【課題】 起動時に発振起動時間が遅くなったり、不発振となるのを防いで安定した発振動作を行うと共に、水晶振動子に流れる高周波電流を十分低減でき、更に、振動子に印加される電圧を調整可能として所望の発振周波数を得ることができる水晶発振器を提供する。
【解決手段】 インバータＩＣ１と、水晶振動子２と、帰還抵抗３とが並列に接続された水晶発振器で、インバータＩＣ１の出力側と水晶振動子２の一端とを直流阻止コンデンサ９を介して接続すると共に、水晶振動子２の当該一端に、調整用抵抗１０と、ダイオード７，８から構成されるクランプ回路とを直列に接続した回路を接続し、当該回路の他端を接地した水晶発振器である。 （もっと読む）

【課題】定常時の負性抵抗と比較して起動時の負性抵抗が十分に大きな発振回路及び発振器を提供すること。
【解決手段】振動子を発振させる発振回路は、１つのトランジスタを有するインバータと、インバータと並列に接続された帰還抵抗と、インバータの入力側及び出力側のそれぞれに設けられた容量素子と、レベルが異なる２種類の電流のいずれかをインバータに供給する可変電流源と、発振回路の電源の起動から所定時間をカウントするタイマ回路と、可変電流源が供給し得る２種類の電流の内、タイマ回路によるカウント時間が所定時間を経過するまでの間はレベルが大きい方の電流を、所定時間を経過した後はレベルが小さい方の電流をインバータに供給するよう可変電流源を制御する電流制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】Ｑが高く、かつ耐電力性に優れた、輪郭振動モードを利用した圧電振動装置であって、しかも、比帯域を容易に調整し得る圧電振動装置を提供する。
【解決手段】輪郭振動モードを利用する圧電振動装置１は、基板１０と、基板１０の上方に配置された圧電薄膜２３と、圧電薄膜２３上に形成された上部電極２４と、上部電極２４と圧電薄膜２３を介して重なり合うように形成されており、上部電極２４と共に圧電薄膜２３に交流電圧を印加し、圧電薄膜２３及び上部電極２４と共に圧電振動部２０を構成する下部電極２５と、基板１０に対してギャップＤを隔てて浮かされた状態で圧電振動部２０を支持する支持部３０とを備えている。平面視された際に、上部電極２４と下部電極２５とが、圧電振動部２０の主たる振動方向における端部において重なり合っていない。 （もっと読む）

【課題】Ｑが高く、耐電力性に優れているだけでなく、印加電圧によるインピーダンス特性曲線の乱れが生じ難い、圧電振動装置を得る。
【解決手段】圧電薄膜４の下面に下部電極５が、上面に上部電極６が形成されている圧電振動部３が基板２から浮かされた状態で支持部９，１０により支持されており、矩形の圧電振動部３の輪郭振動を利用しており、該輪郭振動と、圧電振動部３において生じる屈曲振動とが結合しないように、上記輪郭振動の共振周波数と屈曲振動の共振周波数とが隔てられている、圧電振動装置１。 （もっと読む）

【課題】温度補償型圧電発振器に不具合が生じた場合に、その分析、または再温度補償のできる圧電発振器を得る。
【解決手段】発振回路５と、発振回路５の温度補償を行う温度補償回路５と、温度補償回路５の温度補償データを記憶するＥＥＰＲＯＭ７と、ＥＥＰＲＯＭ７に温度補償データを書き込むための調整端子Ｔ１〜Ｔｎと、ＥＥＰＲＯＭ７と調整端子Ｔ１〜Ｔｎとの間に設けられ、ＥＥＰＲＯＭ７と調整端子Ｔ１〜Ｔｎとの間の回路の開閉を行うスイッチＳＷ１〜ＳＷｎと、スイッチＳＷ１〜ＳＷｎの開閉を制御するスイッチ制御回路と、スイッチ制御回路に制御信号を供給するための制御端子Ｔｓと、を備え、スイッチ制御回路は、制御端子Ｔｓから入力された制御信号と、ＥＥＰＲＯＭ７に記憶されたメモリデータとに基づいて、スイッチＳＷ１〜ＳＷｎの開閉制御を行うようにした。 （もっと読む）

【課題】温度補償のための回路網が発生する出力雑音が、温度補償型水晶発振器の位相雑音を特性に影響するという課題があった。
【解決手段】周囲の温度変化に対して、電位が１次関数的に変化して、負極性の温度勾配係数を有する温度信号Ｓ１２と、同じように電位が１次関数的に変化して、正極性の温度勾配件数を有する温度信号Ｓ１０とを合成して、２つの初期温度信号より温度勾配係数が増幅された温度信号を基に温度補正信号発生回路２７０を制御して、温度補正に係る入力段の温度センサー回路から温度信号発生回路に至るまでの信号増幅率を下げる。 （もっと読む）

【課題】負性抵抗の減少を防止し、低消費電力化。
【解決手段】第１の端子Ａと、第２の端子Ｂと、第１の端子Ａと第２の端子Ｂとの間に接
続された振動子ＯＳＣと、第１の端子Ａと接地電位を供給する接地線ＧＮＤとの間に接続
された第１のコンデンサＣｇと、第２の端子Ｂと接地線ＧＮＤとの間に接続された第２の
コンデンサＣｄと、第１の端子Ａと第２の端子Ｂとの間にｍ個（ｍは３以上の奇数）のイ
ンバータＩＮ１〜ＩＮ３が直列に接続されたインバータ列と、インバータ列の入力側から
数えてｎ番目（ｎは１≦ｎ＜ｍの整数）のインバータの入力端子とｎ＋１番目のインバー
タの出力端子との間に接続された第３のコンデンサＣｆと、を含む、ことを特徴とする発
振器１００。 （もっと読む）

【課題】高次高調波の抑圧効果の高い水晶発振回路を提供する。
【解決手段】水晶振動子を振動源とする発振回路部と、この発振回路部の出力信号を入力とするＰｃｈ−ＣＭＯＳトランジスタとＮｃｈ−ＣＭＯＳトランジスタのインバータからなる複数段のバッファ回路部と、このバッファ回路部の出力から直流成分をカットするキャパシタを介して増幅するＣＭＯＳプッシュプル型増幅回路とを備え、バッファ回路部における終段バッファ回路部のＰｃｈ−ＣＭＯＳトランジスタとＮｃｈ−ＣＭＯＳトランジスタ間に抵抗素子を接続してその中間点を終段バッファ回路部の出力とし、抵抗とキャパシタとから定まる時定数で出力信号の波形成形を可能とする。 （もっと読む）

【課題】圧電振動素子を搭載した温度補償型圧電発振器の小型化が進んでも、温度補償型圧電発振器に設ける外部接続用の電極端子数を増やすことなく、増幅回路部のみを停止させるインヒビット機能を持たせた温度補償型圧電発振器を提供する。
【解決手段】集積回路素子には、発振回路部と、増幅回路部と、増幅回路部の第２のインバータと電源電圧端子の接続間に配置される第１のスイッチと、第１のスイッチと機能端子と可変容量ダイオードのカソードとの接続間に配置される第２のスイッチと、温度補償用制御データと切替用制御データとを記憶するためのメモリ部と、メモリ部内の温度補償用制御データに基づき、温度補償を行なう温度補償信号制御回路部と、メモリ部内の切替用制御データに基づき、第２のスイッチを切り替える切替信号を発生するための切替信号制御回路部とを備えている。 （もっと読む）

【課題】水晶の発振周波数温特の3次成分を補償するように３次温特補償電圧を制御したとき、広帯域にわたって制御しやすい３次温特補償電圧発生回路を提供する。
【解決手段】１次成分信号発生装置の出力を受けて3次関数で変化する信号を発生する3次成分信号発生装置１と、3次成分信号を増幅する第1の増幅率非線形可変増幅装置４と、１次成分信号を増幅する第1の増幅率線形可変増幅装置５と、それぞれの可変増幅装置の増幅率を制御信号により可変させる制御装置７と、それぞれの出力信号を加算し出力する加算器８とを備え、前記第1の増幅率非線形可変増幅装置４の増幅率可変量を、前記制御装置７からの制御信号に対して指数関数的に大きくすることにより、周波数軸での３次成分の制御分解能を一定とする。 （もっと読む）

【課題】電源投入時における周波数変動特性を悪化させる、ＩＣチップの温度上昇を抑止すべく放熱効果を高めた温度補償型の水晶発振器を提供する。
【解決手段】開口端面の内周側に周回する金属膜１５を有して凹状とした容器本体１に水晶片３を収容し、金属膜１５上に金属カバーを接合して開口端面を封止したものにおいて、金属カバーの表面上には少なくとも発振回路を集積化したＩＣチップ２の非回路機能面が固着され、ＩＣチップ２の回路機能面のＩＣ端子はワイヤーボンディングによって容器本体１の開口端面の外周側の露出面に設けた回路端子１６に電気的に接続し、回路機能面及びワイヤーボンディングの導線は保護樹脂１９によって覆われた構成とする。 （もっと読む）

【課題】静電破壊耐性が高く、且つ、放電性能が優れた保護回路を提供する。
【解決手段】本発明の保護回路は、ドレインが外部端子に接続され、ゲートとソースとバックゲートが電源線４に接続されたＰＭＯＳトランジスタＰ１と、ゲートとソースとバックゲートが外部端子１に接続され、ドレインが接地線５に接続されたＰＭＯＳトランジスタＰ２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】インバータ圧電発振器から発生する雑音や、消費電流を低減する。
【解決手段】インバータ圧電発振器１は、インバータ１０を備え、インバータ１０の入出力間に圧電振動子Ｘ１と、動作電位設定用の高抵抗Ｒ３とを接続している。また、インバータ１０の入力側と接地端子間には、コンデンサＣ２ａを接続し、インバータ１０の出力側と接地端子間には、コンデンサＣ３ａを接続し、インバータ１０の入力側と電源端子間には、コンデンサＣ２ｂを接続し、インバータ１０の出力側と電源端子間には、コンデンサＣ３ｂを接続している。また、インバータ１０の接地端子には、抵抗Ｒ２ａを接続し、抵抗Ｒ２ａの他端を接地する。一方、インバータ１０の電源端子には、抵抗Ｒ２ｂを接続し、抵抗Ｒ２ｂの他端を電源に接続する共に、電源にはバイパス用のコンデンサＣ５を接続している。 （もっと読む）

【課題】制御電圧入力端子２２への基準電圧の印加に対して公称の発振周波数を生成するＶＣ−ＴＣＸＯ１０において、温度変化に伴う印加電圧の変動にもかかわらず、高精度の発振周波数を維持する。
【解決手段】定電圧回路１１は水晶発振回路１４へ供給する定電圧を生成する。定電圧出力端子２０は、該定電圧を外部へ導出する端子となっている。恒温槽３０におけるＶＣ−ＴＣＸＯ１０の温度−発振周波数特性調整時では、定電圧出力端子２０−制御電圧入力端子２２間に接続線３８が接続されるとともに、発振周波数が使用許容温度範囲全体にわたり公称値になるように、温度補償回路１２の制御データが温度補償回路調整端子２１から設定される。携帯型無線機４５へのＶＣ−ＴＣＸＯ１０の実装時では、接続線５２が定電圧出力端子２０−制御電圧入力端子２２間に接続される。 （もっと読む）

【課題】温度変化による特性変動の少ない振動子を提供すること。
【解決手段】本発明に係る音叉型振動子は、（ａ）各々が第１方向へ向けて配置された第１面(11a,13a)と当該第１面と対向配置された第２面(11b,13b)とを有し、上記第１方向と交差する第２方向に沿って配列された複数の腕部(11,13)と、（ｂ）上記複数の腕部の各々の上記第１面上に１個ずつ設けられた圧電体素子(15,17)と、（ｃ）上記複数の腕部のそれぞれの一端を連結する基部と、（ｄ）上記複数の腕部の各々の上記第２面上に設けられた無機膜(31,33)と、を含む。そして、上記複数の腕部及び上記基部は、水晶で構成される。上記圧電体素子の各々は、上記第１面上に配置された下部電極膜(15a,17a)と、当該下部電極膜上に配置された圧電体膜(15b,17b)と、当該圧電体膜上に配置された上部電極膜(15c,17c)と、を含む。 （もっと読む）

【課題】温度変化による特性変動の少ない振動子を提供すること。
【解決手段】本発明に係る音叉型振動子は、（ａ）各々が第１方向へ向けて配置された第１面(11a,13a)と当該第１面と対向配置された第２面(11b,13b)とを有し、上記第１方向と交差する第２方向に沿って配列された複数の腕部(11,13)と、（ｂ）上記複数の腕部の各々の上記第１面上に１個ずつ設けられた圧電体素子(15,17)と、（ｃ）上記複数の腕部のそれぞれの一端を連結する基部と、（ｄ）上記複数の腕部の各々の上記第２面上に設けられた無機膜(31,33)と、を含む。そして、上記複数の腕部及び上記基部は、シリコン等の半導体で構成される。上記圧電体素子の各々は、上記第１面上に配置された下部電極膜(15a,17a)と、当該下部電極膜上に配置された圧電体膜(15b,17b)と、当該圧電体膜上に配置された上部電極膜(15c,17c)と、を含む。 （もっと読む）

【課題】小型化を実現することが可能な振動子を提供すること。
【解決手段】本発明に係る音叉型振動子は、各々が第１面を有する３個の腕部(11,12,13)と、３個の腕部の各々の第１面上に１個ずつ設けられた圧電体素子(15,16,17)と、３個の腕部のそれぞれの一端を連結する基部(14)と、を含む。圧電体素子の各々は、第１面上に配置された下部電極膜と、当該下部電極膜上に配置された圧電体膜と、当該圧電体膜上に配置された上部電極膜と、を含む。これらの圧電体素子のうち、外側に配置された２つの腕部に設けられた各圧電体素子の下部電極膜と、内側に配置された１つの腕部に設けられた圧電体素子の上部電極膜と、が相互に電気的に接続され、かつ、外側に配置された２つの腕部に設けられた各圧電体素子の上部電極膜と、内側に配置された１つの腕部に設けられた圧電体素子の下部電極膜と、が相互に電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】僅かな容量変化で発振周波数の発振周波数の可変幅を広げることができるＣＭＯＳインバータ型の圧電発振回路を提供する。
【解決手段】所定の周波数で発振する圧電振動子Ｘｔａｌと、圧電振動子Ｘｔａｌと並列に接続され、圧電振動子Ｘｔａｌの発振出力を帰還させて増幅するＣＭＯＳインバータ１０とを備える。そして、ＣＭＯＳインバータ１０の入力と接地との間には、第１のインダクタＬ２と第１のコンデンサＣ２とを直列に接続した第１の直列回路１１が設けられている。またＣＭＯＳインバータ１０の出力と接地との間には、コイルなどの第２のインダクタＬ３と第２のコンデンサＣ３とを直列に接続した第２の直列回路１２が設けられている。さらに圧電振動子ｘｔａｌに対して夫々並列に第３のコンデンサＣ４と抵抗Ｒ４とを接続するようにしている。 （もっと読む）

【課題】周波数可変特性の微調整、および小型化を可能とする圧電発振器を提供する。
【解決手段】圧電振動子１４と発振回路１２とを備えた電圧制御型圧電発振器１０において、制御電圧がカソード側に印加されるように配置した第１の可変容量ダイオード１８と、同じく制御電圧がカソード側に印加されるように配置した第２の可変容量ダイオード２０とを有し、第１の可変容量ダイオード１８と制御電圧入力端子３２との間に備えられた第１の抵抗２２と、第１の可変容量ダイオード１８のカソード側と第２の可変容量ダイオード２０のカソード側との間に備えられた第２の抵抗２４と第３の抵抗２６とから成る分圧回路２８とを設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】温度によって変化する発振周波数を、応答性良く、正確に、所定の周波数に調整することができる発振周波数の制御方法及び発振器を提供する。
【解決手段】本発明の発振周波数制御方法は、発振周波数及び出力信号の振幅が温度に依存して変化し、所定の発振周波数制御信号を用いて発振周波数の変更が可能な発振器の発振周波数制御方法であって、振幅を測定する工程と、振幅に基づき発振周波数制御信号を制御し、発振周波数を変更する工程を備える。また、本発明の発振器は、発振周波数及び出力信号の振幅が温度に依存して変化し、所定の発振周波数制御信号を用いて発振周波数の変更が可能な発振器であって、振幅を測定する振幅測定部と、振幅に基づき発振周波数制御信号を制御し、発振周波数を変更する温度補償部を備える。 （もっと読む）