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Fターム[5J097BB02]の内容

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Fターム[5J097BB02]に分類される特許

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【課題】 インピーダンスを大きくせずに横モードによるスプリアスを低減できるようにする。
【解決手段】 弾性表面波素子片10は、圧電基板12の中央部にすだれ状電極からなる入力用IDT14と出力用IDT16とが弾性表面波の伝播方向に設けてある。入力用IDT14を構成している櫛型電極18aの各電極指22は、弾性表面波の伝播方向に直交した直線部22a、22bと、直線部22a、22b間に「く」の字状に屈曲して形成した接続部22cとからなる。各直線部22a、22bは、ほぼ同一の直線上に配置されている。IDT14、16を形成する他の櫛型電極18b、20a、20bの電極指24、26、28のそれぞれも同様に形成してある。 (もっと読む)


【課題】複数の周波数を用いる球状表面弾性波素子の電極を、平面型のフォトリソグラフィーを用いて形成した場合でも露光の歪みを最小限に抑えることが可能な球状表面弾性波素子が望まれていた。
【解決手段】圧電結晶球、あるいは圧電材料膜を表面に形成した球上の円環状弾性表面波経路上に第1の電極と第2の電極から交互に突出部を設けた球状表面弾性波(Surface Acoustic Wave)素子において、各第1の電極の突出部と第2の電極の突出部との間に第3の電極を設けたことを特徴とする球状表面弾性波素子を提供するものである。 (もっと読む)


【課題】 従来構造よりデバイスサイズが小型で、Q値が高く、周波数温度特性に優れたSAWデバイスで、且つ、横高次モードスプリアスレベルを抑制することができるSAWデバイスを提供する。
【解決手段】 回転Yカット水晶基板のカット角θを結晶Z軸より反時計方向に−64.0°<θ<−49.3°の範囲に設定した水晶基板1と、該水晶基板1上に形成されたAl又はAlを主成分とする合金からなるIDT2とを備え、弾性表面波の伝搬方向を結晶X軸に対して直交方向、励振される弾性表面波を水晶基板1の表面付近を伝搬するSH波とし、弾性表面波の波長λで基準化した電極膜厚H/λを0.04<H/λ<0.12に設定した弾性表面波デバイスにおいてIDT2にダミー電極11を設けるようにした。 (もっと読む)


【課題】本発明は、弾性表面波デバイスに関して、耐電力特性を備えた弾性表面波デバイスの挿入損失を向上させることを目的とする。
【解決手段】本発明は、特に、弾性表面波デバイスを構成する複数の弾性表面波共振器2,4のうち少なくとも一つの弾性表面波共振器2の電極構造を他の弾性表面波共振器4を構成する電極構造と積層数を異ならせた構造としたことにより、耐電力特性を備えた弾性表面波デバイスにおける挿入損失を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】 通過帯域近傍の減衰量の劣化を抑制し、かつ高周波数における減衰量を増加させることが可能な弾性波フィルタおよび弾性波分波器を提供すること。
【解決手段】 弾性波共振子が直列腕と並列腕に接続したラダー型フィルタ(21)と、ラダー型フィルタ中の並列腕共振子(P1、P2)の少なくとも1つと、グランドとの間に設けられたインダクタ(L02)と、インダクタと並列に、ラダー型フィルタ中の並列腕共振子(P2)と、グランドとの間に設けられた共振回路(LC1、LC2)と、を具備し、共振回路の共振周波数をfr、ラダー型フィルタの通過帯域周波数をf0としたとき、2f0−150MHz<fr<2f0+150MHzおよび3f0−150MHz<fr<3f0+150MHzの少なくとも一方であることを特徴とする弾性波フィルタおよび弾性波分波器である。 (もっと読む)


【課題】 小型化が可能で、検査の生産性を高め、且つコスト低減を実現できる弾性表面波素子を提供する。
【解決手段】 SAW共振素子100は、圧電基板120と、圧電基板120の表面に形成され、第1櫛歯電極140と第2櫛歯電極150が交差してなるIDT電極130と、IDT電極130の表面波が伝播する方向の両側に設けられる第1反射器160と第2反射器170と、が備えられ、隣り合う第1櫛歯電極140の給電導体142と第2反射器170の給電導体172とを連続して第1引出電極143を延在形成し、隣り合う第2櫛歯電極150の給電導体152と第1反射器160の給電導体163とを連続して第2引出電極153を延在形成し、第1引出電極143と第2引出電極153とが、それぞれプローブ接触領域を含み、第1引出電極143と第2引出電極153との距離が、標準となるプローブの端子間の距離Aを有するよう設定されている。 (もっと読む)


【課題】重み付けが施されたIDTを有し、電極指先端のギャップ部分による弾性境界波の回折現象に起因する特性の劣化が生じ難い、弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】第1の媒質11と、第2の媒質12とが積層されており、第1,第2の媒質11,12間に、IDT13が配置されており、IDT13に重み付けが施されており、かつ該IDT13が互いに間挿し合う複数本の電極指13a,13bを有し、電極指13aまたは13bの先端と、当該電極指と異なる電位に接続されるダミー電極指とがギャップBを隔てて対向配置されており、ギャップBの電極指長さ方向に沿う寸法GDが、電極指の周期をλとしたときに、0.05μm〜0.22λの範囲とされており、かつλが0.23μmよりも大きくされている、弾性境界波装置10。 (もっと読む)


【課題】 集積回路とSAW振動子とを半導体基板上に一体化した場合においても、チップ面積の増大を抑制しつつ、SAW振動子に直流電圧がかからないように集積回路とSAW振動子とを接続する。
【解決手段】 集積回路12から引き出されたパッド電極15a、15bを半導体チップ11に形成するとともに、半導体チップ11上には、パッド電極15a、15bにかかるように配置された薄膜圧電体13を積層し、薄膜圧電体13上には、IDT電極14a、14bからそれぞれ引き出されたパッド電極16a、16bをそれぞれ形成し、パッド電極16a、16bは、薄膜圧電体13を介してパッド電極15a、15bとそれぞれ対向するように配置する。 (もっと読む)


【課題】 SAWチップとカバーとを金属接合により接合した2層構造のSAWデバイスにおいて、励振部を確実に気密に封止しかつ圧電基板表面でカバーの外側に引き出したリード線と金属接合部分間の電気的絶縁性を確保する。
【解決手段】 SAWデバイス1は、IDT電極5及び反射器6からなる励振部、励振部を囲繞する金属接合部9、その外側に配置した取出電極8、及びIDT電極から金属接合部と交差させて引き出したリード線7を圧電基板4表面に形成したSAWチップ2と、ガラス薄板の下面周辺部に全周に沿って金属接合部13を形成したカバー3とを備える。SAWチップの金属接合部は、圧電基板及びリード線の表面に成膜されたSiO等の絶縁層10とその上に積層した接合金属層11とから形成される。 (もっと読む)


【課題】低損失で急峻な減衰特性を持ち、小型化された分波器に好適な弾性表面波素子を提供すること。
【解決手段】圧電基板の主面上に、送信用ラダー型弾性表面波素子T1と受信用ラダー型弾性表面波素子R2とを備える。送信用ラダー型弾性表面波素子T1の弾性表面波共振子S1における電極指のピッチPTに対する電極指幅LTの比(LT/PT)を、受信用ラダー型弾性表面波素子R2の弾性表面波共振子S2における弾性表面波共振子S2の電極指のピッチPRに対する電極指幅LRの比(LR/PR)より小さくする。その結果、帯域内で低損失、帯域外で急峻な減衰特性を持ち、小型化された弾性表面波素子D1を提供することができる。 (もっと読む)


周波数ばらつきの低減と、反共振周波数におけるQ値の改善の双方を図り得る1ポート型弾性表面波共振子を提供する。 回転YカットLiTaO基板2と、該LiTaO基板2上に形成されたインターデジタル電極3と、インターデジタル電極3の表面波伝搬方向両側に設けられた反射器4,5とが形成されている1ポート型弾性表面波共振子であって、インターデジタル電極3の電極指の幅をa、電極指間ギャップをbとしたときに、メタライゼーション比a/(a+b)が0.55〜0.85の範囲とされており、かつインターデジタル電極3が交差幅重み付けを施されている、1ポート型弾性表面波共振子1。
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本発明は、弾性表面波によって動作する受信フィルタ(3)を有するデュプレクサに関し、受信フィルタはアンテナ側に配置されている、共振器(11,12,13)を有している第1の部分フィルタ(3)と該部分フィルタに後置接続されている、DMSフィルタとして実現されている第2の部分フィルタ(32)とを有している。
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【課題】低損失で急峻な減衰特性を有する小型のローパスフィルタを提供する。
【解決手段】ローパスフィルタは、第1のフィルタ1と第2のフィルタ2と第3のフィルタ3とを有する。第1のフィルタ1は、2端子対SAW共振子11からなる。第2のフィルタ2は、1端子対SAW共振子21と位相線路22とからなる。第3のフィルタ3は、1端子対SAW共振子31と位相線路32とからなる。 (もっと読む)


本発明は、無指向性の弾性波反射器(32)上の圧電膜(41)と、圧電膜の表面上に設けてあり、弾性波鏡の禁制帯内の波を励振すべく用いられる励振及び/又は受容手段(43, 44)とを備える弾性波装置に関する。
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【課題】弾性表面波素子の振動が半導体装置を有する基板上に漏れないようにでき、半導体装置の電気的動作に影響を及ぼすことの無い弾性表面波素子複合装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置21を有する基板23と、基板23に設けられた圧電膜と、圧電膜に配置されたくし歯電極30を有する弾性表面波素子20と、を備える弾性表面波素子複合装置10であって、弾性表面波素子20と基板23の間には、バイアス電圧を印加するための金属膜200が配置されている。 (もっと読む)


【課題】弾性表面波素子の波が半導体装置に漏れないようにでき、半導体装置の電気的動作に影響を及ぼすことを防ぐ弾性表面波素子複合装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置21を有する基板23と、基板23に設けられた圧電膜と、圧電膜に配置されたくし歯電極30を有する弾性表面波素子20と、を備える弾性表面波素子複合装置10であって、弾性表面波素子20と基板23の間には、エアーギャップ部100が配置されている。 (もっと読む)


【課題】 良好な圧電特性を得ることができる圧電素子を提供する。
【解決手段】 本発明に係る圧電素子10は,
基板1と、
基板1の上方に形成された第1導電層4と、
第1導電層4の上方に形成された、ペロブスカイト構造を有する圧電体からなる圧電体層5と、
圧電体層5に電気的に接続された第2導電層6と、を含み、
第1導電層4は,(001)に優先配向しているランタン系層状ペロブスカイト化合物からなるバッファ層41を1層以上含む。 (もっと読む)


【課題】アンテナ分波器において、低挿入損失を実現しつつ通過域低域での減衰量を確保する移相器を不要にする。
【解決手段】低域側SAWフィルタ20と高域側SAWフィルタ30によって構成するアンテナ分波器において、高域側SAWフィルタ30は、SAW共振子51とこれに並列にコイル52を接続した構成とし、低域側SAWフィルタの通過域周波数に対しては高インピーダンスを呈し、かつ高域側SAWフィルタの通過域周波数に対しては低インピーダンスを呈するSAWタンク回路50と、1つのIDTと、このIDTの両側で出力端を共通接続した一対のIDTおよび反射器で構成され、低域側SAWフィルタの通過域周波数に対して大きな減衰量を呈し、かつ高域側SAWフィルタの通過域周波数をフィルタ処理する縦結合共振器型フィルタ60とによって構成する。 (もっと読む)


【課題】Cuを主成分とするインターデジタル電極を用いた弾性表面波装置であって、耐電力性が著しく改善された弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】圧電基板2と、圧電基板2上に形成されたインターデジタル電極3とを備え、インターデジタル電極3が、CuまたはCuを主成分とする合金からなる主電極層3aと、主電極層3aと圧電基板2との間に配置されており、Tiを主成分とし、膜厚が18〜60nmの範囲にある密着層3bとを備える、弾性表面波装置1。 (もっと読む)


【課題】 良好な圧電特性を有する圧電体膜を提供する。
【解決手段】 本発明に係る圧電体膜は,
ペロブスカイト型の圧電体膜であって、
擬立方晶(100)に優先配向しており、
モノクリニック構造(図のMで示される領域)を有し、
分極軸方向は、擬立方晶<111>方向と,擬立方晶<100>方向との間である。 (もっと読む)


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