【課題】補償精度を十分に確保でき、しかもノイズ特性が良好な温度補償型水晶発振器および発振器の温度補償方法を提供する。
【解決手段】発振振動子１１を含む発振回路と、温度検出部１６と、発振回路の発振ループに接続された電圧可変容量素子１３，１４と、温度検出部６で検出された温度データを受けて温度変化を補償した補償電圧を電圧可変容量素子１３，１４に印加する温度補償回路１８と、を有し、温度補償回路１８は、温度区分を区切って複数の補正点のデータがそれぞれあらかじめ設定されており、検出された温度データに対して低温側の第１の補正点データおよび高温側の第２の補正点データを選択し、データの補間を加重平均された１次補間で行って、補償電圧ＶＴを生成する。 （もっと読む）

【課題】補償精度の高い温度補償型水晶発振器および発振器の温度補償方法を提供する。
【解決手段】発振振動子１１を含む発振回路２１と、温度検出部１６と、発振回路２１の発振ループに接続された電圧可変容量素子１３，１４と、温度検出部１６で検出された温度データを受けて温度変化を補償した補償電圧を電圧可変容量素子１３，１４に印加する温度補償回路１８と、を有し、温度補償回路１８は、温度検出部の測定データの補間を３次スプライン関数で行って補償電圧を生成する。 （もっと読む）

【課題】 ディレイ回路を設けたり、バイアス決定回路のバイアス点と波形整形回路のスレッショルドとを異ならせたりすることなく、消費電流を低減し、自励発振や異常発振を防ぐことができる水晶発振回路を提供する。
【解決手段】 水晶振動子２１および水晶振動子２１の出力を増幅し、電源電圧より低い定電圧源ＬＤＯ１により駆動される発振増幅器２２を有する水晶発振部２の出力に、電源電圧レベルにレベルシフトする結合コンデンサ３が接続され、その結合コンデンサ３の出力に、ソースがＶddに、ゲートがＶssに接続されたＰチャネルＭＯＳトランジスタ４１およびソースがＶssに、ゲートがＶddに接続されたＮチャネルＭＯＳトランジスタ４２のそれぞれのドレインが接続されたバイアス決定回路４が接続され、そのバイアス決定回路４の出力に振幅検知回路５、および波形整形回路６が接続されている。 （もっと読む）

【課題】極めて小型で、例えば数十ｋＨｚ帯の共振周波数を得ることができ、かつ電気機械結合係数の大きな音叉振動子を提供すること。
【解決手段】音叉振動子１００は、基板と、該基板の上方に形成された酸化物層と、該酸化物層の上方に形成された半導体層と、を有する基体と、前記半導体層と前記酸化物層を加工して形成された、半導体層からなる音叉型の振動部１０と、前記振動部１０の屈曲振動を生成するための駆動部２０ａ〜２０ｄと、を含む。振動部１０は、支持部１２と、該支持部１２を基端として片持ち梁状に形成された二本のビーム部１４ａ、１４ｂと、を有し、駆動部２０ａ〜２０ｄは、二本のビーム部１４ａ、１４ｂの上方にそれぞれ一対ずつ形成され、ひとつの駆動部は、第１電極層と、該第１電極層の上方に形成された圧電体層と、該圧電体層の上方に形成された第２電極層とを有し、前記ビーム部１４ａ、１４ｂの厚さをＴ０とし、前記圧電体層の厚さをＴ１とするとき、Ｔ０／Ｔ１≦１である。 （もっと読む）

【課題】被覆材を用いて振動子電極を両面とも絶縁することなく直接液体に浸漬可能で、液相中・気相中を問わず安定して発振可能な圧電発振器を提供する。
【解決手段】所定の周波数で励振される圧電振動子Ｚｘｔと、圧電振動子Ｚｘｔを励振させる論理素子ＩＮＶと、圧電振動子Ｚｘｔに並列接続される容量素子Ｃｅと、論理素子ＩＮＶの出力に接続される第１のインダクタｚ２および第１のパスコンデンサＣｐ１と、論理素子ＩＮＶの入力に接続される第２のインダクタｚ３および第２のパスコンデンサＣｐ２と、を備え、論理素子ＩＮＶの出力より第１のインダクタｚ２を介して接地すると共に、論理素子ＩＮＶの入力より第２のインダクタｚ３を介して接地することにより、容量素子Ｃｅと第１のインダクタｚ２と第２のインダクタｚ３とが、圧電振動子Ｚｘｔの発振周波数において共振するタンク回路を構成する。 （もっと読む）

【課題】電源変動に起因して生じる高調波ノイズのない水晶発振回路を提供する。
【解決手段】水晶発振回路１００は、電流モードロジック（ＣＭＬ：Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｍｏｄｅ Ｌｏｇｉｃ）で構成されたインバータ１０２と、インバータ１０２に対して並列に接続された帰還抵抗Ｒ２と、インバータ１０２に対して出力用抵抗Ｒ１を通して並列に接続された共振回路１０１とを備え、共振回路１０１は、インバータ１０２に対して出力用抵抗Ｒ１を通して並列に接続された水晶振動子１０３と、水晶振動子１０３の両端とグランド間にそれぞれ接続されたキャパシタＣ１及びＣ２とを備える。 （もっと読む）

【課題】圧電素子以外の電気部品をパッケージ内に収容した場合であっても、小型化された圧電デバイスを提供すること。
【解決手段】圧電素子２０と、この圧電素子２０と電気的に接続された電気部品３０と、圧電素子２０および電気部品３０が収容されたパッケージ４０とを備えた圧電デバイスであって、パッケージ４０は低温焼成基板により形成されており、低温焼成基板を焼成する際に、印刷した導電体が焼成されて、電気部品３０の全て又は一部が形成されるようになっている。 （もっと読む）

【課題】 起動から周波数変化量が安定するまでの時間を短縮する。
【解決手段】 三次関数的に周波数特性が変化する水晶片に励振電極を設けた水晶振動素子と周囲の温度に対応した温度補償を行う温度補償回路を有する集積回路素子とを所定の容器体に備え、前記集積回路素子が温度補償に用いる温度補償データを格納する記憶手段を備え、水晶振動素子が容器体内に気密封止され、集積回路素子と水晶振動素子とを電気的に接続した温度補償型発振器の温度補償方法であって、記憶手段に格納されている温度補償データを温度補償回路に適用し、三次関数を反転し、反転した三次関数の一次成分を調整して、温度と周波数変化量との関係が、温度が高くなるにつれて周波数変化量が下がるように温度補償を行う。 （もっと読む）

【課題】低電圧動作が可能な圧電発振器を提供する。
【解決手段】圧電振動子１９と、前記圧電振動子１９に並列接続された増幅器４１を構成するNMOSトランジスタ１７とPMOSトランジスタ１５と、前記圧電振動子１９に並列接続された負荷容量２０、２１により構成される発振回路において、前記増幅器４１を構成するNMOSトランジスタ１７のゲート端子３２とPMOSトランジスタ１５のゲート端子３０はDCカット容量２２により接続され、NMOSトランジスタ１７のゲート端子３２と増幅器４１の出力端子３１は帰還抵抗１６によって接続され、PMOSトランジスタ１５のゲート端子３０は、高周波除去抵抗２３を介して任意のバイアス電圧が印加され、前記バイアス電圧は第2のPMOSトランジスタ２５をダイオード接続することにより構成した回路によって発生する。 （もっと読む）

【課題】発振装置の発振周波数の調整において、歩留りを向上させやすくする。
【解決手段】半導体基板７に形成された第１電極に、圧電体で構成される圧電体膜を重ねて形成し、前記圧電体膜に、前記圧電体膜を挟んで前記第１電極に対向する第２電極を形成して、前記第１電極、前記圧電体膜及び前記第２電極を構成の一部として有する第１キャパシタを形成する工程と、容器３の底となる第３基板４５に、容器３の内側及び外側の間を貫通する貫通孔６１が設けられた容器３内に、半導体基板７を、半導体基板７が貫通孔６１を塞ぐように、且つ平面視で、前記第１キャパシタが貫通孔６１に重なるように実装する工程と、前記発振回路の発振周波数を測定した結果に基づいて、半導体基板７によって塞がれた貫通孔６１内に容器３の外側から圧力Ｐ１を付与した状態で、貫通孔６１を容器３の外側から塞ぐ工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、ＣＩ値を従来値以下に小さく抑えつつ、温度特性における頂点温度が＋２５℃となるような音叉型屈曲水晶振動素子、及びその音叉型屈曲水晶振動素子を搭載した水晶振動子や水晶発振器を提供することにある。
【解決手段】振動腕部の表主面に開口部を有する溝部と、裏主面に開口部を有する溝部が少なくとも１つずつ形成されており、且つ表主面に開口部を有する溝部内部の底面と、裏主面に開口部を有する溝部内部の底面とが、振動腕部内で対向しない位置にそれぞれ形成されている音叉型屈曲水晶振動素子、及びその音叉型屈曲水晶振動素子を搭載した水晶振動子並びに水晶発振器。 （もっと読む）

【課題】従来の発振回路では、電圧可変容量と電源電圧間に大きな容量の固定容量が必要になり小型化の妨げになっていた。また大きな寄生容量が電圧化変容量に並列に挿入される構成のため、大きな周波数可変幅を得ることが難しかった。
【解決手段】帰還抵抗と反転増幅回路と水晶振動子を並列に接続し、反転増幅回路の入出力両側の接続点を直流カット容量と負荷容量を介して接地し、さらに前記直流カット容量と負荷容量の入出力両側の接続点を電圧可変容量を介して接続し、この電圧可変容量の両端に制御信号を印加して周波数調整を行う構成とする。 （もっと読む）

【課題】発振装置において、発振安定化容量として用意されたキャパシタを有効活用する。
【解決手段】発振装置は、定電圧を生成する定電圧生成回路と、振動子発振回路と、第１のキャパシタを備える。振動子発振回路は、振動子を発振させるための回路であって、振動子の一端に接続される第１の接続ノードと、定電圧生成回路により生成された定電圧が供給される定電圧供給ノードと、を有する。第１のキャパシタは、第１の接続ノードと定電圧供給ノードのいずれかに選択的に接続される。 （もっと読む）

【課題】 発振検出回路の誤検出を抑制する。
【解決手段】発振停止検出回路は、発振回路の停止を検出する。発振停止検出回路は、発振回路の発振に基づいて生成されたクロック信号を用いて、電荷を充電するためのチャージポンプと、チャージポンプの出力ノードと前記第２の電源供給ノードとの間に配置されたキャパシタと、出力ノードの電位に基づいて検出結果を出力するバッファ回路と、を備える。バッファ回路は、第２の電源供給ノードに入力電極が接続され、前記チャージポンプの出力ノードに制御電極が接続されたＮチャネルトランジスタと、第１の電源供給ノードとＮチャネルトランジスタの出力電極との間に配置された第１の定電流源とを有する。 （もっと読む）

【課題】水晶発振回路を含む発振装置、半導体装置、電子機器等の消費電力を全体として抑制する。
【解決手段】発振装置は、第１の定電流を生成する第１の定電流源と、第１の定電流が通電され、定電圧を生成する定電圧制御トランジスタとを含む定電圧生成回路と、定電圧発生回路から供給される定電圧により発振駆動される水晶発振回路とを備える。定電圧は、動作保証温度範囲において第１の定電流に応じて変動する第１の傾きを有する。水晶発振回路において、動作保証温度範囲における発振停止電圧は第２の傾きを有する。第１の傾きは、第１の傾きと第２の傾きとの差と相関を有する水晶発振回路の消費電流と、第１の定電流の大きさと相関を有する定電圧生成回路の消費電流との和を極小とするように定められている。 （もっと読む）

【課題】振動部の材質の選択の幅が広くかつ信頼性の高い圧電振動子を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる圧電振動子３００は、基板１０と、基板１０の上方に形成された酸化シリコン層２０と、酸化シリコン層２０の上方に形成されたシリコン層３０と、シリコン層３０の上に接して形成された振動部形成層４０と、振動部形成層４０を貫通する第１開口部Ｈ１内に片持ち梁状に形成され、振動部形成層４０に固定されたビーム結合部１１０とビーム結合部１１０から延びる複数本のビーム部１２０とを有する振動部１００と、シリコン層３０を貫通し、第１開口部Ｈ１と振動部１００の下に形成された第２開口部Ｈ２と、ビーム部１２０の上方に形成された、圧電素子７５を備えた駆動部２００と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発振回路及び半導体装置に関し、電源投入後、リセット後、スタンバイ状態からの復帰後のＭＣＵの処理の高速化と低消費電力化を両立することを目的とする。
【解決手段】第１の発振回路と、第１の発振回路より長い発振安定時間を有する第２の発振回路と、第２の発振回路の発振安定時間の経過を示す安定信号を出力する信号生成回路と、選択信号に基づいて第１及び第２の発振回路の出力の一方を選択出力するスイッチ回路と、抑止信号に基づいて第２の発振回路の起動を抑止する抑止回路とを備え、第１及び第２の発振回路が同時に起動されてスイッチ回路により第１の発振回路の出力が選択出力された後に第２の発振回路の出力に切り替えられるモードと、第１の発振回路が起動されて抑止回路により第２の発振回路が起動されずスイッチ回路により第１の発振回路の出力のみが選択出力されるモードを有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】従来の電圧制御発振回路の電圧可変容量素子は、制御信号を入力する入力端子数が少ないために、制御信号を合成する必要があった。その合成回路が位相ノイズの悪化、回路面積の増加、消費電流の増加という問題を引き起こしていた。
【解決手段】本発明の電圧制御発振回路は、電圧可変容量素子としてＭＩＳ型トランジスタを用い、ソース端子とドレイン端子とを短絡したソースドレイン端子とゲート端子とバルク端子とを入力端子とし、それぞれ異なる３種類の制御信号を入力し、容量値を変化させることができる。このような構成とすることによって、制御信号を合成するための合成回路を減らすことができ、合成回路に起因する位相ノイズの悪化や、回路面積の増大、消費電流の増加を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスの微細化と、しきい電圧の低下により、通常オフ状態となっているＭＯＳトランジスタにリーク電流が発生する。また、製造プロセスによっては、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタとＰチャンネルトランジスタとのリーク電流が等しいとは限らない場合があり、発振回路のような回路構成によっては、動作に問題を引き起こす可能性が高い。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、制御電圧により駆動力が変化する第１のトランジスタを有する保護回路と、前記保護回路と同一の回路構成を有するモニター回路と、前記モニター回路が出力する電圧と、基準電圧との比較結果に基づいて前記制御電圧を生成する制御電圧生成回路とを有する。 （もっと読む）

【課題】低コストで、小型化がなされた変調回路及びそれを用いた送信機を提供することを目的とする。
【解決手段】ＳＡＷ共振子として横結合型２重モードＳＡＷ共振子を用いて２つの周波数で発振させるとともに、発振回路は、コルピッツ型としている。ＦＳＫマルチキャリア変調回路１は、横結合型２重モードＳＡＷ共振子として機能するＳＡＷ共振子２と、ＳＡＷ共振子に備えた一方のＩＤＴと接続して、２つのモードでＳＡＷ共振子２を共振させるよう切替えるスイッチ３と、負荷容量と増幅器とにより構成する発振用増幅回路４と、可変容量ダイオードと抵抗とにより構成する可変容量回路５とにより構成する。 （もっと読む）