【課題】半導体集積回路装置の内部回路に供給されるクロック信号の周波数が、正常時よりも高くなった場合の上記内部回路の暴走を回避する。
【解決手段】半導体集積回路装置（１）において、内部回路（１７）と、水晶振動子を用いた発振動作によりクロック信号を形成する水晶発振回路（１１）と、上記内部回路が正常に動作可能な周波数のクロック信号を形成する内蔵発振器（１４）とを設ける。また上記水晶発振回路で形成されたクロック信号の周波数が、上記内部回路の正常動作の周波数範囲よりも上昇したことを検出可能な異常高速発振検出回路（１３）を設ける。さらに上記異常高速発振検出回路での検出結果に基づいて、上記水晶発振回路で形成されたクロック信号に代えて、上記内蔵発振器で形成されたクロック信号を上記内部回路に供給するための制御回路（１６）を設けることで、内部回路の暴走を回避する。 （もっと読む）

【課題】差動回路を使用することで、貫通電流に起因した高調波ノイズの影響を排除した水晶発振回路を構成することができる。しかし、他の回路が動作することによって生じた高調波ノイズが、水晶発振回路の発振出力に影響を与える場合がある。そのため、電源電圧が変動したことによる影響を軽減し、発振出力のジッタを抑制した水晶発振回路が、望まれる。
【解決手段】水晶発振回路は、水晶振動子を含む共振回路と、共振回路と接続され、差動対を含む信号反転回路と、差動対にバイアス電流を供給する電流源回路と、信号反転回路及び電流源回路に電源を供給する電圧線と信号反転回路の間に接続され、水晶振動子の固有の発振周波数より低い遮断周波数を持つローパスフィルタ回路と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】インダクタンス素子に起因して発生する起動時の異常発振を効率的に抑えることが可能な発振回路、発振器、電子機器及び発振回路の起動方法を提供すること。
【解決手段】発振回路１は、共振子（ＳＡＷ共振子１０）と、増幅回路２０と、スイッチング素子（ＮＭＯＳスイッチ３０）と、を含む。増幅回路２０は、共振子の一端から他端への帰還経路、当該帰還経路に設けられている第１のインダクタンス素子（伸長コイル２００）、当該帰還経路に設けられ、第１のインダクタンス素子と直列に設けられている可変容量素子（可変容量ダイオード２０２）、を有している。スイッチング素子は、第１のインダクタンス素子と可変容量素子とを含む回路部に対して並列に設けられている。 （もっと読む）

【課題】電子機器の基板に搭載しても、内部の回路に異常が発生するのを防止した圧電デバイスおよび電子機器を提供する。
【解決手段】圧電デバイスは、外部からデータを入力可能になっている記憶部１６をパッケージ３０内に備えたものである。この圧電デバイスは、パッケージ３０の基板実装面３６に複数のユーザ端子３８を設けるともに、記憶部１６に接続している第１調整端子４０ａおよび第２調整端子４０ｂを設けている。第１調整端子４０ａは、複数のユーザ端子３８のうちグランド接続端子（ＧＮＤ端子）に近接して配設してある。そして第２調整端子４０ｂと記憶部１６との間にスイッチ部１７を設けるとともに、このスイッチ部１７に第１調整端子４０ａを接続して、第１調整端子４０ａに入力する信号によってスイッチ部１７の開閉制御を行うようにしている。 （もっと読む）

【課題】出力波形を高調波が発生しない様に調整する事ができ、高次高調波の抑圧効果の高い水晶発振回路の提供。
【解決手段】水晶振動子を振動源とする発振回路部と、この発振回路部の出力信号を入力とするＣＭＯＳトランジスタのインバータからなる複数段のバッファ回路部１１、１２、１３と、このバッファ回路部の出力から直流成分をカットするキャパシタＣＢ１、ＣＢ２を介して増幅するＣＭＯＳプッシュプル型増幅回路１４とを備えた水晶発振回路に於いて、バッファ回路部１３のＣＭＯＳトランジスタＴｐ４とＣＭＯＳトランジスタＴｎ４間に抵抗素子Ｒ３、Ｒ４を接続し、その中間点はバッファ回路部１３の出力として、前記抵抗素子と前記キャパシタとからなる時定数で出力信号の波形成形を行い、且つ前記抵抗素子のバイパス回路１６をメモリ設定にて、ＭＯＳスイッチ手段１７のオン／オフ切り替えにより可能とするメモリを備えてなる。 （もっと読む）

【課題】簡易に半導体基板上に形成でき、差動型で動作する半導体装置ならびにこれを用いた発振器、アンテナシステムおよび送受信システムを提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板と、複数の音響波伝播層と、分離層と、音響波反射層と、第１のコンタクトと、第２のコンタクトとを備える。前記複数の音響波伝播層は、前記半導体基板に、互いに離間して形成される。前記分離層は、前記半導体基板に形成され、前記複数の音響波伝播層を互いに電気的に分離するが、音響波は通過させる。前記音響波反射層は、前記半導体基板に形成され、前記複数の音響波伝播層内に前記音響波を閉じ込めるように形成される。前記第１のコンタクトは、前記複数の音響波伝播層の１つに形成され、第１の差動信号が入力または出力される。前記第２のコンタクトは、前記複数の音響波伝播層の他の１つに形成され、前記第１の差動信号とは位相が異なる第２の差動信号が入力または出力される。 （もっと読む）

【課題】コンパレータの消費電力を抑えつつ、高周波の発振出力の振幅を検出できる、発振回路を提供すること。
【解決手段】水晶振動子１を共振器として使用して発振出力Ｖｘを生成する発振出力生成回路１１と、発振出力Ｖｘの振幅を検出する振幅検出回路１５と、振幅検出回路１５の出力Ｖｓに応じて発振出力Ｖｘをブーストするブースト回路１６とを有する発振回路であって、振幅検出回路１５は、発振出力Ｖｘが入力される絶対値回路１２と、絶対値回路１２の出力を入力とするローパスフィルタ１３と、ローパスフィルタ１３の出力を入力とするコンパレータ１４とを備えることを特徴とする、発振回路。 （もっと読む）

【課題】無駄な電力消費やノイズの悪影響等を抑制できる回路装置及び電子機器等の提供。
【解決手段】回路装置は発振回路１０とバッファー回路２０を含む。バッファー回路２０は、プリバッファーＰＢＦと第１、第２の出力バッファーＱＢＦ１、ＱＢＦ２を含む。第１のモードでは、第１の出力バッファーＱＢＦ１が動作イネーブル状態に設定され、第２の出力バッファーＱＢＦ２が動作ディスエーブル状態に設定される。第２のモードでは、第１の出力バッファーＱＢＦ１及び第２の出力バッファーＱＢＦ２が動作イネーブル状態に設定される。第１のモードでは、プリバッファーＰＢＦの駆動能力が、第２のモードに比べて低い駆動能力に設定される。 （もっと読む）

【課題】発振の定常状態における発振波形の歪みを低減すること。
【解決手段】コルピッツ発振回路本体１０と、そのコルピッツ発振回路本体１０の発振トランジスタＱ１のエミッタとコレクタの差電圧の最小値ＶＬを検出する最小値検出回路２０と、該最小値検出回路２０で検出された最小値ＶＬと発振トランジスタＱ１のコレクタ・エミッタ間飽和電圧Ｖce_satとを比較する判定回路３０とを備え、判定回路３０の判定結果に応じて発振トランジスタ１０のベース電圧を制御し、発振トランジスタＱ１のコレクタ・エミッタ間電圧が飽和領域に入らないようする。 （もっと読む）

【課題】回路規模を増大することなく、複数の発振周波数を自由に選択することができる発振器を提供する。
【解決手段】複数の発振回路の出力を１つの出力ノードＮ１に束ね、圧電素子Ｘ１，Ｘ２の一端を、それぞれ各圧電素子に対応する増幅器の入力端に接続すると共に、圧電素子Ｘ１，Ｘ２の他端を出力ノードＮ１に共通して接続する。そして、選択信号ＳＥＬによって、選択用トランジスタＳＭ１，ＳＭ２及びスイッチＳＷ１，Ｓｗ２を制御することで、圧電素子Ｘ１，Ｘ２の何れか一方を選択し駆動させることで、多入力１出力の発振器を実現する。また、複数の圧電素子のうち少なくとも一つは外部環境に影響を受けるよう実装する。 （もっと読む）

【課題】 反射素子の反射特性を用いて高周波化、周波数安定化を図ることができる圧電発振器を提供する。
【解決手段】 電界効果型のトランジスタ１のゲートに共振回路３が接続され、ドレインに出力端子７が接続されると共に、電源電圧Ｖが印加され、ソースに反射素子として圧電共振器６が接続され、共振回路３の共振周波数と反射素子の圧電共振器６の発振周波数とを略同じにした圧電発振器であり、共振回路３とゲートとの間に第１のマッチング回路２と、ドレインと出力端子８との間に第２のマッチング回路７と、ソースと反射素子との間に第３のマッチング回路５を設けるようにしてもよいものである。 （もっと読む）

【課題】 消費電力に応じて周波数ドリフト補償量を可変にし、発熱による周波数ドリフト特性を補償する水晶発振器を提供する。
【解決手段】 温度補償回路１からの温度補償制御電圧、ＡＦＣ回路２からの発振周波数制御電圧、周波数ドリフト補償回路３からの消費電力に応じた周波数ドリフト補償電圧を加算器４が加算し、水晶振動子５と並列接続されるインバータＩＣ６の入力側と出力側に接続する電圧可変容量素子７ａ，７ｂに加算器４で加算された電圧を出力する水晶発振器である。 （もっと読む）

【課題】周波数の校正を簡単に且つ高精度に可能な発振回路の提供。
【解決手段】圧電振動子４の両端に接続された入力端子と出力端子を有する第１のインバータ回路１と，第１のインバータ回路の入出力端子間に設けられた第１のフィードバック抵抗３と，第１のインバータ回路の入出力端子に各々接続され，制御信号により容量値が可変設定可能な第１、第２の可変容量素子２ａ、２ｂと，所定基準電流を入力端子又は出力端子に供給して第１または第２の可変容量素子を充電する充電回路１０と，入力端子又は出力端子の充電電圧と，参照電圧Ｖ_Ｒとを比較する比較器１１と，キャリブレーション時に，第１の時間で，充電回路に入力端子又は出力端子への基準電流の供給を開始させ，第１の時間後の第２の時間での比較器の比較結果に応じて，充電電圧が参照電圧に近づく様に，第１又は第２の可変容量素子の容量値を設定する制御信号生成の制御回路１２とを有する発振回路。 （もっと読む）

【課題】
インバーターを用いて大きな負性抵抗を得、さらに広い発振周波数可変幅を得る圧電発振回路を提供する。及び、大きな負性抵抗を得ることができることを論理的に証明する。
【解決手段】
圧電振動回路として、インバーターの入出力間にコンデンサーと圧電振動子を並列接続した回路と、第１のコイル、第２のコイルを直列接続した回路を備え、第１のコイル、第２のコイルの接続点と回路の接地点間にパスコンデンサーを備え、接続点と接地点間を交流に対して短絡させ、さらに電源と接地間にはコンデンサーを挿入し、交流に対して短絡させ、前記インバーターの電源端子と接地端子間に電圧を印加し、発振回路として構成した。 （もっと読む）

【課題】プロセスを簡素化し低コスト化を実現するとともに、さらに、システムを簡素化しノイズ対策を可能にするＭＥＭＳレゾネータ及びＭＥＭＳレゾネータの製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳレゾネータの製造方法は、基板１０上に形成された半導体デバイスとＭＥＭＳ構造体部４とを有するＭＥＭＳレゾネータ２の製造方法であって、半導体デバイスは、上部電極３０と下部電極２６とを有するＯＮＯキャパシタ部６と、ＣＭＯＳ回路部８と、を含み、ＯＮＯキャパシタ部６の下部電極２６を、第１シリコン層２６を用いて、形成する。ＭＥＭＳ構造体部４の下部構造体１６とＯＮＯキャパシタ部６の上部電極３０とを、第２シリコン層５２を用いて、形成する。及び、ＭＥＭＳ構造体部４の上部構造体１８とＣＭＯＳ回路部８のゲート電極３４とを、第３シリコン層５４を用いて、形成する。 （もっと読む）

【課題】プロセスを簡素化し低コスト化を実現するとともに、さらに、システムを簡素化しノイズ対策を可能にするＭＥＭＳレゾネータ及びＭＥＭＳレゾネータの製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳレゾネータの製造方法は、基板１０上に形成された半導体デバイスとＭＥＭＳ構造体部４とを有するＭＥＭＳレゾネータ２の製造方法であって、半導体デバイスは、上部電極３０と下部電極２６とを有するＯＮＯキャパシタ部６と、ＣＭＯＳ回路部８と、を含み、ＯＮＯキャパシタ部６の下部電極２６を、第１シリコン層２６を用いて、形成する。ＭＥＭＳ構造体部４の下部構造体１６とＯＮＯキャパシタ部６の上部電極３０とを、第２シリコン層５２を用いて、形成する。及び、ＭＥＭＳ構造体部４の上部構造体１８とＣＭＯＳ回路部８のゲート電極３４とを、第３シリコン層５４を用いて、形成する。 （もっと読む）

【課題】水晶発振回路の一定の電力消耗を維持できる水晶発振回路用の電圧源回路を提供する。
【解決手段】水晶発振回路用の電圧源回路が提供され、そのうち、電圧源回路および水晶発振回路が同一プロセスにより形成される。電圧源回路が、電流源と、第１ＰＭＯＳと、第１ＮＭＯＳと、調整器ユニットとを含む。電流源が電圧源および出力端間に連結され、そのうち、出力端が参考電圧を出力する。第１ＰＭＯＳおよび第１ＮＭＯＳ双方のゲートおよびドレインが互いに連結されるとともに、第１ＰＭＯＳおよび第１ＮＭＯＳが出力端ならびに接地間に連結される。調整器ユニットが、参考電圧に従って水晶発振回路の電圧源として水晶発振回路への作業電圧を発生させる。 （もっと読む）

【課題】第１のパッドと第２のパッドとの間に振動子が接続されて発振動作を行う半導体集積回路装置において、寄生容量を低減して調整可能な発振周波数の範囲を広くすると共に、外部から供給される電源電圧の値によって発振周波数が変化することを防止する。
【解決手段】この装置は、第３／第４のパッドから第１／第２の電源電位が供給されて安定化電源電位を出力する電圧レギュレータと、安定化電源電位が供給されて動作する反転増幅回路と、第１／第２のパッドに接続されたアノードと電圧レギュレータの出力端子に抵抗を介して接続されたカソードとを有する２つのダイオードと、第１／第２のパッドに接続されたカソードと第４のパッドに接続されたアノードとを有する２つのダイオードと、第３のパッドと第４のパッドとの間に接続されたトランジスタと、上記抵抗と第４のパッドとの間に接続されたトランジスタとを含む。 （もっと読む）

【課題】発振周波数を決定する容量値の変化に伴う発振周波数の変動を抑え、且つ、位相雑音を低減することのできる発振装置を提供する。
【解決手段】発振装置は、ドレイン接地回路からなる第１増幅回路１０と、第１増幅回路１０の出力を増幅する、ゲート接地回路からなる第２増幅回路２０と、第２増幅回路２０の出力を第１増幅回路の入力に帰還させるコンデンサＣ１と、第１増幅回路１０の入力側に設けられた共振器２と、共振器２及び第１増幅回路１０内のトランジスタＱ１に動作用のバイアス電圧を印加するバイアス回路１２と、第２増幅回路２０内のトランジスタＱ２に動作用のバイアス電圧を印加するバイアス回路２２とから構成される。この結果、位相雑音の発生を、単一のトランジスタからなるコルピッツ発振回路と同程度に抑えつつ、容量変化によって発振を起動できなくなったり、発振周波数が変動するのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】圧電発振器用オフセット回路、圧電発振器、圧電発振器の温度補償方法を提供する。
【解決手段】圧電振動子１２の発振周波数の温度特性に対応した温度補償電圧６４により発振信号６６の発振周波数の温度補償を行う発振回路１４と、圧電振動子１２の温度に対応した検出電圧６２を出力する温度センサー１６と、温度補償電圧発生回路１８との間に介装され、発振周波数の温度の上昇時及び下降時の温度特性にそれぞれ対応して、検出電圧６２をオフセットすることにより温度補償電圧６４を温度方向にオフセットする第１のオフセット回路４６と、温度補償電圧発生回路１８と発振回路１４との間に介装され、発振周波数の温度の上昇時及び下降時の温度特性にそれぞれ対応して、温度補償電圧６４を電圧方向にオフセットする第２のオフセット回路５４とを有する。 （もっと読む）