【課題】 １つの水晶振動子で基本波発振とオーバートーン発振を実現すると共に、励振電流を基本波発振とオーバートーン発振に応じて最適化できる基本波／オーバートーン水晶発振器を提供する。
【解決手段】 基本波発振又はオーバートーン発振が可能な水晶振動子１と、水晶振動子１からの励振電流を増幅して発振周波数を出力する発振回路３０とを備え、発振回路３０のトランジスタＴｒ31のベースにコンデンサＣｆとコンデンサＣｏが並列接続されて、エミッタに接続され、エミッタにコンデンサＣ32と抵抗Ｒ32が並列接続され、切替信号によってコンデンサＣｆを回路に接続又は切り離すためのスイッチＳＷ31を設け、スイッチＳＷ31が基本波で発振させる場合にはオンとなり、オーバートーンで発振させる場合にはオフするよう動作する基本波／オーバートーン水晶発振器である。 （もっと読む）

【課題】 出力波形の割れや抜けを無くし、回路の誤動作が防止される低電圧動作のレベルシフト回路を提供する。
【解決手段】 レベルシフト回路は、電源端子ＶＤＤにソースを接続した第１のＰＭＯＳトランジスタＰ１と、接地端子ＧＮＤにソースを接続したＮＭＯＳトランジスタＮ１と、ＰＭＯＳＰ１のドレインとＮＭＯＳＮ１のドレインとの接続点に接続された出力端子ＯＵＴと、ＮＭＯＳＮ１のゲートに接続された入力端子ＩＮと、電源端子ＶＤＤにソースを接続し、ＰＭＯＳＰ１のゲートにドレイン及びゲートを接続し、このドレインを第２の抵抗Ｒ２を介して接地端子ＧＮＤに接続した第２のＰＭＯＳトランジスタＰ２とを有し、ＰＭＯＳＰ１及びＰ２は、カレントミラー回路を構成している。レベルシフト回路の出力波形の割れや抜けが無くなって誤動作を防止することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】待機時での無駄な電力消費を抑止しながら通常動作時では高精度な発振周波数を得ることができる発振回路、集積回路装置及び電子機器等の提供。
【解決手段】発振回路は、振動子ＸＴＡＬの発振用のバッファー回路ＢＦと、バッファー回路ＢＦの入力側又は出力側の一方側である第１の接続ノードに接続され、容量値が可変に設定される可変容量回路ＣＸ１（ＣＸ２）を含む。通常動作時には、可変容量回路ＣＸ１（ＣＸ２）の容量値はＣＮに設定され、待機時には、可変容量回路ＣＸ１（ＣＸ２）の容量値はＣＳに設定され、ＣＮ＞ＣＳの関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】発振回路の性能を維持しながら静電気保護耐圧を向上できる集積回路装置及び電子機器等の提供。
【解決手段】集積回路装置は、振動子ＸＴＡＬの一端に接続される第１のパッドＰ１と、振動子ＸＴＡＬの他端に接続される第２のパッドＰ２と、振動子ＸＴＡＬの発振用のバッファー回路ＢＦと、第１のパッドＰ１側の第１の接続ノードＮＣ１と、バッファー回路ＢＦの入力ノードＮＩとの間に設けられる第１の保護抵抗素子Ｒ１と、第２のパッドＰ２側の第２の接続ノードＮＣ２と、バッファー回路ＢＦの出力ノードＮＱとの間に設けられる第２の保護抵抗素子Ｒ２と、第１、第２の接続ノードＮＣ１、ＮＣ２の一方に接続される容量回路ＣＸ１（ＣＸ２）とを含む。 （もっと読む）

【課題】起動動作時における電流の増大を必要最小限に抑え、安定した起動動作が可能で、小型な低消費電力回路を提供する。
【解決手段】第１発振トランジスタＰ31、第１発振トランジスタＰ31のドレイン端子にドレイン端子を接続した第２発振トランジスタＮ31、第１容量Ｃ2、第１容量Ｃ2に一方を接続し、他方を第１発振トランジスタＰ31と第２発振トランジスタＮ31の接続ノードに接続した圧電振動子Ｑ1、一方を圧電振動子Ｑ1に接続し、他方を第１発振トランジスタＰ31のゲート端子に接続した帰還抵抗回路Ｚ3、第１発振トランジスタＰ31のゲート端子ＶP1に第１端子を接続し、接続ノードに第２端子を接続した第１振幅制限素子Ｐ32、第２発振トランジスタＮ31のゲート端子ＶN1に第２端子を接続し、接続ノードに第１端子を接続した第２振幅制限素子Ｎ32とを備える。 （もっと読む）

【課題】狭帯域の周波数を用いる場合にも優れた周波数温度特性を発揮し、小型化可能でＩＣ化が容易な温度補償型ＳＡＷ発振器を提供する。
【解決手段】ＳＡＷ発振器１はそれぞれ第１、第２ＳＡＷ共振子５，８と第１、第２伸張コイル６，９とを直列接続した第１、第２直列回路７，１０を並列配置し、それらの両端にスイッチ１１，１２と容量バンク１５，１６とを直列接続したＳＡＷ発振回路２を備える。両スイッチは制御回路３により、周囲温度によって切換動作して容量バンクを第１又は第２直列回路と選択的に接続し、それぞれ所定の周波数で発振動作を行う第１又は第２発振ループ１７，１８を形成する。第１、第２伸張コイルのインダクタンスＬ１，Ｌ２をＬ１＞Ｌ２に設定することにより、第１発振ループの周波数温度特性の頂点温度を第２発振ループより低くする。 （もっと読む）

【課題】検出感度を高めた振動子を提供すること。
【解決手段】本発明の振動子は、厚みすべり振動モードで振動する振動体と、前記振動体の第１の面における、第１の領域に形成された第１の吸着膜と、前記振動体の前記第１の面と対向する第２の面における、第２の領域に形成された第２の吸着膜と、表面に前記振動体を立設された基板と、を備え、前記振動体は、前記第１の面及び前記第２の面とは異なる第３の面において前記基板に接していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】消費電流を小さくすることができる発振回路を提供する。
【解決手段】定電流が流れるＰＭＯＳトランジスタＭＰ３と発振信号ＸＴを増幅するＮＭＯＳトランジスタＭＮ３との間に、ＰＭＯＳトランジスタＭＰ３を流れる定電流がＮＯＤＥ４（ＮＯＤＥ３）に流れるのを遮断するためのＰＭＯＳトランジスタＭＰ４を備えている。ＰＭＯＳトランジスタＭＰ４のソースはＰＭＯＳトランジスタＭＰ３のドレインに接続され、ドレインはＮＭＯＳトランジスタＭＮ３のソースに接続され、ゲートはＮＯＤＥ１に接続されている。また、ＮＯＤＥ１は、バイアス信号線５０に抵抗素子Ｒ２を介して接続されていると共に、信号線５２に容量素子Ｃ１を介して接続されている。 （もっと読む）

【課題】電流プローブの影響を抑え、励振電流を測定することなく、励振電力を算出する水晶発振回路の励振電力測定方法を提供する。
【解決手段】入力側端部が水晶振動子の入力側端部に設けられ出力側端部がスペクトラムアナライザーに接続される電流プローブを設け、水晶発振回路を発振させ、励振電流の磁界成分強度の最大値を測定する磁界成分測定工程と、信号発生器と水晶振動子の負荷時共振抵抗と同じ抵抗の抵抗器とからなる置換回路に入力側端部が置換回路に設けられ出力側端部がスペクトラムアナライザーに接続される電流プローブを設け、入力側端部が抵抗器に接続され出力側端部がオシロスコープに接続される電圧プローブを設け、信号発生器から信号を出力し、置換回路の電磁界強度と励振電流の磁界成分強度の最大値と同じにした時に抵抗器に印加される電圧を測定する電圧測定工程と、励振電力を算出する励振電力算出工程とからなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】開示の水晶発振器製造方法は、電極パッド上からの導電性接着剤の流出を防ぐ。
【解決手段】接着剤を電極パッド上に塗布し、塗布された接着剤が、電極パッド外にあるか否かを判断し、塗布された接着剤の一部が電極パッド外にある場合、少なくとも電極パッド外にある接着剤の一部をレーザーにより除去し、電極パッド上の接着剤に、水晶振動子の電極を配置する、ことを有する水晶発振器製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】振幅制限を行いながらも消費電流量を低減することができる水晶発振回路を実現する。
【解決手段】インバータＩＮＶの入力端と出力端との間には、水晶振動子ＸＤおよび抵抗器Ｒがそれぞれに並列に接続されている。インバータＩＮＶの入力端と出力端とは、キャパシタＣによりグランドに接続されている。ダイオードＤは、これらインバータＩＮＶ、水晶振動子ＸＤ、抵抗器Ｒに対して、他の回路素子を介することなく単独で並列接続されている。この際、ダイオードＤのアノードがインバータＩＮＶの入力端に接続され、ダイオードＤのカソードがインバータＩＮＶの出力端に接続されている。 （もっと読む）

【課題】発振回路と信号入出力回路とを切り替えて使用可能な半導体装置、及びその制御方法を提供することである。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、発振素子１が接続可能な第１及び第２の外部接続端子２、３と、反転増幅器４と、反転増幅器の出力側と入力側との間に接続されたフィードバック抵抗５と、反転増幅器４の入力側に接続されたカップリング容量１１に印加されるバイアスを安定化するバイアス安定化回路６と、第１の信号入出力部７と、第２の信号入出力部８と、を備える。半導体装置を発振回路として使用する場合は、反転増幅器４およびバイアス安定化回路６を動作状態とし、第１及び第２の信号入出力部７、８を停止状態とする。信号入出力回路として使用する場合は、反転増幅器４およびバイアス安定化回路６を停止状態とし、第１及び第２の信号入出力部７、８を動作状態とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、発振器の周囲の温度が急激に変化しても、出力信号の発振周波数が変動することを抑制することができる発振器を提供することを目的とする。
【解決手段】 ゲイン調整部９００と加算部６００との間に接続され、外部から与えられる制御信号ＳＩが第１の電位から第１の電位より高い第２の電位に変化するタイミングｔ２０で、オン状態に切り換えることにより、ゲイン調整部９００によって生成された補正電圧ＶＣを加算部６００に出力して加算させ、その後、記憶部７００に記憶されている補正時間データが示す時間Ｔが経過したタイミングｔ３０で、オフ状態に切り換えることにより、補正電圧ＶＣを加算部６００に出力することを制限するスイッチ部ＳＷ及び１０００を備える。 （もっと読む）

【課題】従来必要とした記憶回路や２次関数発生回路を使用することなく、しかも高精度に温度補償が可能な温度補償回路及びそれを用いた水晶発振回路を提供する。
【解決手段】出力周波数が２次関数の温度特性を有する水晶発振回路の温度補償をするための温度補償回路において、出力電圧が２次の温度特性を有する電源回路の出力電圧に応じて前記出力周波数の温度補償を行うようにした。 （もっと読む）

【課題】温度変化に応じたカットオフ周波数の変動を抑えることにより、温度の影響を受けないで確実にオーバートーン発振できる水晶発振回路を提供する。
【解決手段】ＣＭＯＳインバータＩＶ１、帰還抵抗Ｒｆ及び水晶振動子Ｑｚが、互いに並列接続されている。キャパシタＣ_Gが、水晶振動子Ｑｚの一端と電源Ｖｓｓとの間に接続される。キャパシタＣ_Dが、水晶振動子Ｑｚの他端と電源Ｖｓｓとの間に接続される。水晶発振回路１は、オーバートーン発振する。そして、帰還抵抗Ｒｆが、温度の上昇に応じたＣＭＯＳインバータＩＶ１のｇｍの減少量を相殺するように温度の上昇に応じて抵抗値が減少する温度特性を有する５００Ω〜２ｋΩのポリ抵抗から構成されている。 （もっと読む）

【課題】回路動作の安定性の向上と、消費電力の低減とを両立できるようにした分周回路及び半導体装置を提供する。
【解決手段】発振回路に近い前段の側にあって高い周波数で動作するＦＦ回路１０と、発振回路から遠い後段の側にあって低い周波数で動作するＦＦ回路１０と、を備え、前段と後段の各ＦＦ回路１０は、分周回路の動作時に通常、オン、オフを繰り返すＦＢ−ＳＯＩ−ＭＯＳＦＥＴ１１〜１４、２１、２５をそれぞれ有し、前段の各ＦＦ回路１０が有するＭＯＳＦＥＴ１１〜１４、２１、２５の閾値電圧の絶対値を│Ｖｔｈ１│とし、後段の各ＦＦ回路１０が有するＭＯＳＦＥＴ１１〜１４、２１、２５の閾値電圧の絶対値を│Ｖｔｈ２│としたとき、│Ｖｔｈ１│＜│Ｖｔｈ２│に設定されている。 （もっと読む）

【課題】 透明ベースの外部端子側から切断可能である電気回路素子の接続電極の配線の一部を形成した圧電デバイスを提供する。
【解決手段】圧電デバイス（１００）は、励振電極が形成された圧電振動片（２１）と圧電振動片を囲む外枠部（２２）とを有する水晶フレーム（２０）と、圧電振動片を発振させる電気回路素子（ＩＣ）と、一方の面に形成され電気回路素子と接続される接続電極と、一方の面とは反対面に形成された外部端子とを有し外枠部の一方の面に接合する透明ベース（３０）と、外枠部の他方の面に接合するリッド（１０）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】実装が容易であり、且つ、極めて小さな表面積を占める、例えばオシレータ型の共振装置を提供する。
【解決手段】共振装置は、可動素子（３）と固定素子（４）とを備えるナノメータサイズ又はマイクロメータサイズの電気機械共振器（１）を備える。検出手段は、共振器（１）の励振入力（Ｅ）に接続されるフィードバックループに、固定素子（４）に対する可動素子（３）の動きを表す検出信号を供給する。共振器（１）は、検出手段及びフィードバックループと同じ基板上に形成される。フィードバックループは、多くとも、基準電圧（ＧＮＤ）と励振入力（Ｅ）との間に直列に接続される第１トランジスタ（６）及び第２トランジスタ（７）を備える。容量性負荷（５）は、励振入力（Ｅ）と基準電圧（ＧＮＤ）との間に接続される。検出信号は、第１トランジスタ（６）の導電率を制御する。 （もっと読む）

負性抵抗回路と、クリスタルと、発振信号を生成することにおいて、負性抵抗回路の電力消費を減らすために、クリスタルの直列共振を修正するように適合されるコンポーネントとを含む発振信号を生成するための装置。このコンポーネントは、正のリアクタンス回路、１つまたは複数の誘導性素子、またはクリスタルに結合された一対の誘導性素子を含む。この装置は、クリスタルに結合された可変キャパシタのような、発振信号の周波数を調整するための周波数同調コンポーネントを更に含む。負性抵抗回路は、デジタルインバータ回路、反転アナログ増幅器、または自己調整回路を含みうる。この装置は、負性抵抗回路に定常電流を供給するための静止電流ソースと、発振信号が、定義された定常状態に達するのを促進するために、スタートアップ中にのみ、負性抵抗回路にブースト電流を供給するためのスタートアップ電流ソースとを具備する。
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【課題】起動時の発熱による初期周波数ドリフトを低減させる温度補償型圧電発振器を提供する。
【解決手段】温度補償型圧電発振器は、圧電振動素子搭載部を有した凹部、及び外部に形成された表面実装用電極を備えたパッケージ（容器）と、パッケージを閉止するリッド（蓋部材）と、発振回路及び温度補償回路を集積化したＩＣチップ１と、を備えた圧電発振器であって、ＩＣチップ１は、シリコン基板（チップ本体）３と、シリコン基板３の一面に形成されたＩＣ電極２と、この一面の反対面に形成された放熱板（放熱用導体膜）５と、を備え、シリコン基板３のグランド電位部と放熱板５とが少なくとも１つ以上のＶＩＡホール４を介して接続されている。 （もっと読む）