【課題】 半導体基板のＩＣ形成層に積層して弾性表面波素子を備えた弾性表面波装置において、ＩＣと弾性表面波素子の間の素子分離をし、ノイズの発生を防止する弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板１０と、半導体基板１０に形成されたＩＣ形成層１１と、ＩＣ形成層１１に積層された反射層２０と、反射層２０上に形成された圧電薄膜層３０と、圧電薄膜層３０上に形成された弾性表面波素子３１とを備え、反射層２０で弾性表面波素子３１から励振される弾性波を反射させるために、反射層２０の厚さｄ１を、弾性波が反射層２０を伝搬するときの波長の１／４の厚さに形成する。 （もっと読む）

【課題】 良好な圧電特性を有する圧電体膜を提供する。
【解決手段】 本発明に係る圧電体膜は，
ペロブスカイト型の圧電体膜であって、
擬立方晶（１００）に優先配向しており、
モノクリニック構造（図のＭで示される領域）を有し、
分極軸方向は、擬立方晶＜１１１＞方向と，擬立方晶＜１００＞方向との間である。 （もっと読む）

【課題】任意の帯域幅のフィルタを提供する。
【解決手段】λ／４幅の電極、λ／４ギャップのすだれ状電極を従来の＋１、−１、＋１、−１に対して、＋１、−１、−１、＋１などとすることにより、見かけ上の電気機械結合係数を低下させて、変換効率と反射係数を小さくした、或いは単位長さ当たりの反射器の数を小さくすることにより、共振と反共振の幅を狭くした構造にする。 （もっと読む）

【課題】 耐電力に優れアフターコロージョンの発生を抑制できる弾性表面波素子を提供する。
【解決手段】 圧電基板上に電極を備えた弾性表面波素子であって、前記電極は単層の膜からなる電極膜と、前記電極膜はＺｒが０．３５〜０．５０ｗｔ％、Ｓｉが０．１５〜０．２５ｗｔ％、Ｆｅが０．１０〜０．２５ｗｔ％、Ｃｕが０．０５〜０．２０ｗｔ％、Ｔｉが０．０１５〜０．０３５ｗｔ％、Ｂが０．００１〜０．０２ｗｔ％でその他不可避の不純物を含有するアルミニウム合金からなることを特徴とする弾性表面波素子。
【効果】 （もっと読む）

【課題】励振電極間にＰＮＲ（Positive and Nagative Reflectivity：正負反射型反射エレメント）を配置した一方向性ＳＡＷ変換器及びそれを用いたＳＡＷデバイスにおいて、優れた群遅延時間偏差及び低リップル化を実現することを目的とする。
【解決手段】ＰＮＲ型一方向性ＳＡＷ変換器１は、外部端子４に接続されたバスバー２より伸長する正電極指Ｔ１、Ｔ２と接地されたバスバー３より伸長する負電極指Ｔ３、Ｔ４を一対とするスプリット電極１０と、前記バスバー２、３のどちらにも電気的に接続されていない開放型浮き電極Ｏ１、Ｏ２と短絡型浮き電極Ｓ１、Ｓ２からなるＰＮＲ１１から構成されており、ＰＮＲ１１の電極周期をλ１、スプリット電極１０の電極周期をλ２とした時、電極周期偏倚率ｄ＝（λ１−λ２）／λ１を０＜ｄ≦０．０３８の範囲に設定する。 （もっと読む）

【課題】 実装面積を大きくすることなく、大きなインダクタンスや静電容量を有するインピーダンス素子をパッケージに形成する。
【解決手段】 上部シート４０は、パッケージ本体を構成しており、上面の周縁部にめっき層から形成した接合部４２を有している。接合部４２には、パッケージの蓋体が接合される。上部シート４０は、中央部にＳＡＷフィルタ素子が実装される。上部シート４０は、ＳＡＷフィルタ素子の実装領域の両側に電極４４（４４ａ〜４４ｄ）が一対ずつ設けてある。これらの電極４４は、配線パターン５０、ランド４８（４８ａ〜４８ｄ）、スルーホール４６（４６ａ〜４６ｄ）を介して、上部シート４０の下面に形成したインダクタンス素子５２（５２ａ、５２ｂ）に電気的に接続してある。これらのインダクタンス素子５２は、接合部４２をめっき層によって形成する際のめっき用電極パターンの役割をなす。 （もっと読む）

【課題】 小型でかつ信頼性の高い弾性表面波装置を提供すること。
【解決手段】 基体70上に配置された圧電基板20と、圧電基板20上に形成されたアース電位となる電極と、圧電基板20上に形成された一対の櫛歯状電極からなるＩＤＴ電極（31，32）とを備えた弾性表面波装置１であって、ＩＤＴ電極（31，32）のいずれか一方の櫛歯状電極と前記電極との間が、圧電基板20上に形成された半導体材料からなる抵抗体40によって接続されている弾性表面波装置とする。これにより、急激な温度変化等により焦電効果で発生した電荷が抵抗体40を介して移動し、一対の櫛歯状電極の間に放電破壊を引き起こすような大きな電位差が生じるのを防ぐため、ＩＤＴ電極（31，32）の放電破壊を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】挿入損失を減少できると同時に帯域外において高い減衰量を得ることが可能な弾性表面波高周波フィルタを提供する。
【解決手段】本発明の弾性表面波高周波フィルタは、信号線に入出力端子が直列に接続された弾性表面波共振器５２〜５４と、上記の信号線に入出力端子の一方が接続され他方が接地された弾性表面波共振器３８〜４０とから成り、弾性表面波共振器５２は、直列接続された簾状電極弾性表面波変換器８，９を具備し、弾性表面波共振器５３は、直列接続された簾状電極弾性表面波変換器１０，１１を具備し、弾性表面波共振器５４は、直列接続された簾状電極弾性表面波変換器１２，１３を具備する。そして、信号線に対し直列に接続された弾性表面波共振器５２〜５４のインピーダンスは、信号線に並列に接続された弾性表面波共振器３８〜４０のインピーダンスに比較して、４倍のインピーダンスを持つ。 （もっと読む）

【課題】 １つのＳＡＷ素子によって、周波数の異なる複数の弾性表面波を励起させるＳＡＷ素子の駆動方法を提供する。
【解決手段】 上記課題を達成するためのＳＡＷ素子の駆動方法は、圧電基板１２の一主面に同一形状を成す複数の櫛歯状電極トランスデューサ１６（１６ａ〜１６ｆ）を並列に配設し、前記複数の櫛歯状電極トランスデューサ１６の中から１つ又は連続して隣り合う複数の櫛歯状電極トランスデューサ１６を選択し、当該選択した櫛歯状電極トランスデューサ１６に対して高周波信号を印加して周波数の異なる複数の弾性表面波を圧電基板１２の主面に励起させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＩＤＴ上にＳｉＯ₂膜を形成することにより周波数温度特性が改善されているだけでなく、ＳｉＯ₂膜表面におけるクラックが生じ難く、所望とする特性を確実に得ることができ、電気機械結合係数が大きく、減衰定数α小さい弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】２０°〜６０°回転Ｙ板のＬｉＴａＯ₃基板上に、Ａｇを主体とする少なくとも１つのＩＤＴが形成されており、該ＩＤＴを覆うように、ＬｉＴａＯ₃基板上にＳｉＯ₂膜が形成されている、弾性表面波装置。 （もっと読む）

【課題】 通過帯域内の挿入損失及びＶＳＷＲ特性に優れており、かつ大型化を招くことなく、不平衡信号端子側のインピーダンスと平衡信号端子側のインピーダンスの比を容易に１：２に設定することが可能であるバランス型弾性表面波フィルタを提供する。
【解決手段】 不平衡信号端子３１に接続された第１の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１１と、第１，第２の平衡信号端子３２，３３に接続された第２の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部２１とが２段縦続接続されており、第１の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１１の中央の第２のＩＤＴ１３の狭ピッチ電極指部の電極指の本数をＮ１、第２の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部２１の中央の第５のＩＤＴ２３の狭ピッチ電極指部の電極指の本数をＮ２としたとき、Ｎ１＞Ｎ２とされている、バランス型弾性表面波フィルタ１。 （もっと読む）

【課題】広帯域化を図り得るだけでなく、通過帯域内における挿入損失を小さくし得る縦結合共振子型弾性表面波フィルタを得る。
【解決手段】圧電基板２上に、弾性表面波伝搬方向に沿ってそれぞれ複数本の電極指を有する少なくとも３つのＩＤＴ１３〜１５を備え、少なくとも１つのＩＤＴ１３〜１５が、表面波伝搬方向に隣接している他のＩＤＴ端部から一部分の電極指の周期が、該ＩＤＴの残りの部分の電極指の周期よりも小さい狭ピッチ部分を有し、該狭ピッチ部分を有するＩＤＴ１４と、ＩＤＴ１４に隣接するＩＤＴ１３，１５との隣り合う電極指の極性が異なっている、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ。 （もっと読む）

【課題】 良好な圧電特性を有する圧電素子を提供する。
【解決手段】 本発明に係る圧電素子１は，基板２と、基板２の上方に形成されたバッファ層５と、バッファ層５の上方に形成された、ペロブスカイト型構造を有する圧電体層６と、を含み、バッファ層５は、ｃ軸（００１）に優先配向しているＹＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_７−δからなり、δは，０≦δ≦０．６の範囲である。 （もっと読む）

【課題】 弾性表面波チップとその周辺との電気的接続を効率よく、確実に行うことができる弾性表面波装置と、その製造方法をすること。
【解決手段】 圧電基板の一面にすだれ状電極３３が形成された弾性表面波チップ３１と、この弾性表面波チップを気密に収容するパッケージ４０とを備えた弾性表面波装置３０であって、前記弾性表面波チップが、前記すだれ状電極と一体の引出し電極３５と、前記引出し電極と接続される電極パッド３６とを有しており、前記電極パッド３６が、電極面となる第１の金属層５１と、第１の金属層５１の密着性を向上させるための第２の金属層５２とを備え、前記引出し電極が、前記電極パッドの前記第１の金属層の表面側に回り込むように配置されている構造。 （もっと読む）

【課題】任意の帯域幅の共振器及びフィルタを提供する。
【解決手段】大きな電気機械結合係数を持つ圧電・電歪物質基板の表面或いは圧電薄膜基板上にすだれ状電極を配置した共振器、或いはその両側に反射器を配置した構造の共振器において、数個の共振器を直列に接続する構造、或いは圧電基板上に誘電体薄膜を付着させた基板上にすだれ状電極及び反射器を設けた構造、或いは弾性表面波共振器の表面に誘電体を付着させ、さらにはその上に導体膜を付着させる構造とする。 （もっと読む）

【課題】低電圧化や低消費電力化が容易で良好なフィルタ特性を得る。
【解決手段】弾性表面波フィルタ１０の前段回路にエミッタ接地アンプ２１、弾性表面波フィルタ１０の後段回路にベース接地アンプ３１を用いて、前段回路の出力インピーダンスを、後段回路の入力インピーダンスよりも大きくする。弾性表面波フィルタと前段回路、弾性表面波フィルタと後段回路の少なくとも一方を、インピーダンスミスマッチ状態とする。弾性表面波フィルタと前段回路と後段回路は、モジュール化する。前段回路を低出力インピーダンスとしないため低消費電力化や低電圧化が可能となる。弾性表面波フィルタと前段回路あるいは弾性表面波フィルタと後段回路の少なくとも一方は、インピーダンスミスマッチ状態とされているので、ＴＴＥが小さく良好なフィルタ特性を得られる。 （もっと読む）

本発明は、それぞれ２つの端子を備えた２つの電気的ゲートを有する電気的４端子網が設けられている電気回路に関する。この回路には、ゲートの端子からアースへ向かう少なくとも２つの分岐路が設けられている。分岐路中にはスイッチ素子が配置されており、このスイッチ素子により対応する端子を必要に応じてアースさせることができる。
（もっと読む）

【課題】平衡型高周波回路に関して、バランス特性が劣化するという課題があった。
【解決手段】第１の平衡型端子を有するフィルタと第２の平衡型端子を有するデバイスとを平衡型端子を介して接続する平衡型伝送線路の間に接続される平衡型高周波回路であって、３つのリアクタンス素子１１０４，１１０５，１１０６を有する直列共振回路の位相回路１１０３を備え、２つのリアクタンス素子１１０４、１１０５の虚数部と他のリアクタンス素子１１０６の虚数部との極性が異なり、信号の差動信号成分に関しては、前記２つのリアクタンス素子の間に仮想接地面が形成され、前記２つのリアクタンス素子１１０４，１１０５のインピーダンスを大きくする。 （もっと読む）

【課題】高い表面弾性波伝播速度を有し、高い周波数で効果的に動作する、窒化物系半導体を用いた表面弾性波フィルターおよびその高能率、高歩留まり、低コストの製造方法を提供すること。
【解決手段】サファイア基板１上に（ＡｌＮ)_ｘ(Ａｌ_２Ｏ_３)_１−ｘ層２と、ＡｌＮ層３とをこの順序で順次形成し、さらに、ＡｌＮ層３上にＧａＮ層４を形成してなる薄膜構造を有し、かつ、該薄膜構造上に櫛型電極５を有する表面弾性波フィルターであって、（ＡｌＮ)_ｘ(Ａｌ_２Ｏ_３)_１−ｘ層２の組成式におけるｘの値が基板１側からＡｌＮ層３側に向かって増加していることを特徴とする表面弾性波フィルターを構成する。 （もっと読む）

【課題】 入力側ＩＤＴ電極と出力側ＩＤＴ電極との間にシールド電極を配置したトランスバーサル型の弾性表面波フィルタであって、小型化を進めることができ、かつ通過帯域内におけるリップルが生じ難い、良好なフィルタ特性を得ることを可能とする弾性表面波フィルタを提供する。
【解決手段】 表面波基板２上に、入力側ＩＤＴ電極３と、出力側ＩＤＴ電極４とが表面波伝搬方向において隔てられて配置されており、両者の間にシールド電極５が設けられており、入力側ＩＤＴ電極３が交差幅重み付けされており、該重み付けが、目標とするフィルタ特性に応じたインパルス応答を第１のインパルス応答とし、入力側ＩＤＴ電極３とシールド電極５との間の電界に基づく不要波による励振を相殺するインパルス応答を第２のインパルス応答としたときに、第１のインパルス応答と第２のインパルス応答との和であるインパルス応答に従って施されている、弾性表面波フィルタ１。 （もっと読む）