【課題】ＥＳＤ保護回路を共通化してチップ面積を低減し且つＥＳＤ保護回路が故障しても保護される複数の被保護回路が同時に動作不能となることを回避する。
【解決手段】点火回路４とダイアグ回路５の各ノードを同一極性のダイオード１０〜１２を通して共通ノード３１に接続し、共通ノード３１とＥＳＤ保護回路６との間に切り離し回路２３を備える。ＥＳＤ保護回路６が短絡故障していないときには、ダイオード４１は非導通、分圧電圧Ｖｂ＞基準電圧Ｖｒとなり、ＦＥＴ３５がオフ、ＦＥＴ３４がオン可能となる。ＥＳＤ保護回路６が短絡故障すると、ダイオード４１は導通、分圧電圧Ｖｂ＜基準電圧Ｖｒとなり、ＦＥＴ３５がオン、ＦＥＴ３４がオフとなり、共通ノード３１とＥＳＤ保護回路６とを電気的に切り離す。 （もっと読む）

【課題】負荷短絡状態を検出することで、負荷短絡に起因する焼損を回避する。
【解決手段】半導体集積回路２０は、負荷２４に接続され、かつ負荷２４を介して電源Ｖｃｃを受ける端子Ｔ３と、電源Ｖｓｓを受ける端子Ｔ４と、電源Ｖｃｃを用いて、電源Ｖｒｅｇを生成するレギュレータ３０と、電源Ｖｒｅｇが供給されるセンサ２１からの検知信号に基づいて、電源Ｖｃｃを降下電圧Ｖｄｅｓ以下に設定するシャント回路３２と、シャント回路３２によるシャント動作時に、負荷２４が短絡したか否かを判定し、かつ負荷２４が短絡したと判定した場合に負荷２４が短絡したことを示す出力信号ＳＴＰを出力する保護回路３３とを含む。 （もっと読む）

【課題】センサノードチップでの消費電力を効果的に削減して、センサチップノードの小型化を実現する。
【解決手段】外部振動に応じて容量値が互いに差動的に変化する２つの可変容量素子ＣＰ，ＣＳからなるセンサ素子部１１と、順方向で直列接続した３つ以上のダイオードＤ１〜Ｄ３とその後端部に接続した固定容量素子ＣＳとからなるセンサ回路部１２とを設け、センサ素子部１１で得られた互いに差動的に変化する検知信号ＢＰ，ＢＮで、各ダイオードＤ１〜Ｄ３を交互に導通制御して固定容量素子ＣＳを徐々に充電することにより、外部振動に応じた電圧を示すセンサ出力信号ＳＯを得る。 （もっと読む）

【課題】面積効率が高く、応答性およびＥＳＤ耐性も問題が生じないノイズ低減回路を提供する。
【解決手段】ノイズ低減回路は、電源とグランドとの間に配置された容量素子および抵抗素子を含むデカップリング容量回路と、容量素子と抵抗素子との接続点とグランドもしくは電源との間に接続されたダイオード素子とを備える。電源とグランドとの間の電位差が小さくなった場合、ダイオード素子がオン状態になると、グランドからグランド、または、電源から電源へ向かって電流が流れることで、電源ノイズを瞬時に低減できる。 （もっと読む）

【課題】使い勝手の良い単一チャネル型のバッファ回路を提案する。
【解決手段】絶縁基板上に単一チャネルの薄膜トランジスタで形成されるバッファ回路を、（ａ）第１及び第２の薄膜トランジスタが直列に接続された回路構成を有し、第１及び第２の薄膜トランジスタの接続中点を出力端とする第１の出力段と、（ｂ）第１の制御配線に制御電極が接続される第７の薄膜トランジスタと、第２の制御配線に制御電極が接続される第８の薄膜トランジスタが直列に接続された回路構成を有し、第７及び第８の薄膜トランジスタの接続中点に現れる電位を第３の制御配線に与える第２の出力段と、（ｃ）一方の主電極が第１の制御配線に接続され、制御電極が第３の制御配線に接続される回路構成を有し、出力端に出力パルスが現われている期間、セットパルスと同じ論理レベルの電位を第１の制御配線に印加する第９の薄膜トランジスタとで構成される。 （もっと読む）

【課題】電源が逆接続された場合に、トランジスタに流れる電流を確実に阻止して、電源の逆接続からトランジスタを確実に保護することが可能な半導体装置などの提供。
【解決手段】この発明は、出力回路５と、この出力回路５を保護するスイッチング素子Ｔ５、Ｔ８とを備え、これらを同一半導体基板に設けるようにした。スイッチング素子Ｔ８は、ゲートが第１電源端子１に接続され、ソースがトランジスタＴ６のソースと接続され、ドレインがトランジスタＴ６の基板端子と接続され、電源端子１、２に与えられる電源電圧の大小関係が正常な場合には導通し、異常な場合には非導通となる。スイッチング素子Ｔ５は、ゲートが電源端子１に接続され、ソースが電源端子２に接続され、ドレインがトランジスタＴ６、Ｔ７のゲートと接続され、電源端子１、２に与えられる電源電圧の大小関係が正常な場合には非導通となり、異常な場合には導通する。 （もっと読む）

【課題】フォールデッドカスコード接続の差動増幅段を有するコンパレータにおいて、オフセットの温度依存性を減らし検出精度を向上させる。
【解決手段】ソース共通接続された一対の差動ＭＯＳトランジスタを有する差動入力段（１１）と、差動ＭＯＳトランジスタのドレイン端子にフォールデッドカスコード接続されたカスコード段（１２）と、差動入力段とカスコード段に共通に接続された電流回路（Mn11〜Mn13,Mn21〜Mn23）と、カスコード段の出力ノードに接続された出力段（１３）とを備えたコンパレータ回路において、前記電流回路は、カスコード段のＭＯＳトランジスタのキャリア移動度の温度特性に起因する動作点の変動をキャンセルするような温度特性を付与された電流を流すように構成した。 （もっと読む）

【課題】遅延を有する論理回路から検出した信号を直接利用して、その論理回路の電源電圧の制御を行うような機構が求められている。
【解決手段】本発明は、本発明は、論理回路と、前記論理回路の遅延の変化に応じた周波数の検出信号を出力する遅延特性検出回路と、前記検出信号に応じて抵抗値が変化する抵抗素子と、前記抵抗素子の抵抗値の変化に応じて参照電圧を出力する参照電圧生成回路と、前記参照電圧を前記論理回路及び遅延特性検出回路に出力する電圧供給回路とを有する半導体集積回路装置である。 （もっと読む）

【課題】配線ショートの発生時とコネクタの接触不良とを区別して回路を保護することが可能な電力供給装置を提供する。
【解決手段】本発明の電力供給装置では、半導体素子Ｔ１のドレインの電圧Ｖ１が、コンパレータＣＭＰ１の同相入力最低電圧を下回る前に半導体素子Ｔ１を遮断するので、負荷回路を確実に保護することができる。また、第１判定電圧をＬ＿Ｖ１とし、第２判定電圧をＶ３としたとき、電圧Ｖ１が「Ｖ１＜Ｌ＿Ｖ１」となった場合に、リトライ動作を実行し、「Ｖ１＜Ｌ＿Ｖ１」となる回数がＮ１回に達した場合、または、「Ｌ＿Ｖ１＜Ｖ１＜Ｖ３」となる回数がＮ２回に達した場合に、半導体素子Ｔ１の遮断状態を保持して負荷回路を保護する。更に、コネクタ１１の接触不良に起因して電圧Ｖ１が急激に低下した場合には、電圧Ｖ１の最低値が安定した値とならず、半導体素子Ｔ１の遮断状態は保持されない。 （もっと読む）

【課題】確実に端子機能の切替えが可能であり、かつ、ノイズによる誤動作のない水晶発振器を提供すること。
【解決手段】機能ブロック（１０９、１１１）のそれぞれが、第１の接続切替回路１１３を介して第１の端子１０５に接続され、第２の接続切替回路１１５を介して第２の端子１０７に接続されている。そして、第１の端子１０５に接続される機能ブロックを切り替えるための信号および第２の端子１０７に接続される機能ブロックを切り替えるための信号が、これら第１および前記第２の端子に同時に入力される信号によって生成される。本発明の水晶発振器では、切替えの対象である複数の端子自身への信号の同時入力が端子機能切替のための信号生成になっているため、端子機能の切替えに際して電源端子の電圧を端子機能切替の判定に使用する必要がなくなり、１つの電源電圧を切替えの判定に使うことによる動作の不安定性を解消することができる。 （もっと読む）

【課題】出力電界効果トランジスタの電流制限値の温度依存性を小さくする。
【解決手段】出力用のＮＭＯＳトランジスタＭ１と、ＮＭＯＳトランジスタＭ１の過電流を検出するＮＭＯＳトランジスタＭ２を含む過電流検出回路１０５と、ＮＭＯＳトランジスタＭ１のゲートとソース間に接続され、過電流検出回路１０５の検出電流を制御し、ＮＭＯＳトランジスタＭ１のしきい値電圧の変動に応じて、その出力電圧が変動する過電流制限回路１０２ａとを備える。過電流制限回路１０２ａは、ＮＭＯＳトランジスタＭ１のゲートとソース間に接続され、直列接続された抵抗素子Ｒ１、Ｒ２、ダイオードＤ１と、抵抗素子Ｒ１、Ｒ２の接続点にそのゲートを接続し、ＮＭＯＳトランジスタＭ１のゲートとソース間に、ＮＭＯＳトランジスタＭ２と縦続接続されたＮＭＯＳトランジスタＭ３とを備える。 （もっと読む）

【課題】高速低消費電力で閾値制御が可能な入力バッファ回路及び入力装置を提供する。
【解決手段】入力バッファ回路３０は、バイアス電圧生成回路１００で生成されたバイアス電圧ＰＬＶ及びこれよりもレベルの高いバイアス電圧ＮＬＶにより動作する回路である。この回路３０は、バイアス電圧ＰＬＶよりも低い第１の電圧が入力されると、オン状態になってその第１の電圧をノードＮ３２から出力するＮＭＯＳ３２と、バイアス電圧ＮＬＶよりも高い第２の電圧が入力されると、オン状態になってその第２の電圧をノードＮ３３へ出力するＰＭＯＳ３３と、ノードＮ３２から出力される第１の電圧をラッチして第１の論理の電圧をノードＮ３４へ出力するラッチ回路３４と、ノードＮ３３から出力される第２の電圧をラッチして第２の論理の電圧をノードＮ３４へ出力するラッチ回路３５とを有している。 （もっと読む）

【課題】電源電圧の低電圧側の電圧と高電圧側の電圧との間の中間電圧での駆動を、トランジスタのゲート酸化膜に高耐圧素子構造を適用することなく実現できるようにする。
【解決手段】第１，第２出力バッファ回路２０，３０Ａを用いた駆動回路１０において、当該駆動回路１０を構成するトランジスタのゲート酸化膜にその耐圧ΔＶｌｉｍを超える電圧を印加することなく、第１出力バッファ回路２０の作用によって耐圧ΔＶｌｉｍを超えた電圧振幅ＶＬ−ＶＨで駆動する。これに加えて、第２出力バッファ回路３０Ａにおいて、出力端子３５側のトランジスタＭｐ３２，Ｍｎ３２を、バイアス電圧の定常印加でなく、耐圧範囲内の電圧（ＶＬ〜ＶＤ，ＶＳ〜ＶＨ）で駆動するとともに、ノードＮ３１，Ｎ３２側のトランジスタＭｐ３１，Ｍｎ３１を、耐圧範囲内の電圧でなく、範囲外の電圧ＶＬ〜ＶＨで駆動することで、中間電圧ＶＭでの駆動を実現する。 （もっと読む）

【課題】入力信号に必要な振幅を低減する。
【解決手段】電源線Ｌ1と出力部Ｎ2との間のトランジスタＴA1のゲートＧ1は容量素子Ｃ1を介して入力部Ｎ1に結合する。電源線Ｌ2と出力部Ｎ2との間のトランジスタＴA2のゲートＧ2は容量素子Ｃ2を介して入力部Ｎ1に結合する。トランジスタＴB3は、電源線Ｌ1からみてゲートＧ1の方向を順方向として電源線Ｌ1とゲートＧ1との間にダイオード接続される。トランジスタＴB4は、ゲートＧ1からみて電源線Ｌ1の方向を順方向として電源線Ｌ1とゲートＧ1との間にダイオード接続される。トランジスタＴB3の閾値電圧ＶT3がトランジスタＴA1の閾値電圧ＶT1を上回り、かつ、トランジスタＴB3の閾値電圧ＶT3とトランジスタＴB4の閾値電圧ＶT4との加算が減少するように、トランジスタＴB3およびトランジスタＴB4の各々のバックゲートＢの電位ＶBが設定される。 （もっと読む）

【課題】 ＰＮＰトランジスタの電源電圧が急激に上昇しても、オフ状態であるＰＮＰトランジスタが誤ってオン状態になることを防止することができる誤動作防止装置および電子機器を提供する。
【解決手段】 誤動作防止回路１は、ＰＮＰ型のトランジスタＱ３および抵抗素子Ｒ４とを含んで構成される。抵抗素子Ｒ４の一端は電源電圧Ｖｃｃの電源に接続され、他端はトランジスタＱ３のベースに接続される。トランジスタＱ３のエミッタは電源電圧Ｖｃｃの電源に接続され、コレクタはスイッチング回路２のＰＮＰ型のトランジスタＱ２のベースに接続される。寄生容量Ｃ１の静電容量と寄生容量Ｃ２の静電容量とが同じ容量で、かつ抵抗素子Ｒ４の抵抗値が抵抗素子Ｒ１の抵抗値よりも大きい値である。電源電圧Ｖｃｃが急激に上昇した場合、トランジスタＱ２がオフ状態からオン状態に変化する前に、トランジスタＱ３がオフ状態からオン状態に変化する。 （もっと読む）

【課題】ＦＷＤが小電流で逆回復する時のサージ電圧や電圧振動を抑制するために、対向アームのオンゲート抵抗値を大きくする方式では、通常電流時の損失が大きくなり、装置の損失が大きく、装置が大型となる。
【解決手段】ターンオフ時にＩＧＢＴ３に接続されている内部インダクタンス５に発生する電圧を検出する電圧検出回路１２と、オフゲート信号が入力されてから電圧検出回路１２が電圧検出するまでの検出時間と予め定められた設定時間とを比較する比較回路１３と、を備え、比較結果に応じてターンオン用のゲート駆動抵抗８又は１１をスイッチ素子６、１０で切替える。 （もっと読む）

【課題】ソフトシャットダウン機能を有するパワーデバイスドライブ装置の出力端子とパワーデバイスを接続する信号線を短縮化する。
【解決手段】パワーデバイスドライブ装置５０には、光結合部１とパワーデバイスドライブ回路部２が設けられる。パワーデバイスドライブ回路部２には、ドライバ部２１、ディセイブル回路２２、Ｉ／Ｖ変換回路２３、サンプルホールド回路２４、ソフトシャットダウン回路２５、制御端子ＰＤｉｓｂ、Ｖｃｃ端子ＰＶｃｃ、Ｖｏ端子ＰＶｏ、及びＶｓｓ端子ＰＶｓｓが設けられる。ＩＧＢＴ４の短絡等の異常事態が発生したとき、制御信号Ｓｓｅｔがディセイブル状態となる。ディセイブル状態の制御信号Ｓｓｅｔがディセイブル回路２２に入力され、出力部から出力される信号がＨｚ状態となり、ソフトシャットダウン回路２５のＮｃｈ ＭＯＳトランジスタＮＭＴ３が“ＯＮ”しＩＧＢＴ４をソフトシャットダウン状態にする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、ユーザボードの違いや製造ばらつきがあっても、電源共振ノイズによる問題を回避することができる技術を提供する。
【解決手段】半導体装置内の電源ノイズを観測する電源ノイズ観測回路１と、電源ノイズ観測回路１の出力に基づいて、生成クロック３０１の周波数が変化するクロック生成回路２と、生成クロック３０１が入力される演算回路ブロック３と、を備える。そして、前記電源ノイズ観測回路１によって観測される電源ノイズが低減するように、生成クロック３０１の周波数が調整される。 （もっと読む）

【課題】作業ミスによる機器の故障や破損を未然に防止できるヒートポンプ式給湯装置を提供する。
【解決手段】 タンクユニット１００とヒートポンプユニット２００とを３芯の信号線３００で接続し、タンクユニット１００に供給された商用交流電源を前記信号線３００の第１及び第３の芯線３０１，３０１を介してヒートポンプユニット２００に供給するとともに、第２及び第３の芯線３０２，３０３を介してデータ通信を行い、タンクユニット２００に前記信号線の第２及び第３の芯線との間３０２，３０３に所定値以上の電圧が印加されたことを検出する検出手段を設けた。 （もっと読む）

【課題】従来の技術のリレー回路を、供給電圧の低下の際にリレー回路の安全を改善すること。
【解決手段】リレー（Ｋ１，Ｋ２）は、異なった最小限の保持電圧（ＵＨａｌｔ，ｍｉｎ１；ＵＨａｌｔ，ｍｉｎ２）および／またはコイル抵抗（Ｒｓｐｌ，Ｒｓｐ２）を有する。 （もっと読む）