【課題】高周波信号の振幅に対する歪みを低減しつつ、スイッチングを実現することが可能なスイッチを提供する。
【解決手段】高周波信号が入力される入力端子と、高周波信号が出力される第１出力端子との間に接続され、入力される高周波信号を第１出力端子から選択的に出力させる第１スイッチング部と、入力端子と、入力された高周波信号が出力される第２出力端子との間に接続され、入力端子に入力される高周波信号を第２出力端子から選択的に出力させる第２スイッチング部とを備え、第１スイッチング部、第２スイッチング部それぞれは、信号線上に設けられるインピーダンス変成器と、エミッタが接地され、コレクタが信号線に接続され、制御電圧に応じた電流がベースに印加されるバイポーラトランジスタと、コレクタが接地され、エミッタが信号線に接続され、制御電圧に応じた電流がベースに印加されるバイポーラトランジスタとを備えるスイッチが提供される。 （もっと読む）

【課題】光信号を送信するための発光素子の駆動に寄与しない無効電流を低減することが可能な駆動回路および宅側装置を提供する。
【解決手段】駆動回路５２は、光信号を送信するための発光素子ＬＤを含む発光回路７５における発光素子ＬＤにバイアス電流を供給するためのバイアス電流供給回路６８と、送信すべきデータの論理値に応じた大きさの変調電流を発光素子ＬＤに供給するための変調電流供給回路６３とを備える。変調電流供給回路６３は、データの論理値に応じて、発光素子ＬＤに電流を供給するか否かを切り替えるための差動駆動回路４１と、差動駆動回路４１の差動出力間に接続された終端抵抗とを含む。差動駆動回路４１および発光回路７５は直流結合されており、差動駆動回路４１が発光素子ＬＤに供給する上記電流の電源は発光回路７５から供給される。 （もっと読む）

【課題】２線式交流スイッチの低消費電力化を実現する。
【解決手段】
交流電源と負荷とを結ぶ電路に挿入される２線式交流スイッチであって、スイッチ端子Ｓ１、Ｓ２と、スイッチ端子間のオンオフを制御するためのゲート端子Ｇ１、Ｇ２と、基板端子Ｓｕｂとを有し、スイッチ端子間に双方向に電流を流すことができ、スイッチ端子Ｓ１が交流電源１に接続され、スイッチ端子Ｓ２が負荷２に接続される半導体スイッチからなるメインスイッチ３と、メインスイッチの基板端子Ｓｕｂを接地するかフローティングにするかを切り替えるサブスイッチ９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】駆動用半導体素子が意図せずに導通することを防止できる半導体素子制御装置を提供する。
【解決手段】駆動用トランジスタＴｒ１１は、一対の直流電源線１３、１４間に直流モータ１２とともに直列に接続される。抵抗素子Ｒ１３は、直流電源線１３と駆動用トランジスタＴｒ１１のゲート端子との間に接続される。コンデンサＣ１１および開路用トランジスタＴｒ１４の直列回路は、駆動用トランジスタＴｒ１１のゲート端子と直流電源線１４との間に接続される。駆動制御回路１５は、通常状態に設定されると、開路用トランジスタＴｒ１４をオンし、制御用トランジスタＴｒ１２、Ｔｒ１３を通じて駆動用トランジスタＴｒ１１の導通状態を制御する。駆動制御回路１５は、制御用トランジスタＴｒ１２、Ｔｒ１３の双方がオフのとき、開路用トランジスタＴｒ１４をオフする。 （もっと読む）

【課題】微細化に適し、且つ演算処理を行う各種論理回路において、演算処理を実行中に電源をオフする場合でも、電源をオフする直前に入力された電位を保持できる論理回路を提供することである。また、該論理回路を有する半導体装置を提供することである。
【解決手段】入力端子および出力端子と、入力端子および出力端子に電気的に接続された主要論理回路部と、入力端子および主要論理回路部に電気的に接続されたスイッチング素子を有し、スイッチング素子の第１端子は入力端子と電気的に接続されており、スイッチング素子の第２端子は主要論理回路を構成する１以上のトランジスタのゲートと電気的に接続されており、スイッチング素子は、オフ状態におけるリーク電流がチャネル幅１μｍあたり１×１０^−１７Ａ以下のトランジスタとする論理回路である。また、このような論理回路を有する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、ワイドバンドギャップ半導体からなるスイッチ素子を駆動するゲートドライブ回路。
【解決手段】ワイドバンドギャップ半導体からなるスイッチ素子Ｑ１であって、ドレインとソースとゲートとを有し、ゲートをドライブする信号とゲートとの間にコンデンサと抵抗の並列接続回路を介して接続され、オフ信号期間は、スイッチ素子Ｑ１のゲート・ソース間を短絡するスイッチＳＷ１とを備えることを特徴とするゲートドライブ回路。 （もっと読む）

【課題】高位電源の電位より高い又は低位電源の電位より低い伝送信号を、ＭＯＳトランジスタを用いたアナログスイッチにより好適に阻止可能なアナログスイッチ回路を提供する。
【解決手段】第１のアナログスイッチ１１と、第１のアナログスイッチ１１の制御端子１１ｃに至る制御信号経路２１上に設けられた第２のアナログスイッチ１２と、伝送信号の電位が所定の高電位レベルより高い場合又は伝送信号の電位が所定の低電位レベルより低い場合に第１のアナログスイッチ１１の一方の入出力端子１１ａと制御端子１１ｃとを短絡するよう構成された第３のアナログスイッチ１３と、を備え、第２のアナログスイッチ１２は、少なくとも第３のアナログスイッチ１３が第１のアナログスイッチ１１の一方の入出力端子１１ａと制御端子１１ｃとを短絡する場合に、所定のレベルの電位が印加されてオフするようＭＯＳトランジスタを用いて構成される。 （もっと読む）

【課題】オンオフ動作させる外部機器のＥＭＩによる誤作動を確実に防ぐスイッチング駆動回路を提供する。
【解決手段】スイッチング駆動回路１は、ＬＥＤ４をオンオフ動作させるスイッチ素子であるｐＭＯＳトランジスタＴ１と、ｐＭＯＳトランジスタＴ１のゲートソース間の抵抗１０と、抵抗１０に制御電流を供給するｎｐｎトランジスタＴ４を含むカレントミラー回路と、抵抗１０及びｎｐｎトランジスタＴ４との間に設けられる遮断回路としてのｎＭＯＳトランジスタＴ５とを備える。制御信号がＬＥＤ４を消灯制御するローレベルＬのときにｎＭＯＳトランジスタＴ５を同時にオフすることで、ＥＭＩの影響により抵抗１０から流れ込出す電流を遮断する。これにより、ＬＥＤ４の誤点灯を確実に防ぐ。 （もっと読む）

【課題】 スイッチ回路におけるリーク電流を低減すること。
【解決手段】 本電子回路は、一端がそれぞれの入力端子ＡＮ１〜ＡＮｎに接続され、他端が共通の出力端子ＯＵＴに接続された複数のスイッチ回路ＳＷ１〜ＳＷｎであって、入力端子ＡＮｉと出力端子ＯＵＴとの間に直列に接続された第１スイッチＳＷｉａ及び第２スイッチＳＷｉｂを含む複数のスイッチ回路ＳＷ１〜ＳＷｎと、第１スイッチＳＷｉａと第２スイッチＳＷｉｂとの中間に位置する中間ノードＭｉに対し、出力端子ＯＵＴの電圧を供給する電圧供給回路２０と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 消費電力の少ない回路によって２線式電子スイッチのＯＮ／ＯＦＦ状態を的確に検出できる外部アダプターを提供する。
【解決手段】 外部アダプター１１は、電子スイッチ１に接続される２つの入力端子１２，１３を備える。分圧抵抗器Ｒ１，Ｒ２は入力電圧を分圧し、分圧抵抗器Ｒ２の両端電圧に基づいて、フォトカプラー１４が電子スイッチ１のＯＮ／ＯＦＦ状態を検出する。インピーダンス調整回路１９は、入力端子１２，１３間に介装された調整抵抗器Ｒ３、フォトカプラー１４の出力に応答して調整抵抗器Ｒ３への通電／遮断を切り替えるトランジスタＱ１およびフォトＭＯＳリレー１８を備え、アダプター１１の入力インピーダンスを電子スイッチ１の接点導通状態で相対的に高く、接点非導通状態で相対的に低く調整する。 （もっと読む）

【課題】リーク電流がスイッチ回路に接続される回路に影響を与えることを抑制することが可能なスイッチ回路の提供。
【解決手段】第１の電位と第２の電位の間の接続状態をオンオフする第１のトランジスタと、該第１のトランジスタのドレインにソースが接続され、前記第１のトランジスタと略同一の特性を有する第２のトランジスタとを備え、前記第１のトランジスタをオフした時に、前記第１のトランジスタのゲート−ソース間電圧Ｖ_GS1と、前記前記第２のトランジスタのゲート−ソース間電圧Ｖ_GS2が略等しくなることを特徴とするスイッチ回路。 （もっと読む）

【課題】 ゲート酸化膜の信頼性を維持しながら、待機時のリーク電流を抑制でき、回路面積の増加を最小限にでき、欠陥を確実に検出することができる半導体集積回路を実現する。
【解決手段】 論理回路１０と電源電圧Ｖ_ddの供給端子との間にスイッチング回路２０を設ける。動作時に、スイッチング回路２０のトランジスタＭＰ０のゲートに０Ｖの電圧を印加し、チャネル領域に電源電圧Ｖ_ddと同じかまたは僅かに低いバイアス電圧Ｖ_Bを印加することで、トランジスタＭＰ０のしきい値電圧を低くし、その電流駆動能力を大きくする。待機時にトランジスタＭＰ０のゲートに電源電圧Ｖ_ddと同じ電圧を印加し、ソースに電源電圧より低い電圧を印可し、チャネル領域に電源電圧Ｖ_ddと同じかまたはそれより高いバルクバイアス電圧Ｖ_Bを印加し、トランジスタＭＰ０のドレイン電流を最少化することにより、論理回路１０の電流経路を遮断し、リーク電流の発生を抑制する。 （もっと読む）

スイッチングタイプのＤＣ−ＤＣパワー・コンバータのＭＯＳＦＥＴメインスイッチ・トランジスタ（１０２）のドレインとゲートとの間にプルダウンＭＯＳＦＥＴ（１１０）が結合される。プルダウンＭＯＳＦＥＴ（１１０）のゲートは、キャパシタ１１８によってメインスイッチ・トランジスタ（１０２）のドレインに結合され、抵抗（１２０）によってメインスイッチ・トランジスタ（１０２）のソースに接続される。プルダウンＭＯＳＦＥＴ（１１０）は、メインスイッチ・トランジスタ（１０２）にわたる電圧降下への容量性結合によって動作され、ミラー効果によるメインスイッチ・トランジスタ（１０２）の意図しないターンオンを避ける又は低減するため、メインスイッチ・トランジスタ（１０２）のゲートをそのソース電位にまたはその近辺に保持するために用いられ得る。

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【課題】オン時の信号歪みが少なく、かつオフ時の抵抗を高くして確実に信号を遮断することができるスイッチ回路を提供する。
【解決手段】第１の端子から入力された電圧信号と切替電圧が入力される増幅器の入力端子と出力端子を結ぶ経路の途中およびこの増幅器の出力側に第１、第２のダイオードを配置し、また第２の端子が接続される経路で、第２のダイオードが接続されていない経路中にスイッチ素子を配置して、このスイッチ素子のオンオフを、第２のダイオードと同じように制御するようにした。信号歪みが少なく、かつスイッチ素子を用いて信号を遮断するので、確実に信号を遮断できる。 （もっと読む）

【課題】アンテナスイッチの電圧生成回路へのＲＦ送信信号の供給に際し、ＲＦ送信出力信号の高調波成分のレベルの増大を軽減する。
【解決手段】半導体集積回路２００は、電圧生成回路１００と送信スイッチ１０１と受信スイッチ１０２を有するアンテナスイッチを含む。送信端子２０３と入出力端子２０１の間の送信スイッチ１０１のトランジスタ２１１のオン・オフは送信制御電圧Ｖ_Txcにより制御され、入出力端子２０１と受信端子２０５の間の受信スイッチ１０２のトランジスタ２１５ａ〜ｄのオン・オフは受信制御電圧Ｖ_Rxcによって制御される。電圧生成回路１００の高周波信号入力端子１０は送信端子２０３に接続され、ＤＣ出力端子１０４から生成される負電圧のＤＣ出力電圧Ｖoutが受信スイッチ１０２のトランジスタ２１５ａ〜ｄのゲート制御端子に供給可能とされる。 （もっと読む）

【課題】マルチプレクサの出力信号波形の歪みを低減する。また、大型化を抑制する。
【解決手段】マルチプレクサ１は、第１の容量素子を介して第１の入力信号を受けるＣＭＯＳスイッチ１０_１と、第２の容量素子を介して第２の入力信号を受けるＣＭＯＳスイッチ１０_２と、クランプ回路３０と、クランプ回路４０と、を備える。クランプ回路３０は、ＣＭＯＳスイッチ１０_１を導通させる場合には、第１の入力信号に同期してＶｃｌｐ１で第１の入力信号をクランプし、ＣＭＯＳスイッチ１０_２を導通させる場合には、第２の入力信号に同期してＶｃｌｐ１で第２の入力信号をクランプする。クランプ回路４０は、ＣＭＯＳスイッチ１０_１を導通させる場合には、第２の入力信号を検出しつつ検出された第２の入力信号をＶｃｌｐ２に近づけるようクランプし、ＣＭＯＳスイッチ１０_２を導通させる場合には、第１の入力信号を検出しつつ検出された第１の入力信号をＶｃｌｐ２に近づけるようクランプする。 （もっと読む）

【課題】シリーズラインの電子スイッチがオフのときのアイソレーション特性を向上させることができ、かつ、高速動作するスイッチ回路を提供する。
【解決手段】入力端子１と出力端子２との間に接続される第１電子スイッチ４と、第１電子スイッチ４がオンするときに互いにオフし、第１電子スイッチ４がオフするときに互いにオンする第２電子スイッチ８と機械スイッチ９とが並列接続されたものであり、入力端子１と出力端子２との間とグランド５との間に接続されるシャント回路７とを有する構成とする。これにより、第１電子スイッチ４がオフしている間、シャント回路７の第２電子スイッチ８および機械スイッチ９をオンすることでリーク電流をグランド５に流す。また、第１電子スイッチ４を高速スイッチングすることでスイッチ回路を高速動作させる。 （もっと読む）

【課題】オンオフの特性変化の確実性を向上することができるトランジスタスイッチ回路およびこれを用いたサンプルホールド回路を提供すること。
【解決手段】ゲート・ソース間電圧がゼロのときにチャネルが形成されているＭＯＳトランジスタと、このＭＯＳトランジスタのゲートに接続された、該ゲートにＭＯＳトランジスタをオフ状態に移行させる電圧を供給する電圧供給部とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 半導体スイッチ回路に要求される挿入損失特性、ハンドリングパワー特性、歪み特性を損なわず、高いアイソレーション特性を実現することができる半導体スイッチ回路を提供する。
【解決手段】 ２つの入出力端子間に、直列接続した複数の電界効果トランジスタで構成される第１のスイッチ素子と、一方の入出力端子と接地との間に、直列接続した複数の電界効果トランジスタで構成される第２のスイッチ素子とを備え、第１のスイッチ素子及び第２のスイッチ素子の接続点と第２の入出力端子との間に、１つの電界効果トランジスタで構成される第３のスイッチ素子を備える。 （もっと読む）

【課題】負荷に対する電圧を制御するために電界効果トランジスタを使用した場合に、電界効果トランジスタのドレイン−ソース間のドレイン電流を高精度で検出する。
【解決手段】増幅アンプ１５の入力端子１５ａおよび１５ｂと、ワイドギャップ半導体ＨＦＥＴ１１のドレインおよびソースとの間に、それぞれスイッチング素子としてＦＥＴ１６および１７が設けられている。ワイドギャップ半導体のＨＦＥＴ１１がオンしたのち、一定時間経過後、ＦＥＴ１６および１７のゲートをオンし、増幅アンプ１５の入力端子間の電圧差で電流値を検出する。これにより、電流検出が必要な時のみスイッチング素子を制御して、ＨＦＥＴ１１ドレインおよびソースを増幅アンプへ接続することで、常時接続している場合と異なり、増幅アンプで発生する熱を抑制し、それに伴うオフセット電圧を抑制し、精度良く電流を検出できる。 （もっと読む）