【課題】小型に構成され、高調波と基本波との電力比を増加可能な高周波発振器を得る。
【解決手段】印加された電源電圧に基づいて、発振周波数の基本波で発振動作を行い、発振周波数の２倍波を出力する２倍波取り出し型発振器１０と、２倍波取り出し型発振器１０の出力端子に接続され、発振周波数の２倍波を通過帯域とする出力回路２０とを備え、出力回路２０は、２倍波取り出し型発振器１０に電源電圧を供給する電源端子２１と、２倍波取り出し型発振器１０と電源端子２１との間に直列に接続され、発振周波数の２倍波に対してほぼ１／４波長の長さを有する結合線路２２と、２倍波取り出し型発振器１０と電源端子２１との間に直列に接続され、発振周波数の２倍波に対してほぼ１／４波長の長さを有する伝送線路２３と、結合線路２２の結合量に応じた出力電力を得る第１負荷抵抗２４と、電源端子２１に対して並列に接続されたキャパシタ２５とを有する。 （もっと読む）

【課題】休止期間は消費電力を削減すると共に起動特性のよい発振器を提供する。
【解決手段】発振信号がコールドスタートからの規定の定常状態条件に達する時を早める回路を含んでいる発振信号を生成するための装置。装置は、発振信号を生成するための発振回路４１２と、前記発振回路に第１の電流を供給する第１の制御可能電流源４０４と、発振回路に第２の電流を供給する第２の制御可能電流源４０８と、を含み、第１および第２の電流は、発振信号が規定の定常状態条件に達するための時間分を縮小するのに適している。装置は、１以上の通信チャネルを確立するために低い負荷サイクルパルス変調を用いる通信システムに有益であるかもしれず、それによって装置はパルスのほぼ始めで発振信号を生成し始め、パルスのほぼ終わりに発振信号を終了する。 （もっと読む）

【課題】水晶発振回路の消費電力の低減を図りつつ後段回路を作動させることができる発振装置を提供する。
【解決手段】第１電源Ｖ１が、振幅検出回路３に対して第１電源電圧（３Ｖ）を供給する。第２電源Ｖ２が、水晶振動回路２に対して第１電源電圧（３Ｖ）よりも小さい第２電源電圧（１Ｖ）を供給する。振幅検出回路３は、ＣＭＯＳインバータＩＶ１の出力端子から出力される発振信号と、第２電源電圧（１Ｖ）を分圧して得た基準電圧Ｖｒｅｆと、それぞれのベースに接続される一対のトランジスタが設けられたコンパレータ３１を備えている。 （もっと読む）

【課題】少ない電流で必要な負性抵抗が得られることにより、安定に動作することのできる発振器を提供する。
【解決手段】互いに並列に配設された容量素子１３４，２３４およびインダクタ１３３，２３３を有する共振回路１３，２３と、共振回路１３，２３の損失を打ち消す負性抵抗が生じるように配設された複数のトランジスタを有する負性抵抗発生器１４，２４と、第１バイアス端子１５，２５と、第２バイアス端子１６，２６と、を備えた複数の発振部１０，２０と、各共振回路１３，２３が互いに等価的に並列に接続されるように、複数の発振部１０，２０を電気的に結合する結合部３０Ａと、を備え、複数の発振部１０，２０は、それぞれの第１バイアス端子２５および第２バイアス端子１６において互いに直列に接続され、複数の発振部１０，２０における複数のトランジスタ１４３，１４４，２４３，２４４は、互いに同じ導電型で構成されている。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳトランジスタによって構成されたＶＣＯを備えた半導体装置において、発振信号の発振振幅のばらつきの抑制および低消費電力化を実現する。
【解決手段】ＶＣＯ３０は、ＣＭＯＳトランジスタによって構成されたＬＣタンクＶＣＯと、ＶＣＯの発振周波数帯域から一の発振周波数を選択するための周波数選択信号を生成する自動周波数選択回路４２と、ＶＣＯの制御電圧を生成するＰＬＬ３２と、周波数選択信号に基づいて差動型のＭＯＳトランジスタのゲートに供給するバイアス電圧を調整するバイアス回路５０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 ＲＣ発振器によりクロック信号を生成するシステムにおいて、クロック信号の周波数を大きく変動させずに補正して規定の範囲に保つことのできる電子機器およびクロック補正方法を提供することにある。
【解決手段】 ＲＣ発振器の抵抗または容量の設定を切り替えてクロック信号の周波数を複数段階に変更可能な周波数変更手段と、この複数段階の変更量を表わしたトリミングテーブルを記憶する記憶手段と、周波数変更手段の設定を切り替えてクロック信号の周波数を補正するクロック補正制御手段とを備えた電子機器およびそのクロック補正方法である。そして、クロック補正制御手段は、トリミングテーブルのデータに基づき、クロック信号の周波数を補正前の周波数から規定の周波数へ次第に近づいていくように周波数変更手段の設定を切り替えて（Ｓ７，Ｓ８）、クロック信号の周波数を補正する。 （もっと読む）

【課題】、数百メガヘルツの発振周波数を有する発振信号を出力する場合において、半導体集積回路内に設けられた他の回路の特性劣化を抑制することができる発振回路を提供する。
【解決手段】半導体集積回路の内部に設けられた内部キャパシタと、半導体集積回路の外部に設けられた外部キャパシタ及び外部インダクタとからなる共振回路と、共振回路に入力端及び出力端が接続された増幅回路と、を有し、共振回路は、内部キャパシタ、外部インダクタ、並びに内部キャパシタ及び外部インダクタを接続する配線からなる第１閉回路と、外部キャパシタ、外部インダクタ、並びに外部キャパシタ及び外部インダクタを接続する配線からなり、第１閉回路の配線抵抗よりも小なる配線抵抗を有する第２閉回路と、を有することを特徴とする発振回路。 （もっと読む）

【課題】集積回路上に構成可能で、容量可変比率が大きくかつＱ値が高く、ＶＣＯを構成した時に直線性の高い制御電圧と発振周波数の関係を実現する電圧可変型容量を提供すること。
【解決手段】下部電極を共通接続した複数のＭＯＳ型容量素子（CM1〜CMn）と、該複数のＭＯＳ型容量素子の上部電極に一端を接続し、他端を共通接続する同数の非電圧可変型容量（C1〜Cn）と、これらのＭＯＳ型容量素子と非電圧可変型容量の接続点に夫々異なる固定バイアス電圧を与える手段（VB1〜VBn及び抵抗）により構成され、前記複数のＭＯＳ型容量の共通接続された下部電極に制御電圧を加える。 （もっと読む）

【課題】位相ずれを確認する技術を提供する。
【解決手段】プッシュ・プッシュ発振回路１００は、相互に逆位相で動作する、２つの発振器１、２と、２つの発振器１、２から出力された第1出力信号を合成する合成器１０１と、合成器１０１から出力された第２出力信号に含まれる第１出力信号の基本波を監視するための基本波監視回路１０２と、を備えている。即ち、基本波監視回路１０２を用いることで、合成器１０１から出力された第２出力信号に含まれる第１出力信号の基本波を確認することができる。第１出力信号の基本波を確認することで、合成器１０１に入力された２つの第１出力信号が逆位相であったか確認することができる。 （もっと読む）

【課題】所望の周波数、特に１００ＧＨｚ以上のテラヘルツ帯において共振特性を良好とする新規なアンテナ及びそれを用いた発振器を提供する。
【解決手段】スロットアンテナは、スロットアンテナ本体２となる空隙と、この空隙に対して十字となるように空隙の長手方向に対して垂直方向に一つ以上設けたスリットリフレクタ部３となる空隙とが、導電性平板５に形成されて成り、所望されるインピーダンス又はアドミタンスの周波数特性が得られるようにスリットリフレクタ部３の配置場所、長さ及び幅が定められている。 （もっと読む）

【課題】小型で周波数特性の良好な電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】電圧制御発振器（ＶＣＯ）の共振部１は、共振周波数の調整を行うために静電容量が変化する可変容量素子１３、１４と、インダクタンス素子１１と、を含み、エミッタ接地型のトランジスタ２１はこの共振部１からベース端子Ｔ１に入力された周波数信号を増幅する。帰還部２は帰還用の容量素子２２、２３を含み、前記トランジスタ２１のエミッタ端子Ｔ２から出力された周波数信号を、前記ベース端子Ｔ１を介してトランジスタ２１に帰還させる。そして前記ベース端子Ｔ１に印加されるバイアス電圧を調整するためのベース・ブリーダ抵抗Ｒ２、Ｒ３及びトランジスタ２１が共通の集積回路３内に形成され、トランジスタ２１の動作点を調整するためにエミッタ抵抗Ｒ１はこの集積回路３外に別体の抵抗素子として設けられる。 （もっと読む）

【課題】高い歩留りを得ながらゲートスロープを抑制することができるアナログ回路を提供する。
【解決手段】アナログ回路には、発振トランジスタ２７と、発振トランジスタ２７に対する負性抵抗を変更する負性抵抗変更回路と、が設けられている。負性抵抗変更回路には、可変抵抗回路及び可変容量回路が含まれている。可変抵抗回路には、抵抗体２９、抵抗体３１及びトランジスタ（スイッチ）３５が含まれ、可変容量回路には、キャパシタ３０及び可変容量ダイオード３６が含まれている。 （もっと読む）

【課題】高温環境下でも正常に動作してセンサの測定値を正確に求めることができるようにする。
【解決手段】本発明のモニタリング装置１は、センサ２と、このセンサ２が接続され且つワイドバンドギャップ半導体を使用した発振器を備えたインタフェース３と、インターフェース３とは別に配置され且つインターフェース３から出力された発振信号を処理する演算装置４とを備えている。発振器は、基準となる発振信号を出力する第１発振器６ａと、センサ２の出力に基づいて発振信号を出力する第２発振器６ｂとから構成されている。第演算装置４は、第１発振器６ａからの発振信号と第２発振器６ｂからの発振信号とに基づいてセンサ２で測定した測定値を算出する演算部１５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】通常の運行動作に影響を与えずに、地上子との結合で変化する車上子のインピーダンス変化を検知して車上子と地上子の結合を検知して地上子から信号現示情報を得る信号現示情報取得の健全性を監視して安全性を確保することができる自動列車停止装置の車上用装置を得る。
【解決手段】車上子２と検知部３０１とにより構成されるインピーダンス変化検知回路を有し、検知部３０１が、インピーダンス変化検知回路のインピーダンスを変更するインピーダンス変更部５１と、インピーダンス変更部５１によりインピーダンス変化検知回路のインピーダンスを変更したことにより生じる複数の周波数の信号の特性の予め設定された変化を検出してインピーダンスの変化を検出した場合に、信号現示情報の取得動作が健全であると判断するインピーダンス変化検出部５２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】従来の可変容量素子は、容量値の精度が低い問題があった。
【解決手段】本発明の可変容量素子は、第１の電源端子と出力端子ＣＴＯＰとの間に接続される第１の容量素子Ｃ１と、容量切替信号ＣＳＥＬに応じて導通状態が切り替えられる容量選択スイッチＮ１と、第１の容量素子Ｃ１と並列に接続され、かつ、容量選択スイッチＮ１と直列に接続される第２の容量素子Ｃ２と、容量選択スイッチＮ１が遮断状態とされる状態において、出力端子ＣＴＯＰをリセット電圧にリセットする電荷リセット信号ＩＮＩＴＢに応じて、第２の容量素子Ｃ２と容量選択スイッチＮ１とを接続する容量切替ノードＮＤａの電圧と出力端子ＣＴＯＰの電圧とを実質的に同じ電圧に設定する誤差補正回路１０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】発振周波数を決定する容量値の変化に伴う発振周波数の変動を抑え、且つ、位相雑音を低減することのできる発振装置を提供する。
【解決手段】発振装置は、ドレイン接地回路からなる第１増幅回路１０と、第１増幅回路１０の出力を増幅する、ゲート接地回路からなる第２増幅回路２０と、第２増幅回路２０の出力を第１増幅回路の入力に帰還させるコンデンサＣ１と、第１増幅回路１０の入力側に設けられた共振器２と、共振器２及び第１増幅回路１０内のトランジスタＱ１に動作用のバイアス電圧を印加するバイアス回路１２と、第２増幅回路２０内のトランジスタＱ２に動作用のバイアス電圧を印加するバイアス回路２２とから構成される。この結果、位相雑音の発生を、単一のトランジスタからなるコルピッツ発振回路と同程度に抑えつつ、容量変化によって発振を起動できなくなったり、発振周波数が変動するのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】発振周波数が安定するまでに要する時間の短い発振回路及び電子機器を提供する。
【解決手段】周波数補正回路を有する共振回路と、前記共振回路の両端の間に接続された増幅回路とを備えた発振回路が提供される。前記周波数補正回路は、第１のコンデンサと、両端の電位が変動可能に前記第１のコンデンサと直列的に接続された第１のトランジスタと、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】入力電圧に対する出力電流の動作範囲の拡大できる電圧電流変換回路を提供する。
【解決手段】入力電圧ＩＮがトランジスターＭ４の閾値電圧以下の場合には、トランジスターＭ４はオフである。一方、トランジスターＭ９によって入力電圧ＩＮがレベルシフトされる。そのレベルシフト後の印加電圧ＶＡによってトランジスターＭ１０がオンし、Ｍ１０に流れるＩ１０が、トランジスターＭ１に流れるＩ１となる。また、入力電圧ＩＮがＭ４の閾値電圧を超える場合には、Ｍ４がオンし、Ｍ４に流れるＩ４と、Ｍ１０に流れるＩ１０との和が、Ｍ１に流れるＩ１となる。そして、Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３によって形成されるカレントミラー回路によって、Ｍ１に流れるＩ１に応じた電流が、負荷回路１０，１２に供給される。 （もっと読む）

【課題】ＶＣＯに含まれるスパイラルインダクタとＭＯＳバラクタを接続する配線に付加される寄生インダクタ、および／または寄生容量を低減することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】ＬＣタンクＶＣＯは、第１および第２のスパイラルインダクタＬ１，Ｌ２と、第１および第２のＭＯＳバラクタＣ１，Ｃ２とを備える。第１および第２のＭＯＳバラクタＣ１，Ｃ２は、半導体基板に垂直な方向から見たときに、第１のスパイラルインダクタＬ１と第２のスパイラルインダクタＬ２の間の領域に配置される。 （もっと読む）

【課題】小型かつノイズ抑制に優れる発振回路を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる発振回路１００は、インバータ１及び２、タンク回路３を有する。タンク回路３は、出力ノードＯＵＴＴと出力ノードＯＵＴＢとの間に並列に接続される。インバータ１は、ドレインが出力ノードＯＵＴＢに接続されたｎ型ＭＩＳトランジスタＭ１及びｐ型ＭＩＳトランジスタＭ３を有する。インバータ２は、ドレインが出力ノードＯＵＴＴに接続されたｎ型ＭＩＳトランジスタＭ２及びｐ型ＭＩＳトランジスタＭ４を有する。ｐ型ＭＩＳトランジスタＭ３及びＭ４のゲート端子は、それぞれ出力ノードＯＵＴＴ及びＯＵＴＢと直接的に接続される。ｎ型ＭＩＳトランジスタＭ１及びＭ２のゲート端子は、それぞれ結合容量ＣＧ１及びＣＧ２を介して出力ノードＯＵＴＴ及びＯＵＴＢと接続され、抵抗ＣＧ１及びＣＧ２を介してバイアス電圧ＶＢＩＡＳが印加される。 （もっと読む）