【課題】 横モードスプリアスを抑制しつつ共振周波数の低域側に生じるスプリアスを低減できるようにする。
【解決手段】 弾性表面波素子片２０は、圧電基板２２の表面にすだれ状電極からなる入力用ＩＤＴ２４と出力用ＩＤＴ２６と、これらのＩＤＴ２４、２６を挟んで配置した格子状の反射器４４、４４とを備えている。入力用ＩＤＴ２４、出力用ＩＤＴ２６は、電極指３６、３８、４０、４４が一対の直線部と、各直線部間に斜めに折り曲げて形成されて前記各直線部を相互に接続する接続部とからなる。弾性表面波素子片２０は、ＩＤＴ２４、２６を構成している電極指の形成ピッチをＰｔ、反射器４４を構成している各導体ストリップ４６の形成ピッチをＰｒとしたときに、０．９９７≦Ｐｔ／Ｐｒ≦０．９９９となっている。 （もっと読む）

【課題】生産性が高く、周波数温度特性改善効果が高い弾性表面波素子及び複合圧電チップ並びにその製造方法を提供する。
【解決手段】圧電基板上に弾性表面波を励振・検出する電極が形成された弾性表面波素子であって、少なくとも、圧電基板と支持基板とを貼り合わせた複合圧電基板をチップ形状に加工した複合圧電チップと、該複合圧電チップをバンプを介してフリップチップボンディングによって実装する実装基板とを具備し、前記圧電基板表面の特定方向の膨張係数αｃ（ｐｐｍ／℃）と、前記実装基板の膨張係数αｓ（ｐｐｍ／℃）とが、αｓ＜αｃ＜αｓ＋６なる関係を満たすように実装されたものであることを特徴とする弾性表面波素子。 （もっと読む）

【課題】挿入損失を減少できると同時に帯域外において高い減衰量を得ることが可能な弾性表面波高周波フィルタを提供する。
【解決手段】本発明の弾性表面波高周波フィルタは、信号線に入出力端子が直列に接続された弾性表面波共振器５２〜５４と、上記の信号線に入出力端子の一方が接続され他方が接地された弾性表面波共振器３８〜４０とから成り、弾性表面波共振器５２は、直列接続された簾状電極弾性表面波変換器８，９を具備し、弾性表面波共振器５３は、直列接続された簾状電極弾性表面波変換器１０，１１を具備し、弾性表面波共振器５４は、直列接続された簾状電極弾性表面波変換器１２，１３を具備する。そして、信号線に対し直列に接続された弾性表面波共振器５２〜５４のインピーダンスは、信号線に並列に接続された弾性表面波共振器３８〜４０のインピーダンスに比較して、４倍のインピーダンスを持つ。 （もっと読む）

【課題】挿入損失を減少できると同時に帯域外において高い減衰量を得ることが可能な弾性表面波高周波フィルタを提供する。
【解決手段】本発明の弾性表面波高周波フィルタは、信号線に入出力端子が直列に接続された弾性表面波共振器５２〜５４と、上記の信号線に入出力端子の一方が接続され他方が接地された弾性表面波共振器３８〜４０とから成り、弾性表面波共振器５２は、直列接続された簾状電極弾性表面波変換器８，９を具備し、弾性表面波共振器５３は、直列接続された簾状電極弾性表面波変換器１０，１１を具備し、弾性表面波共振器５４は、直列接続された簾状電極弾性表面波変換器１２，１３を具備する。そして、信号線に対し直列に接続された弾性表面波共振器５２〜５４のインピーダンスは、信号線に並列に接続された弾性表面波共振器３８〜４０のインピーダンスに比較して、４倍のインピーダンスを持つ。 （もっと読む）

【課題】 ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛膜とニオブ酸カリウム膜とが積層された圧電体膜積層体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る圧電体膜積層体１００は、サファイア基板１１と、サファイア基板１１の上に形成されたニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛膜１２と、ニオブ酸カリウム膜１３と、を含む。 （もっと読む）

電気応答デバイス及び電気応答デバイスを製造する方法であって、電気応答材料（例えば、圧電材料）（１３２）を基板材料（１０４）の表面の少なくとも一部の上に適用するステップと、前記電気応答材料の表面の少なくとも一部の上に電極材料（１４０）を適用するステップとを含む。電極材料（１４０）の少なくとも１つの領域が選択的に除去されて、前記電気応答材料が露出される（２４４）。前記電気応答材料の少なくとも一部が、前記電極材料の前記少なくとも１つの領域に対応する領域において選択的に除去される。
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【目的】本発明は、溝（グレーティンググルーブ）を設けた圧電性基板上にすだれ状電極を作製することにより、温度の変化に対する中心周波数の変化の小さい擬似弾性表面波基板、或いは電気機械結合係数の大きな基板を得ることを目的としている。
【構成】圧電性基板１の表面に弾性表面波の伝搬方向に直角な溝（グルーブ）２を作製した構造の圧電性基板上に溝に埋め込まれたすだれ状電極を用いた構造であって、圧電性基板として、回転Ｙ−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ_３、ＬｉＮｂＯ_３、或いは水晶、ランガサイトなどの零ＴＣＦ基板を用いて従来の特性より大きなｋ^２の基板、或いは従来より優れたＴＣＦの基板を得るのが本特許の構成である。 （もっと読む）

【課題】 ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛膜、これを有するニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛積層体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係るニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛積層体１００は、サファイア基板１１と、サファイア基板１１の上に形成されたニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛膜１２と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 デュアルトラック型トランスバーサル弾性表面波フィルタの帯域幅を広げる手段を得る。
【解決手段】 圧電基板上に３つのＩＤＴ電極を配置して第１のトランスバーサル型弾性表面波フィルタを形成し、該第１のトランスバーサル型弾性表面波フィルタに平行して３つのＩＤＴ電極を配置して第２のトランスバーサル型弾性表面波フィルタを形成し、第１及び第２のトランスバーサル型弾性表面波フィルタを並列接続して構成するデュアルトラック型トランスバーサル弾性表面波フィルタであって、前記第１のトランスバーサル型弾性表面波フィルタの電極ピッチｐ１と第２のトランスバーサル型弾性表面波フィルタの電極ピッチｐ２とを互いに異ならせた弾性表面波フィルタ。 （もっと読む）

【課題】 デュアルトラック型トランスバーサル弾性表面波フィルタの帯域幅を広げる手段を得る。
【解決手段】 圧電基板上に３つのＩＤＴ電極を配置して第１のトランスバーサル型弾性表面波フィルタを形成し、該第１のトランスバーサル型弾性表面波フィルタに平行して３つのＩＤＴ電極を配置して第２のトランスバーサル型弾性表面波フィルタを形成し、第１及び第２のトランスバーサル型弾性表面波フィルタを並列接続して構成するデュアルトラック型トランスバーサル弾性表面波フィルタであって、前記第１のトランスバーサル型弾性表面波フィルタの電極間間隙ｄ１と第２のトランスバーサル型弾性表面波フィルタの電極間間隙ｄ３とを互いに異ならせたことを特徴とする弾性表面波フィルタ。 （もっと読む）

【課題】 キャビティを必要とする振動子などを搭載した高周波部品モジュールの低背化を図る。
【解決手段】 キャビティを必要とする振動子などを多層セラミック基板の厚みの一部を利用して、その中に振動子を収容する。また、キャビティ底面に櫛型電極を形成し、キャビティ自身が有する圧電効果を利用してＳＡＷフィルタとして動作させる。これにより高周波部品モジュールの低背化が達成出来る。 （もっと読む）

【課題】ＩＤＴ電極を覆うように絶縁物層が形成されている構造を備えた弾性表面波装置であって、ＩＤＴの反射係数が十分に大きく、所望でないリップルによる特性の劣化を抑制し得る弾性表面波装置の製造方法を提供する。
【解決手段】圧電性基板としてのＬｉＴａＯ₃基板上に、第１絶縁物層２を全面に形成し、ＩＤＴ電極を形成するためのレジストパターン３を用いて、ＩＤＴ電極が形成される部分の絶縁物層を除去し、第１絶縁物層が除去されている領域にＡｌよりも大きい密度の金属または該金属を主成分とする合金からなる電極膜を形成してＩＤＴ電極４Ａを形成し、第１絶縁物層上に残留しているレジストを除去し、第１絶縁物層２及びＩＤＴ電極４Ａを被覆するように第２絶縁物層６を形成する、弾性表面波装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 正負反射型反射器を用いた弾性表面波デバイスの耐ヒートサイクル試験を強化する手段を得る。
【解決手段】 圧電基板の主面上に表面波の伝搬方向に沿って、幅がλ／８（λは表面波の波長）の第一の電極を周期λ／２で配置し、幅がλ／８の第二の電極を周期λ／２で配置し、前記第一の電極の中心と前記第二の電極の中心との中心間間隔をλ／４とし、前記第一の電極同志を短絡電極で短絡して形成した正負反射型反射器がＩＤＴ電極の一部に配置されたＩＤＴ電極を用いて構成した弾性表面波デバイスにおいて、
前記短絡電極の幅を２μｍ以上としたことを特徴とする弾性表面波デバイス。 （もっと読む）

【課題】高次横モードを効果的に抑圧でき、かつ回折劣化を抑制でき、通過帯域近傍の減衰特性の急峻性に優れた表面波装置を提供する。
【解決手段】表面波基板上に第１，第２のバスバー２２，２３と、第１及び／または第２のバスバー２２，２３に電気的に接続された複数本の電極指とを有するＩＤＴ２１が形成されており、第１，第２のバスバー２２，２３が、反射係数が小さい格子領域を有する、表面波装置。 （もっと読む）

【課題】 平衡−不平衡変換機能を有し、不平衡端子のインピ−ダンスと平衡端子のインピ−ダンスとの比が大きくされている弾性波フィルタ装置。
【解決手段】 不平衡端子３に縦結合共振子型の弾性表面波フィルタ素子である第１〜第４のフィルタ素子１１〜１４が接続されており、第１，第３のフィルタ素子１１，１３が直列接続されており、第３のフィルタ素子１３が第１の平衡端子４に、第２，第３のフィルタ素子１２，１４が直列に接続されており、第４のフィルタ素子１４の一端が第２の平衡端子５に接続されている、弾性波フィルタ装置１。
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【課題】低損失で急峻な減衰特性を有する小型のローパスフィルタを提供する。
【解決手段】ローパスフィルタは、第１のフィルタ１と第２のフィルタ２と第３のフィルタ３とを有する。第１のフィルタ１は、２端子対ＳＡＷ共振子１１からなる。第２のフィルタ２は、１端子対ＳＡＷ共振子２１と位相線路２２とからなる。第３のフィルタ３は、１端子対ＳＡＷ共振子３１と位相線路３２とからなる。 （もっと読む）

【課題】 一基板上に形成された励振周波数の異なる複数の表面弾性波素子から、特定の帯域を選択して出力させるとともに、周波数選択特性を向上させる。
【解決手段】 励振周波数が互いに異なる複数の表面弾性波素子Ｗ１〜Ｗ４、スイッチング動作を行う電界効果型トランジスタM１〜M４、スパイラルインダクタＳ１とキャパシタＣ１が直列接続されたＬＣフィルタＦ１を設け、電界効果型トランジスタM１〜M４およびＬＣフィルタＦ１を半導体チップ２１に形成するとともに、表面弾性波素子Ｗ１〜Ｗ４を半導体チップ２１上に積層し、表面弾性波素子Ｗ１〜Ｗ４から出力された出力信号ＯＵＴ１〜４を電界効果型トランジスタＭ１〜Ｍ４にて選択し、ＬＣフィルタＦ１にてフィルタリングして出力信号ＯＵＴとして出力する。 （もっと読む）

【課題】 同一基板上に形成された励振周波数の異なる複数の表面弾性波素子から、特定の帯域を選択して出力させる。
【解決手段】 励振周波数が互いに異なる複数の表面弾性波素子Ｗ１〜Ｗ４およびスイッチング動作を行う電界効果型トランジスタM１〜M４を設け、電界効果型トランジスタM１〜M４を半導体チップ２１に形成するとともに、表面弾性波素子Ｗ１〜Ｗ４を半導体チップ２１上に積層し、表面弾性波素子Ｗ１〜Ｗ４から出力された出力信号ＯＵＴ１〜４を電界効果型トランジスタＭ１〜Ｍ４にて選択し、出力信号ＯＵＴとして出力する。 （もっと読む）

【課題】 圧電基板の長手方向に対し４５度の切り込み（ハーフカッティング）を入れたＳＡＷデバイスは、バルク波による伝送特性、群遅延時間特性の劣化は大幅に改善されるもののヒートサイクル試験で４５％強が破損するという問題があった。本発明はヒートサイクルに強固であり且つＩＤＴ電極により励起されるバルク波スプリアスを抑圧することが可能なＳＡＷデバイスの構造を提供することを目的とする。
【解決手段】 圧電基板の主表面上に表面波の伝搬方向に沿ってＩＤＴ電極を配置した弾性表面波デバイスにおいて、前記圧電基板の裏面のほぼ全面に長手方向に沿って切り込みを入れて弾性表面波デバイスを構成する。 （もっと読む）

低抵抗の圧電基板を用いて構成されており、さらに酸素を含む雰囲気中において高温下にさらされたとしても、圧電基板の再酸化が生じ難く、従ってインターデジタル電極の劣化や破壊が生じ難い、信頼性に優れた弾性表面波装置を提供する。抵抗率が１．０×１０^７〜１．０×１０^１３Ω・ｃｍである圧電基板５の主面５ａにインターデジタル電極６が形成されており、該インターデジタル電極６を覆うように保護膜９が形成されている、弾性表面波素子３。
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