【課題】 ＬＥＤ回路を精度良く時差駆動できるように、デューティー比を維持して入力パルス信号を一定の遅延時間で正確に遅延可能なパルス信号遅延回路を提供する。
【解決手段】 入力パルス信号Ｓｉｎの立ち上がりエッジを検出し、該検出タイミングを一定の遅延時間ずつ所定の遅延回数遅延させた第１エッジ検出遅延タイミングを順次出力する第１遅延タイミング信号Ｓｄｔ１を生成する第１パルスエッジ遅延回路１０、入力パルス信号Ｓｉｎの立下りエッジを検出し、該検出タイミングを一定の遅延時間ずつ所定の遅延回数遅延させた第２エッジ検出遅延タイミングを順次出力する第２遅延タイミング信号Ｓｄｔ２を生成する第２パルスエッジ遅延回路２０、第１及び第２遅延タイミング信号から、夫々同じ回数遅延した第１及び第２エッジ検出遅延タイミングで立ち上がり、立ち下がる遅延パルス信号を各別に出力する遅延パルス信号生成回路３０を備える。 （もっと読む）

【課題】 定電流式電荷ポンプの提供。
【解決手段】 ポンプ回路の出力に電流検出回路及び調節回路を設け、これによりポンプ回路の出力電流を制御する。負荷が変動する時、出力電流変化を検出してポンプ回路の増圧出力が必要な電流を調節し、出力電流を安定させる効果を達成し、且つ異なる入力電圧及び負荷変化に対して、その出力電流変化を相当に小さくする。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤの発光出力の消灯時応答を高速化することにより、ＬＥＤを駆動する駆動回路の動作を高速化することを目的とする。
【解決手段】本発明の駆動回路は、ＬＥＤ駆動回路の駆動素子ＰＭＯＳトランジスタ５５に加えて、ＬＥＤ消灯時にＬＥＤのアノード・カソード間容量に充電された電荷を放電させるためのＰＭＯＳトランジスタ１０３を設けた。ＬＥＤ消灯時にＬＥＤ１のアノード・カソード間容量に充電された電荷を放電する電流経路を設けたので、ＬＥＤ消灯を高速に行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】スポット照射によるアタックを検出する受光素子のチップ占有面積を削減すること。
【解決手段】光照射アタック検出器は、光照射アタック検出のためのフォトダイオードPD1、キャパシタC1、電圧プリセット回路Pre_Ckt、電圧検出器Det_Cktにより構成される。スポット光照射Lgtにより、フォトダイオードPD1のPN接合の逆方向電流は増大する。アタック有無によるキャパシタC1の検出電圧Vsenのレベル変化は、電圧検出器により検出される。光照射の無い場合でも、逆方向電流は温度上昇によって増大して、検出電圧のレベルが低下する。電圧プリセット回路はクロック信号CLKに応答してキャパシタの端子電圧をプリセットして、温度上昇による検出電圧のレベル低下を補償する。 （もっと読む）

【課題】出力信号が異なるＬＥＤストリングに応答して最適化される定電流駆動回路を提供する。
【解決手段】定電流駆動回路は、第１の電流源と、基準電圧生成回路と、出力信号生成回路とを備える。第１の電流源の端子は、第１のＬＥＤストリングの端子と接続され、ここで、第１の電流源の端子は第１の電圧を有する。基準電圧生成回路は、基準電圧を生成すると共に、第１の比較信号を生成するために第１の電圧を第１の所定電圧と比較し、それによって基準電圧を調整するのに使用される。出力信号生成回路は、第１のＬＥＤストリングの端子に出力信号を出力すると共に、入力信号を受信するのに使用される。ここで、出力信号生成回路は、基準電圧と第２の電圧との比較結果に従って入力信号を出力信号として出力するか否かを決定する。 （もっと読む）

【課題】ゲートアレイなどで構成する場合に、動作特性の低下をできるだけ抑制しつつ、各構成要素の配置の自由度が大きな電流負荷駆動回路の提供。
【解決手段】この発明は、ＬＥＤ４に代表される電流負荷を駆動する電流負荷駆動回路であり、第１カレントミラー回路１と、第２カレントミラー回路２と、第３カレントミラー回路３とを備えている。そして、第１、第２および第３カレントミラー回路１〜３の全体を入力回路５、中間回路６、および出力回路７に分割し、その分割位置を、第１カレントミラー回路１および第２カレントミラー回路２の各電圧経路上に設けるようにした。 （もっと読む）

【課題】パルス幅の差分を演算出力する回路構成で高精度な検知を行う近接検知センサを提供する。
【解決手段】近接検知センサは、検知電極２と、検知電極２と接地との間の静電容量変化を検知パルス信号Ｐ_１に変換して出力する第１検知回路４と、所定の時間でチャージされる参照コンデンサ６と、この参照コンデンサ６の静電容量変化を参照パルス信号Ｐ_２に変換して出力する第２検知回路８と、検知電極２及び参照コンデンサ６を一定の時間間隔でチャージするトリガ信号ＴＧを生成するトリガ信号生成回路１０と、第１検知回路４から入力される検知パルス信号Ｐ_１と第２検知回路８から入力される参照パルス信号Ｐ_２とから差分パルス信号Ｐ_３を算出する演算回路１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】 半導体試験装置では光ＭＯＳＦＥＴリレーが多く用いられているが、オン、オフ時間にばらつきがあり、また受光素子の経年変化等によっても変化するので、これらのばらつきを吸収するためにウエイト時間を設定して駆動しているが、このウエイト時間のために装置のパフォーマンスが低下してしまうという課題を解決する。
【解決手段】 光ＭＯＳＦＥＴリレーを出力電流を可変することができる可変電流駆動部で駆動し、オン、オフ時間が設定された値になるように、可変電流駆動部の出力電流を調整するようにした。光ＭＯＳＦＥＴリレーのオン、オフ時間のばらつきを吸収することができるのでウエイト時間を設定する必要がなくなり、半導体試験装置のパフォーマンスを向上させることができる。また、オン、オフ時間の経年変化を補償することができる。 （もっと読む）

【課題】無負荷及び有負荷での漏れ電流の検出感度を好適に設定することができる出力回路及びそれを用いた検出スイッチを提供する。
【解決手段】制御手段１１は、電源投入時に、スイッチング素子２１のオン状態において、出力電流検出手段２５により検出された出力電流に基づいて、出力電圧検出手段２４による漏れ電流の検出感度を変更して記憶手段１２に記憶させる設定ステップと、設定ステップ終了後に、記憶手段１２に記憶される検出感度に従って、出力電圧検出手段２４による漏れ電流の検出を行う検出ステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】導通時の損失が低減されたＭＯＳＦＥＴを用いた整流装置で、２端子のダイオードとの置き換えが容易であると共に、ＭＯＳＦＥＴのオン時に連続して駆動電圧を生成してＭＯＳＦＥＴのオン動作が継続できる構造を提供する。
【解決手段】寄生ダイオードを内蔵したＭＯＳＦＥＴＳ１のソース・ドレイン間の導通電圧を所定の電圧まで昇圧する昇圧回路２と、昇圧回路２の出力電圧で動作するゲート制御回路１を備え、昇圧回路２の出力電圧は電源切替回路３により昇圧回路２の電源電圧として供給される。ＭＯＳＦＥＴＳ１はドレイン電極を電位基準として回路構成し、昇圧回路２は、ドレイン電極を電位基準とした正のソース・ドレイン電圧を昇圧し、ＭＯＳＦＥＴＳ１のドレイン・ゲート間に正の駆動電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】フォトカプラ回路の大幅な寿命延長を実現すること。
【解決手段】フォトカプラ回路１の発光部４への通電電流を所定時間が経過するまでは低レベルに抑制しておき、その後、発光部４への通電電流を増大する。これにより、簡素な回路構成によりフォトカプラ回路１の大幅な寿命延長が実現する。 （もっと読む）

【課題】光センサ回路のレイアウト面積を増大させることなく、光センサ回路の消費電流を一定に保ち、熱平衡状態を維持することのできる光センサ回路および光センサアレイを提供する。
【解決手段】光センサ回路は受光した光量に応じた値の光電流を生成する光電変換手段，増幅回路，増幅回路の入出力端子間に接続されて前記光電流を積分するコンデンサおよびコンデンサの両端に接続されたリセットトランジスタを有し、リセットトランジスタを待機モードでオンさせる。また、この光センサ回路を複数有する光センサアレイについても適用できる。 （もっと読む）

【課題】寄生インダクタンスを最小化し、２０Ｇｂｐｓ程度まで使用可能な半導体リレーを実現する。
【解決手段】接地金属板上に配置された半導体基板と、この半導体基板上に積層された絶縁層及び単結晶層と、この単結晶層上に形成された配線に接続された発光ダイオードと、前記単結晶層に形成された光起電力素子、サイリスタ、ダイオード及び２個一組の出力用ＦＥＴと、前記接地金属板と隔離して形成された４個の信号パッドからなり、前記発光ダイオードのアノードとカソードのそれぞれが前記信号パッドの２個にボンディングワイヤを介して接続され、前記出力用ＦＥＴのそれぞれのドレイン電極と信号パッドの他の２個が前記ボンディングワイヤを介して接続され、前記接地金属及び信号パッドの底面を除く前記半導体基板上の電子部品を樹脂封止型パッケージで封止した。 （もっと読む）

【課題】温度特性の良好な発振回路およびこの発振回路を用いた高周波発振型近接スイッチを提供する。
【解決手段】ＬＣタンク回路と負性抵抗回路のトランスコンダクタンス値を可変制御するトランスコンダクタンス設定回路を備え、負性抵抗回路は、第１のトランスコンダクタンスアンプの出力に接続されて所定レベルに出力信号の振幅を制限する非線形回路と、この非線形回路の出力を第１のトランスコンダクタンスアンプの入力にフィードバックする。またトランスコンダクタンス設定回路は、そのトランスコンダクタンス値を可変自在な第２のトランスコンダクタンスアンプと、このアンプの出力信号を積分した制御信号を出力する積分回路を備え、第１および第２のトランスコンダクタンスアンプは、それぞれ積分回路から出力される制御信号を受けてこの制御信号に応じたトランスコンダクタンス値に制御される。 （もっと読む）

【課題】低電圧駆動で駆動される低耐圧素子で構成される論理回路部分と駆動電圧に耐える高耐圧の素子を同一チップのＩＣで構成する場合、高耐圧素子の部分に半導体製造プロセスによる微細加工が適用できず、プロセス工程が増加するという問題があった。
【解決手段】電源供給端子ＶＤＤにソース端子が接続されたＰチャンネル型の第１と第２のＭＯＳトランジスタと、グランドにソース端子が接続されたＮチャンネル型の第３と第４のＭＯＳトランジスタと、前記第３のＭＯＳトランジスタのドレインにソース端子が接続されるＮチャンネル型の第５のＭＯＳトランジスタと、前記第４のＭＯＳトランジスタのドレインにソース端子が接続されるＮチャンネル型の第６のＭＯＳトランジスタと、第２の電源供給端子ＶＤにソースが接続されたＰチャンネル型の第７と第８のＭＯＳトランジスタとを備える。 （もっと読む）

【課題】フォトカプラの長期使用に伴う電流変換効率（ＣＴＲ）の低下を抑制してＰＷＭ信号等の安定した伝送を可能にし、しかも構成簡単な絶縁形信号伝送回路を提供する。
【解決手段】フォトカプラ１により信号を絶縁して伝送する絶縁形信号伝送回路において、前記フォトカプラ１を、前記信号が加えられる発光ダイオード１ａと、この発光ダイオード１ａの出力光を受光するフォトダイオード１ｃと、このフォトダイオード１ｃにベースが接続されたトランジスタ１ｂとにより構成し、トランジスタ１ｂの出力端子に一端が接続される負荷抵抗Ｒ_Ｌの値を約１６．０〔ｋΩ〕〜約２０．０〔ｋΩ〕とし、かつ、負荷抵抗Ｒ_Ｌの他端を約１１〔Ｖ〕の定電圧に維持する。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコン薄膜トランジスターにふさわしいＡ／Ｄ変換回路を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜ポリシリコンを能動層に用いたトランジスターを備えたＡ／Ｄ変換回路において、測定量を電流量に変換するセンサー１と、前記電流量に応じた電圧に変換する電流電圧変換回路と、前記電流電圧変換回路で変換された前記電圧を検出し、所定の信号を出力するコンパレーター回路３とを備え、前記電流電圧変換回路が、前記センサー１の出力端（Ｎｏｄｏ−Ａ）に接続されたトランジスター２１と、前記トランジスター２１とベース電極同士が接続されたトランジスター２２と、前記第２のスイッチ素子に直列に接続されたコンデンサー２０とを備える。 （もっと読む）

ジョイスティックのような可動対象２の運動を検出する検出回路１は、第１の方向における前記ジョイスティックの第１の運動を検出する第１の検出器１００であって、第１の検出器１００が、光スポット３の存在／不在を検出する第１の検出器ユニット１０１を有し、前記光スポット３の場所が前記第１の運動に依存する、当該第１の検出器１００と、第２の方向における前記ジョイスティックの第２の運動を検出する第２の検出器２００であって、第２の検出器２００が光スポット３の第１／第２の強度を検出する第２の検出ユニット２０１を有し、光スポット３の強度が前記第２の運動に依存する、当該第２の検出器２００とを備える。このような検出回路１は、アセンブリ中の部品のずれの影響を受けにくく、製造するのがより単純であり、より低コストである。第２の検出器２００は、前記ジョイスティックの位置から独立して全体的に光スポット３内に配置され、第１及び第３の検出器は、前記ジョイスティックの位置に依存して部分的に光スポット３内に配置される。検出ユニット１０１は、光ダイオード１２０及び光ダイオード１２０からの信号をデジタル化するトランジスタ１２１を有する。
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【課題】ＰＷＭ信号におけるＯＮ信号の期間が極めて短い場合であっても、ノイズによる誤動作及び過電流によるスイッチ素子の破損を好適に防止することである。
【解決手段】ＬＥＤ１１への電流の導通を制御するスイッチ素子３１と、ＬＥＤ１１の明るさを制御する調光回路３２と、スイッチ素子３１を流れる電流が所定の上限値を上回った否かを検出する電流検出回路３３と、前記ＰＷＭ信号がＯＮ信号の期間にスイッチ素子３１を流れる電流値が上限値を上回ったと前記電流検出回路３３で一度でも検出され、なおかつ、その現象が連続して複数サイクル繰り返される過電流状態にあるか否かを判定する判定回路３４と、前記判定回路３４で過電流状態にあると判定された場合に、前記スイッチ素子３１の動作を停止させる保護回路３５と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】一対の検出電極Ａ、Ｂの一方に印加された検出源信号Ｐａから得られる伝達信号Ｐｂが、人体等の物体の接近により変化することを利用した静電容量型の接近センサー装置５０、５０Ａ、５０Ｂで、狭帯域のバンド・パス・フィルタを用いなくとも検出源信号Ｐａと近い周波数を有する妨害信号の影響を受けない、耐ノイズ性に優れた接近センサー装置を提供する。
【解決手段】伝達信号アンプ２１の出力側と積分器３１の入力側との間に、検出源信号Ｐａと周波数が等しく、かつ、一定の位相関係を有し、更にデューティー比が５０％以下である検出副信号Ｐｅに従い、伝達信号アンプ出力Ｐｃのピーク値を含む所定区間においてのみ周期的にオンとなるようスイッチングする検出副信号スイッチとを設けたことを特徴とする。 （もっと読む）