【課題】多量の電流が消費されるのを防止しつつ、電源電圧の変動を抑制することができる出力インタフェース回路を提供する。
【解決手段】第１のトランジスタＴｒ１は、電源とグランドとの間に設けられ、制御電極が第１のノードに接続される。第１のキャパシタ４３は、第１のノードＢとグランドとの間に設けられる。制御用バッファ４１は、出力バッファ１１０と同じタイミングで外部から入力されたデータの各ビットを受け、出力が第１のノードＢに接続される。第２のトランジスタＴｒ２は、電源とグランドとの間に設けられ、制御電極が第２のノードＣに接続される。第２のキャパシタ４４は、第２のノードＣとグランドとの間に設けられる。制御用インバータ４２は、出力バッファ１１０と同じタイミングで外部から入力されたデータの各ビットを受け、出力が第２のノードＣに接続される。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で波形歪みのエネルギーを消費させ、リンギングを確実に抑制できるリンギング抑制回路を提供する。
【解決手段】一対の信号線３Ｐ，３Ｎ間に、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ４及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ５の直列回路を接続し、制御回路１１は、差動信号のレベルがハイからローに変化したことを検出すると、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ４及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ５を同時に一定期間オンさせる。これにより、差動信号のレベルが遷移する期間に信号線３Ｐ，３Ｎ間のインピーダンスを大きく低下させ、差動信号波形の歪みエネルギーをＦＥＴ４及び５のオン抵抗により吸収させてリンギングの発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】高耐圧回路の素子破壊を防止する際、半導体チップ面積の増大を軽減する。
【解決手段】半導体集積回路ＩＣは、高電源電圧で動作する高耐圧回路１００、２００と低電源電圧で動作する低耐圧回路３００、４００を内蔵する。入力信号Ａに応答して、高耐圧回路の第１素子５と第２素子３はオン状態とオフ状態に、低耐圧回路の第３素子７と第４素子８はオフ状態とオン状態に制御される。この状態において、高電源電圧供給端子に所定レベルのサージ電圧が供給される。この状態で、初期サージ電流が第１素子５と第２素子３の容量を介して低耐圧回路の出力端子Ｙに流入する。出力端子Ｙの電圧降下は、高耐圧回路の第２素子３のターンオン電圧に設定される。第２素子３はオフ状態からオン状態に制御されて、サージ電圧のエネルギーを吸収するサージ吸収電流が第１素子５と第２素子３に流入する。 （もっと読む）

【課題】 待機動作時のオフリーク電流を削減した論理回路を含む半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 半導体装置１００は、第１の動作電圧または第１の動作電圧よりも小さい第２の動作電圧を供給する電源供給部１１０と、電源供給部１１０から第１または第２の動作電圧を受け取る低しきい値のＰ型トランジスタＴｐと、トランジスタＴｐと基準電位との間に接続されたＮ型トランジスタＴｎとを有し、トランジスタＴｐ、Ｔｎは、ゲートに入力された信号Dinに応じて出力信号Doutを生成する論理回路を構成する。電源供給部１１０は、通常動作時、第１の動作電圧をトランジスタＴｐのソースに供給し、待機動作時、第２の動作電圧をトランジスタＴｐのソースに供給する。第２の動作電圧は、トランジスタＴｐ、Ｔｎそれぞれのゲート・ソース間電圧の振幅がトランジスタＴｐ、Ｔｎのしきい値よりも大きくなるように設定される。 （もっと読む）

【課題】データ送信における電圧ジッターを減少させる送信器回路を提供すること。
【解決手段】第一の電流源と、該第一の電流源と第一のノードとの間に結合されている第一のフィルタと、該第一の電流源と第二のノードとの間に結合されている第二のフィルタと、第二の電流源と、該第二の電流源と第三のノードとの間に結合されている第三のフィルタと、該第二の電流源と第四のノードとの間に結合されている第四のフィルタと、該第一のノード、該第二のノード、該第三のノードおよび該第四のノードに結合されているドライバースイッチ回路などを含む、送信器回路。 （もっと読む）

【課題】流入電流の発生を抑制することができる出力バッファ回路を提供する。
【解決手段】出力バッファ回路１は、第１の高電位電源ＶＤＤ１レベル又は低電位電源ＶＳＳレベルの出力信号ＯＵＴ１を出力する第１出力回路１０と、第１出力回路１０とワイヤードオア接続され、第１の高電位電源ＶＤＤ１よりも低電位である第２の高電位電源ＶＤＤ２レベル又は低電位電源ＶＳＳレベルの出力信号ＯＵＴ２を出力する第２出力回路２０とを有している。また、出力バッファ回路１は、第１の高電位電源ＶＤＤ１及び第２の高電位電源ＶＤＤ２のうち第２の高電位電源ＶＤＤ２のみが投入される場合に、第１出力回路１０の高電位側の第１出力トランジスタＴ１６及び第２出力回路２０の高電位側の第２出力トランジスタＴ２６の少なくとも一方のトランジスタのゲート電圧及びバックゲート電圧を第２の高電位電源ＶＤＤ２レベルに設定する制御回路５０を有している。 （もっと読む）

【課題】出力する駆動信号の遅延を小さくし且つ小型化した安価な駆動回路、駆動信号出力回路及びインクジェットヘッドを実現することである。
【解決手段】駆動回路３０は、負荷を駆動するプッシュ側のＭＯＳＦＥＴ３２及びプル側のＭＯＳＦＥＴ３３と、アノード、カソードがＭＯＳＦＥＴ３２のゲート、ソースに接続されたツェナーダイオード３８と、アノード、カソードがＭＯＳＦＥＴ３３のソース、ゲートに接続されたツェナーダイオード３９と、昇圧回路３１の出力端とＭＯＳＦＥＴ３２のゲートとに接続された抵抗３６と、昇圧回路３１の出力端とＭＯＳＦＥＴ３３のゲートとに接続された抵抗３７と、抵抗３６、抵抗３７に並列に接続されたスピードアップコンデンサ４２，４３と、を備える。ＭＯＳＦＥＴ３２，３３のソースが高圧側、グランドに接続され、ＭＯＳＦＥＴ３２，３３のドレインが互いに接続される。 （もっと読む）

【課題】電源制御領域を電源遮断状態から電源供給状態に切り換えた際に生じる突入電流と電源ノイズを低減した半導体装置を提供する。
【解決手段】第１、第２のスイッチセルＳＷａ、ＳＷｂと、を有し、第１のスイッチセルＳＷａは、制御信号ＣＮＴに応じてグローバル電源配線ＧＶＤＤからローカル電源配線ＬＶＤＤへの電源電圧の供給を開始する第１のスイッチトランジスタ１１と、制御信号ＣＮＴを伝達する第１の信号伝達部と、を有し、第２のスイッチセルＳＷｂは、制御信号ＣＮＴの論理レベルに応じてグローバル電源配線ＧＶＤＤからローカル電源配線ＬＶＤＤへの電源電圧の供給を開始する第２のスイッチトランジスタ２１と、ローカル電源配線ＬＶＤＤの電圧値が閾値電圧に達するまでの期間、制御信号ＣＮＴの後段回路への伝達を遮断する第２の信号伝達部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】チップ面積を小さくする。
【解決手段】一端がグランド端子１４に接続される定電流源１３と、ソースが共通に定電流源１３の他端に接続され、ゲートが入力端子Ａ、Ｂにそれぞれ接続される第１および第２の差動対（Ｑ１１、Ｑ１２およびＱ１３、Ｑ１４に相当）と、第１の差動対のそれぞれのドレインにそれぞれのソースを接続するｎＭＯＳトランジスタＱ１５、Ｑ１６と、ｎＭＯＳトランジスタＱ１５、Ｑ１６のそれぞれのドレインを出力端子Ｃ、Ｄとし、出力端子Ｃ、Ｄと電源端子１１との間に接続される負荷部（図１のＱ１７、Ｑ１８に相当）と、を備え、第１の差動対のそれぞれのドレインを第２の差動対の逆相となるそれぞれのドレインに接続し、ｎＭＯＳトランジスタＱ１５、Ｑ１６のそれぞれのゲートは、ｎＭＯＳトランジスタＱ１５、Ｑ１６のドレインにそれぞれ接続する。 （もっと読む）

【課題】消費電力を抑えることの可能なインバータ回路、およびこのインバータ回路を備えた表示装置を提供する。
【解決手段】入力端子ＩＮ１から印加される電圧に応じてオンオフするトランジスタＴ３を介して、入力電圧Ｖｉｎ２がトランジスタＴ２のゲートに入力される。そのため、入力電圧Ｖｉｎ１，Ｖｉｎ２がともにハイとなったときだけ、トランジスタＴ１，Ｔ２の双方のゲートにオン電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】Lレベル出力も高電位側電源から決定されるようにできるレベル変換回路を提供する。
【解決手段】高電位電源VDDから論理レベル設定抵抗R_Lを経由して出力ノードBに至る第1経路と、高電位電源VDDから論理レベル設定抵抗R_Lを経由しないで出力ノードBに至る第2経路と、を設ける。切換えスイッチ部120,110は、Lレベル出力の場合には第1経路を導通させ、Hレベル出力の場合には第2経路を導通させる。さらに、Lレベル出力の場合には、カレントミラー回路130を有する定電流源がONになり、出力ノードBから一定電流を引き抜く。前記出力ノードBは、終端抵抗R_Lを介して終端電圧V_Tに接続されている。Lレベル出力の電位V_OUTは、終端電圧V_Tの値ではなく、論理レベル設定抵抗R_Lの値によって調整される。 （もっと読む）

【課題】スタンバイ時のリーク電流と回路面積の増大を抑制する。
【解決手段】第１電源に接続する第１の回路１１の入力対に出力が夫々接続された第２及び第３の回路１２、１３と、前記第１の回路の入力、又は、前記第１の回路の内部ノードに接続された第４の回路１４と、を含み、前記第２の回路及び前記第３の回路は、第２電源と第３電源間に接続され、スタンバイ時にパワーゲーティングされる回路を有し、前記第２の回路は、前記第２及び第３電源電位を振幅範囲とする信号を入力し、前記第２の回路の出力は前記第３の回路の入力に接続され、前記第１の回路の出力信号の振幅範囲は、前記第１電源電位と、前記第２又は第３電源電位とされ、前記第４の回路は、パワーゲーティング時に前記第１の回路の前記入力対、又は前記内部ノードの論理値を保持し、スタンバイ時にも前記第１の回路の出力信号の論理を前記入力信号に関連した論理に維持する。 （もっと読む）

【課題】 耐圧の低いMOSFETを保護するためにゲート接地として動作する、MOSFETのゲート電圧を生成するための外部電源を不要にする。
【解決手段】 第１電源電圧から一定の大きさの第１電流を生成する定電流生成部と、第１薄膜NMOSFETと第２薄膜NMOSFETから構成され、第１電流に比例した大きさの第２電流を出力する第１カレントミラー回路部と、第２薄膜NMOSFETを保護するためにゲート接地として用いる第３薄膜NMOSFET及び第１厚膜PMOSFETと、第１電源への電流の逆流を防ぐための第１ダイオードと、第３薄膜NMOSFETのゲート−ソース間電圧がマイナスになることを防ぐための第２ダイオードとからなる保護回路部と、第２電流に比例した大きさの第３電流を出力する第２カレントミラー回路部と、第３電流により第１定電圧を生成する第１ツェナーダイオード部とを備える。 （もっと読む）

【課題】回路規模の増大を抑制しながら、コネクタに接続されたチャージャーの種類を的確に認識する。
【解決手段】電源検出回路１２は、ＶＢＵＳ端子への外部からの給電を検出する。チャージャー検出回路１４は、ＤＰ端子およびＤＭ端子の電圧を検出することにより、チャージャーの種類を特定する。チャージャー検出回路１４は、ＤＰ端子およびＤＭ端子の少なくとも一方のオープン、プルアップ、プルダウンまたは両端子間のショートを検出する。 （もっと読む）

【課題】被電源遮断回路の十分な安定化容量を確保しつつ、総回路面積の低減を図る。
【解決手段】高電位電源線VDDと低電位電源線VSSとの間に設けられ、各々が電源遮断スイッチPSW1, PSW2と直列に接続された複数段の被電源遮断回路CC1, CC2を含む集積回路装置であって、奇数段の前記被電源遮断回路CC1と直列に接続された前記電源遮断スイッチPSW1は、第１導電型の第１ＭＯＳトランジスタであり、偶数段の前記被電源遮断回路CC2と直列に接続された前記電源遮断スイッチPSW2は、前記第１導電型とは異なる第２導電型の第２ＭＯＳトランジスタであり、前記偶数段の前記第２ＭＯＳトランジスタPSW2のゲートが、当該偶数段の前段の奇数段における前記第１ＭＯＳトランジスタと前記被電源遮断回路の第１電源端子との接続ノードＮ１に接続される。 （もっと読む）

【課題】 単極性のトランジスタを用いたデジタル回路であっても、出力信号の振幅が小さくなってしまうことを防ぎ、正常に動作する手段を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 ダイオード接続されたトランジスタ１０１がオフすることによって、トランジスタ１０２のゲートが、フローティング状態となる。そのとき、トランジスタ１０２は、オン状態にあり、そのゲート・ソース間には電位差が生じている。
トランジスタ１０２がオン状態にあるため、トランジスタ１０２のソースの電位は上昇するが、トランジスタ１０２のゲート・ソース間の容量によって、ゲート・ソース間の電位が保持されており、かつトランジスタ１０２のゲートはフローティングとなっているため、容量結合効果によってトランジスタ１０２のゲートの電位も上昇する。その結果、出力信号の振幅が小さくなることを防ぐことが出来る。 （もっと読む）

【課題】回路動作速度を犠牲にすることなく、待機時の消費電力を小さくすることが可能な半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】同一Si基板上に少なくともソース・ゲート間又はドレイン・ゲート間に流れるトンネル電流の大きさが異なる複数種類のMOSトランジスタを設け、当該複数種類のMOSトランジスタの内、トンネル電流が大きい少なくとも１つのMOSトランジスタで構成された主回路と、トンネル電流が小さい少なくとも１つのMOSトランジスタで構成され、主回路と２つの電源の少なくとも一方の間に挿入した制御回路を有し、制御回路に供給する制御信号で主回路を構成するソース・ゲート間又はドレイン・ゲート間に電流が流れることの許容／不許容を制御し、待機時間中に主回路のINとOUTの論理レベルが異なる際のIN−OUT間リーク電流を防止するスイッチを主回路のIN又はOUTに設ける。 （もっと読む）

【課題】レベルシフト回路のデータレートの変化時に発生するスキューを抑制する。
【解決手段】一つの実施形態によれば、レベルシフト回路には第１及び第２のレベルシフタが設けられる。第１のレベルシフタは、第１乃至４のトランジスタが設けられ、レベルシフトされた第１の出力信号を出力する。第２のレベルシフタは、第５乃至８のトランジスタが設けられ、レベルシフトされた第１の出力信号とは逆位相の第２の出力信号を出力する。第１の入力信号が入力される第１のトランジスタと差動対をなす第２のトランジスタに、第１の入力信号とは逆位相のハイレベルの第２の入力信号が入力されると第３及び４のトランジスタも同時にオンする。第２の入力信号が入力される第５のトランジスタと差動対をなす第６のトランジスタに、ハイレベルの第１の入力信号が入力されると第７及び８のトランジスタも同時にオンする。 （もっと読む）

【課題】回路面積の縮小を図りつつ、待機電流をカットオフすることが可能な出力回路を提供する。
【解決手段】出力回路は、第１の電源にソースが接続された出力ｐＭＯＳトランジスタを備える。出力回路は、第１の出力ｐＭＯＳトランジスタのドレインと接地との間に接続された出力ｎＭＯＳトランジスタを備える。出力回路は、出力ｐＭＯＳトランジスタのドレインと前記出力ｎＭＯＳトランジスタのドレインとの間に接続された出力端子を備える。出力回路は、前記出力ｐＭＯＳトランジスタのオン／オフを制御するための第１のゲート制御信号を第１のゲート制御端子から出力する第１のレベルシフタ回路を備える。出力回路は、前記出力ｎＭＯＳトランジスタのオン／オフを制御するための第２のゲート制御信号を第２のゲート制御端子から出力する第２のレベルシフタ回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】レベル変換時の信号の立ち上がりを速くすることのできるレベル変換バススイッチを提供する。
【解決手段】実施形態のレベル変換バススイッチは、低電圧レベル信号が伝送される低電圧レベル信号線と高電圧レベル信号が伝送される高電圧レベル信号線との間に、低電圧レベルの制御信号により導通が制御されるＭＯＳトランジスタ型のスイッチ１が接続され、高電圧レベル信号線と高電圧電源線ＶｃｃＢとの間に、プルアップ抵抗２が接続される。このレベル変換バススイッチでは、加速回路３が、高電圧レベル信号の立ち上がりをプルアップ抵抗２による立ち上がりよりも速くし、加速期間制御回路４が、加速回路３の作動期間を制御する。 （もっと読む）