【課題】面内回転した回転ＳＴカット水晶板等の圧電体平板上に、レイリー型等の弾性表面波を利用して、３次高調波動作させた新しい形式の弾性表面波共振子を提供する。
【解決手段】圧電体平板上の位相伝播方向Ｘに弾性表面波を励振する少なくとも１個のすだれ状電極と前記位相伝播方向Ｘの両側に配置した一対の反射器とからなる弾性表面波共振子であって、すだれ状電極における電極指の前記位相伝播方向Ｘ方向の幅寸法をＬＴとし、配列周期長に対する線幅比ＬＴ／ＰＴが（１／６±１／１２）の範囲であり、反射器における位相伝播方向Ｘ方向の幅寸法をＬＲとし、配列周期長ＰＲに対する線幅比ＬＲ／ＰＲが（１／６±１／１２）の範囲であり、前記配列周期長ＰＲに対してＰＴの関係がＰＲ＜ＰＴであり、前記弾性表面波の速度Ｖと動作周波数ｆの関係がｆ＝３Ｖ／（２ＰＴ）である弾性表面波共振子。 （もっと読む）

【課題】寄生容量および寄生インダクタンスを低減でき、安定した特性を有する小型の弾性表面波デバイスを提供する。
【解決手段】ＩＤＴ電極７の左右両側のバスバー７５，７７が形成される領域に回路接続パッド５を含み、バスバー７５，７７が回路接続パッド５に接続されているため、ＩＤＴ電極７を延長して発振回路などと接続するための接続パッドを設ける必要がない。これにより、発振回路における寄生容量による電流の消費を低減し、発振回路などの消費電力を低減することができる。また、接続パッドと回路接続パッド５とを繋げる金属ワイヤが不要となる。これにより、発振回路における寄生インダクタンスによる発振周波数および位相のずれを低減することができる。特に、低電圧駆動に対応し、安定した特性を有するＳＡＷ発振器１０を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】弾性表面波素子を２つの異なった振動モードで励振できるようにし、ＦＳＫ変調器の発振回路の簡素化を図れるようにする。
【解決手段】発振器４０は、ＩＤＴを介して弾性表面波素子１０の圧電基板を励振する増幅回路４２を有する。弾性表面波素子１０は、弾性表面波の伝播方向に沿って第１ＩＤＴ１４と第２ＩＤＴ１６とを備えている。第２ＩＤＴ１６は、スイッチ部４４に接続してある。スイッチ部４４は、切替え制御部５０に接続してある。切替え制御部５０は、入力する「０」、「１」に応じてスイッチ部４４を切り替え、弾性表面波素子１０の第１ＩＤＴ１４と第２ＩＤＴ１６とに同位相の信号、または第１ＩＤＴ１４と第２ＩＤＴ１６との間で相互に逆位相となる信号を与える。 （もっと読む）

【課題】シングル型ＩＤＴ電極を備え、発振周波数としてストップバンドの上限モードを利用する弾性表面波装置において、周波数温度特性が優れ、また高周波化が容易な弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】水晶基板表面にＲａｙｌｅｉｇｈ型弾性表面波を励振させるためのシングル型ＩＤＴ電極を少なくとも備え、弾性表面波のストップバンドの上限モードを励振させる弾性表面波装置であって、水晶基板の切り出し角度及び弾性表面波伝搬方向をオイラー角表示で（φ，θ，ψ）とするとき、φ＝０°、１１０°≦θ≦１４０°、３８°≦｜ψ｜≦４４°に設定し、かつ、ＩＤＴ電極の厚みをＨ、ＩＤＴ電極における電極指の幅をｄ、ＩＤＴ電極における電極指間のピッチをＰ、弾性表面波の波長をλ、η＝ｄ／Ｐとしたとき、Ｈ／λ≧０．１７９６η³−０．４３０３η²＋０．２０７１η＋０．０６８２とする。 （もっと読む）

【課題】周波数温度特性のばらつきを最小限に抑えるとともに、周波数精度の高いＳＡＷデバイスおよびＳＡＷデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ＳＡＷデバイスは、パッケージ１２の底面に設けた接着剤２８とＳＡＷ素子片４０の基端５０側とを接合させて、ＳＡＷ素子片４０をパッケージ１２に片持ち搭載したものである。このとき、ＳＡＷ素子片４０は、接着剤２８が接合されている基端５０側に比べて先端５２を上方に傾けて、パッケージ１２に搭載されている。これによりＳＡＷ素子片４０の先端５２がパッケージ１２の底面に接触するのを防止でき、またＳＡＷ素子片４０に応力が加わるのを防ぐことができるので、周波数温度特性のばらつきを最小限に抑えることができ、周波数精度の高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】パッケージに設けた接続パッドが接着剤に覆われないようにする。
【解決手段】ＳＡＷ発振器１０は、パッケージ２２内に弾性表面波素子片１４と集積回路１６とが収容してある。集積回路１６を実装する部品実装部４０は、弾性表面波素子片１４を実装する素子片実装部３６より高い位置に設けてある。素子片実装部３６と部品実装部４０との高さの差ｈは、弾性表面波素子片１４の高さと集積回路１６の高さとの差にほぼ等しくしてあり、実装後の弾性表面波素子片１４の上面と集積回路１６の上面との高さがほぼ等しくなっている。また、弾性表面波素子片１４の電極にボンディングワイヤ５０を介して電気的に接続した素子片用接続パッドと、集積回路１６の端子にボンディングワイヤ５０を介して電気的に接続した部品用接続パッドとが部品実装部４０以上の高さに設けてある。 （もっと読む）

【課題】小型でしかも帯域外減衰量の特性を良好にすることの可能な分波器および携帯型通信装置を提供する。
【解決手段】送信信号と受信信号とを分離する分波器１００は，アンテナ端子１１０を共通端子として並列接続された受信フィルタ１３０および送信フィルタ１４０と，アンテナ端子と受信フィルタとの間に挿入される位相整合回路１２０と，送信フィルタに接続される伸張コイル１５０とを備え，位相整合回路および伸張コイルは，多層構造を有するパッケージ２００内にマイクロストリップライン２３２，２５０として形成される。マイクロストリップライン２３０は，多層構造のいずれかの層に形成され，マイクロストリップライン２５０は，多層構造を貫通するようにマイクロストリップライン２３０と垂直方向に形成される。 （もっと読む）

【課題】圧電特性などに優れた新規な圧電材料を提供すること。
【解決手段】圧電材料は、下記一般式（１）で表される。
x(K_1/2Bi_1/2)TiO₃-(1-x)KNbO₃ ・・・（１）
前記一般式（１）において、０．３≦ｘ≦０．７であることができる。 （もっと読む）

導波に適する層システム（9）を有する、案内された音響波により動作する構成素子が提供される。この層システムは、圧電層（1）、その上に配置された電極（3）および誘電層（2）を有し、誘電層は比較的低い音響インピーダンスZ_aoを備える。層システム（9）は、比較的音響インピーダンスZ_a2の高い調整層（32，51）を有し、Z_a2/Z_ao > 1.5である。調整層は少なくとも1つの間隔領域（55）においては圧電層（1）から離間されている。
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【課題】インターディジタル電極２の表層部に形成する陽極酸化膜を、該陽極酸化膜の絶縁性と弾性表面波素子の素子特性を両立させることが出来る膜厚に形成し、且つインターディジタル電極２によって励起される弾性表面波の周波数を、所望の周波数に調整することが出来る弾性表面波素子の製造方法を提供する。
【解決手段】インターディジタル電極２の陽極酸化処理工程において、電解液４中で陰極部材５とインターディジタル電極２の間を流れる電流の密度を制御することにより、圧電基板１に励起されることとなる弾性表面波の周波数を調整する。 （もっと読む）

【課題】挿入損失劣化を低減し、肩特性を向上できる優れた弾性表面波素子を提供する。
【解決手段】圧電基板１０上に一対の平行バスバー電極３１ａ，３１ｂと複数の電極指３２ａ，３２ｂとからなるＩＤＴ電極３が形成され、ＩＤＴ電極３の表面が保護膜６で被覆されており、保護膜６は、前記バスバー電極３１ａ，３１ｂ上のバスバー電極領域Ｂ上の厚み及び前記電極指３２ａ，３２ｂにおける電極指非交差領域Ｒ上の厚みが、前記電極指３２ａ，３２ｂにおける電極指交差領域Ｓ上の厚みより厚く形成されている。 （もっと読む）

【課題】アイソレーション特性と挿入損失と耐電力性を改善した弾性表面波デュプレクサならびに、これらの弾性表面波フィルタ、弾性表面波デュプレクサ又は弾性表面波共振子を用いた通信装置を提供する。
【解決手段】圧電基板１９と、圧電基板１９上に形成され、バスバー電極１２ａを有するＩＤＴ電極１と、ＩＤＴ電極１の弾性表面波の主伝搬方向Ｆの両端に隣接して配置された反射器電極２と、繰り返し形成された電極を有し、反射器電極２の外側の位置であって、ＩＤＴ電極１のバスバー電極１２ａを仮想的に延長した直線上に配置された補助反射器電極３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 水晶基板を用いた表面波デバイスであり、小型で、Q値が大きく、周波数エージング特性の優れたＳＨ波型ＳＡＷデバイスを得る。
【解決手段】 圧電基板と、該圧電基板上に形成されＡｌを主成分とする合金からなるＩＤＴ電極とを備え、励振波をＳＨ波とした弾性表面波デバイスであって、前記圧電基板は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°とした水晶平板であり、励振する弾性表面波の波長をλとした時、前記ＩＤＴ電極の波長で基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２としたＳＨ波型弾性表面波デバイスにおいて、前記ＩＤＴ電極を陽極酸化してＳＨ波型弾性表面波デバイスを構成する。 （もっと読む）

【課題】 電極に含まれる各層の接合強度及び環状電極と圧電基板との接合強度を向上し、かつ、電極の腐食を抑制すること。
【解決手段】 弾性表面波装置は、回路基板と、回路基板上にワイヤレスボンディング方式で実装した弾性表面波素子とを有している。弾性表面波素子は、圧電基板１の主面１ａに形成された励振電極と、圧電基板１の主面１ａに形成され、励振電極の外周を取り囲む位置に形成されている環状電極１１とを有している。環状電極１１は、圧電基板１の主面１ａに、Ａｌを主成分とする金属材料で形成されている下地層１２と、下地層１２を覆う位置に形成されている密着電極層１３と、密着電極層１３上に形成されているバリアメタル電極層１４とを含んでいる。また、環状電極１１の周縁の主面１ａ上には、保護膜１０が形成されており、保護膜１０は、密着電極層１３より厚く形成されている。 （もっと読む）

【課題】 陽極酸化中に局部的な電流集中によって金属パターンが溶け、断線するのを防ぐ弾性表面波（ＳＡＷ）素子片の製造方法、陽極酸化方法およびウエハを提供する。
【解決手段】 ＳＡＷ素子片１０の製造方法は、ＳＡＷ素子片１０の電極パターン１４に接続した導通パターン２２の一部を電解液から露出させて電源に接続し、前記電極パターン１４を陽極酸化するものであって、前記導通パターン２２の前記電解液の液面と対応した位置を保護部２４で覆う構成である。 （もっと読む）

【課題】 小型化可能で高いＱ値及び優れた周波数温度特性を発揮し、特に液相系に適した高感度なＳＡＷセンサを提供する。
【解決手段】 ＳＡＷセンサ１は、回転Ｙカット水晶板であり、そのカット面及びＳＡＷの伝搬方向をオイラー角表示で（０°，−６４〜−４９．３°＋９０°，９０±５°）＝（０°，２６〜４０．７°，９０±５°）とした水晶平板からなる圧電基板１を用いる。圧電基板の表面には、ＩＤＴ２，３が、Ａｌ又はＡｌを主成分とする合金からなる電極膜で形成され、該電極膜の膜厚ＨをＳＡＷの波長をλとして、０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２に設定する。ＳＡＷの伝搬面には、目的の物質を認識するための受容体５が設けられる。ＩＤＴの両側には、更に１対の反射器１５，１５を設けることができる。 （もっと読む）

【課題】 低損失化、高減衰量化および小型化の可能な分波器およびラダー型フィルタを提供すること。
【解決手段】 本発明は、アンテナ端子（Ａｎｔ）と、アンテナ端子と接続した第１のフィルタ（１０）および第２のフィルタ（２０）を有し、第１のフィルタ（１０）および第２のフィルタ（２０）の少なくとも一方は、並列共振器と複数の直列共振器を有し、複数の直列共振器のうち一部の直列共振器（Ｓ１）にはインダクタ（Ｌ１）が並列に接続し、最もアンテナ端子側の直列共振器（Ｓ１）はインダクタ（Ｌ１）が並列に接続したラダー型フィルタであることを特徴とする分波器およびラダー型フィルタである。 （もっと読む）

【課題】 ＦＳＫ通信を行う際に、周波数帯の切り替えに伴う出力位相の不連続が生じ無いＳＡＷ共振子を提供する。
【解決手段】 上記目的を達成するためのＳＡＷ共振子１００は、圧電基板１２における弾性表面波の伝播方向に沿って設けた一対の櫛型電極２０ａａ，２０ａｂからなるＩＤＴ１６ａと、前記ＩＤＴ１６ａに対して並列に配置した一対の櫛型電極２０ｂａ，２０ｂｂからなるＩＤＴ１６ｂと、前記ＩＤＴ１６ａの櫛型電極２０ａａ，２０ａｂと前記ＩＤＴ１６ｂの櫛型電極２０ｂａ，ｂｂとを相互に切り替え接続する切替手段６０を有し、前記ＩＤＴ１６ａの電極指２４の交差部の幅ａ１と、前記ＩＤＴ１６ｂの電極指２４の交差部の幅ａ２と、各ＩＤＴ１６ａ，１６ｂの交差部間の距離ｂとの和をＢとしたときに、Ｂを７λ≦Ｂ≦３３λの範囲に設定することを特徴とする（但し、λは弾性表面波の波長）。 （もっと読む）

【課題】弾性表面波（ＳＡＷ）フィルタの耐熱性を向上させて耐電力性を向上させる。
【解決手段】ＳＡＷフィルタは、基板と、この基板に形成されたＳＡＷ共振子９０Ｓ１と、接続パターン９４とを有している。ＳＡＷ共振子９０Ｓ１を構成するＩＤＴ９０ａは、第１の櫛歯状電極とこれに対向する第２の櫛歯状電極とを有し、更に、第１の櫛歯状電極の電極指が延在する方向とは直交する方向に第１の幅を有している。接続パターン９４は、第１の櫛歯状電極上に形成された第１の部分９４ａと、第１の櫛歯状電極及び第１の部分９４ａと接続された第２の部分９４ｂとを具えている。第２の部分９４ｂは、第１の櫛歯状電極の電極指が延在する方向とは直交する方向に第１の幅より狭い第２の幅を有すると共に、ＳＡＷ共振子９０Ｓ１よりも厚く形成されている。 （もっと読む）

【課題】 圧電体薄膜の割れ、剥離を生じることなく高温処理などの加熱、冷却を行うことが可能な、薄膜振動片の製造方法、薄膜振動片、薄膜振動子及び圧電発振器を提供する。
【解決手段】 本発明の薄膜振動片の製造方法は、基板１１上に電極部としてのＰＡＤ電極１２を形成し、さらに基板１１上、及びＰＡＤ電極１２の上面に、非晶質薄膜としての、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）薄膜１３を形成する。次に、ＳｉＯ₂薄膜１３上に、圧電体薄膜としての酸化亜鉛（ＺｎＯ）薄膜１４を形成し、ＺｎＯ薄膜１４上面に、励振電極１６、反射器１７を形成する。次に、ＰＡＤ電極１２に対応する部分のＺｎＯ薄膜１４とＳｉＯ₂薄膜１３とを除去し、ＰＡＤ電極１２を露出するための開口部１５を形成する。 （もっと読む）