【課題】衝撃や振動を受けても、それらの影響を受けない高調波モード振動を抑えた基本波モードで振動する音叉形状の屈曲水晶振動子と、それを備えた水晶ユニットと水晶発振器及び電子機器を提供する。
【解決手段】音叉基部と、その音叉基部に接続された少なくとも第１音叉腕と第２音叉腕とを備えた音叉形状の音叉型屈曲水晶振動子で、第１音叉腕と第２音叉腕の各音叉腕の一端部は音叉基部に接続され、他端部は自由であって、各音叉腕の上面と下面の各々に溝が形成され、逆相の屈曲モードで振動するように溝の面の上と各音叉腕の側面の上に電極が配置されている音叉型屈曲水晶振動子で、その音叉型屈曲水晶振動子の基本波モード振動のフイガーオブメリットＭ_１が、２次高調波モード振動のフイガーオブメリットＭ_２より大きくなるように、音叉形状と溝と電極との寸法が決められる。 （もっと読む）

【課題】発振周波数の調整範囲を広げる。
【解決手段】第１の端子Ｐ１と第２の端子Ｐ２を含む圧電振動子１００と、外部から印加する制御電圧Ｖｃにより静電容量が変化する可変容量素子ＶＣ１，ＶＣ２と第３の端子Ｐ３と第４の端子Ｐ４を含み圧電振動子１００を発振させ所定の周波数の発振信号を出力する発振回路２００と、圧電振動子１００及び発振回路２００を含むパッケージ１０と、第１の端子Ｐ１と第３の端子Ｐ３との間に接続され配線の容量値及びインダクタンス値を変更可能なパッケージ１０上に形成された第１の切替部３１０と、第２の端子Ｐ２と第４の端子Ｐ４との間に接続され配線の容量値及びインダクタンス値を変更可能なパッケージ１０上に形成された第２の切替部３２０と、を含む電圧制御圧電発振器１。 （もっと読む）

【課題】外部制御電圧を変化させた場合に周波数温度特性のずれが初期の特性から極めて
小さい電圧制御型温度補償圧電発振器を得る。
【解決手段】電圧制御型発振回路６と、外部制御電圧に基づいて電圧制御型発振回路６の
発振周波数を制御する制御電圧を出力するＡＦＣ回路９と、温度補償電圧を発生する温度
補償電圧発生回路５と、温度補償電圧のゲインを可変するゲイン可変回路８と、を備え、
ＡＦＣ回路９から出力される制御電圧Ｖ_AFCによりゲイン可変回路８を制御し、ゲイン可
変回路８の出力電圧により電圧制御型発振回路６の発振周波数を制御するようにした。 （もっと読む）

【課題】発振に係る電流消費を抑える。
【解決手段】圧電振動子１２と帰還抵抗素子１３を並列形態で入出力間に接続すると共にＣＭＯＳ論理反転型回路で構成される増幅器１１と、発振起動前において増幅器１１の入出力レベルを固定化して発振を停止させておき、発振起動開始時において入出力レベルの固定化を解除し、発振起動開始の所定時間後に増幅器１１の出力端にパルス信号を供給するＣＭＯＳ論理回路で構成される制御回路１４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】圧電薄膜の圧電作用を用いた振動腕部の共振の効率が向上した圧電薄膜振動片、及びこの圧電薄膜振動片の製造方法の提供。
【解決手段】圧電薄膜振動片は、少なくとも２つの互いに略平行な振動腕部１０，１１と、振動腕部１０，１１を連結する連結部１２とを有し、振動腕部１０，１１のそれぞれの主面１０ａ，１１ａに、上部電極２０ａ，２１ａ及び下部電極２０ｂ，２１ｂからなる対向電極間に圧電薄膜２０ｃ，２１ｃを設けた圧電薄膜振動部２０，２１を備え、圧電薄膜２０ｃ，２１ｃと上部電極２０ａ，２１ａとの間に、高誘電率絶縁薄膜２０ｄ，２１ｄが形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】妨害電波に強く、しかも回路の小型化、ＩＣ化を図ることができるマルチキャリ
ア送信機を提供する。
【解決手段】周波数ｆ１の発振信号が得られる第１のＳＡＷ発振回路１１と、周波数ｆ２
の発振信号が得られる第２のＳＡＷ発振回路１２と、これら第１及び第２のＳＡＷ発振回
路１１、１２の発振信号を合成するミキサ１５と、これらの発振信号の何れかを選択可能
な選択出力回路１７と、を設け、周波数ｆ１、ｆ２、ｆ３（ｆ１＋ｆ２）の何れかを発振
信号を利用して送信可能に構成した。 （もっと読む）

【課題】消費電力を抑え、電源立ち上げ当初の周辺温度の急変に対して安定した、又は、より短い時間で安定化する水晶発振器の温度補正方法を実現すること。
【解決手段】水晶振動子５の振動周波数を温度により補正する温度制御型の水晶発振器の温度制御方法であって、温度センサ２が検出した温度により前記水晶振動子５の振動周波数の温度補正の制御を行う制御部１は、前記水晶発振器又は周囲の電源立ち上げ当初の温度補正制御の頻度を通常時の温度補正制御の頻度より多くする。 （もっと読む）

【課題】 発振器の振動や温度変化などにより可変素子の可動部が動いたり、導通不良を生じたりすることで、発振特性が変化することがある。
【解決手段】可動部（１２）と固定部（１３）とを含む可変素子の可動部（１２）と固定部（１３）との接続部にポッティング剤（１１）を点塗布する。これによって、振器の振動や温度変化などで可変素子の可動部（１２）が動いたり、導通不良を生じたりして、周波数が変化することが防止できる。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳ容量を用いて構成される発振回路において、低電圧動作の場合であっても、電圧変動に対する容量値の変動幅を小さくすることができる発振回路を提供する。
【解決手段】発振回路の負荷容量は、少なくとも１つのＰＭＯＳと、少なくとも１つのＮＭＯＳとを含むＭＯＳ容量を用いて構成されている。ＰＭＯＳおよびＮＭＯＳのゲートは発振回路の発振ノードに接続されている。ＰＭＯＳのソース、ドレインおよび基板は電源に接続され、ＮＭＯＳのソース、ドレインおよび基板はグランドに接続されている。 （もっと読む）

【課題】損失の少ない安定した振動が得られる圧電薄膜振動片の提供。
【解決手段】圧電薄膜振動片は、基部１０と、棒状振動体２０，２１と、基部１０と棒状振動体２０，２１との間に設けられた圧電薄膜３１を、圧電薄膜３１の分極軸方向Ｃと交差して互いに対向し、一方が基部１０に接合され、他方が棒状振動体２０，２１の端部２２に接合される対向電極３２，３３で狭持する圧電薄膜振動部３０とを備え、圧電薄膜振動部３０の振動モードが、圧電薄膜３１が分極軸方向Ｃに変位する縦振動モードであって、棒状振動体２０，２１の延在方向Ｂが、圧電薄膜３１の分極軸方向Ｃに略沿った方向であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】温度変化による特性変動の少ない振動子を提供する。
【解決手段】３以上の奇数本の弾性腕１１、１２、１３と、弾性腕１１、１２、１３のそれぞれの一端側に連結する基部１４とを有し、弾性腕１１、１２、１３を、隣り合う弾性腕どうしが互い違いになるようにして弾性腕１１、１２、１３の表裏方向に振動させる、音叉型振動子１である。弾性腕１１、１２、１３は、シリコン酸化膜からなる基材１８と、基材１８の一方の面側に設けられた、下部電極膜１５ａ、１６ａ、１７ａと圧電膜１５ｂ、１６ｂ、１７ｂと上部電極膜１５ｃ、１６ｃ、１７ｃとからなる圧電素子１５、１６、１７と、を含んでなる。 （もっと読む）

【課題】低電力化を可能とし、リーク電流による誤動作の発生を無くした発振検出回路を提供する。
【解決手段】発振検出回路は、基準電圧源に接続された第１の入力端子と発振回路出力端に接続された第２の入力端子とを有しており、複数のバイポーラトランジスタにより構成される差動回路を採用し、差動回路の出力端に接続され出力端の電位に応じて充電または放電を行う容量素子と、容量素子の電位に基づいて発振信号端の所望の発振状態を検出する検出回路を有する。 （もっと読む）

【課題】より良好な振動モードが得られ、さらには、温度変化による特性変動の少ない振動子を提供する。
【解決手段】３以上の奇数本の弾性腕１１（１２、１３）と、これら弾性腕の一端側に連結する基部１４とを有し、弾性腕を、隣り合うものどうしが互い違いになるようにしてその表裏方向に振動させる、音叉型振動子１である。弾性腕は、基材１８と、基材１８の一方の面側に設けられた、下部電極膜１５ａと圧電膜１５ｂと上部電極膜１５ｃとからなる圧電素子１５とを含む。基部１４から延出する弾性腕１１の、基材１８の長さをＡ、圧電膜１５ｂの、基材１８上での基部１４からの長さをＢ、下部電極膜１５ａと上部電極膜１５ｃとが対向することで形成される電界領域の、基材１８上での基部１４からの長さをＣとすると、（３／４）Ａ≦Ｂ≦Ａ、（１／４）Ａ≦Ｃ≦（１／２）Ａを共に満足する。 （もっと読む）

【課題】回路規模を増大することなく、複数の発振周波数を自由に選択することができる発振器を提供する。
【解決手段】複数の発振回路の出力を１つの出力ノードＮ１に束ね、圧電素子Ｘ１，Ｘ２の一端を、それぞれ各圧電素子に対応する増幅器の入力端に接続すると共に、圧電素子Ｘ１，Ｘ２の他端を出力ノードＮ１に共通して接続する。そして、選択信号ＳＥＬによって、選択用トランジスタＳＭ１，ＳＭ２及びスイッチＳＷ１，Ｓｗ２を制御することで、圧電素子Ｘ１，Ｘ２の何れか一方を選択し駆動させることで、多入力１出力の発振器を実現する。 （もっと読む）

【課題】広い温度範囲にわたって周波数を高精度に自動調整することができる周波数調整回路を備えた発振回路を得る。
【解決手段】第１コンデンサ回路２３は、データ信号Ｄ０〜Ｄ２に応じた第１合成容量値をなし、選択回路２４は、データ信号Ｄ０〜Ｄ２に応じて、データ入力端子Ｄｉ３〜Ｄｉ７に入力された５つの信号を、出力端子Ｑ０〜Ｑ７の内、連続した５つの出力端子から対応して第２コンデンサ回路２５に出力し、第２コンデンサ回路２５は、選択回路２４から出力されたデータ信号に応じた第２合成容量値をなすようにして、第１コンデンサ回路２３で選択された第１合成容量値が大きくなるにつれて、調整に用いる第２コンデンサ回路２５の第２合成容量値を大きい系列にシフトするようにした。 （もっと読む）

【課題】接続不良を見つけた場合は、容量検査を行わないようにして検査時間を短縮させることができる検査回路を備えたコンデンサ回路、そのコンデンサ回路を使用した可変容量回路、その可変容量回路を使用した発振回路及びコンデンサ回路の検査方法を得る。
【解決手段】検査信号ＴＥＳＴがハイレベルになると、ＮＭＯＳトランジスタＭ２がオフすると共にＰＭＯＳトランジスタＭ１及びＭ３がそれぞれオンし、ＮＭＯＳトランジスタＭＣのドレインはＰＭＯＳトランジスタＭ１と電流計３を介して電源電圧Ｖｄｄに接続され、ＮＭＯＳトランジスタＭＣのゲート電圧が電源電圧Ｖｄｄまで上昇してＮＭＯＳトランジスタＭＣはオン状態になり、電源電圧Ｖｄｄ→電流計３→接続端子Ｔ１→ＰＭＯＳトランジスタＭ１→ＮＭＯＳトランジスタＭＣ→接地電圧ＧＮＤの経路で電流ｉ１が流れるようにした。 （もっと読む）

【課題】振動子の構造寸法のばらつきに起因する共振周波数の変動を抑制することのできる共振回路及びその製造方法を実現する。
【解決手段】本発明の共振回路３０は、基板と、該基板上に形成された固定電極１２、及び、該固定電極の少なくとも一部に対向する可動部を備えた可動電極１３を有するＭＥＭＳレゾネータ１０と、該ＭＥＭＳレゾネータにバイアス電圧を印加するための電圧印加手段２０と、を具備し、前記電圧印加手段は、前記可動部を構成する層と同じ層で構成され、該層の厚みで抵抗値が変化する補償用抵抗Ｒ１１と、該補償用抵抗に接続され、前記可動部を構成する層と異なる構造で構成される基準抵抗Ｒ１２とを分圧抵抗とし、前記補償用抵抗と前記基準抵抗の接続点電位を前記ＭＥＭＳレゾネータの少なくとも一方の端子１０ｂに出力し、前記抵抗値の変化により前記層の厚みと正の相関を有する前記バイアス電圧を前記振動子に与える分圧回路を有する。 （もっと読む）

【課題】微細化しても精度の高い発振作が行える半導体集積回路及び発振回路を得る。
【解決手段】半導体集積回路２１に水晶振動子３１接続用の端子ＸＣＩＮ，端子ＸＣＯＵＴが設けられる。サージ保護回路１１はノードＮ１を介して端子ＸＣＩＮに接続され、サージ保護回路１２はノードＮ２を介して端子ＸＣＯＵＴに接続される。インバータより構成される反転回路４は入力部が端子ＸＣＩＮ側のノードＮ３に接続され、出力部が端子ＸＣＯＵＴ側のノードＮ２に接続される。そして、端子ＸＣＩＮに直結されるノードＮ１と反転回路４の入力部であるノードＮ３との間に入力カップリングコンデンサ１が介挿される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、出力要求信号が与えられたタイミングから、発振周波数が安定状態に遷移するまでに要する時間を短縮しながら、消費電流を低減することができる発振器を提供することを目的とする。
【解決手段】 第１のインバータＩＮＶ１００の電源端子に接続され、出力要求信号が与えられたタイミングで、第１のインバータＩＮＶ１００に供給する電流を増加させ、出力停止信号が与えられたタイミングで、第１のインバータＩＮＶ１００に供給する電流を減少させる可変電流源ＶＩと、温度補償部３００に接続され、出力要求信号が与えられたタイミングで、オン状態に切り換え、出力停止信号が与えられたタイミングで、オフ状態に切り換える第２のスイッチＳＷ２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、消費電流を低減しながら、部品点数を削減することができる発振器を提供することを目的とする。
【解決手段】 電流源ＶＩ及び第２のインバータＩＮＶ２００の電源端子に接続され、出力要求信号が与えられたタイミングで、オン状態に切り換えることにより、電流源ＶＩ及び第２のインバータＩＮＶ２００の電源端子に所定の電圧を印加し、出力停止信号が与えられたタイミングで、オフ状態に切り換えることにより、電流源ＶＩ及び第２のインバータＩＮＶ２００の電源端子に所定の電圧を印加することを制限するスイッチＳＷを備える。 （もっと読む）