【課題】副共振応答を抑圧することができる弾性波フィルタ、デュープレクサ、通信モジュール、通信装置を得る。
【解決手段】複数の弾性波共振器をラダー型に接続した弾性波フィルタに、直列（または並列）にノッチ共振器２を接続することにより、フィルタ特性において生じていた副共振応答を抑圧することができ、通信特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】Ｑ値を向上させ、弾性表面波共振子の小型化を可能とする。
【解決手段】水晶基板上に弾性表面波を励振する電極指を有するＩＤＴが設けられた弾性表面波共振子において、ＩＤＴは、中央部に配置された第１領域と、第１領域の両側に配置された第２領域および第３領域とを備え、第１領域では周波数が一定であり、第２領域および第３領域ではＩＤＴの端部に近づくに従い周波数が順次低くなる部分を含み、第１領域における周波数をＦａ、第２領域における端部の周波数をＦｂ_M、第３領域における端部の周波数をＦｃ_N、としたとき、０．９８１５＜Ｆｂ_M／Ｆａ＜０．９９５３、かつ、０．９８１５＜Ｆｃ_N／Ｆａ＜０．９９５３、である。 （もっと読む）

【課題】圧電基板に水晶基板を用い、ＳＨ波を利用した、端面反射波の影響が少なく、小型化したＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１０は、水晶基板７１と、水晶基板上に形成されＡｌ又はＡｌを主成分とする合金からなるＩＤＴ電極７２とを備え、水晶基板は、そのカット角θを結晶Ｘ軸を回転軸とした結晶Ｚ軸の回転角度とし、結晶＋Ｚ軸から結晶＋Ｙ軸側へ回転させる方向を前記カット角が負となる回転方向とした時に、カット角を結晶Ｚ軸より−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°とした水晶平板であり、励振する弾性表面波の波長をλとした時、ＩＤＴ電極の波長で基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２とした励振波をＳＨ波としたＳＡＷデバイスであって、弾性表面波の伝搬方向と水晶基板の長辺方向の間のなす傾斜角θ_Eを０°＜θ_E＜３°とする。 （もっと読む）

【課題】ＳＡＷ共振片を提供する。
【解決手段】圧電基板１２と、前記圧電基板１２上に形成され、電極指２０、２４を交差させた一対のＩＤＴ電極からなる入出力電極１６と、前記圧電基板１２上に形成され、前記一対の入出力電極１６を挟んで両側に位置する反射器２６と、を備え、弾性表面波を発振する第１ＳＡＷ素子１４及び第２ＳＡＷ素子３０を有するＳＡＷ共振片１０であって前記第２ＳＡＷ素子３０の電極指３６および反射器３５の電極指３７の間隔は、前記第１ＳＡＷ素子１４のそれより狭くするとともに、各ＳＡＷ素子の入出力電極１６、３１の入力側または出力側のうち一方が互いに接続されてなる。 （もっと読む）

【課題】添加物を含む圧電基板を用いたＳＡＷ装置についてより適切な基板カット角を示し、電気特性を向上させる。
【解決手段】単結晶圧電基板と、この圧電基板の表面に設けたアルミニウムを主成分とする材料により形成された交差指状電極とを備えた弾性表面波装置であって、交差指状電極の厚さｈを当該交差指状電極の電極間隔λで規格化した規格化膜厚ｈ／λが７〜１１％であり、単結晶圧電基板は、タンタル酸リチウム基板であり、添加物として鉄を含み、かつ、Ｘ軸を中心にＹ軸からＺ軸方向に４６°±０．３°の範囲の角度で回転させた方位を有する。 （もっと読む）

【課題】電極指の線幅が変動した場合における周波数変動量の差を少なくし、量産化に適した弾性表面波デバイスを提供する。
【解決手段】少なくともＲａｙｌｅｉｇｈ型弾性表面波を励振させるための電極パターン１４としてのＩＤＴ１６を備え、前記弾性表面波のストップバンドの上限モードを励振させる弾性表面波デバイス１０であって、ＩＤＴ１６を形成するための圧電基板１２として、（φ，θ，ψ）で示すオイラー角表示で（０°，９５°≦θ≦１５５°，３３°≦｜ψ｜≦４６°）のカット角で切り出された水晶基板を採用し、ＩＤＴ１６を構成する櫛歯状電極１８（１８ａ，１８ｂ）の電極指間に電極指間溝（溝２８）を形成することで、溝２８で挟まれた水晶部分を電極指台座３０とし、電極指台座３０の上面に電極指２２が位置する構成としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高周波化が可能であり、しかも耐候性及び電気特性に優れる弾性表面波素子を提供する。
【解決手段】本発明の弾性表面波素子は、ダイヤモンド層と、ダイヤモンド層上に設けられた窒化アルミニウム層と、窒化アルミニウム層上に設けられた酸化シリコン層と、前記窒化アルミニウム層と前記酸化シリコン層との間に設けられ窒化アルミニウム層に電圧を印加する一対の電極と、を有している。窒化アルミニウム層の厚みＨ_１、酸化シリコン層の厚みＨ_２、及び弾性表面波の波長λを用いて定義される（ｘ、ｙ）が、以下の式、ｙ≦０．７５０×ｘ＋０．３２５、ｙ≦−０．３００×ｘ＋１．６９０、ｙ≧−０．５００×ｘ＋０．９５０、ｙ≧０．７００×ｘ−０．６１０（ただし、ｘ＝２πＨ_１／λ、ｙ＝２πＨ_２／λ）をともに満たす範囲Ａ１内である。 （もっと読む）

【課題】バスバーの内側端縁が傾斜しているような交叉幅が重み付が施されていても、励振部に弾性波を良好に閉じ込めることができ、良好な共振特性を有する弾性波共振子を提供する。
【解決手段】第１のバスバー２１，２２が、それぞれ、複数本の第１の電極指２３または第２の電極指２４の端部からバスバー側に延ばされた複数本の第１の電極指延長部２３ａ及び第２の電極指延長部２４ａと、電極指延長部２３ａまたは２４ａを被覆し、電極指延長部２３ａ，２４ａの外側端よりも外側に延ばされている第１の金属膜２８，２９とを有し、金属膜２８，２９の内側端縁２８ａ，２９ａが第１，第２のバスバー２１，２２の内側端縁をそれぞれ構成しており、電極指延長部２３ａ，２４ａの平均密度をρ１、膜厚をＨ１、金属膜２８，２９の平均密度をρ２、膜厚をＨ２としたときに、ρ１×Ｈ１がρ２×Ｈ２よりも大きい、弾性波共振子。 （もっと読む）

【課題】高精度なプローブ測定が可能な弾性波装置を提供する。
【解決手段】ＩＤＴ１１は、互いに間挿し合う第１及び第２のくし歯電極２１，２２を有する。第１の配線１３は、第１のくし歯電極２１に電気的に接続されている。第２の配線１４は、第２のくし歯電極２２に電気的に接続されている。第１のプローブパッド１６は、第１の配線１３に電気的に接続されている。第２のプローブパッド１７は、第２の配線１４に電気的に接続されている。第１のプローブパッド１６と第２のプローブパッド１７との両方がＩＤＴ１１に対して第１の方向の一方側に配置されている。第１の配線１３が第１のプローブパッド１６から第１の方向に垂直な第２の方向の一方側に引き出されている一方、第２の配線１４が第２のプローブパッド１７から第２の方向の他方側に引き出されている。 （もっと読む）

【課題】圧電単結晶の伝搬基板を用いた弾性表面波素子の周波数の温度係数を低減することである。
【解決手段】弾性表面波素子は、支持基板１、圧電単結晶基板３Ａ、支持基板１と圧電単結晶からなる伝搬基板３とを接着する厚さ０．１μｍ〜１．０μｍの有機接着剤層２、および伝搬基板３Ａ上に設けられた弾性表面波フィルタを備える。 （もっと読む）

【課題】ラム波の伝搬方向に垂直方向の振動漏れを抑圧するラム波型共振子を提供する。
【解決手段】ラム波型共振子１は、複数の電極指片それぞれを接続するバスバー電極の幅をＷｂ、前記電極指片と前記バスバー電極との間の距離をＷｇと表したとき、Ｗｇをｘ軸、幅Ｗｂをｙ軸とする直交座標において、ＷｇとＷｂとが共に、円の方程式（ｘ−１０）²＋（ｙ＋１２．７）²＝１９²で表される円弧とＷｇ≧１λ、Ｗｂ≧１λで囲まれる範囲と、座標（Ｗｇ，Ｗｂ）で表した場合に、Ｊ２１、Ｊ２２、Ｊ２３、Ｊ２４、Ｊ２５、Ｊ２６、Ｊ２７、Ｊ２８、Ｊ２９、Ｊ３０、Ｊ３１、Ｊ３２、Ｊ３３、Ｊ３４、Ｊ３５、Ｊ３６、Ｊ３７、Ｊ３８、Ｊ２１で表される各座標を記載順序に直線で結び、前記直線で囲まれる範囲と、のいずれかにある。このことにより、水晶基板１０の横方向外端部で発生する変位を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】所望でないスプリアスを効果的に抑圧することができ、良好な共振特性やフィルタ特性を得ることを可能とするＳＨタイプの弾性境界波を利用した弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】第１の媒質層２と、第１の媒質層２に積層された第２の媒質層６との境界に、インターデジタル電極３、反射器４，５を含む電極が形成されており、第１の媒質層２及び／または第２の媒質層６の境界面とは反対側の面において変位を有し、弾性境界波装置の反共振周波数よりも高域側もしくは通過帯域よりも高域側に現れる、スプリアスとなるモードを減衰させる吸音層７が設けられている、弾性境界波装置１。 （もっと読む）

【課題】圧電性単結晶の基材を使用しても、従来に比べ球状弾性表面波素子を利用した装置の動作精度をさらに向上出来る球状弾性表面波素子を提供することである。
【解決手段】球状弾性表面波素子１１は：圧電性単結晶基材１３の球面の一部で形成され最大径の外周線を含み円環状に延出している表面領域１２に電気音響変換素子１５により弾性表面波１４が励起され上記表面領域の延出方向に沿い周回させる。弾性表面波は、上記表面領域の延出方向に伝搬する間に所定の経路に沿い蛇行し、そして、電気音響変換素子のすだれ状電極の複数の電極枝１５−１，１５−２は、上記表面領域の上記所定の経路上ですだれ状電極が対応する位置における弾性表面波の音速の所望の中心周波数に一致する周期に配列されている。 （もっと読む）

【課題】圧電性単結晶の基材を使用しても基材の円環状表面領域を周回する弾性表面波を指数関数的に減衰出来て周回速度も一定に保て、従来に比べ球状弾性表面波素子を利用した装置の動作精度をさらに向上出来る球状弾性表面波素子を提供することである。
【解決手段】球状弾性表面波素子１１は、圧電性単結晶基材１３の球面の一部で形成され最大径の外周線を含み円環状に延出している表面領域に弾性表面波を励起し上記表面領域の延出方向に周回させる電気音響変換素子１５の中心が、上記基材の上記表面領域において上記基材のＺ軸と直交する平面と上記球面との交線と異なる位置に配置されるか、又は上記交線上にあって弾性表面波の音速が最も高い位置に配置されることで、上記表面領域を多重周回する弾性表面波の強度の減衰が指数関数的な減衰と一致することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来の弾性表面波デバイス等の電子部品では、温度特性と電気的特性の両方を同時に向上させることが難しいという問題があった。
【解決手段】基板１と、この基板１の上面に設けた櫛型電極２と、この櫛型電極２を覆うとともに、天面に凹凸形状を有する保護膜４とを備え、櫛型電極２を構成する電極指２ａの延伸方向に垂直な面から見た断面形状において、保護膜４の表面形状は、電極指２ａの上方で頂部６を有し、隣り合う頂部６の間で、下に凸な曲線になるようにした。 （もっと読む）

【課題】挿入損失の増大や初期特性の劣化をさせることなく、周波数を精緻に調整することが可能な圧電デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】パッケージ２０へのＳＡＷ共振子１０実装工程（ステップＳ１）の後で、ＳＡＷ共振子１０を駆動させて初期周波数を計測する初期周波数計測工程（ステップＳ２）と、初期周波数が所望の周波数規格値の許容範囲から外れている場合（ステップＳ３でＮＯ）に、ＳＡＷ共振子１０の実装工程（ステップＳ１）で接続されたＳＡＷ共振子１０の外部接続電極とパッケージ２０の接続端子との接続と並列に調整用ワイヤを接続することによってＳＡＷ共振子２０の周波数を初期周波数から変動させる調整用ワイヤ接続工程（ステップＳ４）と、調整用ワイヤ接続工程（ステップＳ４）の後で、ＳＡＷ共振子２０の周波数を計測する調整後周波数計測工程（ステップＳ５）と、を含むことを特徴とするＳＡＷデバイス１の製造方法。 （もっと読む）

【課題】弾性表面波の伝播領域に外部からの応力の影響を与えることなくパッケージ容器に強固に接合することが可能な弾性表面波素子片、およびそれを用いた弾性表面波デバイスを提供する。
【解決手段】ＳＡＷ素子チップ１０は、略矩形板状の圧電基板１１上に、ＩＤＴ電極１２と、反射器１３と、ＩＤＴ電極１２に接続された一対のボンディングパッド１９ａ，１９ｂが備えられ、ＩＤＴ電極１２および反射器１３が形成された領域の直下に空隙が形成されるように、一方の主面１４と平行に切り込むことにより形成された凹陥部１７を有している。この凹陥部１７により、ＳＡＷ素子チップ１０は、圧電基板１１の他方の主面１５側の保持基板部１１Ｂと、圧電基板１１の一方の主面１４側に略水平に突設された自由端部を有するＳＡＷ素子基板部１１Ａと、保持基板部１１ＢおよびＳＡＷ素子基板部１１Ａを連結する基端部１１Ｃと、を有している。 （もっと読む）

【課題】国内ディジタル携帯電話システムの１つであるＰＤＣシステムにおいては縦モード型弾性表面波フィルタが受信フィルタとして使用されるが、耐電力性を確保しつつロスの増加を抑制する弾性波フィルタ等を提供することが要求される。
【解決手段】圧電基板１０８上に形成された少なくとも一つの弾性波共振器２５と、縦モード型弾性波フィルタ１０１とを備え、弾性波共振器２５と縦モード型弾性波フィルタ１０１とは縦続接続され、弾性波共振器２５の電極材料と縦モード型弾性波フィルタ１０１の電極材料とを異なるものとした弾性波フィルタ。 （もっと読む）

【課題】小型化でき、コストダウンできる圧電部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】圧電基板２ｆ上に形成されたＩＤＴ２ａからなる振動部及びＩＤＴ２ａに接続されている素子配線を有する圧電素子２を設ける。圧電素子２と接合基板１とをＩＤＴ２ａと対向するように、バンプ３及び絶縁性の樹脂枠４により互いに接着する。接合基板１は、ＩＤＴ２ａと対向する一方主面に接合基板配線１ｂ、他方主面に外部端子５、接合基板端部にスルーホール１ａをそれぞれ備える。バンプ３と接合基板１の接合基板配線１ｂとを電気的に接続する。接合基板配線１ｂと外部端子５とを、スルーホール１ａを介して電気的に互いに接続する。 （もっと読む）

【課題】弾性表面波素子片をフェースダウン接合により接合し、駆動可能な状態で周波数調整することが可能な弾性表面波デバイスを提供する。
【解決手段】パッケージ３０の凹部の凹底部分に接続された支持部４０上には、支持部の接続端子４５ｂおよびそれと対をなす接続端子に、中継基板２０の一端側に設けられた第２の電極端子２５ａ，２５ｂが接合部材４８を介して接合され、中継基板２０が、第１の電極端子２２ａ，２２ｂが設けられた他端側を突出させた状態で支持部４０上に片持ち支持されている。中継基板２０の他端側に設けられた第１の電極端子２２ａ，２２ｂには、ＳＡＷ共振子１０の外部接続電極１９ａ，１９ｂが接合部材４７を介してフェースダウン接合により接合され、ＳＡＷ共振子１０は、ＩＤＴ電極１２などが形成された主面１４を、パッケージ３０の凹底面と対向しない方向で上側に向け、パッケージ３０に接触しない態様で片持ち支持されている。 （もっと読む）