【課題】水晶振動子を用いた発振回路の負荷容量ＣＬ値、負性抵抗ＲＬ値、および駆動電流Ｉos値の関係を明確にし、水晶発振回路の設計値の決定方法を提供する。
【解決手段】水晶発振回路において、負性抵抗値RL、負荷容量値CLおよび駆動電流Ｉosの３つの設計値のうち、２つの値を決定することにより、残りの１つの値を関係式或いは関係グラフを用いて決定する。負性抵抗値RLを一定値としたとき、駆動電流Ｉosおよび負荷容量値CLの関係式は、Ｉos＝α＊(CL)²＋β＊(CL)＋γ（α、β、γは定数）の２次式で表される。また、駆動電流Ｉosをパラメータ（一定値）としたとき、負荷容量値CLおよび負性抵抗値RLの関係式は、CL＝a＊(RL)^b（a、bは定数）の累乗式で表される。この結果、水晶発振回路の低CL化により駆動電流を低下でき、水晶発振回路の低消費電力化を実現できる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、実装基板に配置される水晶発振回路における浮遊容量Ｃsを低減する手段を提供することである。
【解決手段】本発明は、発振回路を構成するＣＭＯＳインバータの入出力端子間に接続する水晶振動子と、前記ＣＭＯＳインバータの入力端子パッドへ接続する前記水晶振動子側の入力端子を含む入力配線ラインと、前記ＣＭＯＳインバータの出力端子パッドへ接続する前記水晶振動子側の出力端子を含む出力配線ラインと、前記水晶振動子側の接地電源端子を含む接地電源配線ラインと、前記入力配線ラインと前記接地電源配線ラインとの間、及び前記出力配線ラインと前記接地配線ラインとの間に接続された容量素子と、を有する発振回路において、前記入力配線ラインと前記出力配線ラインとの間の少なくとも一部に前記接地電源配線ラインが配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 消費電力に応じて周波数ドリフト補償量を可変にし、発熱による周波数ドリフト特性を補償する水晶発振器を提供する。
【解決手段】 温度補償回路１からの温度補償制御電圧、ＡＦＣ回路２からの発振周波数制御電圧、周波数ドリフト補償回路３からの消費電力に応じた周波数ドリフト補償電圧を加算器４が加算し、水晶振動子５と並列接続されるインバータＩＣ６の入力側と出力側に接続する電圧可変容量素子７ａ，７ｂに加算器４で加算された電圧を出力する水晶発振器である。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、水晶振動子を用いた発振回路の発振起動時間と負荷容量ＣＬ値の関係を明確にし、所望の発振起動時間から負荷容量ＣＬ値を決定することである。
【解決手段】本発明は、水晶振動子を用いた発振回路において、発振起動時間Ｔｓと発振余裕度Ｍの関係式又は関係グラフを用いて発振余裕度Ｍから発振起動時間Ｔｓ（Ｔｓ０）を求める手段（Ａ）と、発振起動時間Ｔｓと負荷容量ＣＬの関係式、及び駆動電流値Ｉｏｓから、任意の駆動電流値Ｉｏｓにおける発振起動時間Ｔｓと負荷容量ＣＬの関係式を求める手段（Ｂ）と、前記手段（Ｂ）において求められた発振起動時間Ｔｓおよび負荷容量ＣＬの関係式を用いて、前記手段（Ａ）で求められた発振起動時間Ｔｓ０に対応する負荷容量ＣＬを決定する手段（Ｃ）と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】水晶発振回路の消費電力の低減を図りつつ後段回路を作動させることができる発振装置を提供する。
【解決手段】第１電源Ｖ１が、振幅検出回路３に対して第１電源電圧（３Ｖ）を供給する。第２電源Ｖ２が、水晶振動回路２に対して第１電源電圧（３Ｖ）よりも小さい第２電源電圧（１Ｖ）を供給する。振幅検出回路３は、ＣＭＯＳインバータＩＶ１の出力端子から出力される発振信号と、第２電源電圧（１Ｖ）を分圧して得た基準電圧Ｖｒｅｆと、それぞれのベースに接続される一対のトランジスタが設けられたコンパレータ３１を備えている。 （もっと読む）

【課題】周波数可変感度が高い１チップタイプの圧電発振器を提供する。
【解決手段】水晶発振器２０は、水晶振動片１０と、その水晶振動片１０を発振させるための発振回路を含む半導体回路素子としてのＩＣチップ５０と、水晶振動片１０とＩＣチップ５０との間に配置され、少なくとも一方の主面にインダクタ回路パターン５ａが形成された中間基板２と、中間基板２に水晶振動片１０が積層された積層体１およびＩＣチップ５０が収容されるパッケージ３０と、を含む。パッケージ３０内に、積層体１およびＩＣチップが封止された水晶発振器２０において、中間基板２のインダクタ回路パターンは、水晶振動片１０に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 出力周波数を安定させ、落下等の衝撃に対して堅牢で、小型化及び量産性の向上を図ることができる温度制御型水晶振動子及び水晶発振器を提供する。
【解決手段】 水晶ブランク１０が、振動片である内部領域１と、内部領域１の周囲を囲む外周部２と、内部領域１と外周部２とを接続する接続部３とから成り、内部領域１の両面に電極５が形成され、ヒータ６と温度センサ７とが、内部領域１の一方の面に形成された電極５の周囲を囲むように形成され、電極５、ヒータ６、温度センサ７がそれぞれ引出線によって外周部２の端子に接続されており、温度センサ７と水晶との接触面積を広くする温度制御型水晶振動子である。 （もっと読む）

【課題】水晶振動子を振動させるための制御信号の変曲点が製造ばらつきによってずれることを抑制できる、関数発生回路を提供すること。
【解決手段】周囲温度に応じて、水晶振動子３５を振動させる発振回路３０の制御電圧Ｖｃを出力する関数発生回路であって、周囲温度の検出電圧を１次の温度特性で出力する温度検出回路２と、０次成分発生回路４の出力と１次成分発生回路５の出力と３次成分発生回路１６の出力とを加算し、且つ、２次成分発生回路１１の出力を加算又は減算することを切り替えて、制御電圧Ｖｃを生成する加減算回路１２とを備え、２次成分発生回路１１が、制御電圧Ｖｃの変曲点における温度を補正する変曲点温度補正回路を有する、関数発生回路。 （もっと読む）

【課題】周波数の校正を簡単に且つ高精度に可能な発振回路の提供。
【解決手段】圧電振動子４の両端に接続された入力端子と出力端子を有する第１のインバータ回路１と，第１のインバータ回路の入出力端子間に設けられた第１のフィードバック抵抗３と，第１のインバータ回路の入出力端子に各々接続され，制御信号により容量値が可変設定可能な第１、第２の可変容量素子２ａ、２ｂと，所定基準電流を入力端子又は出力端子に供給して第１または第２の可変容量素子を充電する充電回路１０と，入力端子又は出力端子の充電電圧と，参照電圧Ｖ_Ｒとを比較する比較器１１と，キャリブレーション時に，第１の時間で，充電回路に入力端子又は出力端子への基準電流の供給を開始させ，第１の時間後の第２の時間での比較器の比較結果に応じて，充電電圧が参照電圧に近づく様に，第１又は第２の可変容量素子の容量値を設定する制御信号生成の制御回路１２とを有する発振回路。 （もっと読む）

【課題】回路規模の増大を抑制しつつ、広範囲の制御電圧に対して発振周波数を直線的に変化させることが可能な電圧制御発振器を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる電圧制御発振器は、増幅器１１と、増幅器１１に並列に接続され帰還ループを構成する水晶振動子１３と、水晶振動子１３に対して負荷する容量値が制御電圧ＶＣに応じて変化する可変容量部１５，１７と、制御電圧ＶＣを生成する制御電圧生成回路１４と、を備える。また、可変容量部１５は、固定容量１５２と、固定容量１５２と直列に接続され制御電圧ＶＣに応じて導通状態が制御されるディプレッション型のトランジスタ１５１と、を有する。可変容量部１７は、固定容量１７２と、固定容量１７２と直列に接続され制御電圧ＶＣに応じて導通状態が制御されるエンハンスメント型のトランジスタ１７１と、を有する。 （もっと読む）

【課題】周波数可変量を容易に調整可能な電圧制御型圧電発振器の提供。
【解決手段】電圧制御型水晶発振器１０は、水晶振動子Ｘ₁と、この水晶振動子Ｘ₁を発振させる発振回路などを含む半導体回路素子としてのＩＣチップ４０と、水晶振動子Ｘ₁に直列に接続されたインダクタンスＬ₁、を有している。インダクタンスＬ₁は、水晶振動子Ｘ₁及びＩＣチップ４０を収容する積層回路基板としてのパッケージの層間に設けられたインダクタ回路パターン、及び、そのインダクタ回路パターンの始端から終端の間に設けられた複数の第１引出端子から層内配線などによりパッケージの表面に引き出されたボンディングパッドａ〜ｄを用いている。ボンディングパッドｂ，ｃ，ｄのいずれかと、ＩＣチップ４０の電極パッド４５とがボンディングワイヤー３７により接続され、インダクタンスＬ₁の終端ａが水晶振動子Ｘ₁に接続される。 （もっと読む）

【課題】
インバーターを用いて大きな負性抵抗を得、さらに広い発振周波数可変幅を得る圧電発振回路を提供する。及び、大きな負性抵抗を得ることができることを論理的に証明する。
【解決手段】
圧電振動回路として、インバーターの入出力間にコンデンサーと圧電振動子を並列接続した回路と、第１のコイル、第２のコイルを直列接続した回路を備え、第１のコイル、第２のコイルの接続点と回路の接地点間にパスコンデンサーを備え、接続点と接地点間を交流に対して短絡させ、さらに電源と接地間にはコンデンサーを挿入し、交流に対して短絡させ、前記インバーターの電源端子と接地端子間に電圧を印加し、発振回路として構成した。 （もっと読む）

【課題】ＳＡＷ共振子を用いて確実に磁界検知ができる磁気センサを実現する。
【解決手段】ＳＡＷ共振子１０の水晶基板１１の表面１１１には、第１のくし形電極１２Ａ、第２のくし形電極１２Ｂが形成されている。第１のくし形電極１２Ａの電極指１２１Ａと第２のくし形電極１２Ｂの電極指１２１Ｂとは、配列方向に沿って交互に配置されており、全ての電極指１２１Ａ，１２１Ｂの長さおよび幅は同じである。電極指１２１Ａと電極指１２１Ｂの交叉幅も一定である。ＳＡＷ共振子１０を、磁界検出の一態様において、電極指１２１Ａ，１２１Ｂの配列方向すなわち共振信号の伝搬方向と磁石２０Ａ，２０Ｂで生じる磁界強度の中心軸とが平行になるように、設置する。より具体的には、交叉幅の中心を結んで得られるＳＡＷ共振子１０のＸ軸中心軸と、磁界強度の中心軸に対応する磁石２０Ａ，２０Ｂの中心軸とが略一致するように、ＳＡＷ共振子１０を設置する。 （もっと読む）

【課題】部品点数を増やさず、また、電力を上げずに、複数の周波数を切り替え制御する。
【解決手段】発振回路１は、２つの水晶振動子Ｘ１，Ｘ２を接続させて２つの周波数に対応するものであり、増幅素子である発振用トランジスタＱと、発振用トランジスタＱに接続された容量部とが設けられている。容量部には、容量を可変させる可変容量素子であるバリキャップダイオードＣ１２が含まれ、バリキャップダイオードＣ１２の容量に基づいて、発振させる水晶振動子Ｘ１，Ｘ２を切替制御する。 （もっと読む）

【課題】水晶発振回路の一定の電力消耗を維持できる水晶発振回路用の電圧源回路を提供する。
【解決手段】水晶発振回路用の電圧源回路が提供され、そのうち、電圧源回路および水晶発振回路が同一プロセスにより形成される。電圧源回路が、電流源と、第１ＰＭＯＳと、第１ＮＭＯＳと、調整器ユニットとを含む。電流源が電圧源および出力端間に連結され、そのうち、出力端が参考電圧を出力する。第１ＰＭＯＳおよび第１ＮＭＯＳ双方のゲートおよびドレインが互いに連結されるとともに、第１ＰＭＯＳおよび第１ＮＭＯＳが出力端ならびに接地間に連結される。調整器ユニットが、参考電圧に従って水晶発振回路の電圧源として水晶発振回路への作業電圧を発生させる。 （もっと読む）

【課題】第１のパッドと第２のパッドとの間に振動子が接続されて発振動作を行う半導体集積回路装置において、寄生容量を低減して調整可能な発振周波数の範囲を広くすると共に、外部から供給される電源電圧の値によって発振周波数が変化することを防止する。
【解決手段】この装置は、第３／第４のパッドから第１／第２の電源電位が供給されて安定化電源電位を出力する電圧レギュレータと、安定化電源電位が供給されて動作する反転増幅回路と、第１／第２のパッドに接続されたアノードと電圧レギュレータの出力端子に抵抗を介して接続されたカソードとを有する２つのダイオードと、第１／第２のパッドに接続されたカソードと第４のパッドに接続されたアノードとを有する２つのダイオードと、第３のパッドと第４のパッドとの間に接続されたトランジスタと、上記抵抗と第４のパッドとの間に接続されたトランジスタとを含む。 （もっと読む）

【課題】設計段階で所望の微小な差周波を得られるようにすることと、２つの弾性表面波素子の共振周波数を同程度に近づけることとの両立を図る。
【解決手段】第１、第２ＳＡＷ共振子２、４の両者における櫛歯電極１２、１３および反射器１４、１５を構成する各電極のピッチｐ１、ｐ２を同一としつつ、両者における各電極の交差指幅Ｌ１、Ｌ２を異ならせる。第１、第２ＳＡＷ共振子２、４をこのような構造とすることで、第１ＳＡＷ共振子２を有する第１発振回路の発振周波数と、第２ＳＡＷ共振子４を有する第２発振回路の発振周波数とを異ならせることができ、両方の発振周波数の差である差周波を微小な周波数に設定することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】外部からの制御信号に基づいて消費電力の低減と周波数精度の向上のいずれかを択一的に実現可能な圧電発振器、これを用いて低消費電力化を実現するＧＳＰ受信装置及び電子機器を提供すること。
【解決手段】温度補償回路１０は、取得した温度情報とＰＲＯＭ７０（記憶部）に記憶された温度補償データとに基づいて、圧電振動子４０の周波数温度特性を補償するための温度補償電圧を発生させ、電圧制御発振回路３０は、圧電振動子４０を発振させるとともに、発振制御電圧に基づいて圧電振動子４０の発振周波数を制御し、スイッチ回路６０（電源制御部）は、外部からの制御信号に基づいて、温度補償回路１０に電源電圧を供給するか又は温度補償回路１０の少なくとも一部に電源電圧を供給しないように制御し、温度補償回路１０に電源電圧が供給される期間と同期して、電圧制御発振回路３０に発振制御電圧として温度補償電圧が供給される。 （もっと読む）

【課題】水晶振動子を用いた水晶発振回路において、電源起動時における出力周波数変動をより安定化可能にする。
【解決手段】水晶振動子１５を用いた水晶発振回路は、水晶振動子１５と発振ループを形成する可変容量素子１０と、可変容量素子１０に制御信号を与え、水晶振動子１５の温度特性を補償する温度補償回路３とを備えている。さらに、第２の可変容量素子群２２ａ，２２ｂと、所定の時定数で変化する時定数信号を第２の可変容量素子群２２ａ，２２ｂに制御信号として与える時定数回路２５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】第２の発振回路の起動を待つことなく第１の発振回路の出力により高精度なクロック信号を得る。
【解決手段】クロックシステム１は、ＣＲ発振回路１１、水晶発振回路１２、及びトリミング回路１５を含む。ＣＲ発振回路１１は、内部回路１７に供給されるクロックＣＬＫ１を生成する。水晶発振回路１２は、ＣＲ発振回路１１の発振周波数の調整に使用される。トリミング回路１５は、ＣＲ発振回路１１と水晶発振回路１２の間の発振周波数差の検出結果に基づいて、ＣＲ発振回路１１の発振周波数を調整する。 （もっと読む）