【課題】出力回路における各トランジスタのゲート・ソース間に印加される電圧を制限するための構成や単位回路へ入力される制御信号の振幅を小さくするための構成を簡素化する。
【解決手段】単位回路Ｊは、電源線１０１と接地線１０３との間に直列に接続された第１のＰチャネルトランジスタ、第２のＰチャネルトランジスタ、第１のＮチャネルトランジスタ、および第２のＮチャネルトランジスタとを備える。そして、第１のＰチャネルトランジスタがオン状態のときにその電位がＶＤＤとなり、第１のＰチャネルトランジスタがオフ状態のときにその電位がＶＲＥＦ＋Ｖtp2となる第１出力信号Ｖ１を第１出力端子から出力し、第２のＮチャネルトランジスタがオン状態のときにその電位がＧＮＤとなり、第２のＮチャネルトランジスタがオフ状態のときにその電位がＶＲＥＦ−Ｖtn1となる第２出力信号Ｖ２を第２出力端子から出力する。 （もっと読む）

【課題】閾値回路を低消費電力化する。
【解決手段】閾値回路は、ゲート端子が入力端子ＩＮに接続され、ソース端子が電源電位ＶＤＤに接続され、ドレイン端子が出力端子ＯＵＴに接続された第１のＰＭＯＳトランジスタＱ１と、第１の端子が第１のＰＭＯＳトランジスタＱ１のドレイン端子および出力端子ＯＵＴに接続され、第２の端子が接地された電流制限部Ｉ１と、第１の端子が第１のＰＭＯＳトランジスタＱ１のドレイン端子および出力端子ＯＵＴに接続され、第２の端子が接地された電荷蓄積部Ｃ１とから構成される。電流制限部Ｉ１の電流値は、サブマイクロアンペア以下に設定される。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体集積回路は、クロスオーバー電圧の変動幅が増大するという問題があった。
【解決手段】本発明にかかる半導体集積回路は、差動入力の一方に基づいて第１及び第２の信号を生成するプリドライバ４ｃと、差動入力の他方に基づいて第３及び第４の信号を生成するプリドライバ回路４ｄと、ＶＤＤとＶＳＳとの間に設けられ、第１の信号に基づいて制御されるＭＮ４と、第２の信号に基づいて制御されるＭＰ４と、からなる出力回路５ａと、ＶＤＤとＶＳＳとの間に設けられ、第３の信号に基づいて制御されるＭＮ８と、第４の信号に基づいて制御されるＭＰ８と、からなる出力回路５ｂと、ＶＤＤに応じた第１の制御信号を生成する制御信号生成回路６と、を備える。さらに、プリドライバ４ｃは、第１の制御信号に基づいて第１の信号を制御し、第２のプリドライバ４ｄは、第１の制御信号に基づいて第３の信号を制御する。 （もっと読む）

【課題】閾値回路を低消費電力化する。
【解決手段】閾値回路は、ゲート端子が入力端子ＩＮに接続され、ソース端子が電源電位ＶＤＤに接続された第１のＰＭＯＳトランジスタＱ１と、ゲート端子が入力端子ＩＮに接続され、ソース端子がトランジスタＱ１のドレイン端子に接続され、ドレイン端子が出力端子ＯＵＴに接続された第２のＰＭＯＳトランジスタＱ２と、ゲート端子が出力端子ＯＵＴに接続され、ソース端子がトランジスタＱ１のドレイン端子とトランジスタＱ２のソース端子との接続点に接続され、ドレイン端子が接地電位に接続された第３のＰＭＯＳトランジスタＱ３と、第１の端子が出力端子ＯＵＴに接続され、第２の端子が接地電位に接続された電流制限部Ｉ１とから構成される。 （もっと読む）

【課題】連続通弧により半導体スイッチが故障に至るような誤動作を回避するドライブ回路を提供する。
【解決手段】外部から入力された駆動信号に基づいて半導体スイッチ２０を駆動させるドライブ回路１０ｂであって、駆動信号に基づいて半導体スイッチ２０の駆動制御を行うゲートドライバ１６と、ゲートドライバ１６による制御の状態にかかわらず、駆動信号の立ち上がりのタイミングに基づいて半導体スイッチ２０のスイッチング周期の終了時までの所定期間に強制的に半導体スイッチ２０をオフさせる強制オフ回路１８とを備える。 （もっと読む）

【課題】パワーオンリセット以外のリセットの場合に負荷を駆動し続け、パワーオンリセットの場合には、例えば負荷を駆動するための信号が与えられるまで、負荷を駆動しないようにすることが可能な負荷駆動装置、及び該負荷駆動装置を備える負荷駆動制御装置を提供する。
【解決手段】電源ラインＢＬ側と接地電位との間に直列に接続されたコンデンサＣ１及び抵抗Ｒ１からなる微分器が電源ラインＢＬの電圧の立ち上がりを微分した微分電圧に基づいて、入力端子２２１，２３１を電源ラインＢＬに夫々プルアップする抵抗Ｒ４，Ｒ１４の入力端子２２１，２３１側と接地電位との間にダイオードＤ３，Ｄ１３を介して接続されたＦＥＴＱ１が、少なくとも入力端子２２１，２３１に入出力ポート３５，３６より負荷Ｌ１，Ｌ２を駆動するための信号を与えられるまで導通する。 （もっと読む）

【課題】高耐圧化可能な半導体集積回路を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体集積回路は、電源電位と接続された出力ノードと、出力ノードと電源電位より低電位である接地電位との間に直列に接続された第１のｎチャネル型トランジスター、第２のｎチャネル型トランジスターおよび第３のｎチャネル型トランジスターを有し、第１のｎチャネル型トランジスターの一端は、接地電位に接続され、他端は、第２のｎチャネル型トランジスターの一端に接続され、ゲート端子は、入力ノードに接続され、第２のｎチャネル型トランジスターの他端は、第３のｎチャネル型トランジスターに接続され、ゲート端子は、電源電位と接地電位との間に位置する第１中間電位に接続され、第３のｎチャネル型トランジスターの他端は出力ノードに接続され、ゲート端子は電源電位に接続されている。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成でセルフミキシング信号の発生を低減する高周波スイッチ及びこれを用いた受信回路を提供する。
【解決手段】ゲート端子が入力端子側に接続され、ドレイン端子が出力端子側に接続され、ソースが接地された電界効果トランジスタと、前記電界効果トランジスタのゲート端子側に接続されるゲートバイアス電圧調整手段とドレイン端子側に接続されるドレインバイアス電圧調整手段の少なくともいずれか一方を備え、前記ゲート端子と入力端子との間及び前記ドレイン端子と出力端子との間の少なくともいずれか一方に整合回路を備え、導通状態における反射特性と前記遮断状態における反射特性とが略等しくなるように、スイッチを構成している。 （もっと読む）

【課題】 入力信号を２値化する２値化回路を提供する。
【解決方法】 ２値化回路１０は、入力端子２０と基本クロック端子２２と判定クロック端子２３とリセット端子２４と温度補償クロック端子２５と２値化出力端子２６と遅れ出力端子２８とピークホールド回路３０とボトムホールド回路４０と２値化判定回路１２０と入力信号検出回路１３０と停止判定回路１４０を備えている。２値化回路１０では、停止判定信号が入力信号の停止期間を検出し、この停止期間にピークホールド回路３０とボトムホールド回路４０が、各々の記憶値を入力信号に追従して変化させる。これによって、停止期間に、入力信号がピークホールド回路３０とボトムホールド回路４０の記憶値から算出される閾値を越えて変化することが抑制され、停止期間に２値化出力が反転することが抑制される。 （もっと読む）

【課題】ＵＶＬＯ機能を内蔵したドライバ装置を提供する。
【解決手段】電源に接続された第１のスイッチ素子と、前記第１のスイッチ素子と直列接続された第２と、第３と、前記第３のスイッチ素子と並列接続された第４のスイッチ素子と、一端が前記第３及び第４のスイッチ素子に接続され、他端が前記第１のスイッチ素子の制御電極に接続された第１の抵抗と、前記第１の抵抗を介して前記第３のスイッチ素子の負荷となるカレントミラーと、前記カレントミラーに電流を流す放電回路と、外部から入力信号を受けて、前記第２と第３のスイッチ素子を介して前記第１のスイッチ素子と、を交互にオン、オフするように制御し、かつ、前記放電回路及び前記第４のスイッチ素子を、前記電源が立ち上がるときにオンさせて前記カレントミラーに電流を流すことにより、電源が立ち上がった後は前記第４のスイッチ素子をオフする制御回路を備える。 （もっと読む）

【課題】保護回路において、所望の遅延時間を実現する。また、遅延回路の小型化を図り、消費電力を低減させる。
【解決手段】遅延回路１００は、第１のインバータ１０１〜第３のインバータ１０３、第４のｐチャネルＭＯＳＦＥＴ７、第４のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ８、遅延抵抗１２１およびキャパシタ１２２で構成されている。遅延抵抗１２１は、第１のインバータ１０１の出力端子と第２のインバータ１０２の入力端子の間に接続されている。第４のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ８のゲート端子は、遅延抵抗１２１と第２のインバータ１０２の入力端子の間のノード１１３に接続されている。第４のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ８のゲート端子とドレイン端子の間には、キャパシタ１２２が接続されている。第４のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ８の帰還容量を用いることで、キャパシタ１２２の容量を、キャパシタ１２２の物理的な静電容量よりも擬似的に大きくする。 （もっと読む）

【課題】出力信号の立ち下がりのスロープ特性をその場で可変できる機能を有するドライバ回路を提供する。
【解決手段】入力信号ＴＸＤを受け、駆動出力ノードＮ１、Ｎ２から駆動信号Ｖ１、Ｖ２を出力する駆動制御回路１１、１２と、駆動信号Ｖ１、Ｖ２を受けて駆動されるＭＯＳトランジスタＭ７、Ｍ８を有し、差動出力信号Ｖｄｉｆｆを外部負荷に送出する出力バッファ回路１３と、駆動制御回路１１、１２に付加され、入力信号ＴＸＤを受け、該入力信号の論理レベルが所定の方向に変化した時にＭＯＳトランジスタＭ７、Ｍ８がオン状態からオフ状態に変化する動作の開始時間を短縮する動作開始加速回路１４、１５と、動作開始加速回路１４、１５に付加され、選択信号Ｖｓｅｌに応じてＭＯＳトランジスタＭ７、Ｍ８がオン状態からオフ状態に変化する動作の終了時間を可変する動作終了可変回路１６、１７と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】主に自動車のドアの施解錠などに用いられる受信装置に関し、安価であり、かつ受信装置単体で正負逆転した電圧に耐えうることを両立したものを提供することを目的とする。
【解決手段】保護手段３５を、一つのツェナーダイオード３４と複数の整流手段３１〜３３で構成し、ツェナーダイオード３４のアノード電極をグランドに接続すると共に、カソード電極を、複数の整流手段３１〜３３の一端と接続し、複数の整流手段３１〜３３の他端はスイッチ手段５〜７と接続する。 （もっと読む）

【課題】充分な長さのリセット期間を安定して得ることができるパワーオンリセット回路を提供する。
【解決手段】電源電圧ＶＤＤの値が第１閾値以上になると、第１スタートアップ回路２０によりバンドギャップリファレンス回路１０の安定動作が開始され、バンドギャップリファレンス回路１０から第１電圧値Ｖ_Ａが出力される。電源電圧の値が第１閾値より大きい第２閾値以上になると、第２スタートアップ回路４０により電圧分割回路３０のＰＭＯＳトランジスタＭＰ_３がオン状態となり、電圧分割回路３０から出力される第２電圧値Ｖ_Ｂは、抵抗器Ｒ_３１，Ｒ_３２の抵抗比に応じて電源電圧の値が分割された値となる。電圧比較回路５０から、第２電圧値Ｖ_Ｂが第１電圧値Ｖ_Ａより小さいときにリセットレベルの電圧値が出力され、第２電圧値Ｖ_Ｂが第１電圧値Ｖ_Ａ以上になると電源電圧レベルの電圧値が出力される。 （もっと読む）

【課題】周辺回路を誤動作させないスイッチ回路を提供する。
【解決手段】第一端子Ｐ１が内部回路への負の入力電圧を入力される時、ＮＭＯＳトランジスタ１２はオフするよう制御されているが、入力電圧が負であるので、この時のＮＭＯＳトランジスタ１２のゲート・ソース間電圧に基づき、ＮＭＯＳトランジスタ１２が完全にオフしないで例えば弱反転領域で動作する。すると、接地端子ＶＳＳから第一端子Ｐ１にＮＭＯＳトランジスタ１２、１３を介して電流が流れる。よって、電源端子ＶＣＣでなくて接地端子ＶＳＳからこの電流は流れるので、この電流が流れることにより、電源電圧が低くならず、その電源電圧を使用する周辺回路が誤動作しない。 （もっと読む）

【課題】応答性、温度に対するロバスト性、ならびに、半導体スイッチ素子の最小ＯＮ時間および最小ＯＦＦ時間に対するフレキシブル性に優れた半導体スイッチ素子用ドライバ回路および半導体スイッチ素子の制御方法を提供する。
【解決手段】半導体スイッチ素子用ドライバ回路１０１は、フリップフロップ素子９を含む論理回路からなり、外部からのＯＮ指令Ｌ１およびＯＦＦ指令Ｌ２に従いＩＧＢＴ１０の動作信号を生成するフリップフロップ回路６と、動作信号が半導体スイッチ素子９に関する最小ＯＮ時間および最小ＯＦＦ時間の要求を満たすようにフリップフロップ素子９のセット／リセットを操作するマイコン１と、を備える。フリップフロップ回路６により、外部からのＯＮ／ＯＦＦ指令に対して高応答で動作させ、マイコン１でフリップフリップ素子９のセット・リセットを制御することで、その出力信号をマスクし、最小ＯＮ／ＯＦＦ時間を満足する。 （もっと読む）

【課題】出力バッファ回路の出力ノイズを低減し、かつ、応答速度を速くする。
【解決手段】出力電圧ＶＯＵＴが接地電圧ＶＳＳからＮＯＲの反転電圧ＶＬに変化する場合、及び、電源電圧ＶＤＤからＮＡＮＤの反転電圧ＶＨに変化する場合、２個のＭＯＳトランジスタの両方が出力電圧ＶＯＵＴを制御するので、出力電圧ＶＯＵＴのスルーレートが急峻になる。よって、出力バッファ回路の応答速度が速くなる。また、出力電圧ＶＯＵＴが電圧（ＶＤＤ／２）付近で変化する上記以外の場合、１個のＭＯＳトランジスタだけが出力電圧ＶＯＵＴを制御するので、出力電圧ＶＯＵＴのスルーレートが緩やかになる。よって、出力バッファ回路の応答速度が遅くなるので、出力ノイズが低減する。 （もっと読む）

【課題】従来の過電流保護回路では、トランジスタの特性ばらつきにより高精度の過電流検出ができないという問題があった。
【解決手段】本発明にかかる過電流保護回路は、負荷２に供給する電流に応じた検出用電流を生成する検出用ＭＯＳトランジスタＱ２と、バイアス信号１に基づいて電流Ｉｒｅｆ１を生成するトランジスタ９と、バイアス信号１と異なるバイアス信号２に基づいてＩｒｅｆ２を生成し、トランジスタ９と同一サイズのトランジスタ１０と、電流Ｉｒｅｆ１と、電流Ｉｒｅｆ２と、検出用電流と、に基づいて過電流検出信号を出力するカレントミラー回路と、を備える。このような回路構成により、高精度の過電流検出が可能な過電流保護回路を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】電圧駆動型半導体素子の過電圧保護回路として、電圧クランプ素子をコレクタ・ゲート間に接続する回路があるが、クランプ動作時、電圧クランプ素子には素子電圧と同じ電圧が印加され，かつ電流も流れる。そのため発生損失が大きく，高い頻度で動作する場合には許容できる特殊品を適用する必要があり，信頼性も低下する。
【解決手段】電圧駆動型半導体素子のコレクタ端子とゲート端子間に、可飽和リアクトルと、コンデンサと、抵抗の直列回路を接続する。 （もっと読む）

【課題】安定した参照電圧生成が可能であり且つ適切なタイミングで起動信号を生成できる電源回路ユニットを備えた半導体集積回路を提供する。
【解決手段】半導体装置は、外部電源が投入されたことを検出して第１検出信号を出力する外部電源検出回路と、前記外部電源に基づいて内部電源電圧を生成する内部電源電圧生成回路と、前記第１検出信号に応答して第１参照電圧を生成する参照電圧生成回路と、前記参照電圧が所定電圧になったことを検出して第２検出信号を出力する参照電圧検出回路と、前記第２検出信号に応答して前記第１参照電圧に依存した第２参照電圧に基づいて、容量素子が負荷として結合されるバイアス電圧を生成するバイアス電圧生成回路と、前記第２検出信号に応答して前記バイアス電圧と前記外部電源の電圧もしくは前記内部電源電圧に依存したモニタ電圧とを比較してスタート信号を出力する電源電圧検出回路とを含む。 （もっと読む）