【課題】高密度化を実現しつつ、加工精度や組立精度を向上することができる高周波フロントエンドモジュールを提供する。
【解決手段】高周波フロントエンドモジュール１において、第１の電極３１、この第１の電極３１上の誘電体膜３２及びこの誘電体膜３２上の第２の電極３３を有し、第１の電極３１、誘電体膜３２及び第２の電極３３の各々の膜厚及び面積のばらつきが０．２％以内に制御されたキャパシタ３と、キャパシタ３を表面上に作り付ける基板２とを備える。 （もっと読む）

【課題】補助容量素子の存在に起因して、制御電圧に対する電圧制御可変主容量素子の容
量の変化量に基づき発振周波数を変化させることが鈍化するという事態を回避しつつ、発
振周波数を変化させる。
【解決手段】インバータ素子と、圧電振動子と、第１の容量素子と、第２の容量素子と、
電圧制御可変主容量素子と、複数の補助容量素子と、複数の電圧制御可変副容量素子とを
含み、前記複数の補助容量素子及び前記複数の電圧制御可変副容量素子が、前記電圧制御
可変主容量素子に接続又は接続切断が可能であり、前記複数の補助容量素子の容量に対し
ての、制御電圧に対する前記複数の電圧制御可変副容量素子の容量の変化量が実質的に同
一である。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスの追加やトランジスタ動作の不安定さを招くことなく、発振用インバータを用いて構成された発振回路を搭載する半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置において、複数のＭＯＳトランジスタはノーマリーオフ型のもので、製造プロセスが許容する最小寸法に等しいゲート長において所定の閾値を有し、最小寸法に比較してゲート長が大きくなるにつれて閾値の絶対値が小さくなる特性を有する。本発明の半導体装置は、最小寸法以上の範囲で、相対的に長いゲート長を有する第１のＭＯＳトランジスタからなる第１の発振用インバータと、相対的に短いゲート長を有する第２のＭＯＳトランジスタからなる第２の発振用インバータと、第１および第２の発振用インバータに電源電圧を供給する電源配線と、電源電圧に応じて、第１および第２の発振用インバータの一方を動作可能とする選択回路とを有する。 （もっと読む）

【目的】起動時の温度補償動作を良好にして周波数安定度を維持した表面実装用の温度補償発振器を提供する。
【構成】発振回路６及び温度補償機構７を集積化したＩＣチップ２を凹状とした容器本体１の内底面にバンプ８を用いて固着し、前記容器本体１の内壁段部に水晶片３の一端部両側を固着した表面実装用の温度補償水晶発振器において、前記ＩＣチップ２の側面外周に熱伝導粒子が接着母体に混入された熱伝導性接着剤１４を塗布した構成とする。 （もっと読む）

【課題】音叉型屈曲水晶振動子と、その振動子を収納したケースと、そのケースの開口部を封止するための蓋を備えて構成され、高精度で、かつ、安価で、電気的特性に優れた水晶ユニットの製造方法を提供することにある。
【解決手段】音叉型屈曲水晶振動子の音叉腕を形成した後に、音叉腕の上下面に溝を形成し、当該溝と側面に電極を配置し、かつ、ケースに収納した後に、周波数調整をするので、高精度で、かつ、安価で、加えて、等価直列抵抗Ｒ_１の小さい、Ｑ値の高い、しかも、容量比の小さい超小型の音叉型屈曲水晶振動子を備えた水晶ユニットが得られる。 （もっと読む）

【課題】電源電圧の低下、温度上昇等の発振器の動作条件の変動によって、発振後の発振動作の停止、発振安定時間の延長、起動時の発振の失敗等の不具合を解消すること。
【解決手段】入出力端子間に振動子が接続可能な反転増幅器Ｉｎｖ＿Ａｍｐは、ＰＭＯＳＭｐ１とＮＭＯＳＭｎ１を含む。ディジタル入力信号に応答して出力インピーダンスが変化するよう抵抗とＭＯＳスイッチとを含む複数のＤ／Ａ変換器Ｄ／Ａｐ＿１…Ｄ／Ａｐ＿ｎ、Ｄ／Ａｎ＿１…Ｄ／Ａｎ＿ｎを、Ｍｐ１のソースと電源電圧ＶｃｃまたはＭｎ１のソースと接地ＧＮＤの間に接続する。可変利得発振器ＶＧ＿ＯＳＣの動作条件の変化をＡ／Ｄ変換ユニット１０２が検出して、複数のＤ／Ａ変換器の合計の出力インピーダンスを徐々に変化させる。 （もっと読む）

【課題】発振増幅器の出力側におけるノイズ成分の影響を抑制すると共に、所望の信号成分を得るための発振回路を提供する。
【解決手段】圧電振動子と増幅器を接続して、発振閉ループを形成してなる発振回路であって、増幅器の入力と、圧電振動子との接続点から、発振信号成分を取り出す。 （もっと読む）

【課題】所望の周波数以外の周波数で発振するおそれがあり、また、出力される発振周波
数の波形が正弦波に近似しないことがあった。
【解決手段】第１の電位及び第２の電位間に接続されたＣＭＯＳインバータと、一端がＣ
ＭＯＳインバータの入力端に接続された第１の素子部と、一端がＣＭＯＳインバータの入
力端に接続され、他端がＣＭＯＳインバータの出力端に接続された第２の素子部と、一端
がＣＭＯＳインバータの出力端に接続された第３の素子部と、一端が第１の素子部の他端
及び第３の素子部の他端に接続され、他端が第１の電位及び第２の電位のうちの一方に接
続された第４の素子部とを含み、第１、第２、第３、及び第４の素子部は、水晶振動子、
抵抗器、インダクタ及びキャパシタのいずれかであり、第１、第２、及び第３の素子部に
より規定される周波数で発振する。 （もっと読む）

【課題】従来の発振回路では、インダクタを有することから、小型化が困難であった。
【解決手段】各エミッタが実質的に接地電位に接続された第１のトランジスタ及び第２の
トランジスタと、第１のトランジスタのベース及び第２のトランジスタのベース間に接続
された水晶振動子と、第１のトランジスタのコレクタ及び電源電位間に接続された第１の
抵抗器と、第２のトランジスタのコレクタ及び電源電位間に接続された第２の抵抗器と、
第１のトランジスタのコレクタ及び第２のトランジスタのベース間に接続された第１のキ
ャパシタと、第２のトランジスタのコレクタ及び第１のトランジスタのベース間に接続さ
れた第２のキャパシタと、第１のトランジスタのベース及びエミッタ間に接続された第３
のキャパシタと、第２のトランジスタのベース及びエミッタ間に接続された第４のキャパ
シタと、を含む。 （もっと読む）

【課題】外部に水晶振動子を備えた発振回路において、水晶入力端子から進入するサージ電圧の急峻な立ち上がりに対してインバータを保護し、発振回路が破壊されることを防ぐ。
【解決手段】発振回路１は、水晶入力端子２からインバータ５の入力端に至る信号路に、水晶入力端子２から進入するサージ電圧よってインバータ５が破壊されることを防ぐ保護回路１０を設けるとともに、保護回路１０とインバータ５との間の信号路に、抵抗値が５０Ω以上、好ましくは５０Ω〜５００Ωの入力抵抗１４を設けたものである。 （もっと読む）

【課題】発振回路の出力周波数を制御する３次関数制御電圧の電圧ノイズを低減した温度補償型水晶発振器を提供する。
【解決手段】水晶振動子と、発振周波数制御装置を備えた増幅器と、水晶の発振周波数の温度補償回路と、で構成される温度補償型水晶発振器であって、前記温度補償回路の補償電圧のリファレンス電圧を、ダイオードの順方向電圧を使用して生成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】音叉型屈曲水晶振動子と、増幅器と、コンデンサーと、抵抗素子とを備えて構成される水晶発振回路を備え、かつ、周波数安定性に優れた水晶発振器の製造方法を提供することにある。
【解決手段】音叉腕に溝を形成し、当該溝と側面に電極を配置するので、電気機械変換効率が良くなり、等価直列抵抗Ｒ_１の小さい、Ｑ値の高い、しかも、容量比の小さい超小型で、安価な音叉型屈曲水晶振動子を備えた水晶発振器が得られる。 （もっと読む）

【課題】 端子数を削減しながら、半導体装置に搭載されている外部発振子を用いた発振回路と自励発振回路を１品種で使い分けることができるようにする。
【解決手段】 半導体装置２０には、バイアス検知回路１、発振回路２、発振回路３、インバータＩＮＶ１、インバータＩＮＶ２、クロックドインバータＣＩＮＶ１、クロックドインバータＣＩＮＶ２、及び端子Ｐａｄ１乃至３が設けられている。発振回路２から生成される高精度のクロック信号ＣＬＫを使用する場合、外部の低電位側電源Ｖｓｓ側に設けられた外部端子ＯＰａｄ３と外部端子Ｏｐａｄ１の間を接続する。一方、自励発振回路である発振回路３から生成される比較的低消費電流のクロック信号ＣＬＫを使用する場合、抵抗Ｒ１を介して外部の高電位側電源Ｖｄｄ側に設けられた外部端子Ｏｐａｄ２と外部端子Ｏｐａｄ１の間を接続する。 （もっと読む）

【課題】 簡素な構成で、発振ループ内の振幅制御を高精度で実現し発振起動時間を短縮する発振回路、物理量トランスデューサ及び振動ジャイロセンサを提供する。
【解決手段】 発振回路１０は、制御電圧Ｖｃの変化に対するそのゲインの変化を示す所与の感度特性を有し、発振ループ内の発振振幅を制御するためのゲインコントロールアンプ２０と、発振振幅に応じてゲインコントロールアンプ２０のゲインを調整するための制御電圧Ｖｃを出力するゲイン制御回路３０とを含む。ゲイン制御回路３０は、発振振幅を監視して発振ループ内の発振が定常状態か起動過程かを判別する。ゲインコントロールアンプ２０は、発振が起動過程と判別されたとき、制御電圧Ｖｃに基づいて第１の感度特性に従ってそのゲインを変化させ、発振が定常状態と判別されたとき、制御電圧Ｖｃに基づいて第１の感度特性より感度の低い第２の感度特性に従ってそのゲインを変化させる。 （もっと読む）

【課題】数１００ＭＨｚから１０ＧＨｚ付近までの高周波数領域において、高い周波数純度の原発振が得られ、スプリアスが少なく信頼性の高い小型で使い易い、薄膜バルク弾性波発振器、および、その製造方法を提供すること。また、広帯域化された可変周波数範囲を有する電圧可変発振器、および、その製造方法を提供する。
【解決手段】微細加工技術を用いて基板上にトランジスタやキャパシタンスの回路素子が形成された回路素子部と、回路素子部の上層であって基板及び該回路素子部と音響的に分離する為の高音響インピーダンス材料で構成される薄膜と低音響インピーダンス材料で構成される薄膜とを交互に積み重ねて構成された音響ミラー層と、該音響ミラー層の直上に薄膜形成技術を用いて形成された圧電体薄膜を上部電極層と下部電極層とで挟み込んだ構造とされかつ基板側と音響的に分離された薄膜バルク弾性波共振子とからなり、回路素子と薄膜バルク弾性波共振子とを微細加工技術を用いて配線接続する。 （もっと読む）

【課題】回路面積を縮小し、高精度の温度補償された発振周波数調整回路を実現でき、また、調整回路を簡単にすることで、低消費電力化を可能とし、かつ、周波数調整工数を低減することが可能な発振周波数調整回路を提供すること。
【解決手段】水晶振動子９を発振させる発振回路１と、該発振回路１の発振容量を不揮発性メモリ回路３に記憶された値により対応した容量に切替える第１の周波数調整回路２と、前記発振回路１から出力される発振周波数を分周する分周回路４と、該分周回路４の分周数を不揮発性メモリ回路３に記憶された値により対応した分周数に変える第２の周波数調整回路５とを有する。さらに、温度に対応した電圧を出力する温度センサー回路７と、該温度センサー回路７のアナログ値をデジタル値に変換するＡＤ変換回路６を有し、該デジタル値をアドレスとして不揮発性メモリ回路３に記憶された値を読み出す。 （もっと読む）

【目的】水晶振動子の等価並列容量を相殺し、設計を容易にして例えば周波数可変幅を広げて雑音の少ない高周波水晶発振器を提供する。
【構成】増幅率を１以上とした発振用増幅器と前記発振用増幅器の入出力間を正帰還とする帰還回路とからなり、前記帰還回路には等価並列容量を有する水晶振動子及び前記水晶振動子の両端子間に設けられて前記等価並列容量を相殺する中和回路とを備えた水晶発振器において、
前記中和回路は第１及び第２電流反転回路との出力側が前記水晶振動子の両端子間に接続し、前記第１及び第２電流反転回路との入力側の間に中和コンデンサを接続してなり、
前記第１及び第２電流反転回路は前記等価並列容量の電流と同一方向とした中和コンデンサの電流方向を反転し、前記中和回路の両端子間の電流を前記等価並列容量及び前記中和コンデンサの電流とは逆向きにしたことを特徴とする水晶発振器。 （もっと読む）

【課題】第１及び第２ＩＣチップの実装面積を小さくして配線パターンを簡易にし、平面外形面積を小さくした２周波切替発振器を提供する。
【解決手段】第１及び第２ＩＣチップと第１及び第２水晶振動子とを実装基板の配線パターンに接続して第１及び第２発振回路を形成し、前記第１及び第２発振回路は選択機構によって選択的に動作する２周波切替型の水晶発振器において、前記第１及び第２ＩＣチップは各回路機能面の反対面同士を接合した２段構造とし、前記第１ＩＣチップの回路機能面の各ＩＣ端子は前記配線パターンに電気的・機械的に直接的に固着し、前記第２ＩＣチップの回路機能面の各ＩＣ端子は前記配線パターンにワイヤーボンディングによって電気的に接続してなり、前記配線パターンのうちの前記第１及び第２ＩＣチップの電源、出力及びアース端子と接続する配線パターンは、前記第１及び前記第２発振回路に対して共通とした共通とした構成とする。 （もっと読む）

【課題】 発振特性の変動が少なく、また、低電圧からの安定発振を可能とする発振回路を提供する。
【解決手段】 インバータ回路と、インバータ回路に並列に接続された帰還抵抗と、帰還抵抗の一端と電源との間に接続された第１の容量と、帰還抵抗の他端と電源との間に接続された第２の容量とを有し、前記インバータ回路に水晶振動子を並列に接続することにより発振出力を生成する発振回路において、前記インバータ回路は、電源電圧と定電圧との間に直列に接続されたＰｃｈＭＯＳトランジスタおよびＮｃｈＭＯＳトランジスタと、第３の容量とを有し、これらトランジスタのうち前記定電位に電流通路の一端が接続された方のトランジスタのゲートに前記第３の容量を介してインバータ回路の入力信号が与えられる。 （もっと読む）

【課題】 低背化を妨げることなく、耐衝撃性能を高め、発振周波数の変動の影響がないより信頼性の高い表面実装型圧電発振器を提供する。
【解決手段】 ベース１と蓋４を有する表面実装型圧電発振器であって、集積回路素子２と、圧電振動板３と、前記集積回路素子を収納する第１の収納部と、前記圧電振動板の一端部を保持する保持台が形成された第２の収納部と、堤部とを有してなるベースと、前記ベースに被せて気密封止してなる金属蓋とを具備してなり、前記ベースの第１の収納部には、前記集積回路素子の能動回路面を下面に向け、かつ前記集積回路素子の非能動回路面を上面に向けて配置されるとともに、前記集積回路素子の非能動回路面を前記保持台より下側に位置させて集積回路素子が配置されており、圧電振動板の他端部を、集積回路素子の非能動回路面へ漸次近接させながら配置している。 （もっと読む）