【課題】優れたデバイス特性を有する弾性波デバイスを、優れた生産性で容易に製造することが可能な弾性波デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、第１支持基板１２の上面に圧電基板１０を接合する工程と、圧電基板１０を接合する工程の後に圧電基板１０を薄層化させて圧電層１４を形成する工程と、圧電層１４の上面に第１電極１６を形成する工程と、第１支持基板１２に第１電極１６の下方に位置する孔部２２を形成する工程と、孔部２２を形成する工程の後に第１支持基板１２の下面に第２支持基板２４を接合する工程と、を有する弾性波デバイスの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】通過特性においてリップルの小さい弾性表面波共振子及びこれを用いた弾性表面波フィルタを提供することを目的とする。
【解決手段】この目的を達成するために、本発明は、圧電基板１１と、この圧電基板の表面に設けた複数個の電極指で構成されるＩＤＴ１３と、前記ＩＤＴの両端部に近接して設けた反射器１４とを備え、前記ＩＤＴはその中央部において電極指ピッチが一定の等ピッチ領域と前記ＩＤＴの両端部において電極指ピッチを徐々に小さくしたグラデーション領域１２５０を有する構成からなる。 （もっと読む）

【課題】平衡度の悪化を抑えつつ、フィルタの帯域内でのリップルの発生が抑えられる弾性波装置を提供する。
【解決手段】弾性波装置１００は、第１〜第４の縦結合共振子型弾性波フィルタ１１０、１２０、１３０、１４０を備えている。第２のＩＤＴ１３２、１４２の電極指の合計本数はそれぞれ奇数である。そして、くし型電極１３２ａ及び１４２ａは第２の平衡端子１０３に接続されており、くし型電極１３２ｂ及び１４２ｂは第１の平衡端子１０２に接続されている。そして、第１の平衡端子１０２に接続されているくし型電極の電極指の合計本数と、第２の平衡端子１０３に接続されているくし型電極の電極指の合計本数は同じであることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】動作温度範囲内（−４０℃から＋８５℃）における周波数変動量を１０ｐｐｍ以内とすることのできる圧電デバイスを提供する。
【解決手段】３次関数温度特性を備え前記３次関数温度特性における３次温度係数が−γ_１でありγ_１＞０である第１の共振子１４と、第１の共振子１４に接続され、３次関数温度特性を備え前記３次関数温度特性における３次温度係数がγ_２でありγ_２＞０である第２の共振子１６とを備え、第１の共振子１４と第２の共振子１６との間における変曲点の差が１９℃以下であり、０＜｜γ_１｜≦｜２．４γ_２｜の関係を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】共振特性やフィルタ特性の劣化を招くことなく、サージ耐性を高めることができる弾性波素子を提供する。
【解決手段】圧電基板２上にＩＤＴ電極３が形成されており、ＩＤＴ電極３が、ホット側電位に接続される複数本の第１の電極指８と、複数本の第１の電極指８の先端とギャップＧ１を隔てて対向された複数本の第１のダミー電極指１０と、第２の電極指９と、第２の電極指９の先端とギャップＧ２を隔てて対向された第２のダミー電極指１１とを有し、ギャップのうち最も狭いギャップにおいて、グラウンド電位に接続される電極指９，１１の先端に電極指側縁から弾性波伝搬方向に突出する凸部１３が形成されており、ホット側電位に接続される電極指８，１０に該凸部が形成されていない、弾性波素子１。 （もっと読む）

【課題】基板の変形を抑制すること。
【解決手段】タンタル酸リチウムからなる支持基板１０と、前記支持基板の上面に配置され、下面が前記支持基板１０の上面と接合されたタンタル酸リチウムからなる素子基板１２と、前記素子基板の上面に形成された櫛型電極とを具備し、前記素子基板の弾性波における伝搬方向はＸ軸であり、前記支持基板の上面の法線方向はＸ軸であり、前記弾性波の伝搬方向は前記支持基板のＺ軸と平行ではない弾性波デバイス。 （もっと読む）

【課題】大型化を招くことなく、導電補助層を積層した電極部分を設けて、電気的抵抗を低めることができ、しかも電極を覆う誘電体層表面の段差や誘電体層の膜厚のばらつきを小さくすることができる、弾性波素子を提供する。
【解決手段】圧電基板１上にＩＤＴ電極３及び誘電体層１０が形成されており、ＩＤＴ電極３が、電極指６，７と、電極指６，７にそれぞれ連ねられているバスバー４，５とを有し、バスバー４，５の少なくとも一部に積層されるように導電補助層２が設けられており、該導電補助層２が、圧電基板１の上面１ａに形成された溝１ｃ，１ｄ内に埋め込まれている、弾性波素子１１。 （もっと読む）

【課題】圧電基板と支持基板とを接着層を介して貼り合わせた複合基板につき、内部に気泡が生じるのを防止する。
【解決手段】（ａ）裏面１１ａに微小な凹凸が形成された圧電基板２１と、圧電基板２１に比べて熱膨張係数が小さい支持基板１２とを用意し、（ｂ）微小な凹凸を埋めるように裏面１１ａに充填剤を塗布して充填層２３を形成し、（ｃ）算術平均粗さＲａが（ａ）における裏面１１ａの算術平均粗さＲａよりも小さくなるように充填層２３の表面を鏡面研磨し、（ｄ）充填層１３の表面１３ａと支持基板１２の表面とを接着層１４を介して貼り合わせて複合基板２０を形成する。 （もっと読む）

【課題】 振動が印加された場合のインピーダンス変化が大きい振動センサと、この振動センサを用いた通信距離の拡大が可能な振動検知システムを提供すること。
【解決手段】 水晶基板４と、水晶基板４上に形成された一対の入出力端子５と、一対の入出力端子５に接続された表面弾性波を励振するための一対の櫛歯電極１とを有し、入出力端子５に電気信号を入力し、水晶基板４に生じた振動により生ずる入出力端子５のインピーダンスの変化を検出して水晶基板４の振動を検出する。櫛歯電極１の開口長２を９０μｍ〜２７０μｍとし、櫛歯電極１により励振する表面弾性波の波長λに対する櫛歯電極１の開口長の比ｒが、７０≦ｒ≦２１０、電極指の本数ｎは、１６０≦ｎ≦４８０となるように設定され、ｎ×ｒ≧１８０００となっている。 （もっと読む）

【課題】たとえば、球状基材を加熱しながらその熱を周囲に放出する程度を計測することによってガスの状態の計測を行なう用途において、熱の放出量を増やしたり、球形基材の大きな熱容量による応答速度の低下、あるいは、加熱部分と温度計測を行なう弾性表面波の周回領域の位置的なずれによる計測精度の低下をもたらさない加熱配線付の球状弾性表面波素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】球形基材１１を、弾性表面波の周回経路１２によって分けられる２つの領域を周回経路以外の領域について削除したリング形状とすることで、球形基材１１の熱容量を相対的に小さくするとともに、上記削除によって生じた凹面１１ａ，１１ｂに、加熱用の配線パターン１５ａ，１５ｂを形成することで、加熱領域と弾性表面波の伝搬領域（周回経路１２）と３次元的に接近した加熱配線付の球状弾性表面波素子１０を構成する。 （もっと読む）

【課題】たとえば、球状基材を加熱しながらその熱を周囲に放出する程度を計測することによってガスの状態の計測を行なう用途において、球形基材の大きな熱容量による応答速度の低下、あるいは、加熱部分と温度計測を行なう弾性表面波の周回領域の位置的なずれによる計測精度の低下をもたらさない加熱配線付の球状弾性表面波素子を提供する。
【解決手段】球形基材１１を、弾性表面波の周回経路１２によって分けられる２つの領域を周回経路以外の領域について切削した樽型形状とすることで、球形基材１１の熱容量を相対的に小さくするとともに、上記切削によって生じた平面１１ａ，１１ｂに、加熱用の配線パターン１５ａ，１５ｂを形成することで、加熱領域と弾性表面波の伝搬領域（周回経路１２）と３次元的に接近した加熱配線付の球状弾性表面波素子１０を構成する。 （もっと読む）

【課題】結晶球状体の表面に形成するすだれ状電極及び素子電極の処理工数を少なくし、球状弾性表面波素子を効率良く製造することにある。
【解決手段】結晶球状体１１の表面上の素子電極２１ａ，２１ｂ及びすだれ状電極２２を形成しようとする北極部分１３ａ、南極部分１３ｂ及び両極部分を接続する接続部分１３ｃに、無電解析出反応に利用して金属膜１５を一括して成膜する成膜工程と、北極部分１３ａ、南極部分１３ｂに成膜された金属膜１５ａ，１５ｂをそのまま素子電極２１ａ，２１ｂとして利用し、接続部分１３ｃに成膜された金属膜１５ｃ上に対をなすすだれ状電極２２ａ，２２ｂを形成する電極形成工程とを含む球状弾性表面波素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】弾性波素子１０の電気特性の向上と歩留まり劣化を抑制すること。
【解決手段】本発明の弾性波素子１０は、圧電基板１５と、圧電基板１５の上に設けられた２つの反射器電極と、２つの反射器電極１２、１３の間に設けられたインターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極１１と、ＩＤＴ電極１１と反射器電極１２または１３との間のギャップからＩＤＴ電極１１の電極指の伸延方向の延長線上に反射器電極１２または１３またはＩＤＴ電極１１から所定距離をあけて設けられたダミー電極１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ、１６Ｄを備える。この構成によって、ドライエッチングを行う際、エッチングガスをダミー電極１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ、１６Ｄと反射器電極１２または反射器電極１３またはＩＤＴ電極１１との間の隙間からギャップに充分にエッチングガスを供給でき、エッチングを安定的に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】高い周波数精度で弾性境界波装置を製造し得る弾性境界波装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＤＴ電極１４が形成されている第１の媒質１１の上に、第２の媒質１２を形成し、さらに、第２の媒質１２の上に、第３の媒質１３と同じ材料からなる犠牲層１５を形成する。犠牲層１５が形成された状態でＩＤＴ電極１４によって励振される弾性境界波の周波数特性を測定する。測定された周波数特性と、予め定められている周波数特性の設計値とを比較する。比較工程において、測定された周波数特性と、予め定められている周波数特性の設計値とに差がある場合は、犠牲層１５を除去した後に、当該差に応じて、第２の媒質１２の厚みを調整する。一方、測定された周波数特性と、予め定められている周波数特性の設計値とが一致している場合は、第２の媒質１２の厚み調整を行わない。 （もっと読む）

【課題】動作温度範囲におけるＳＡＷデバイスの優れた周波数温度特性を維持しつつ、リフロー実装時の高温や使用時又は環境の温度変化による周波数シフトを抑制して、信頼性を向上させる。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１は、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，ψ）の水晶基板２の主面に、ストップバンド上端モードのＳＡＷを励振するＩＤＴ３と、ＩＤＴの電極指６ａ，６ｂ間に凹設した電極指間溝８とを有する。オイラー角ψが４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°のとき、ＩＤＴの電極指膜厚Ｈは、０．０５５μｍ≦Ｈ≦０．３３５μｍ、好ましくは０．０８０μｍ≦Ｈ≦０．３３５μｍの範囲内に設定する。オイラー角ψが｜ψ｜≠９０°×ｎ、（ｎ＝０，１，２，３）のとき、電極指膜厚Ｈは０．０５μｍ≦Ｈ≦０．２０μｍに設定する。 （もっと読む）

【課題】動作温度範囲で優れた周波数温度特性を維持しつつ、電気機械結合係数を改善して安定した発振性を発揮するＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１は、オイラー角（φ＝０°，θ＝１２３°，ψ）の水晶基板２の主面に、ストップバンド上端モードのＳＡＷを励振するＩＤＴ３と、ＩＤＴの電極指６ａ，６ｂ間に凹設した電極指間溝８とを有し、電極指間溝の深さＧ及び電極指の膜厚ＨとＳＡＷの波長λが、１≦Ｇ／λ≦４、及び１≦Ｈ／λ≦４の関係を満足する。更に、ＩＤＴのライン占有率η及びオイラー角ψを、動作温度範囲内で電気機械結合係数が０．０５２％以上かつ周波数温度特性が２０ｐｐｍ以下となるように決定する。 （もっと読む）

【課題】動作温度範囲で優れた周波数温度特性と高いＱ値とを同時に実現するＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１１は、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）の水晶基板１２の主面に、ストップバンド上端モードのＳＡＷを励振するＩＤＴ１３、その両側に配置した一対の反射器１４、ＩＤＴの電極指１５ａ，１５ｂ間に凹設した電極指間溝１７、及び反射器の導体ストリップ１４ａ間に凹設した導体ストリップ間溝１８を有する。電極指及び導体ストリップに直交する第１の方向（Ｘ´軸）と水晶基板の電機軸（Ｘ軸）とが角度ψをもって交差し、ＩＤＴ及び反射器の少なくとも一部が、１．０°≦α≦２．７５°の角度αをもって第１の方向と交差する第２の方向に配置される。 （もっと読む）

【課題】良好な周波数温度特性を実現することのできるディスクリート型の弾性表面波フィルタを提供する。
【解決手段】上記課題を解決するための弾性表面波フィルタは、オイラー角（−１°≦φ≦１°，１１７°≦θ≦１４２°，４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）の水晶基板３０を用い、ストップバンド上端モードのＳＡＷを励振するＩＤＴ１２と、ＩＤＴ１２を構成する電極指１８間に位置する基板を窪ませた溝３２を有するＳＡＷ共振子１０であって、ＳＡＷの波長をλ、溝３２の深さをＧとした場合に、
【数３５】


を満たし、かつ、ＩＤＴ１２のライン占有率をηとした場合に、溝３２の深さＧと前記ライン占有率ηとが
【数３６】


の関係を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好な周波数温度特性を実現することのできるトランスバーサル型弾性表面波デバイス、弾性表面波発振器および電子機器を提供する。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１０Ａは、オイラー角（−１°≦φ≦１°，１１７°≦θ≦１４２°，４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）の水晶基板３０を用い、ストップバンド上端モードのＳＡＷを励振する入力ＩＤＴ１２Ａ、出力ＩＤＴ１２Ｂと、前記ＩＤＴを構成する電極指１８間に位置する基板を窪ませた溝３２を有し、ＳＡＷの波長をλ、溝３２の深さをＧとした場合に、


を満たし、かつ、前記ＩＤＴのライン占有率をηとした場合に、溝３２の深さＧと前記ライン占有率ηとが


の関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】良好な周波数温度特性を実現することのできる弾性表面波共振子を提供する。
【解決手段】オイラー角（φ，θ，ψ）で、φを−６０°〜＋６０°の範囲で変化させた際の二次温度係数が良好となる範囲のθ，ψとした水晶基板３０の主面に設けられ、ストップバンドの上端モードの弾性表面波を励振する複数の電極指１８の基端部をバスバー１６で接続した櫛歯状電極１４ａ，１４ｂからなるＩＤＴ１２及び前記ＩＤＴを構成する電極指間に位置する基板を窪ませた電極指間溝３２を有する。また、前記電極指間溝の深さをＧ、波長をλとした場合に、０．０２λ≦Ｇ≦０．０４λとしたことを、前記ＩＤＴの電極指の幅と電極指間の幅の割合であるライン占有率ηを０．４９≦η≦０．７０とする。 （もっと読む）