ガスを含む第2の混合ガスをチャンバ内に導入した状態で、結晶性ITO膜130をスパッタリング成膜する。第1の混合ガスにおける不活性ガスと酸素ガスとの分圧比は、100:5〜7.5の範囲内である。また、第2の混合ガスにおける不活性ガスと酸素ガスとの分圧比は、100:0.5〜2.5の範囲内である。 (もっと読む)


【課題】 透明性、導電性および塗膜の密着強度に優れた透明導電膜を形成可能な透明導電膜形成用分散液、およびこの透明導電膜形成用分散液により形成される透明導電膜、ならびに透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 −(C=O)−CH−(C=O)−基を含む、酸化インジウム、酸化錫および酸化亜鉛からなる群より選ばれる少なくとも1種の金属酸化物の前駆体と、Snドープ酸化インジウム、Sbドープ酸化錫、Znドープ酸化インジウム、Gaドープ酸化亜鉛およびAlドープ酸化亜鉛から選ばれる少なくとも1種の金属酸化物微粒子と、
溶媒と、を含むことを特徴とする、透明導電膜形成用分散液である。 (もっと読む)


【課題】成膜後の金属酸化物粒子の緻密性を改善することができ、所望の性能を有する金属酸化物半導体薄膜や透明導電膜を形成することが可能な金属酸化物粒子分散組成物を提供する。
【解決手段】金属酸化物粒子と、金属塩及び/又は有機金属化合物と、溶媒とを含有する透明導電膜形成用の金属酸化物粒子分散組成物であって、前記金属酸化物粒子は、Zn、Ga、In、Sn、Al、Sb、Cd及びFeからなる群より選択される少なくとも1種の金属の酸化物を含有し、かつ、前記金属塩及び/又は有機金属化合物は、Zn、Ga、In、Sn、Al、Sb、Cd及びFeからなる群より選択される少なくとも1種の金属の金属塩及び/又はZn、Ga、In、Sn、Al、Sb、Cd及びFeからなる群より選択される少なくとも1種の金属を含む有機金属化合物である金属酸化物粒子分散組成物。 (もっと読む)


【課題】膜厚の均一性を高め得る導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】導電性微粒子3が分散された塗料を支持体1の表面に塗布して乾燥することにより導電性微粒子層4を形成する導電性微粒子層形成工程と、導電性微粒子層4を圧縮して導電性微粒子3の圧縮層を形成する圧縮工程と、圧縮層に樹脂を含浸させて導電膜を形成する含浸工程とを含み、導電性微粒子層形成工程の後であって圧縮工程の前に、表面にハードコート層5が形成された支持体6をハードコート層5が導電性微粒子層4と接する状態で支持体1にラミネートするラミネート工程と、ラミネートされた支持体1および支持体6をロール状に巻き取ることによってロール状原反とする巻取工程とを実施する。 (もっと読む)


【課題】耐久性、防汚性、視認性向上効果、オリゴマー抑制効果に優れる透明導電性フィルムおよびこれを用いたタッチパネルを提供する。
【解決手段】基材フィルムの一方の面に、シリカ層(A)と導電層とを基材フィルム側からこの順に有し、前記基材フィルムの前記シリカ層(A)を有する面とは反対面に、樹脂を含むハードコート層とシリカ層(B)とを基材フィルム側からこの順に有し、前記シリカ層(A)およびシリカ層(B)が、ケイ素、炭素および酸素を含む透明導電性フィルムおよびこれを用いたタッチパネル。 (もっと読む)


【課題】良好な厚さを有して光透過率及び導電性が共に優れた透明導電膜を、液相法にて容易に製造することのできる透明導電膜の製造法の提供。
【解決手段】基板10の表面にITOのナノ粒子を含むInSn粒子分散液11を塗布し(A)、乾燥させることによって前記ITOナノ粒子を含むInSn粒子塗膜13を形成する(B)。更に、In及びSnを含む錯体が溶解したInSn錯体溶液21を塗布し(C)、乾燥させることによってInSn錯体塗膜23をInSn粒子塗膜13の上に形成する(D)。これを酸素濃度0.01〜10%の低酸素雰囲気で焼成し、続いて、還元雰囲気でアニールすると、ITOからなり光透過率及び導電性が共に優れた透明導電膜30が、基板10上に形成される(E)。 (もっと読む)


【課題】電極パターンを目立たないようにした透明導電膜とその製造方法を提供する。
【解決手段】透明層の少なくとも1つの面1aには、凹凸加工により凹部1b及び凸部1cが形成されており、凹部1bに積層された第1の導電層2aと凸部1cに積層された第2の導電層2bとが、凹部1b及び凸部1cの凹凸方向において位置をずらして配置されており、第1及び第2の導電層2a,2bは、それぞれ隣り合う導電層と電気的に絶縁されている。 (もっと読む)


【課題】優れた導電性と化学的耐久性とを兼ね備えた酸化亜鉛系透明導電膜を、成膜方法に拘らず安定に形成し得る酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】実質的に亜鉛と、チタンと、酸素と、アルミニウム、ガリウムおよびインジウムからなる群より選ばれる少なくとも1種の微量添加元素とからなる酸化物焼結体であって、前記チタンが、4価の酸化チタン由来のチタンであり、亜鉛、チタンおよび微量添加元素(TE)の合計に対するチタンの原子数比[Ti/(Zn+Ti+TE)]が、0.02以上0.05以下であり、亜鉛、チタンおよび微量添加元素(TE)の合計に対する微量添加元素(TE)の原子数比[TE/(Zn+Ti+TE)]が、0.001を超え0.005未満であり、酸化物焼結体が、5.3g/cm3以上の密度を有し、かつ15mΩ・cm未満の比抵抗を有することを特徴とする、酸化物焼結体。 (もっと読む)


【課題】透明フィルム基材上に結晶質のインジウム系複合酸化物膜が形成された長尺状の透明導電性フィルムを製造する。
【解決手段】本発明の製造方法は、インジウムと4価金属とを含有するインジウム系複合酸化物の非晶質膜が、スパッタ法により前記長尺状透明フィルム基材上に形成される非晶質積層体形成工程、および前記非晶質膜が形成された長尺状透明フィルム基材が、加熱炉内に連続的に搬送され、前記非晶質膜が結晶化される結晶化工程、を有する。前記結晶化工程における加熱炉内の温度は170℃〜220℃であることが好ましい。また、前記結晶化工程におけるフィルム長さの変化率は+2.5%以下であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】AZOやGZOと同等レベルの導電性を有し、酸化亜鉛系透明導電膜を、成膜方法に拘らず安定に形成し得る酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】実質的に、亜鉛と、チタンと、酸素と、アルミニウム、ガリウムおよびインジウムからなる群より選ばれる少なくとも1種の微量添加元素(TE)とからなる酸化物焼結体であって、前記チタンが、式:TiO2-X(X=0.1〜1)で表される低原子価酸化チタンに由来する、酸化物焼結体。 (もっと読む)


【課題】低抵抗、高透過率、適切な表面凹凸をもつ透明導電膜およびその製造方法を提供する。
【課題手段】基板に形成された微細な結晶粒の第1層と、第1層に積層された大きな結晶粒の第2層とを備え、基板の面方向における微細な結晶粒の幅が50nm以下で、第1層の厚さが200nm以下であり、第2層の厚さが300nm以上である透明導電膜によって、前記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】基材の種類に関わらず、良好な電気特性及び光学特性を有する透明導電性シートの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の透明導電性シートの製造方法は、透明基材の一主面上に、透明導電性粒子とバインダ樹脂と溶媒とを含むコーティング組成物を塗布して透明導電膜を形成する第1の工程と、上記透明導電膜を、温度10〜50℃でかつ相対湿度60%以下の環境下で乾燥させることにより、上記透明導電膜中の溶媒量を減少させる第2の工程とを含み、上記コーティング組成物中の固形分濃度は、80%以下であり、上記第2の工程後の上記透明導電膜の乾燥膜厚をa(μm)とし、上記第2の工程後の上記透明導電膜中の溶媒量をb(mg/m2)としたとき、b/a[mg/(m2・μm)]が10以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】低コストで低抵抗化が実現可能であり、赤外領域においても透明性を有する電体基板、導電体基板の製造方法、デバイス、電子機器及び太陽電池パネルを提供すること。
【解決手段】基板と、基板上に設けられ、結晶構造におけるa軸長さが酸化スズ系材料と対応した物質からなり、結晶成長を制御するシード層と、シード層上に設けられ、酸化スズ系透明導電体の結晶からなる導電層とを備える。 (もっと読む)


【課題】ITO代替材料としてのZnO系膜を提供するに当たり、基板加熱法によるエネルギー損失を受けることなく、結晶性が良好で低い比抵抗を有する透明導電膜の製造方法及び透明導電膜を提供すること。
【解決手段】本発明の透明導電膜の製造方法は、気相蒸着法により基板上に酸化亜鉛を含む多結晶膜を形成する多結晶膜形成工程と、前記多結晶膜に通電してジュール加熱を行うことにより前記多結晶膜を結晶成長させた透明導電膜を形成する透明導電膜形成工程と、を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】同一の材料を使用して透明導電膜の積層を行い、可撓性、高透過率を有した透明導電性積層体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明基材の少なくとも一方の面に、非晶性の第一透明導電膜と、結晶性の第二透明導電膜を積層してなる透明導電性積層体であって、前記第一透明導電膜と前記第二透明導電膜が同一組成のスパッタリングターゲットを使用して形成され、かつ、前記第一透明導電膜が成膜時の水分圧を5.0×10-4Pa以上として形成され、前記第二透明導電膜が成膜時の水分圧を5.0×10-4Pa未満として形成されることを特徴とする透明導電性積層体である。 (もっと読む)


【課題】p型の導電膜及びp型の透明導電膜としての高性能な酸化物膜の、量産性に優れた製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明の1つの酸化物膜の製造方法は、酸素を含むガスの雰囲気下で、反応性スパッタリング法により、銅(Cu)からなる第1ターゲット30a,30aとニオブ(Nb)およびタンタル(Ta)からなる群から選択される1種類の遷移元素からなる第2ターゲット30b,30bとを用いて交互にスパッタを行うことにより、基板10上に第1酸化物膜(不可避不純物を含み得る)を形成する工程、及びその第1酸化物膜を不活性ガス雰囲気中で加熱焼成することにより第2酸化物膜(不可避不純物を含み得る)を形成する工程を含む。従って、この製造方法によって形成された酸化物膜は、大型基板上への膜の形成が容易になることから、量産性に優れている。 (もっと読む)


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