【課題】直流電源１１からスイッチ用のＦＥＴ１２を経て負荷１４へ電力を供給する電源装置においては、２種類の保護回路が設けられていた。第１は、該ＦＥＴの温度を検出し、所定温度に達したら該ＦＥＴをオフする回路である。第２は、デッドショート時のような大過電流が流れた場合には、電流を所定電流に制限する電流制限回路である。保護回路を２種類設けると、部品コストが大になっていた。
【解決手段】ＦＥＴのドレイン・ソース間電圧に比例した電流Ｉを生成する電流変換回路４と、容量素子を含む一次遅れ回路として構成された過電流検出用電圧発生回路６とを直列接続し、その接続点Ｓの電圧を過電流検出用電圧Ｖ_S とする。過電流検出回路５から制御回路３へ過電流検出信号が入力されて来たとき、制御回路３はＦＥＴ１２をオフする。過電流検出用電圧発生回路６の回路定数の設定を工夫することにより、Ｖ_S を速やかに大になるようにすることが出来、１種類の保護回路で大過電流時にも保護が出来る。 （もっと読む）

【課題】充電対象素子へ充電電流を効率的に供給することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】充電対象素子Ｃに充電電流を供給する半導体装置１は、第１導電型の半導体層１と、充電対象素子Ｃの第１電極に結合される第１ノードＮ１を有し、半導体層１の主表面上に形成される第２導電型の第１の半導体領域２と、電源電圧が供給される電源電位ノードＮＬ１に結合される第２ノードＮ３および第３ノードＮ４を有し、第１の半導体領域２の表面において半導体層１と間隔をあけて形成される第１導電型の第２の半導体領域３と、第２ノードＮ３および第３ノードＮ４から半導体層１への電荷キャリアの移動を制限する電荷キャリア移動制限部とを備える。 （もっと読む）

【課題】 出力オフ時のスイッチング時間を短くすることのできるドライバ回路を提供する。
【解決手段】 実施形態のドライバ回路は、を駆動する出力用ＭＯＳトランジスタＭＶ１が、電源端子ＶＤＤと誘導性負荷ＲＬが接続される出力端子ＯＵＴとの間に接続され、抵抗Ｒ１が、出力用ＭＯＳトランジスタＭＶ１のゲート端子とゲート電圧印加端子ＶＧとの間に接続され、ゲート電圧印加端子ＶＧに一端が接続された抵抗Ｒ２と、一端が抵抗Ｒ２の他端に接続され、他端が接地端子ＧＮＤに接続され、出力用ＭＯＳトランジスタＭＶ１を制御する制御信号ＶＳＷにより導通が制御されるＮＭＯＳトランジスタＭＤ１とを備える。さらに、このドライバ回路は、一端が抵抗Ｒ１の他端に接続され、他端が出力端子ＯＵＴに接続され、ＮＭＯＳトランジスタＭＤ１の一端から出力される信号により導通が制御されるＰＮＰトランジスタＱ１を備える。 （もっと読む）

【課題】電流検出用の抵抗を使用せず、簡易回路で負荷ショートの保護が可能な電子制御装置を得る。
【解決手段】パルス発生源３と第２のスイッチング素子２１との間に接続されたコンデンサ２３を有するトリガ回路と、負荷４と第１のスイッチング素子１１との交点と第２のスイッチング素子２１のベース端子との間にダイオード２５を介して接続されるラッチ回路を有する制御回路を備え、パルス発生源が駆動信号を出力時は、トリガ回路を介し所定時間第２のスイッチング素子２１をオンし、第１のスイッチング素子１１もオンさせ、前記交点の電圧で、ラッチ回路を介し第２のスイッチング素子２１のオン状態を継続させる。駆動信号の停止時は、第１、第２のスイッチング素子は共にオフとし、負荷ショートが発生した時は、パルス発生源３の駆動信号が出力されている場合でも、交点の電圧で、ラッチ回路を介して第２のスイッチング素子２１をオフし、第１のスイッチング素子１１もオフする。 （もっと読む）

【課題】ゲート電流を抑制し且つ高速動作が可能なスイッチング回路を提供する。
【解決手段】窒化物半導体層の主面上に、第１の主電極Ｄｓｗと第２の主電極Ｓｓｗの間に配置された制御電極Ｇｓｗを有するスイッチング素子Ｔｓｗと、スイッチング素子Ｔｓｗの第１の主電極Ｄｓｗにアノード端子が接続された第１の整流素子Ｄ１、第１の整流素子Ｄ１のカソード端子に第１の主電極ＤＤ１が接続され、スイッチング素子Ｔｓｗの制御電極Ｇｓｗに第２の主電極ＳＤ１が接続された第１の駆動素子ＴＤ１、スイッチング素子Ｔｓｗの制御電極Ｇｓｗに第１の主電極ＤＤ２が接続され、スイッチング素子の第２の主電極Ｓｓｗに第２の主電極ＳＤ２が接続された第２の駆動素子ＴＤ２、及び、第１の駆動素子ＴＤ１の制御電極ＧＤ１と第２の駆動素子ＴＤ２の制御電極ＧＤ２にそれぞれ入力される制御信号を受信する入力端子ＩＮ＿Ｈ，ＩＮ＿Ｌを有する駆動回路１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】複数のスイッチ素子を備える装置を小型化すること。
【解決手段】駆動回路１は、キャパシタＣ２１と、充電部を構成する抵抗Ｒ２１およびダイオードＤ２１と、を備える。キャパシタＣ２１は、スイッチ素子Ｑ１１のゲートと、スイッチ素子Ｑ２１のゲートと、の間に設けられ、制御部２２の端子Ｙ３には、スイッチ素子Ｑ１１のゲートが接続されるとともに、キャパシタＣ２１を介してスイッチ素子Ｑ２１のゲートが接続される。抵抗Ｒ２１およびダイオードＤ２１で構成される充電部は、スイッチ素子Ｑ２１のゲートとソースとの間に設けられる。 （もっと読む）

【課題】クランプ回路が未使用状態なのか断線状態なのかを判別する。
【解決手段】温度センサ１ｈの出力が入力される温度検出端子１４ａ〜１４ｃを利用し、クランプ回路５ａ〜５ｃや温度検出回路７ａ〜７ｃの一部がパワーモジュール１に接続されないときには温度検出端子１４ａ〜１４ｃの電位に基づいて温度センサ１ｈが接続されていない断線無効状態を検出する。例えば、温度検出端子１４ａ〜１４ｃのうち温度センサ１ｈに接続されない端子に断線検出無効化閾値Ｖｔｈ３以上の電圧を印加することで、温度検出端子１４ａ〜１４ｃが温度センサ１ｈに接続されていないことを検出する。これにより、クランプ回路５ａ〜５ｃに接続されるクランプ端子１１ａ〜１１ｃの電位に基づいて断線検出を行う際に、断線状態なのか断線無効状態なのかを温度検出端子１４ａ〜１４ｃの電位に応じて判定できる。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチング素子の温度変化によるサージ電圧の発生および変動を抑制すると共にスイッチング損失を低下させることができる半導体スイッチング素子駆動装置を提供する。
【解決手段】各切替スイッチ４２ａ、４２ｂが駆動信号に従ってオン／オフすることにより、駆動手段４０が半導体スイッチング素子１０の制御端子１１に駆動電流を供給する。一方、温度検出手段２０によって半導体スイッチング素子１０の素子温度または半導体スイッチング素子１０の動作環境温度を検出する。そして、駆動手段４０は、温度検出手段２０によって検出された素子温度または動作環境温度に従って制御端子１１に印加する駆動電流の大きさを変更する。これにより、半導体スイッチング素子１０の温度変化によるサージ電圧の発生および変動が抑制され、スイッチング損失が低下する。 （もっと読む）

【課題】サージの発生を抑制すると共に半導体スイッチング素子のスイッチング速度を向上しつつ、回路規模を小さくすることができる半導体スイッチング素子駆動装置を提供する。
【解決手段】時間設定手段４０から短絡検出区間が終了したことを示す時間設定信号を入力すると、この時間設定信号の入力をトリガとして駆動手段６０に対して半導体スイッチング素子１０の制御端子１１に印加する駆動電流を増加するための電流制御信号を出力する。これにより、サージの発生が予想されるミラー区間後に行われる短絡状態の検出が終了した後は制御端子１１に印加される駆動電流ｉが増加するため、サージの発生を抑制しつつ、スイッチング速度が向上する。また、時間設定信号を利用して制御端子１１に流す駆動電流ｉの電流量を制御しているため、制御端子１１の電圧を検出するための構成が不要となり、回路規模が小さくなる。 （もっと読む）

【課題】 並列に接続された複数の半導体スイッチ素子に過電流が流れているか否かを精度良く検出可能な駆動装置等を提供する。
【解決手段】 駆動装置１００は、第１の半導体スイッチ素子ＩＧＢＴ１と、第１の半導体スイッチ素子ＩＧＢＴ１の第２の端子Ｅでの電流を検出するための検出ノードＳＯと、第１の半導体素子スイッチＩＧＢＴ１と並列に接続される少なくとも１つの半導体スイッチ素子ＩＧＢＴ２と、第１の半導体スイッチ素子ＩＧＢＴ１及び少なくとも１つの半導体スイッチ素子ＩＧＢＴ２を駆動する駆動回路ＤＲと、第１の抵抗ＲＧ１と、少なくとも１組の抵抗ＲＧ２，ＲＥ２及び少なくとも１組のコモンモードフィルタＬＧ２，ＬＥ２とを備える。ＲＧ１の抵抗値は、ＲＧ２の抵抗値とＲＥ２の抵抗値とを加算した値に等しい。駆動回路ＤＲの第２の駆動ノードＥＯは、何れの抵抗も介さず、第１の半導体スイッチ素子ＩＧＢＴ１の第２の端子Ｅと直接に接続される。 （もっと読む）

【課題】消費電力を低減させることを目的とする。
【解決手段】デジタル入力回路の分圧回路１１において、システム４からの入力信号が伝搬する信号ラインＬ１から分岐される分岐ラインＬ２にスイッチング素子２３を設け、このスイッチング素子２３をマイクロコントローラ３の動作タイミングに応じてオンオフ制御する。これにより、スイッチング素子２３がオフとされている期間において、分圧回路１１に流れる電流を遮断でき、消費電力を低減させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】短絡時にクランプ解除が為されてしまうことでスイッチングデバイスに過電流が流れることを防止する。
【解決手段】短絡状態が検出されたことを示す短絡信号Ｙが短絡検出フィルタ６を介することなくクランプ回路３に直接入力されるようにする。これにより、短絡時動作として、クランプ解除フィルタ時間の経過が短絡検出フィルタ時間の経過よりも先であった場合にも、クランプ回路３によるクランプ動作を継続することが可能となる。したがって、短絡時にクランプ解除が為されてしまうことでＩＧＢＴ１に過電流が流れることを防止することができる負荷駆動装置とすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 特殊なスイッチを用いず、手動による動作停止およびコントロール回路からの制御による動作停止が可能であり、無駄な電力消費が少ない電源回路を提供する。
【解決手段】 リレースイッチＳＷ２がＯＦＦの状態でスイッチＳＷ１が押圧されると、交流電圧が給電線１０１および１０３間に与えられ、負荷４００に対する直流電圧が立ち上がる。すると、コントロール回路２１０は、リレースイッチＳＷ２をＯＮさせる。このとき、充電回路１１０および１２０では、電解コンデンサＣ１およびＣ２の充電が行われるが、電解コンデンサＣ２の充電電流が小さいため、ＬＥＤ１０４は発光しない。リレースイッチＳＷ２がＯＮの状態で、スイッチＳＷ１が押圧された場合、放電回路１３０が開くため、電解コンデンサＣ２が急速充電される。この場合、ＬＥＤ１０４が発光し、コントロール回路２１０は、リレースイッチＳＷ２をＯＦＦにする。 （もっと読む）

【課題】スイッチがオフ状態（非導通状態）である場合の消費電力を低減する。
【解決手段】スイッチ制御回路は、制御端子に印加される電圧に基づいて、第１の電源線ＶＤＤから供給される電力を出力状態と非出力状態との間で切り替えるＰ−ＦＥＴ１１と、第１の電源線ＶＤＤと制御端子との間に接続される抵抗Ｒ１と、制御端子と第２の電源線との間に、第１のコンデンサーＣ１と第２のコンデンサーＣ２が直列に接続されているコンデンサー分圧回路１３と、第１のコンデンサーＣ１と並列に接続され、自素子の両端間の電位差が、予め定められた閾値以上である場合に導通状態になり、電位差が閾値未満である場合に非導通状態になる制御素子（ＺＤ）と、第２のコンデンサーＣ２と並列に接続され、自スイッチの両端間を導通状態と非導通状態との間で切り替えるスイッチＳＷと、を備える。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子のオンオフによる誘導性負荷の電流応答性を良好なものとしながら駆動回路内の発熱をより抑制する。
【解決手段】誘導性負荷１０を駆動する駆動回路２０に、誘導性負荷１０と並列接続され且つ互いに直列接続された第１の抵抗４２および第２の抵抗４４と、第２の抵抗４４に並列接続されたコンデンサ４６と、誘導性負荷１０と並列接続されゲートが抵抗４２と第２の抵抗４４（コンデンサ４６）との接続点に接続されドレインがグランドに接地されたＮチャネル型のＦＥＴ３２と、ＦＥＴ３２のソースと電源ライン２４との間に介在しドレインからソースの方向を順方向とする第１のダイオード３４とを設ける。 （もっと読む）

【課題】 超音波診断装置等に適用され、送信信号または反射信号の電位変動に対しスイッチの誤動作や素子の破壊を起こすことなく、生体からの反射信号を広帯域、低雑音で受信回路に伝送するT/Rスイッチ回路を実現する。
【解決手段】 ２つのMOSトランジスタのソースを共通に直列接続した共有ソース端子と、双方向スイッチ回路のゲート端子を共通に接続した共有ゲート端子と、２つのMOSトランジスタのドレインが入出力端子に接続されて構成される双方向スイッチ回路と、共有ゲート端子と共有ソース端子に接続され共有ソース端子の電位変動に対して共有ゲート端子の電位を同相で追従させ、スイッチのオンまたはオフ信号を共有ゲート端子に送るフローティングゲート電圧制御回路と、によりスイッチ回路を構成する。 （もっと読む）

【課題】回路規模の増大を抑制しながら、コネクタに接続されたチャージャーの種類を的確に認識する。
【解決手段】電源検出回路１２は、ＶＢＵＳ端子への外部からの給電を検出する。チャージャー検出回路１４は、ＤＰ端子およびＤＭ端子の電圧を検出することにより、チャージャーの種類を特定する。チャージャー検出回路１４は、ＤＰ端子およびＤＭ端子の少なくとも一方のオープン、プルアップ、プルダウンまたは両端子間のショートを検出する。 （もっと読む）

【課題】電圧伝達経路における電圧降下が小さい過電圧保護回路を提供する。
【解決手段】入力電圧と第１の電圧とを入力して、昇圧した第２の電圧を、電圧伝達経路１１０の遮断または導通を制御するスイッチ回路ＳＷのＭＯＳトランジスタＰＳＷのゲートに供給する昇圧回路ＣＰと、ＭＯＳトランジスタＰＳＷのゲートに蓄積された電荷を放電する放電回路ＤＣＧとを備える。 （もっと読む）

【課題】低電圧試験のためのリセット回路及び方法を提供する。
【解決手段】低電圧試験回路１２５と、システム１００および２００と、集積回路パッケージ１０４および２０４における回路１２７の低電圧試験を実行する方法が、電源電圧の一部分である電圧を生成する電圧分割ラダー３２０、一部分を基準電圧と比較する比較器３１０、電圧分割ラダーのトポロジーを制御し、それによって一部分の値を変更するスイッチ３５０を含む、選択可能閾値リセット回路１２５を含み、スイッチは製品試験装置１０２および２０２からの信号によって制御され、信号は、選択可能閾値リセット回路のリセット閾値を標準リセット閾値未満に低減されるようにして、標準リセット閾値未満の電源電圧で回路を試験することを可能にする。 （もっと読む）

【課題】短絡保護のためのクランプ電圧の設定に基づいて、損失を抑制することが可能な負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】ＩＧＢＴ１の温度、出力電流、ミラー電流もしくはゲート閾値電圧Ｖｔｈを検出し、これらのいずれかに基づいてミラー電圧Ｖｍｉｒｒｏｒのバラツキに応じたクランプ電圧を演算する。これにより、クランプ電圧をその状況下でのミラー電圧Ｖｍｉｒｒｏｒに対応する値に低く抑えることが可能となり、クランプ電圧をミラー電圧Ｖｍｉｒｒｏｒのバラツキの最大値、つまりすべての環境変化等を含めた最大値を考慮して設計する場合と比較して、クランプ電圧を小さく抑えられる。したがって、クランプ時にＩＧＢＴ１を損失が大きくなることを抑制しつつ、短絡耐量を向上することが可能となる。 （もっと読む）