【課題】発振開始時からデューティが５０％に安定する発振制御回路を提供する。
【解決手段】作動制御回路３が、発振信号の発振電位がＣＭＯＳインバータＩＶ１の反転電位よりも低い第１基準電位よりも低くなるまでＭＯＳトランジスタＴ１１及びＴ１２をオフ状態、ＭＯＳトランジスタＴ２をオン状態に保持する。作動制御回路３が、発振信号の発振電位が第１基準電位よりも低くなったとき出力が反転するＣＭＯＳインバータＩＶ３１と、ＣＭＯＳインバータ３１の後段に設けた抵抗Ｒ３１とコンデンサＣ３１とからなるローパスフィルタ３１と、ローパスフィルタ３１の出力が閾値を越えると出力が反転するＣＭＯＳインバータ３３と、を有している。 （もっと読む）

【課題】水晶振動子と、これを発振させるＩＣ回路とが、互いを接続する配線が外部に露出しないようパッケージ内に封止された水晶発振器において、実際にパッケージに封止した状態で水晶振動子の良否を判定できる判定方法を提供する。
【課題の解決手段】水晶振動子の良否判定方法は、判定対象の水晶振動子１と、これを発振させるＩＣ回路２とが、互いを接続する配線が外部に露出しないようパッケージ内に封止されるとともに、外部信号を入力する入力端子ＩＮを備え、外部からの制御信号によりＩＣ回路２の負性抵抗値を変化させる手段を有する水晶発振器１０を用い、負性抵抗値を変化させつつ発振出力を監視し、発振を停止した時及び／又は発振を開始した時の負性抵抗値により水晶振動子の直列共振抵抗値を求め、この直列共振抵抗値とＩＣ回路設計時に設定した負性抵抗値との関係に基づいて水晶振動子の良否を判定する。 （もっと読む）

【課題】静電容量の温度特性の向上、誘電損失の減少、及び比誘電率の低下を可能とする誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】圧電素子及び負荷容量素子を備える発振子において負荷容量素子が有する誘電体磁器組成物であって、下記化学式（Ａ）で表される組成を有し、０．９８≦ａ≦１．０１、０．０１≦ｂ≦０．０２、０．０２≦ｃ≦０．０４及び０．４８≦ｄ≦０．５１、を満たすペロブスカイト型の複合酸化物と、Ｎｉ元素と、を備え、ＮｉＯに換算したＮｉ元素の含有量が、複合酸化物１００質量部に対して０．０１〜０．３質量部であり、Ｃｏ_３Ｏ_４に換算したＣｏ元素の含有量が、複合酸化物１００質量部に対して０質量部以上０．１質量部未満である、誘電体磁器組成物。
Ｐｂ_ａ［Ｚｎ_ｂＮｂ_ｃＴｉ_{｛１−（ｂ＋ｃ＋ｄ）｝}Ｚｒ_ｄ］Ｏ_３ （Ａ） （もっと読む）

【課題】温度補償型発振回路、及びこれを搭載した電子機器を提供する。
【解決手段】圧電振動子１２と、前記圧電振動子１２を発振させる発振回路１４と、調整値に応じて素子値が調整される周波数調整回路１６と、を有する温度補償型発振回路１０であって、前記温度補償型発振回路１０は、前記圧電振動子１２の周囲温度を第１アドレスデータ２４に変換して出力するＡＤ変換器２０と、前記圧電振動子１２の基準温度を含む基準温度範囲において、第１アドレスデータ２４の最下位ビットより上位のビットを設定最下位ビットとし、前記設定最下位ビットより上位のビットを共有する設定アドレスデータ（第３アドレスデータ５２、第４アドレスデータ５４）に対応し、前記基準温度範囲外となる周辺温度範囲において第１アドレスデータ２４に対応した調整値を記憶し、入力された第１アドレスデータ２４または設定アドレスデータに対応した前記調整値を出力するメモリ３８と、を有する。 （もっと読む）

【課題】振動子の構造寸法のばらつきに起因する共振周波数の変動を抑制することのできる共振回路及びその製造方法を実現する。
【解決手段】本発明の共振回路３０は、基板と、該基板上に形成された固定電極１２、及び、該固定電極の少なくとも一部に対向する可動部を備えた可動電極１３を有するＭＥＭＳレゾネータ１０と、該ＭＥＭＳレゾネータにバイアス電圧を印加する電圧印加手段２０と、を具備し、前記電圧印加手段は、前記可動部と同じ層で構成され該層の厚みで抵抗値が変化する補償用抵抗Ｒ１１と、該補償用抵抗に接続され前記可動部と異なる層で構成される基準抵抗Ｒ１２とを備え、前記補償用抵抗と前記基準抵抗の接続点電位を前記ＭＥＭＳレゾネータの第１の端子と第２の端子のうちの少なくとも一方の端子１０ｂに出力する分圧回路を有する。 （もっと読む）

【課題】実装稼動中においても圧電振動子のリークを検出できる圧電発振器を提供すること。
【解決手段】圧電発振器１は、圧電振動子１００、発振回路１０、判定部２０とを含む。圧電振動子１００は、圧電振動素子が気密封止されている。発振回路１０は、誘電性リアクタンスとして動作する圧電振動子１００に発振動作を行わせる。判定部２０は、圧電振動子１００に流れる電流に基づいて圧電振動子１００の気密封止状態の判定を行う。 （もっと読む）

【課題】温度補償電圧発生回路、及び温度補償型発振回路を提供する。
【解決手段】圧電振動子１２と、前記圧電振動子１２の発振周波数の温度補償を行う第１可変容量素子１６と、前記発振周波数を所定の値に調整する第２可変容量素子１８と、を有する発振回路１２と、前記第２可変容量素子１８に接続され、前記第２可変容量素子１８の容量を制御するＡＦＣ回路５４と、に接続される温度補償電圧発生回路２９であって、前記温度補償電圧発生回路２９は、前記第１可変容量素子１６の一端に接続され、前記第１可変容量素子１６の容量を制御する温度補償電圧を出力する第１温度補償電圧発生回路３０と、入力側が、前記第１温度補償電圧発生回路３０及び前記ＡＦＣ回路５４に接続され、出力側が前記第１可変容量素子１６の一端の反対側の他端に接続され、入力された前記温度補償電圧と前記ＡＦＣ回路５４の出力とによって生成された補助温度補償電圧を前記第１可変容量素子３０に出力する第２温度補償電圧発生回路４４と、を有する。 （もっと読む）

【課題】温度補償型圧電発振器の起動直後の温度ドリフトを低減させる手段を得る。
【解決手段】圧電振動素子６は変曲点の低温側及び高温側に夫々極大値及び極小値と有す
る周波数温度特性を有し、ＩＣ部品８は温度を感知する温度センサ３１と、圧電振動素子
を補償する温度補償回路３２と、圧電振動素子と共に電圧制御型発振器を形成する電圧制
御型発振回路３３と、を備える。温度補償回路３２は、１次成分回路と３次以上の高次成
分回路とを含む回路と、信号の処理回路３５と、加算回路３６と、を備え、電圧制御型発
振回路３３から出力される周波数補償量と温度との関係が、圧電振動素子６の周波数温度
特性を正確に補償する補償量より少なく、温度の上昇に応じて温度補償型圧電発振器の周
波数が減少するように補償回路３２を調整した。 （もっと読む）

【課題】クロックの不具合の可能性を排除し、冗長性及び拡張性を備える同期化システムを提供するためのＳＸＯモジュールを提供する。
【解決手段】第１のバスから調整済み信号を受信し、共振器信号をステージ維持増幅器に渡す結晶共振器を含む結晶発振器ベースのモジュール。同期化範囲拡大回路が利得制御ネットワークと共振器の間に接続される。トライステートバッファがバッファを介して共振器信号を受信するように接続された主入力を有する。トライステートバッファの出力は、必要に応じて整合ネットワークを介して、第２のバスに接続される。上記モジュールを交互に２つのバスに接続することによって同期クロックシステムが形成されうる。また、トライステートバッファは制御入力も有しており、制御入力はホットスワッピングおよび他の便益を可能にするようにＶｃｃとグラウンドの間の遅延回路に接続されてもよい。 （もっと読む）

【課題】 基準周波数を生成する発振回路の発振周波数の変化を抑制可能な基準周波数制御回路を提供する。
【解決手段】 入力信号のレベルに応じた周波数で発振する発振回路からの発振信号が入力され、前記発振信号の周波数に応じた出力電圧を出力する周波数電圧変換回路と、前記出力電圧が所定レベルとなるよう前記入力信号のレベルを制御する制御回路と、を備えることを特徴とする基準周波数制御回路。 （もっと読む）

【課題】クロック信号を安定的に生成するＰＬＬ回路及び発振装置を提供すること。
【解決手段】水晶発振回路１は、同水晶発振回路１に設けた駆動可変部の駆動能力をＰＬＬ回路５０ａのループフィルタ５９から出力される制御信号Ｓｌｆの電圧値に応じて制御する。 （もっと読む）

【課題】品質係数Ｑ値が高く、しかも容量比の小さい超小型の音叉型屈曲水晶振動子の製造方法を提供する。
【解決手段】音叉型屈曲水晶振動子の基本波モード振動のフイガーオブメリットＭ_１が、２次高調波モード振動のフイガーオブメリットＭ_２より大きくなるように、音叉形状と溝と電極の寸法が決定される。水晶ウエハの上面と下面の各々に金属膜を形成、その上にレジストが塗布され、第１音叉腕４６と第２音叉腕４７とを備えた音叉形状を形成、第１音叉腕４６と第２音叉腕４７の各々の上面と下面の各々に溝が形成され、金属膜の上に塗布されたレジストを除去し、溝の面の上に第１電極が形成され、かつ、第１音叉腕４６と第２音叉腕４７の各々の側面に第２電極が形成され、各音叉型屈曲水晶振動子を水晶ウエハから切り離し、音叉型屈曲水晶振動子の発振周波数を調整する。 （もっと読む）

【課題】品質係数Ｑ値が高く、容量比の小さい超小型の音叉型屈曲水晶振動子と水晶ユニットと水晶発振器の製造方法を提供する。
【解決手段】逆相の屈曲モードで振動し、音叉基部と音叉基部に接続された第１及び第２音叉腕とを備えた音叉型水晶振動子７０と、ケース７１と、蓋７２を備えて構成されるユニット１７０であって、水晶ウエハの上面と下面の各々に金属膜を形成し、その上にレジストを塗布、第１及び第２音叉腕とを形成し、第１及び第２音叉腕の各々の上面と下面に溝を形成、その上に形成された第１電極が、第２音叉腕の側面に形成された第２電極に接続され、同様に第２音叉腕に形成された第３電極が、第１音叉腕の側面に形成された第４電極に接続され、音叉型屈曲水晶振動子の発振周波数が少なくとも２回、異なる工程で調整されていて、ケースの固定部に音叉型屈曲水晶振動子が固定され、ケースに蓋が接続される。 （もっと読む）

【課題】電子回路（例えば、マイクロコンピュータ）の動作モードに応じて、低周波数の発振器について適切な電源インピーダンスを設定することにより、前記発振器の誤動作を防止しながら、消費電力を適切に低減することができる。
【解決手段】システムクロックのクロック源として、高速発振器１１、中速発振器１２、低速発振器１３が設けられる。また、時計用クロックを発生する水晶発振器３０が設けられる。そして、高速発振器１１が動作している時は、水晶発振器３０の電源インピーダンスを低くして、耐ノイズ性を高める。一方、高速発振器１１、中速発振器１２、低速発振器１３がすべて停止している待機時には、水晶発振器３０の電源インピーダンスを高くして消費電力を抑える。 （もっと読む）

【課題】発振バッファへの過電圧の印加を防止し、発振起動時間を短縮できる発振回路を提供する。
【解決手段】発振回路１０は、ＰＴＡＴ電流源１２と、ＰＴＡＴ電流源１２と接続されると共に、共振回路４６と並列接続された発振バッファ１４と、発振バッファ１４と並列接続された帰還抵抗Ｒｆと、帰還抵抗Ｒｆよりも抵抗値が小さいバイパス抵抗Ｒｂと、帰還抵抗Ｒｆとバイパス抵抗Ｒｂとの間に接続され、帰還抵抗Ｒｆ及びバイパス抵抗Ｒｂの何れかに切り替えるためのＰＭＯＳトランジスタ４８Ａ、４８Ｂと、ＰＴＡＴ電流源１２からの電流が共振回路４６へ供給開始されてから予め定めた発振起動期間は、ＰＴＡＴ電流源１２からの電流がバイパス抵抗Ｒｂへバイパスされるように、予め定めた発振起動期間経過後は、ＰＴＡＴ電流源１２からの電流が帰還抵抗Ｒｆへ流れるようにＰＭＯＳトランジスタ４８Ａ、４８Ｂを制御するバイパスノード充電回路５８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成でかつ、少ない消費電流で発振器の発振余裕を維持することができる。
【解決手段】ＶＸＴ＞Ｖｔｎの場合、コンデンサ２２に充電されていた電荷が放電され、放電電流の一方がＰ−ＭＯＳＦＥＴを流れるドレイン電流Ｉｂｈと共にグランドに流れ、放電電流の他方が帰還抵抗３４を介して水晶振動子２０の他方の極に流れる。水晶振動子２０の他方の極に流れた放電電流は、水晶振動子２０の発振周波数に基いて発振される。発振された信号は、帰還抵抗３４によって水晶振動子２０の他方の極へ帰還されて発振を継続する。バック電位ＶＤは、ＶＤ＝ＶＤ２−（−ＶＸＴ）となる。バック電位ＶＤの値が大きくなるとＰ−ＭＯＳＦＥＴ２６のＮ型基板の空乏層が広がるため、Ｐ−ＭＯＳＦＥＴ２６の閾値電圧は小さくなり、ドレイン電流Ｉｂｈの量が少なくなる。 （もっと読む）

【課題】温度補償機能とＡＦＣ機能を備えた回路構成において、温度補償機能とＡＦＣ機能が互いに影響を及ぼす事無く、高精度の温度補償を実現できる圧電発振器の提供。
【解決手段】圧電発振器１０は、圧電振動子２６と発振用増幅回路と電圧制御型可変容量素子と、を備えた発振回路２０と、第１可変容量素子２８ａの値を増減制御して発振回路２０の周波数温度特性を補償する温度補償電圧を出力する温度補償電圧発生回路３０と、温度補償電圧に応じて第２可変容量素子２８ｂの値を変化させる出力電流供給の電圧調整手段５０と、第２可変容量素子２８ｂの値を制御する周波数制御電圧を外部制御電圧に応じて出力する第２オペアンプ４４を有する増幅回路４０と、を備え、電圧調整手段５０は、外部制御電圧と固定電圧の差分に基づき発生する出力電流を第２オペアンプ４４に供給し、温度補償電圧に応じて基準電流を制御した差動増幅回路５２を備えている。 （もっと読む）

【課題】温度補償機能とＡＦＣ機能を備えた回路構成において、温度補償機能とＡＦＣ機能が互いに影響を及ぼすことがなく、高精度の温度補償を実現できる圧電発振器を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明の圧電発振器１０は、圧電振動子２６と、発振用増幅回路と、電圧制御型の第１及び第２の可変容量素子２８ａ，２８ｂと、を備えた発振回路２０と、第１の可変容量素子２８ａの値を増減制御して発振回路２０の周波数温度特性を補償するための温度補償電圧を出力する温度補償電圧発生回路３０と、温度補償電圧による第１の可変容量素子２８ａの変化に対して、発振回路２０のＡＦＣ感度の増減を抑えるように第２の可変容量素子２８ｂの値を変化させる調整信号を出力する補償電圧検出回路４０と、調整信号を受けて外部制御電圧の増幅率の調整を行なうゲイン調整回路６０を備え、第２の可変容量素子２８ｂを制御するための周波数制御電圧を出力する増幅回路５０と、を備えたことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】温度に依存しないＡＦＣ特性を得る。
【解決手段】圧電振動子１００の一方の端子に第１の容量素子Ｃ１を介して一方の端子が接続された第１の可変容量素子ＶＣ１と、圧電振動子１００の他方の端子に一方の端子が接続された第３の可変容量素子ＶＣ３と、第３の可変容量素子ＶＣ３の他方の端子に一方の端子が接続された第２の可変容量素子ＶＣ２と、を含む発振回路２００と、温度補償電圧Ｖｔを発生する温度補償電圧発生回路３００と、外部から印加する電圧ＶＣＯＮＴに基づいて圧電振動子１００の発振周波数を可変にするための周波数制御電圧Ｖｃを発生する自動周波数制御回路４００と、を含み、第１の可変容量素子ＶＣ１の一方の端子に温度補償電圧Ｖｔが印加され、第２の可変容量素子ＶＣ２の一方の端子に周波数制御電圧Ｖｃが印加され、第３の可変容量素子ＶＣ３の一方の端子に温度補償電圧Ｖｔが印加される温度補償型圧電発振器１。 （もっと読む）

【課題】発振起動性に優れ、定常発振時には低消費電力で発振を継続することができる水晶発振回路を提供する。
【解決手段】水晶発振回路は、入力側及び出力側負荷容量５、６、と水晶振動子３とを有する共振回路と、共振回路を定常的に励振する増幅回路であるＣＭＯＳインバータを構成するＰ型及びＮ型ＭＯＳＦＥＴ１、２と、増幅回路の出力振幅に応じた電圧で発振電流を制御する電流制限素子である電流制限用Ｐ型及びＮ型ＭＯＳＦＥＴ２１、２２と、電流制限素子を制御する発振電流制御手段である第１及び第２の容量５１、５２と、第１及び第２のダイオード６１、６２により構成され、発振電流制御手段は、増幅回路から交流信号が出力されない非発振状態では、電流制限素子を導通状態とし、増幅回路から交流信号が出力される発振状態では、増幅回路の出力振幅に応じた交流電圧により、導通状態よりも抵抗値が大きな状態となるように、電流制限素子を制御する。 （もっと読む）