【課題】 部品点数を減らして小型化及び低コスト化を図った交流・直流兼用型のソリッドステートリレーを提供すること。
【解決手段】 一対の入力端子と、前記一対の入力端子間に接続される発光素子と、前記発光素子の発光を光電変換して電流を出力する光電変換素子と、前記光電変換素子の出力によって導通するスイッチング素子と、交流電源又は直流電源と負荷とが接続される一対の出力端子と、対角する一対の端子が前記スイッチング素子の電流入力端と電流出力端との間に接続され、対角する他の一対の端子が前記一対の出力端子間に接続されるブリッジ型の整流素子とを含む、ソリッドステートリレー。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で検知信号の精度を向上させた近接センサを提供する。
【解決手段】検知対象物Ｍの状態によってコンダクタンスＧｃが変化する検知コイルＬ１を含むＬＣ共振回路１と、スイッチング素子Ｑ５，Ｑ６のカレントミラー回路によりクロスカップル接続した一対のスイッチング素子［Ｑ１，Ｑ２］、［Ｑ３，Ｑ４］に直流バイアス電流Ｉｂを供給し、スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ４の動作によって発振電圧Ｖｔを発生させてＬＣ共振回路１を励振する発振回路２と、直流バイアス電流Ｉｂを増減させて発振回路１の発振振幅を所定値に一致させることによって、発振回路２の負性コンダクタンスＧｏｓｃを検知コイルＬ１のコンダクタンスＧｃに近付ける負性コンダクタンス制御回路３と、直流バイアス電流値に応じた検知信号Ｖｏｕｔを出力する信号処理回路４とを備える。 （もっと読む）

【課題】発光素子の明るさを精度良く制御し、旦つシステムの消費電力を低減する。
【解決手段】発光素子１１と定電流回路１２が直列接続された負荷回路１０と、出力電圧制御回路２１、誤差増幅器２２、該誤差増幅器２２の非反転入力端子に基準電圧Ｖ_REFを入力させる基準電圧源２３、およびスイッチ２６を備えた昇圧回路１０Ａを有する。定電流回路１２は、負荷駆動信号Ｖ_Cがハイレベルである期間中は動作をオンし、ロウレベルである期間中は動作をオフする。出力電圧制御回路２１は、負荷駆動信号Ｖ_Cがハイレベルである期間中は動作をオンし、ロウレベルである期間中は動作をオフし、且つ動作がオンしている期間は誤差増幅器２２の出力電圧Ｖ_ERRに応じて負荷回路１０に供給する電圧Ｖ_OUTを制御する。スイッチ２６は、負荷駆動信号Ｖ_Cがハイレベルである期間中は定電流回路１２に加わる検出電圧Ｖ_IREFを選択し、ハイレベルである期間中は基準電圧Ｖ_REFを選択して、誤差増幅器２２の反転入力端子に入力する。 （もっと読む）

【課題】消費電流が極めて少ない光検出回路を提供すること。
【解決手段】ゲートが相対するＰチャネルＭＯＳトランジスタのドレインに夫々接続された２個の相対するＰチャネルＭＯＳトランジスタを有し、一方のＰチャネルＭＯＳトランジスタのドレインは、光発電素子で発生した電圧でオンするＮチャネルＭＯＳトランジスタで放電し、もう片方のＰチャネルＭＯＳトランジスタのドレインは、ゲートに基準電源端子の電圧が入力され、ソースに光発電素子で発生した電圧が入力されるディプレッション型ＮチャネルＭＯＳトランジスタのオン電流で放電される構成とした。 （もっと読む）

【課題】出力用ＭＯＳＦＥＴにおけるゲート酸化膜の絶縁劣化を防止する。
【解決手段】出力用ＭＯＳＦＥＴ１６ａ、１６ｂの各ゲート・ソース間に、２つの抵抗Ｒ１、Ｒ２と、抵抗Ｒ２に並列に接続されたダイオードＤ１から構成されるクランプ回路を接続する。フォトダイオードアレイ１３の出力電圧が設計値の例えば２０Ｖ以下であれば、抵抗Ｒ２における電圧降下がダイオードＤ１の順方向電圧に略等しくなり、出力用ＭＯＳＦＥＴ１６ａ、１６ｂのゲートには、フォトダイオードアレイ１３の出力電圧がそのまま印加される。一方、フォトダイオードアレイ１３の出力電圧が２０Ｖ以上になると、抵抗Ｒ２における電圧降下がダイオードの順方向電圧で固定されるので、２０Ｖの電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】電源投入時に誤動作しないコンパレータ及び検出回路を提供する。
【解決手段】コンパレータの出力端子に、ＭＯＳトランジスタと定電流源からなる出力回路を設け、さらにＭＯＳトランジスタのゲートにスイッチ制御回路で制御されるスイッチ回路を設けた。電源投入時に、スイッチ制御回路は、出力電圧を所定の電圧に固定するようにスイッチ回路を制御する。検出回路は、物理量をセンスしセンス電圧を出力するセンス回路と、基準電圧回路とによりハイ又はローを出力する出力回路を備える。 （もっと読む）

【課題】発光素子のドライバ回路においてノイズ発生を抑制する。
【解決手段】発光素子２０２と、発光素子２０２と直接に接続された電流制限用インダクタ２４との直列接続部と、直列接続部に並列に接続され、電流制限用インダクタ２４に蓄えられたエネルギーを回生する回生用ダイオード２７と、発光素子２０２及び電流制限用インダクタ２４に流れる電流を制御するトランジスタ２６と、トランジスタ２６の動作を制御する制御部２２と、電流制限用インダクタ２４と電磁気的に結合し、制御部２２に制御信号を出力するタイミング用インダクタ２８とを備え、制御信号に応じて制御部２２からトランジスタ２６を制御する。 （もっと読む）

【課題】発光素子のドライバ回路において異常発振を抑制する。
【解決手段】発光素子２０２と、発光素子２０２と直接に接続された電流制限用インダクタ２４との直列接続部と、直列接続部に並列に接続され、電流制限用インダクタ２４に蓄えられたエネルギーを回生する回生用ダイオード２８と、発光素子２０２及び電流制限用インダクタ２４に流れる電流を制御するトランジスタ２６と、トランジスタ２６の動作を制御する制御部２２と、を備え、制御部２２は、発光素子２０２に印加される電源の電圧値に応じてスイッチング素子を制御する。 （もっと読む）

本発明は、物体の接近を検出する、特にジェスチャを認識する静電容量式センサシステムに関する。本発明の課題は、部品が簡単で、低コスト、空間要件も小さく実装でき、また、消費電力量が少なく低用量バッテリでも長時間作動できる、静電容量的に動作するセンサシステムの提供である。上記課題を解決する回路構成は、センサ電極周囲の誘電特性変化に基づいて、近似処理に関連する出力信号を生成する回路構成であって、少なくとも幾つかのセクションで、観察領域に隣接するセンサ電極と、交流電圧を出力するマイクロコントローラ（μＣ）と、該μＣが出力した交流電圧のレベルを調整する分圧回路と、インピーダンス変換器として機能する電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）と、を有し、該ＦＥＴを、分圧回路が出力した電圧を、そのゲート入力に存在させると同時に、センサ電極（Ｅ_S）でも存在するように、回路構成に組込むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で高精度に検知対象物の近接や接触を検知すること。
【解決手段】静電容量型センサ１０は、検知対象物との間の静電容量を検知する検知電極１１と、検知電極１１の所定方向の検知をシールドするシールド電極１２と、これらの電極１１，１２を所定間隔Ｌだけ離間配置した状態で覆うとともに、ドア２の縁部２ａに取り付けられる絶縁性の被覆部材１３とを備える。近接判定装置は、この静電容量型センサ１０からの検知信号に基づく検知対象物の接触等を判定する検出回路部２０も有する。このように構成された静電容量型センサ１０および近接判定装置では、簡単な構成で静電容量型センサ１０に検知対象物が接触あるいは非接触等を高精度に検出することができる。ドア２等への検知対象物の挟み込み等の事故防止を図ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】送信コイルにシングルパルスの電流信号を流し、誘導結合する受信コイルに発生するダブルパルスの電圧信号を非同期に受信できる低電力で高速な非同期誘導結合送受信技術を提供する。
【解決手段】非接触近接通信を行うための送信回路（１）には送信データの論理値の変化毎に前記第１コイル（１０）に第１方向の電流(Ｉ_Ｔ)を流す構成を採用する。前記第１コイルに誘導結合する第２コイル（２０）に接続された受信回路（２１）には、前記第１方向の電流によって第２コイルに誘起されるダブルパルスの誘導電圧（Ｖ_Ｒ）を判定して単極性のシングルパルス信号（Ｂ）を出力する比較器（２２）を採用し、比較器が出力する前記シングルパルス信号を入力する毎に出力を順序回路（２３）で反転させて受信データの再生を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＰＷＭ駆動のリニアリティ低下やダイナミックレンジ縮小を招くことなく、単一の外部制御信号のみを用いて装置自体のオン／オフ制御と負荷のＰＷＭ駆動の双方を実現することが可能な負荷駆動装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るＬＥＤドライバＩＣ１は、ＰＷＭ駆動される輝度制御信号ＰＷＭからイネーブル信号ＥＮを生成するイネーブル制御部１０Ａ（図１では平滑回路）と；イネーブル信号ＥＮに応じてオン／オフ制御され、かつ、輝度制御信号ＰＷＭに応じてＬＥＤ２のＰＷＭ駆動を行う負荷駆動部２０と；を有して成る構成とされている。 （もっと読む）

【課題】電流負荷への電流供給を適切に制御でき、電流負荷を高速に停止できて電流制限抵抗が不要な電流負荷駆動回路を提供すること。
【解決手段】この電流負荷駆動回路の場合、カレントミラー回路１ｂの電圧経路上で入力回路５ｂ、出力回路７ｃを分割し、カレントミラー回路２ｃを含む出力回路７ｃに備えられた電圧制御回路では、スイッチ回路Ｓａ、Ｓｂの働きでＭＯＳトランジスタＮ１をオフにして電流負荷のＬＥＤ４（調光可能）の消灯を行う。制御端子Ｔ１、Ｔ２に入力された低レベルの制御信号を入力したＮＯＲ回路１２からは、高レベルの制御信号がゲートバイアス電圧として高耐圧Ｐ型ＭＯＳトランジスタＰ３に印加され、トランジスタＰ３のドレイン電圧は、ソース電圧（ＬＥＤ４の電源電圧）に一致した状態となってＬＥＤ４が高速消灯される。各カレントミラー回路及び電圧制御回路によってＬＥＤ４の駆動電流を制御するため、電流制限抵抗が不要となる。 （もっと読む）

【課題】センサ部の内部抵抗のばらつきに関わらず、センサ出力を精度よく検出することができるセンサ装置を提供する。
【解決手段】検出回路３は、センサ部２のセンサ出力と基準電圧Ｖｒｅｆとの電圧差に応じた電流を出力する電圧電流変換器４と、電圧電流変換器４の出力と回路グランドとの間に接続されたコンデンサＣ１と、リセット信号によって駆動されるスイッチング素子ＳＷ１とを有する。ここで、コンデンサＣ１の両端電圧が検出回路３の出力電圧Ｖｏｕｔとして取り出される。電圧電流変換器４は、センサ部２の出力に接続された第１の入力端Ｉｎ１と、基準電圧Ｖｒｅｆが印加された第２の入力端Ｉｎ２とを具備し、第１および第２の両入力端Ｉｎ１，Ｉｎ２間に生じた電圧差に相当する大きさの電流を出力端Ｔｏから出力する。 （もっと読む）

【課題】電気信号の検出を高感度にする。
【解決手段】基板１１ｃをそなえるとともに、基板１１ｃに、出力端に接続される終端抵抗とインピーダンスが実質的に整合し、入力端からの信号を伝搬する信号伝搬路１１ａと、信号伝搬路１１ａの途中箇所において信号伝搬路１１ａに非接触に形成された線路１１ｂ−１，１１ｂ−２と、をそなえる。 （もっと読む）

【課題】温度変化や製造プロセスのばらつきに起因する出力の変動を抑制する。
【解決手段】温度が上昇するとバイアス電圧生成回路28からNMOSトランジスタ26のゲートに供給されるバイアス電圧Ｖ_ＧＳが低下することで参照電流Ｉrefが低下し、温度上昇に伴う電圧Ｖcの低下幅が小さくなり、温度が低下するとバイアス電圧Ｖ_ＧＳが上昇することで参照電流Ｉrefが増大し、温度低下に伴う電圧Ｖcの増加幅が小さくなる。、製造プロセスのばらつきによりトランジスタの閾値電圧Ｖtが設計値より低下した場合は、バイアス電圧Ｖ_ＧＳも低下することで参照電流Ｉrefが低下し、閾値電圧Ｖtの低下に伴う電圧Ｖcの低下幅が小さくなり、製造プロセスのばらつきによりトランジスタの閾値電圧Ｖtが設計値より上昇している場合は、バイアス電圧Ｖ_ＧＳも上昇することで参照電流Ｉrefが増大し、閾値電圧Ｖtの上昇に伴う電圧Ｖcの増加幅が小さくなる。 （もっと読む）

【課題】センサ素子の出力信号を電圧変換して電圧信号を出力するセンサ装置において、電圧信号の出力特性が線形になるように補正して測定精度を向上することが可能な線形補正回路及び線形補正方法、並びにセンサ装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係る線形補正回路は、センサ素子の出力信号が電圧変換されて得られる電圧を電流に変換する電圧電流変換手段と、電圧電流変換手段の出力電流に基づき補正電流を合成する補正電流合成手段と、補正電流合成手段が出力する補正電流から補正量を決定する電流を調整する電流量調整手段と、電流量調整手段で得られる補正量決定電流により電圧信号の出力特性が線形になるように補正する補正電圧を生成する補正電圧生成手段とを備える。これにより、センサ素子の出力信号に基づいて合成された補正電流から補正量を決定する電流を調整し、補正電圧を生成することができる。 （もっと読む）

【課題】損失を低減できるとともに故障を検出して適切な処置をとりうる一方向導通装置を得る。
【解決手段】一方向導通ユニット１０１ａ，１０１ｂは、陽極端子１６及び陰極端子１７間に接続されゲートにより駆動制御されるＭＯＳＦＥＴ９と、一方向導通ユニット１０１ａ，１０１ｂの動作開始時に整流動作を行うＭＯＳＦＥＴ９の寄生ダイオード９ａと、２端子１６，１７間が導通時に２端子間に発生する導通電圧を所定の電圧に昇圧して出力する昇圧回路２と、昇圧回路２の出力を電源としてＭＯＳＦＥＴ９のゲートに駆動信号を出力するゲート制御回路１とを有するものであって、この一方向導通ユニット１０１ａ，１０１ｂを直列に接続するともに、一方向導通装置１０１ａ，１０１ｂの故障を検出する故障検出回路１０５を設けた。ＭＯＳＦＥＴ９の導通抵抗が低いので、損失を低減できる。 （もっと読む）

【課題】制御用ＩＣと信号パターンとの間の配線による高周波特性への影響を低減することによって、高周波特性を向上させた半導体リレーモジュールを提供する。
【解決手段】半導体リレーモジュールＡは、誘電体基板２０の表面に形成された信号パターン２１ａ，２１ｂの途中に設けられて、信号を通過又は遮断する半導体スイッチ（ＭＯＳＦＥＴ１ａ，１ｂからなる）と、入力信号に応じて光信号を発光する発光ダイオード２と、発光ダイオード２からの光信号を受光し当該光信号に基づいてＭＯＳＦＥＴ１ａ，１ｂをオン／オフする受光素子５とを備え、受光素子５は、信号の伝送方向に沿ってＭＯＳＦＥＴ１ａ，１ｂと一列に並ぶように配置されている。 （もっと読む）

【課題】 ＬＥＤ回路を精度良く時差駆動できるように、デューティー比を維持して入力パルス信号を一定の遅延時間で正確に遅延可能なパルス信号遅延回路を提供する。
【解決手段】 入力パルス信号Ｓｉｎの立ち上がりエッジを検出し、該検出タイミングを一定の遅延時間ずつ所定の遅延回数遅延させた第１エッジ検出遅延タイミングを順次出力する第１遅延タイミング信号Ｓｄｔ１を生成する第１パルスエッジ遅延回路１０、入力パルス信号Ｓｉｎの立下りエッジを検出し、該検出タイミングを一定の遅延時間ずつ所定の遅延回数遅延させた第２エッジ検出遅延タイミングを順次出力する第２遅延タイミング信号Ｓｄｔ２を生成する第２パルスエッジ遅延回路２０、第１及び第２遅延タイミング信号から、夫々同じ回数遅延した第１及び第２エッジ検出遅延タイミングで立ち上がり、立ち下がる遅延パルス信号を各別に出力する遅延パルス信号生成回路３０を備える。 （もっと読む）