【課題】発振周波数変動の許容範囲を任意に設定可能にする。
【解決手段】半導体装置（２１）は、トリミングレジスタ（１１）に保持されたトリミング値によって発振周波数が変更される発振器（１２）と、発振周波数を補正可能な補正回路（２０）とを含む。上記補正回路は、上限値を設定可能な上限値レジスタ（６）と、下限値を設定可能な下限値レジスタ（７）と、発振周波数を分周するための分周回路（１３）と、分周回路の出力をカウントするカウンタ（３）とを含む。さらに上記補正回路は、カウンタの出力を保持可能なバッファレジスタ（４）と、バッファレジスタの保持値が、上限値と下限値との間に入っているか否かを判別する比較器（５）と、その判別結果に基づいてトリミング値を補正するトリミング値補正制御回路（８）とを含む。ユーザは、上限値と下限値とによって、発振周波数変動の許容範囲を任意に設定することができる。 （もっと読む）

【課題】インダクタンス素子に起因して発生する起動時の異常発振を効率的に抑えることが可能な発振回路、発振器、電子機器及び発振回路の起動方法を提供すること。
【解決手段】発振回路１は、共振子（ＳＡＷ共振子１０）と、増幅回路２０と、スイッチング素子（ＮＭＯＳスイッチ３０）と、を含む。増幅回路２０は、共振子の一端から他端への帰還経路、当該帰還経路に設けられている第１のインダクタンス素子（伸長コイル２００）、当該帰還経路に設けられ、第１のインダクタンス素子と直列に設けられている可変容量素子（可変容量ダイオード２０２）、を有している。スイッチング素子は、第１のインダクタンス素子と可変容量素子とを含む回路部に対して並列に設けられている。 （もっと読む）

【課題】複数の端子のうち一部の端子が使用されない場合においても好適に動作可能な発振器を提供する。
【解決手段】発振器１は、振動素子１４と、振動素子１４に電圧を印加して発振信号Ｏｕｔを生成する発振回路２７と、発振回路２７の出力部２７ａに接続されることにより発振信号Ｏｕｔを出力可能な端子５（Ｏｕｔ１）及び端子５（Ｏｕｔ２）と、出力部２７ａと外部機器（回路基板５３を含む）との端子５（Ｏｕｔ２）を介した導通状態の変化に応じた発振回路２７の周波数の変化を補償する接続補償回路３７とを有する。 （もっと読む）

【課題】負荷条件の変化に対しても安定に動作するＶＣＯを提供する。
【解決手段】第１のトランジスタ４０ａを含む第１のバッファ段と、第２のトランジスタ４０ｂを含む第２のバッファ段とを備え、カスケード接続されたエミッタフォロワバッファ回路として配置されている。トランジスタ４０ａおよび４０ｂは、ＶＣＯコア２１を出力から隔離する共通のエミッタ／ソースフォロワ回路に設けられている。したがって結合バッファ段４２の両方のバッファ段すなわちトランジスタ４０ａおよび４０ｂは、同一の電流を分担する。また、これらバッファ段はＶＣＯコア２１にＡＣカップリング、逆隔離は直列結合された２つの固有のベース／エミッタ接合キャパシタンスによって決定されるため、キャパシタンスが半分に減少し、これによって、トランジスタ４０ａおよび４０ｂのサイズが等しければ、２倍の逆隔離が得られる。 （もっと読む）

【課題】コンパレータの消費電力を抑えつつ、高周波の発振出力の振幅を検出できる、発振回路を提供すること。
【解決手段】水晶振動子１を共振器として使用して発振出力Ｖｘを生成する発振出力生成回路１１と、発振出力Ｖｘの振幅を検出する振幅検出回路１５と、振幅検出回路１５の出力Ｖｓに応じて発振出力Ｖｘをブーストするブースト回路１６とを有する発振回路であって、振幅検出回路１５は、発振出力Ｖｘが入力される絶対値回路１２と、絶対値回路１２の出力を入力とするローパスフィルタ１３と、ローパスフィルタ１３の出力を入力とするコンパレータ１４とを備えることを特徴とする、発振回路。 （もっと読む）

【課題】ピアース型圧電発振器で高い周波数出力を可能にする。
【解決手段】圧電振動子１０の一方の端子と接地電位線ＧＮＤとの間に接続された第１の容量素子Ｃ１と、圧電振動子１０の他方の端子と接地電位線ＧＮＤとの間に接続された第２の容量素子Ｃ２と、コレクタ端子が圧電振動子１０の一方の端子に接続されベース端子が圧電振動子１０の他方の端子と電流源２０とに接続されエミッタ端子が接地電位線ＧＮＤに接続された発振用トランジスタＱ１と、ベース端子が発振用トランジスタＱ１のコレクタ端子に第１の抵抗Ｒｂを介して接続されコレクタ端子が発振用トランジスタＱ１のコレクタ端子に第２の抵抗Ｒｃを介して接続されエミッタ端子が発振用トランジスタＱ１のベース端子に接続された発振補助用トランジスタＱ２と、を含んで構成される発振回路１０１と、発振用トランジスタＱ１のコレクタ端子に接続されたバッファ回路ＢＵＦと、を含む圧電発振器１。 （もっと読む）

【課題】安定発振、コンパクトなパッケージを実現したＳＨＦ帯に好適な高周波発振器を提供する。
【解決手段】低誘電率、低損失の基板材料として水晶板等の耐熱材を最小限の厚さとした基板を主基板２とし、一次実装する能動素子７とＩＤＴ３やデスクリート部品８などを主基板２の表裏にそれぞれ配置し、貫通電極６で両面側の間を接続することで配線長を最短とした。ＬＴＣＣなどの従来の本体基板に代えて薄い水晶等を要部構成部品を実装する主基板とすることにより、薄型化と小型化を実現した。外力・応力に対する脆弱性を、主面側の保護カバーに加えて裏面にも補強カバーを設け、あるいはモールド構造とすることで補強した。 （もっと読む）

【課題】５ＧＨｚ以上の周波数帯域で出力周波数を調整するコルピッツ回路を用いた電圧制御発振器において、出力周波数の可変幅（調整幅）の劣化（低下）を抑えると共に、位相雑音の良好な特性を持つ電圧制御発振器を提供すること。
【解決手段】可変周波数帯域内における周波数ｆに対応する波長をλとすると、共振部１のバリキャップダイオード１３とトランジスタ２１のベース端子との間に直列となるように、線路長Ｄがλ／４で且つ特性インピーダンスが１０Ω以下の伝送線路６を配置して、トランジスタ２１のベース端子からバリキャップダイオード１３側を見た時に、当該バリキャップダイオード１３と伝送線路６とがいわば可変インダクタンス素子Ｌと等価になるようにする。 （もっと読む）

【課題】増幅用のトランジスタに帰還容量成分Ｃ１及び結合容量成分Ｃ２の直列回路を接続したコルピッツ発振回路を用いた電圧制御発振器において、部品点数の削減に寄与できる技術を提供すること。
【解決手段】トランジスタ２１のベースに接続された第１の伝送線路４１とトランジスタ２１のエミッタとアースとの間に接続された第２の伝送線路４２と、を備え、第１の伝送線路４１及び第２の伝送線路４２を互いに接近させて両者の間に線路間容量成分を形成する。この線路間容量成分を前記帰還容量成分Ｃ１として利用すると共に第２の伝送線路４２とアースとの間に形成される寄生容量成分を前記結合容量成分Ｃ２として利用する （もっと読む）

【課題】無駄な電力消費やノイズの悪影響等を抑制できる回路装置及び電子機器等の提供。
【解決手段】回路装置は発振回路１０とバッファー回路２０を含む。バッファー回路２０は、プリバッファーＰＢＦと第１、第２の出力バッファーＱＢＦ１、ＱＢＦ２を含む。第１のモードでは、第１の出力バッファーＱＢＦ１が動作イネーブル状態に設定され、第２の出力バッファーＱＢＦ２が動作ディスエーブル状態に設定される。第２のモードでは、第１の出力バッファーＱＢＦ１及び第２の出力バッファーＱＢＦ２が動作イネーブル状態に設定される。第１のモードでは、プリバッファーＰＢＦの駆動能力が、第２のモードに比べて低い駆動能力に設定される。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、水晶発振回路の駆動電流が１００ｎＡ以下と非常に小さくなり、水晶発振回路の出力が０．１Ｖｐｐ以下と小さくなっても、水晶発振回路の出力に接続する次段の種々の回路が正常に動作する出力信号を出発振回路、及びそれを搭載した電子機器を提供する。
【解決手段】水晶発振回路の出力を増幅する増幅回路を水晶発振回路の出力側に接続し、水晶発振回路の出力電圧と水晶発振回路のＣＭＯＳインバータの入力電圧との差を増幅させる。たとえば、差動アンプを水晶発振回路の出力側に接続し、水晶発振回路の出力電圧とＣＭＯＳインバータの入力電圧とを差動アンプの入力とする。あるいは、３つのオペアンプから構成されるインスツルメンテーションアンプを水晶発振回路の出力側に接続し、水晶発振回路の出力電圧信号と水晶発振回路のＣＭＯＳインバータの入力電圧信号との差を増幅させる。 （もっと読む）

【課題】発振器の発振周波数、又は負荷の大小によるバッファー回路の出力レベル変動を抑制して、バッファー回路の消費電力を低減する発振器を提供する。
【解決手段】この発振器１００は、発振回路１８と、発振回路１８の発振信号を増幅するプリバッファー回路１９と、最終段のバッファー回路１１と、バッファー回路１１の出力電圧レベルを検出するレベル検出回路８と、レベル設定２に応じてレベル検出回路８のレベルを増幅する増幅回路１と、増幅回路１から出力したレベル検出回路８の検出レベルに基づいて出力信号（ＯＵＴ）の電圧、又は電流を制御してバッファー回路１１の出力レベルを調整するレベル調整回路５と、を備えて構成されている。 （もっと読む）

【課題】水晶発振回路の消費電力の低減を図りつつ後段回路を作動させることができる発振装置を提供する。
【解決手段】第１電源Ｖ１が、振幅検出回路３に対して第１電源電圧（３Ｖ）を供給する。第２電源Ｖ２が、水晶振動回路２に対して第１電源電圧（３Ｖ）よりも小さい第２電源電圧（１Ｖ）を供給する。振幅検出回路３は、ＣＭＯＳインバータＩＶ１の出力端子から出力される発振信号と、第２電源電圧（１Ｖ）を分圧して得た基準電圧Ｖｒｅｆと、それぞれのベースに接続される一対のトランジスタが設けられたコンパレータ３１を備えている。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳトランジスタによって構成されたＶＣＯを備えた半導体装置において、発振信号の発振振幅のばらつきの抑制および低消費電力化を実現する。
【解決手段】ＶＣＯ３０は、ＣＭＯＳトランジスタによって構成されたＬＣタンクＶＣＯと、ＶＣＯの発振周波数帯域から一の発振周波数を選択するための周波数選択信号を生成する自動周波数選択回路４２と、ＶＣＯの制御電圧を生成するＰＬＬ３２と、周波数選択信号に基づいて差動型のＭＯＳトランジスタのゲートに供給するバイアス電圧を調整するバイアス回路５０とを備える。 （もっと読む）

【課題】小型で周波数特性の良好な電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】電圧制御発振器（ＶＣＯ）の共振部１は、共振周波数の調整を行うために静電容量が変化する可変容量素子１３、１４と、インダクタンス素子１１と、を含み、エミッタ接地型のトランジスタ２１はこの共振部１からベース端子Ｔ１に入力された周波数信号を増幅する。帰還部２は帰還用の容量素子２２、２３を含み、前記トランジスタ２１のエミッタ端子Ｔ２から出力された周波数信号を、前記ベース端子Ｔ１を介してトランジスタ２１に帰還させる。そして前記ベース端子Ｔ１に印加されるバイアス電圧を調整するためのベース・ブリーダ抵抗Ｒ２、Ｒ３及びトランジスタ２１が共通の集積回路３内に形成され、トランジスタ２１の動作点を調整するためにエミッタ抵抗Ｒ１はこの集積回路３外に別体の抵抗素子として設けられる。 （もっと読む）

【課題】発振周波数を決定する容量値の変化に伴う発振周波数の変動を抑え、且つ、位相雑音を低減することのできる発振装置を提供する。
【解決手段】発振装置は、ドレイン接地回路からなる第１増幅回路１０と、第１増幅回路１０の出力を増幅する、ゲート接地回路からなる第２増幅回路２０と、第２増幅回路２０の出力を第１増幅回路の入力に帰還させるコンデンサＣ１と、第１増幅回路１０の入力側に設けられた共振器２と、共振器２及び第１増幅回路１０内のトランジスタＱ１に動作用のバイアス電圧を印加するバイアス回路１２と、第２増幅回路２０内のトランジスタＱ２に動作用のバイアス電圧を印加するバイアス回路２２とから構成される。この結果、位相雑音の発生を、単一のトランジスタからなるコルピッツ発振回路と同程度に抑えつつ、容量変化によって発振を起動できなくなったり、発振周波数が変動するのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】水晶発振器の出力振幅の調整機能を簡易な構成で実現する。
【解決手段】水晶発振器は、電源に接続される電源端子（ＶＣＣ）と、接地電位に維持される接地端子（ＧＮＤ）と、電源端子と接地端子とに接続され、電源端子と接地端子との間に印加された電源電圧に基づく振幅レベルの発振信号（Ｖ０）を出力する水晶発振回路（６）と、イネーブル信号（ＶＥＮ１、ＶＥＮ２）が入力されるイネーブル端子（ＥＮ１、ＥＮ２）と、イネーブル端子と接地端子とに接続され、水晶発振回路から入力される発振信号を波形整形してイネーブル端子と接地端子との間のイネーブル信号の電圧に応じた振幅レベルの基準クロック信号（ＣＬＫ１、ＣＬＫ２）を出力するバッファ回路（２ａ、２ｂ）と、バッファ回路から出力される基準クロック信号が出力される出力端子（ＯＵＴ１、ＯＵＴ２）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＶＣＯに含まれるスパイラルインダクタとＭＯＳバラクタを接続する配線に付加される寄生インダクタ、および／または寄生容量を低減することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】ＬＣタンクＶＣＯは、第１および第２のスパイラルインダクタＬ１，Ｌ２と、第１および第２のＭＯＳバラクタＣ１，Ｃ２とを備える。第１および第２のＭＯＳバラクタＣ１，Ｃ２は、半導体基板に垂直な方向から見たときに、第１のスパイラルインダクタＬ１と第２のスパイラルインダクタＬ２の間の領域に配置される。 （もっと読む）

【課題】コルピッツ回路を用いた電圧制御発振器において、帰還部の２つのコンデンサ間とトランジスタのエミッタとを接続する導電線路におけるインダクタンス成分の影響による出力周波数の可変幅（調整幅）の劣化（低下）を抑えることのできる電圧制御発振器を提供すること。
【解決手段】コルピッツ回路を用いたＶＣＯにおいて、帰還部２のコンデンサ２２、２３について、トランジスタ２１のベースから伸びる端子部８（Ｔ１）及び前記トランジスタ２１のエミッタから伸びる端子部８（Ｔ２）が夫々装着されるベース基板５上のベース用端子（接続部７）とエミッタ用端子とを直結するように第１の帰還容量素子（コンデンサ）２２を配置すると共に、上記エミッタ用端子とアース用端子（接地電極５１）とを直結するように第２の帰還容量素子（コンデンサ）２３を配置する。 （もっと読む）

【課題】十分に高い周波数帯域において、広帯域にわたって柔軟に発振周波数を調整すること。
【解決手段】信号線１３１は、電源から直流電圧Ｖｄｃが印加されると、電源に接続された始端を節とし、終端を腹とする４分の３波長の定在波を発生させる。ストリップ１３２−１〜１３２−ｎは、それぞれスイッチ１３３−１〜１３３−ｎを介してグランド層に接続されている。スイッチ１３３−１〜１３３−ｎは、切替制御部１４０による制御に従って、それぞれストリップ１３２−１〜１３２−ｎとグランド層との接続及び非接続を切り替える。スイッチ１３３−１〜１３３−ｎの接続及び非接続を切り替えることにより、擬似的に信号線１３１とグランド層の間の距離が調節され、伝送線路部１３０における実効誘電率が変化して、定在波の周波数を調整することができる。 （もっと読む）