【課題】回路用電源電圧としてむやみに高い電圧を用いることなく、シャント抵抗の低電位側端子の電圧がグランド電位付近となる異常が原因で生じる過電流を検出する。
【解決手段】検出電流出力部１１は、シャント抵抗Ｒｓの各端子電圧を入力し、その入力した電圧から負荷２に流れる電流に応じた検出電流を出力する。過電流判定部１２は、検出電流に基づいて負荷２に過電流が流れているか否かを判定する。検出電流出力部１１において、通常時に駆動用電源電圧Ｖｄに近い電圧が印加される部分と、回路用電源電圧Ｖｃに近い電圧が印加される部分との間の経路に第１ダイオードＤ１および第２ダイオードＤ２を逆方向に介在させることにより、第１トランジスタＴ１および第２トランジスタＴ２がブレークダウンして電流が流れることを阻止する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子のゲート電圧閾値が変動しても、スイッチング素子が十分な放電能力を発揮できる、電力変換装置を提供すること。
【解決手段】ハイサイドのスイッチング素子Ｑ１とローサイドのスイッチング素子Ｑ２が直列に接続された直列回路１１を備え、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２が両サイドとも重複してオンすることで、直列回路１１に接続されるコンデンサ１２を放電させる電力変換装置であって、スイッチング素子Ｑ１、Ｑ２に所定の電流値が流れるゲート電圧を測定し、コンデンサ１２を放電させるとき、測定したゲート電圧測定値にスイッチング素子Ｑ１のゲート電圧を制御する制御部とを備えることを特徴とするもの。 （もっと読む）

【課題】指令制御装置の出力した駆動指令信号に関連する回路が誤動作した場合でもアーム短絡を抑止でき、かつ誤動作したことを検知する電力変換回路を提供する。
【解決手段】直列接続された第１、第２スイッチング素子と、前記スイッチング素子を駆動制御する第１、第２駆動制御装置と、駆動制御装置に指令を与える指令制御装置からなる電力変換装置であって、前記駆動制御装置は、指令制御装置の指令信号と他の駆動制御装置の出力するインターロック信号を演算する駆動回路と、スイッチング素子の導通状態を判定する状態判定回路と、指令信号と他の駆動制御装置のインターロック信号と状態判定回路の出力の少なくとも１つを入力するインターロック信号生成回路と、前記指令信号とインターロック信号と状態判定回路の出力の少なくとも２つを入力するフィードバック信号生成回路とを備え、フィードバック信号生成回路の出力を指令制御装置に供給する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング周波数が高くても、適切にトランジスタの保護を行うことが可能なトランジスタ保護回路を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るトランジスタ保護回路１０は、駆動回路３０によって電源４０の高電位側電圧または低電位側電圧がゲート端子に印加されて、スイッチング制御される電圧駆動型のトランジスタ２０の保護を行うためのトランジスタ保護回路である。このトランジスタ保護回路１０は、トランジスタ２０の保護を実行する保護指令を受けたときに、電源４０の高電位側電圧を次第に低下させる電源制御部１２を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、突入電流抑制回路のバイパス手段（サイリスタ）の制御線から商用電源側へ流出するノイズを抑制することが可能な半導体電力変換装置を提供することである。
【解決手段】本発明では、整流回路４と、整流回路４からの入力を平滑化する平滑コンデンサ５と、半導体素子６ａのスイッチングにより平滑コンデンサ５の電圧を変換する電力変換回路６と、整流回路４と平滑コンデンサ５との間に配置されている突入電流抑制回路７とを備えている半導体電力変換装置１において、バイパス手段７ｂの切替動作を制御する制御線Ｖ，Ｗに配置され、バイパス手段７ｂの制御線Ｖ，Ｗから商用電源２側へ伝播するノイズを低減させるように構成された第１のノイズフィルタ回路１１と、突入電流抑制回路７と前記平滑コンデンサ５との間に配置され、電力変換回路６から商用電源２側へ伝播するノイズを低減させるように構成された第２のノイズフィルタ回路１２とを備えている半導体電力変換装置１が提供される。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子をオフするように制御しているにもかかわらず、オフできない異常状態を検出し、スイッチング素子の熱破壊を防止することができる電子装置を提供する。
【解決手段】ＩＧＢＴ１１０ｄに流れる電流が電流閾値より大きくなると、電流検出回路１２５は、ＩＧＢＴ１１０ｄに電流が流れていると判断する。制御回路１２８は、駆動信号がＩＧＢＴ１１０ｄのオフを指示しているにもかかわらず、電流検出回路１２５がＩＧＢＴ１１０ｄに電流が流れていると判断すると、ＩＧＢＴ１１０ｄをオフできない異常状態にあると判断する。そして、オフ保持用ＦＥＴ１２３ａをオンする。その結果、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲートから電荷が放電され、ＩＧＢＴ１１０ｄがオフする。そのため、駆動信号がＩＧＢＴ１１０ｄのオフを指示しているにもかかわらず、ＩＧＢＴ１１０ｄをオフできない異常状態を検出し、ＩＧＢＴ１１０ｄの熱破壊を防止できる。 （もっと読む）

【課題】スイッチングデバイスが過電流の状態ではないが、過電流からの保護に先立ち、スイッチングデバイスの遮断時のサージ電圧を抑制するようにする。
【解決手段】本発明は、電流センサ１０と、コンパレータ５０１と、タイマラッチ５０２と、制御回路８０と、トランジスタ９５とを備える。電流センサ１０は、スイッチングデバイスＱ１の電流を検出し、これに応じた検出電圧ＥＳを出力する。コンパレータ５０１は、検出電圧ＥＳが基準電圧ＥＲ１以上のときに信号を出力する。タイマラッチ５０２は、その出力信号の継続時間が設定時間以上の場合に、サージ抑制検出信号Ｓ３を出力する。制御回路８０は、そのサージ抑制検出信号Ｓ３を基に、スイッチングデバイスＱ１をターンオフさせる駆動信号Ｓ１２を、トランジスタ９５に出力する。基準電圧ＥＲ１は、スイッチングデバイスＱ１に流れる過電流検出時の基準電圧ＥＲ２よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】プリント配線基板上に搭載されるＦＥＴに流れる電流を、ＦＥＴオン時のオン抵抗Ｒｏｎと配線パターン抵抗Ｒｐによる電圧降下Ｖ_ＤＧを基に検出する際に、配線パターンの抵抗Ｒｐにより発生する電圧降下分（オフセット分）をキャンセルして、ＦＥＴ（Ｑｏ）のドレイン・ソース間電圧Ｖ_ＤＳを検出する。
【解決手段】本発明の電流検出回路１は、ＦＥＴ（Ｑｏ）のドレイン端子Ｄと回路グランドＧとの間に、第１の抵抗Ｒｄと第２の抵抗Ｒｏの抵抗直列回路を接続する。そして、第２の抵抗Ｒｏｎと第１の抵抗Ｒｄの抵抗値の比（Ｒｏ／Ｒｄ）が、ＦＥＴ（Ｑｏ）のオン抵抗Ｒｏｎと配線パターンＲｐの抵抗値の比（Ｒｏｎ／Ｒｐ）に一致するように設定する。そして、この第１の抵抗Ｒｄと第２の抵抗Ｒｏとの接続点（ノードＮ１）と回路グランドＧとの間の電圧ＶＲｏを、ＦＥＴ（Ｑｏ）に流れる電流の検出信号として出力する。 （もっと読む）

【課題】過電流から電源スイッチ回路を適切に保護する技術を提供する。
【解決手段】電源スイッチ保護回路は、電源スイッチ回路と、第１回路素子及び第２回路素子の両方がオン状態を示す場合に電源スイッチ回路をオン状態とし、第１回路素子及び第２回路素子の少なくとも一方がオフ状態を示す場合に電源スイッチ回路をオフ状態とする電源スイッチ制御回路と、電源スイッチ回路の出力側の短絡を検出し、短絡が検出されているか否かを示しかつ第１回路素子のオフ状態及びオン状態を切り換えるための短絡検出信号を出力する短絡検出回路と、所定時間内における短絡検出信号の状態変化に応じて、短絡が発生しているか否かを判定し、短絡が発生していると判定すると、第２回路素子がオフ状態を維持するように電源スイッチ制御回路を制御する制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】電力変換回路において、ノーマリオン型トランジスタを利用したスイッチング素子への貫通電流を抑制する。
【解決手段】ハイサイドトランジスタ２１とローサイドトランジスタ２２の少なくとも一方は、ノーマリオン型トランジスタである。２つのゲート駆動回路１１、１２の少なくとも一方は、正電源から供給される第１電源電圧ＶＤＤと、負電圧源３０から供給され接地電圧ＧＮＤよりも低い第２電源電圧ＶＮＥＧとに応じた駆動電圧ＧＨ、ＧＬを、ノーマリオン型のトランジスタのゲートに出力する。制御回路４０は、第２電源電圧ＶＮＥＧが参照電圧Ｖｒｅｆよりも高い場合、ハイサイドトランジスタ２１に流れるドレイン電流を遮断する。 （もっと読む）

【課題】ノイズ耐性が高く、且つ、製造プロセス、電源、及び電源電圧が変動するような場合においても精度が高い、出力トランジスタに対する電流制限回路を提供する。
【解決手段】電流制限回路が、基準トランジスタと、基準トランジスタに所定の電流を流す電流源と、出力トランジスタがオンした時の両端の第１の電位差と基準トランジスタの両端の第２の電位差を比較する比較器であって、第１の電位差が第２の電位差よりも大きくなった場合に、出力トランジスタをオフするように制御する電流制限信号を出力する、比較器とを備える。基準トランジスタは、出力トランジスタとは素子サイズの異なる同型のトランジスタであり、基準トランジスタがオンした時のオン抵抗は、出力トランジスタがオンした時のオン抵抗の１／Ｎの大きさ（Ｎは１より大きい数）であり、更に、基準トランジスタがオンするように基準トランジスタのゲートにバイアスがかけられている。 （もっと読む）

【課題】同時オン防止回路を有し、かつ3レベル電力変換装置の構成部品を少なくし信頼性を向上した3レベル電力変換装置のゲート駆動装置を提供する。
【解決手段】3レベル電力変換装置は、一対の直流電源端子間に順次直列に接続された第一ないし第四の半導体スイッチング素子4〜7をそれぞれ、第一ないし第四のゲート駆動回路28〜31により駆動し、第一及び第二の半導体スイッチング素子4、5のみをオンしたときプラス出力、第二及び第三の半導体スイッチング素子5、6のみをオンしたとき零出力、そして、第三及び第四の半導体スイッチング素子6、7のみをオンしたときマイナス出力を出力する。その際、第一の駆動回路28と第三の駆動回路29、第二の駆動回路30と第四の駆動回路31をそれぞれ同一の基板に実装し、各基板上において、通信線を介して相互に論理回路に接続し、いずれか一方のゲート駆動回路がオンしている時に他方のゲート駆動回路をオフする。 （もっと読む）

【課題】過電流や発熱の発生を未然に回避するという電源回路の保護動作を、ＣＰＵを利用したソフトウェア制御によることなく行えるようにする。
【解決手段】電流検出部２４３は、負荷電流に対応する検出電流Ｉｄｔが閾値Ｔｈ以上となるのに応じて電力供給を停止させる。準異常状態判定部２４４は、電源電圧を定常的に供給すべき機能部に対応する定電圧回路から電源電圧の出力が停止している状態、または、バッテリ電圧の異常に応じてＣＰＵにリセットを指示するリセット信号が出力されている状態が発生している場合に準異常状態が発生していると判定する。レベル設定部２５０は、上記判定に応じて、検出電流Ｉｄｔに対する閾値Ｔｈのレベルが相対的に低くなるように設定を行う。 （もっと読む）

【課題】両極性ブートストラップ回路のキャパシタ充電を短絡電流が流れることがなく安全かつ確実に実施できる電力変換装置を提供する。
【解決手段】各レグ２〜４を構成する上下の各アームのスイッチング素子ＳｕＨ、ＳｕＬ、・・・に対しオン／オフ駆動用の正負両極の電圧を印加するアーム駆動回路ＤＲｕＨ、ＤＲｕＬ、・・・を個別に設け、直流電源Ｖｇ１〜Ｖｇ３からの電力により正負の各電圧を充電する各キャパシタＣ１ｕ、Ｃ２ｕ、・・・を上下の各アームに設け、かつ各レグ２〜４に両極性ブートストラップ回路５〜７を配置し、キャパシタ充電制御を行う制御回路８は、多相交流電源１の各相の電圧の中で最も高い電圧が入力されているレグの上段アーム側のスイッチング素子と、最も低い電圧が入力されているレグの下段アーム側のスイッチング素子のみをオンする制御信号を各相の電圧変化に応じて繰り返し出力する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子、特にＩＧＢＴの特性の違いや温度変化があっても、最適なパラメータを自動的に設定することのできる半導体装置の短絡保護装置を提供する。
【解決手段】ＩＧＢＴのゲート電荷Ｑ_Gに対応する電圧Ｖ_QGを検出する電荷検出手段２２と、ＩＧＢＴの定格動作時の入力部の電荷から負荷短絡が発生したかどうかを判断するための基準電圧Ｖ_REFを発生する基準電圧発生手段２５と、電荷検出手段２２で検出された電圧Ｖ_QGがＩＧＢＴの定格動作時の電荷に対応する電圧か、あるいは負荷短絡時の電荷に対応する電圧かを判断する判断手段２７と、判断手段２７が短絡状態を検出したときにＩＧＢＴを動作停止する信号を出力するゲート駆動手段２１とを持つ半導体装置の短絡保護装置において、基準電圧発生手段２５に、ＩＧＢＴの定格動作時の入力部の電荷に対応するゲート電荷電圧Ｖ_QGのハイレベルで安定した電圧Ｖ_PEAKを検出して記憶する記憶手段２６を設ける。 （もっと読む）

【課題】直流電源１７からスイッチ用のＦＥＴ１８を経て負荷１６へ電力を供給する電源装置においては、２種類の保護回路が設けられていた。第１は、該ＦＥＴの温度を検出し、所定温度に達したら該ＦＥＴをオフする回路である。第２は、デッドショート時のような大過電流が流れた場合には、電流を所定電流に制限する電流制限回路である。保護回路を２種類設けると、部品コストが大になっていた。
【解決手段】比較基準電圧生成回路４０を電流供給部４１と比較基準電圧発生抵抗部４６とで構成し、比較基準電圧Ｖ_X を生成する。過電流検出電圧生成回路５０を電流供給部５１と過電流検出抵抗部５４とで構成し、ＦＥＴ１８の電圧Ｖ_DSが増大すると減少する電流検出電圧Ｖ_Y を生成する。電圧Ｖ_DSの増大を検出してＦＥＴ１８をオフすれば、過電流保護も過熱保護も可能となる。 （もっと読む）

【課題】ワイドバンドギャップ半導体を用いたＦＥＴを使用した、非常に大きな電力を直流に変換する直流電源装置において、１つの駆動電源にて各ＦＥＴに正と負の駆動電圧を与えることで、低価格で小型かつ高効率の直流電源装置を得る。
【解決手段】入力段に突入電流保護回路１を有し、各ＦＥＴ３〜６に対し独立した駆動回路Ｄ３〜Ｄ６を有する。高電圧側のＦＥＴ３、５をドライブトランス１４により駆動し、低電圧側のＦＥＴ４、６においては、駆動電源１７およびＦＥＴ４、６に流れる電流で充電される負バイアス用コンデンサ２４によりゲート電圧を供給可能に構成する。 （もっと読む）

【課題】部品点数を削減し低コストで実現可能な過電流保護回路を備えた電源供給装置および電源供給方法を提供する。
【解決手段】タイマ回路６は、比較回路５から出力される過電流信号Ｓｃを所定時間連続して受信した時、遮断信号Ｓを出力する。制御回路７は、タイマ回路６から出力される遮断信号Ｓを入力すると、チャージポンプ回路８への制御信号の出力を停止する。これにより、スイッチング素子１のゲート端子への電圧印加がなくなり、スイッチング素子１が遮断される。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子Ｓ＊＃のオン状態への切り替えによってこれを流れる電流が急激に大きくなると、ツェナーダイオード４０およびクランプ用スイッチング素子４２を備えて構成されるクランプ回路による対処が間に合わなくなるおそれがあること。
【解決手段】ドライブＩＣ２０に端子Ｔ６を介して入力される操作信号ｇ＊＃がオン操作指令に切り替わることで、定電流用スイッチング素子２２をオン操作して、スイッチング素子Ｓ＊＃のゲートを充電する。スイッチング素子Ｓ＊＃のゲートの充電期間の初期において、クランプ用スイッチング素子４２をオン状態としておく。 （もっと読む）

【課題】本発明は、パワー素子の過電流を速やかに抑制しつつ、ｄｉ/ｄｔを小さくしてパワー素子をオフすることができるゲート回路を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るゲート回路は、パワー素子の過電流発生と同時にパワー素子のゲート電圧の一部を抵抗素子に負担させる過電流抑制手段を有する。さらに、パワー素子の過電流を抑制した後は、抵抗値の高い抵抗素子を用いてパワー素子をゆっくりオフするオフ動作遅延手段を有する。 （もっと読む）