【課題】低損失で急峻な減衰特性を有する小型のローパスフィルタを提供する。
【解決手段】第１のフィルタ１は、２端子対ＳＡＷ共振子１１からなる。第２のフィルタ２は、１端子対ＳＡＷ共振子２１とチップインダクタ２２とからなる。第３のフィルタ３は、１端子対ＳＡＷ共振子３１とチップインダクタ３２とからなる。信号入力端子用ワイヤ１２２と第１のチップインダクタ入力用ワイヤ１２７間の最短距離をワイヤ１２２と第２のチップインダクタ入力用ワイヤ１２５間の最短距離より大きくし、信号出力端子用ワイヤ１３１と第２のチップインダクタ出力用ワイヤ１２６間の最短距離をワイヤ１３１と第１のチップインダクタ出力用ワイヤ１２８間の最短距離より大きくし、相互誘導係数Ｍが正となるようにチップインダクタ２２，３２を配置する。 （もっと読む）

【課題】挿入損失劣化を低減し、肩特性を向上できる優れた弾性表面波素子を提供する。
【解決手段】圧電基板１０上に一対の平行バスバー電極３１ａ，３１ｂと複数の電極指３２ａ，３２ｂとからなるＩＤＴ電極３が形成され、ＩＤＴ電極３の表面が保護膜６で被覆されており、保護膜６は、前記バスバー電極３１ａ，３１ｂ上のバスバー電極領域Ｂ上の厚み及び前記電極指３２ａ，３２ｂにおける電極指非交差領域Ｒ上の厚みが、前記電極指３２ａ，３２ｂにおける電極指交差領域Ｓ上の厚みより厚く形成されている。 （もっと読む）

機械的に敏感な電子構成素子のための中空室を備えたハウジング、およびこのハウジングを製造するための方法
中空室ハウジング内に構成素子を気密に、かつ少ない応力で組み込むために、形状結合式に結合可能な２つのハウジング部分を設けることが提案されており、この場合、少なくとも１つのハウジング部分が、構成素子を受容する切欠を有している。構成素子自体は、導電性のホルダによって、切欠の領域内で自由に浮遊した状態で懸架されている。
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【課題】
封止樹脂部に中空構造を有し信頼性を向上させることが可能な弾性表面波デバイスおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】
本発明は、圧電基板（１０）と、圧電基板（１０）上に設けられた電極と圧電基板からなる弾性表面波素子（１２）と、圧電基板（１０）上に設けられ、弾性表面波素子（１２）上に空洞（１８）を有する第１封止樹脂部（２０）と、弾性表面波素子（１２）を囲むように圧電基板（１０）の表面に接し設けられた無機絶縁膜（２２）と、を有することを特徴とする弾性表面波デバイスおよびその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】
著しく高いバイアス電圧を印加することなく、弾性表面波の強度を高速で変調しうる弾性表面波デバイスを提供することにある。
【解決手段】
サファイア基板１１と、ＧａＮからなる伝搬層１２と、ＧａＮと比較して広いバンドギャッブを持つＡｌＧａＮからなるバリア層１３と、バリア層１３の表面に形成された一組の電極である第一の櫛形電極１６および、第二の櫛形電極１７と、を備えるトランスバーサルフィルタ１０において、第一の櫛形電極１６および、第二の櫛形電極１７を、ショットキ電極１６ａ、１７ａと、オーミック電極１６ｂ、１７ｂとから構成し、オーミック電極１６ｂ、１７ｂを伝搬層１２とバリア層１３との接合面付近に存在する二次元電子ガス１５と導通する構造とした。 （もっと読む）

【課題】通過帯域内において、入出力インピーダンスに対する挿入損失特性に表されるうねりを低減することができ、ＶＳＷＲを向上することができる弾性表面波フィルタを提供すること。
【解決手段】弾性表面波フィルタ１は、圧電基板２上に、弾性表面波の伝搬方向に沿って複数の共振子が結合している弾性表面波素子１０，２０が、複数段、縦続接続されて配設されている。弾性表面波素子１０は、ＩＤＴ電極１１，１４ａ，１４ｂと、挿入反射器電極１３ａ，１３ｂとを含み、弾性表面波素子２０は、ＩＤＴ電極２１，２４ａ，２４ｂと、挿入反射器電極２３ａ，２３ｂとを含んでいる。ＩＤＴ電極１４ａ，１４ｂとＩＤＴ電極２４ａ，２４ｂとは、配線パターン３２ａ，３２ｂで接続され、挿入反射器電極１３ａ，１３ｂと挿入反射器電極２３ａ，２３ｂとは、接地パターン３１ａ，３１ｂで接続されている。 （もっと読む）

【課題】
優れた伝搬特性と周波数特性の広帯域化を両立させうる弾性表面波デバイスを提供することにある。
【解決手段】
サファイア基板１１と、サファイア基板１１上にＧａＮ薄膜で形成された伝搬層１２と、伝搬層１２の表面上に形成された入力側櫛型電極１３、出力側櫛型電極１４を有する弾性表面波デバイスの一種であるトランスバーサルフィルタ１０において、入力側櫛型電極１３、出力側櫛型電極１４により励振される弾性表面波が伝搬層１２面内で最も遅い速度で伝搬する方向である｛１１−２０｝方向と、入力側櫛型電極１３、出力側櫛型電極１４の電極指の配列方向を整合させ、かつ電極指の線幅および配列間隔を配列方向と直交する方向に変化させて、入力側櫛型電極１３、出力側櫛型電極１４を形成する。 （もっと読む）

【課題】不平衡−平衡の入出力、部品点数を少なくして入出力共に低インピーダンス化し、さらに帯域外減衰量特性を改善する。
【解決手段】フィルタ特性を同等にした２組の３ＩＤＴタイプ縦結合共振子型ＳＡＷフィルタ部（３ＩＤＴ−ＬＣＭＲ）１１，１２は互いに入出力位相が１８０度異なる構成とし、両ＳＡＷフィルタ部の中央ＩＤＴ電極１１Ａ、１２Ａの一方の端子を接地して他方の端子を並列接続して不平衡入力ポートとし、両ＳＡＷフィルタ部の４つの外側ＩＤＴ電極１１Ｂ、１１Ｃ、１２Ｂ、１２Ｃのうちの位相が同相になる２つの端子同士を並列接続して平衡出力ポートとする。
外側ＩＤＴ電極１１Ｂ、１１Ｃ、１２Ｂ、１２Ｃの並列接続を不平衡入力ポートとし、中央ＩＤＴ電極１１Ａ、１１Ｂの並列接続を平衡出力ポートとする構成、出力ポートを不平衡、入力ポートを平衡とする構成も含む。 （もっと読む）

【課題】共振子であればＱ値の低下、フィルタであれば挿入損失の増加を生じさせないＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】ＳＡＷの伝搬方向に対する逆速度面が進行方向に対して凹となる圧電基板１０を用いて形成されるＳＡＷデバイスにおいて、ＩＤＴ電極１１ａ、１１ｂを有する交差電極部２と、交差電極２より交差長方向外側に配置され、グレーティング電極１２ａ、１２ｂを有するグレーティング部３ａ、３ｂとを備え、グレーティング電極３ａ、３ｂの膜厚をＩＤＴ電極１１ａ、１１ｂの膜厚より厚くした。 （もっと読む）

表面波で作動する変換器を提示する。変換器は複数のセルに分けられる。このセルの長さは実質的に波長である。この変換器は第２のセルタイプのセルと、第１のセルタイプの少なくとも１つのセルを含む。ここでこの第２のセルタイプのセルはＳＰＵＤＴセルであり、１００％の励起強度を有する。第１のセルタイプのセルは少なくとも４つの励起中心を有する。ここで、隣接する２つの、異なった極性を有する電極指の間に励起中心が配置されており、ここで第１のセルタイプのセルは最大で３０％の励起強度を有する。
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【課題】 絶縁性に優れた複合酸化物積層体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板２０と、前記基板２０の上方に形成され、一般式ＡＢＯ_３で表される第１複合酸化物層２４と、前記第１複合酸化物層２４の上方に形成され、一般式ＡＢ_１−ｘＣ_ｘＯ_３で表される第２複合酸化物層２６と、を含み、Ａ元素は、少なくともＰｂからなり、Ｂ元素は、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｖ、ＷおよびＨｆの少なくとも一つからなり、Ｃ元素は、ＮｂおよびＴａの少なくとも一つからなる。 （もっと読む）

【課題】歩留まりの向上を図りつつ、所望の周波数特性を有する弾性表面波素子を得ることができる弾性表面波素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】圧電材料を主材料として構成された圧電体層４上に、電気信号の入力用および出力用の１対のＩＤＴ５、６と、１対のＩＤＴ５、６を保護する保護膜７とを順次積層する弾性表面波素子１の製造方法であって、圧電体層４上に１対のＩＤＴ５、６を形成して、基体１ａを得る工程と、基体１ａに弾性表面波を励振させ、その伝播速度を測定する工程と、測定された伝播速度に基づいて、得られる弾性表面波素子１の弾性表面波の伝播速度が目的とする設定伝播速度となるように、保護膜７の設定膜厚を決定する工程と、決定された設定膜厚となるように保護膜７を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】寄生容量が低減され、入力コンダクタンスにおけるバックグラウンドが著しく抑制された表面弾性波デバイスを提供すること。
【解決手段】サファイア基板１−０上に、ＧａＮ伝搬層１−１からなるメサ構造１−３が形成され、メサ構造１−３上面に、櫛形電極である、１−５ａと１−５ｂとの組み合わせ、及び、１−６ａと１−６ｂとの組み合わせが、所定の間隔をおいて対向する位置に形成され、櫛形電極１−５ａと１−５ｂ、及び、１−６ａと１−６ｂに導通し、これら櫛形電極に信号を印加するか、あるいは、櫛形電極から信号を取り出すための引き出し電極１−７ａ、１−７ｂ、１−８ａ、１−８ｂが、メサ構造１−３の外部において、基板１−０表面に接するように、形成されている表面弾性波デバイスを構成する。 （もっと読む）

【課題】ＳＡＷフィルタ用電極を十分に気密封止できるＳＡＷフィルタ装置を提供する。
【解決手段】表面に複数のＳＡＷフィルタ用電極２１、２２を有する圧電基板２が、封止枠３により所定間隔をあけてベース基板１上に接合されており、封止枠３により、圧電基板２のベース基板側面に形成されたＳＡＷフィルタ用電極２１、２２が気密封止されたＳＡＷフィルタ装置であって、圧電基板２よりも−４０〜１２５℃における熱膨張係数が大きい封止用樹脂層４を、ベース基板１上に、圧電基板２の少なくとも側面が被覆されるように形成されており、圧電基板２の上面に封止用樹脂層４が存在しないか、もしくは圧電基板２の上面に封止樹脂層４が厚み５０μｍ以下で存在する。 （もっと読む）

【課題】 複数の励振電極を有する薄膜弾性表面波デバイスであっても、従来の単数の励振電極を有する薄膜弾性表面波デバイスと比べ体積を小さくすることが可能な薄膜弾性表面波デバイスを提供する。
【解決手段】 本発明の薄膜弾性表面波デバイス１０は、基板１１，２０の一面に形成された圧電体薄膜１２，２１と、圧電体薄膜１２，２１上に形成された弾性表面波を励振させる励振電極１９，２２とを有する複数の薄膜弾性表面波素子５，６と、薄膜弾性表面波素子６の、圧電体薄膜１２が形成された一面と異なる面の基板１１の他面に形成された外部接続電極２６と、を有し、薄膜弾性表面波素子５，６は、互いの励振電極１９，２２が空隙を有して対向し、密閉されるように形成された接合部２５によって接合されている。 （もっと読む）

【課題】ＳＡＷフィルタモジュールのマッチング用部品の必要個数を削減する。
【解決手段】ＳＡＷフィルタモジュール１０は、ＳＡＷフィルタ１０Ａ〜１０ＤとＲＦ−ＩＣ２０との間の結合に、インピーダンスマッチング回路１１Ａ〜１１Ｄでマッチングを得る。ＳＡＷフィルタの出力インピーダンスＺｓａｗの実部を、ＲＦ−ＩＣの入力インピーダンスＺｉｃの実部にほぼ合わせる。インピーダンスマッチング回路は、ＳＡＷフィルタモジュールの出力インピーダンスＺｍの虚部を、ＲＦ−ＩＣ２０の入力インピーダンスＺｉｃの虚部に合わせて変更する。インピーダンスマッチング回路は、１つのインダクタまたはコンデンサで構成、または複数のインダクタまたはコンデンサの並列接続で構成、モジュールの基板上にプリントパターンとして形成、実部Ｒｓａｗと実部Ｒｉｃはほぼ０.８Ｒｉｃ＜Ｒｓａｗ＜１.２Ｒｉｃとすることを含む。 （もっと読む）

【課題】 信号の減衰を防止し、素子内でインピーダンスマッチングが取れるＳＡＷフィルタモジュールおよび信号伝送装置を提供する。
【解決手段】 ＳＡＷフィルタモジュール１０は、ＳＡＷフィルタ２０と、前記ＳＡＷフィルタ２０の入力側および出力側に接続されたマッチング回路と、前記ＳＡＷフィルタ２０の入力側および出力側の少なくともいずれか一方に接続された信号増幅回路と、を備えた構成である。そしてマッチング回路、またはマッチング回路と信号増幅回路は、バッファ３２，３４を構成している。 （もっと読む）

【課題】本発明はＦＢＡＲおよびＳＡＷ共振器が集積された集積フィルタ（Integrated Filter）が開示される。
【解決手段】本集積フィルタは、基板と、基板の上部表面上の所定第１領域に位置する第１電極と、第１電極上に位置する第１圧電層と、第１圧電層上に位置する第２電極と、基板の上部表面上の所定第２領域に位置する第２圧電層と、第２圧電層上に位置するＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極とを含む。ＩＤＴ電極が、第２圧電層上に位置し、コーム構造で製造された第１ＩＤＴ電極と、第１ＩＤＴ電極と噛み合ったコーム構造で製造された第２ＩＤＴ電極とを含むことができ、第１圧電層および第２圧電層が同一物質で製造されることができる。これによって様々な周波数帯域で動作するフィルタを小型で製造できる。 （もっと読む）

【課題】 バンプ接合により高密度実装が可能であり、かつ水分の侵入等による特性の変動が生じ難い、信頼性に優れた弾性境界波装置を得る。
【解決手段】 圧電基板１Ａ上にＩＤＴ９が形成されており、ＩＤＴ９を覆うように絶縁膜７が積層されており、絶縁膜７上に吸音膜８が積層されており、アンダーバンプメタルを電解メッキにより形成するためのＵＢＭ下地層１３が、絶縁膜７の開口部に至っており、絶縁膜７の開口部においてＩＤＴ９とＵＢＭ下地層１３と電気的に接続している配線１２に接続されており、吸音膜８にＵＢＭ下地層１３の一部を露出している吸音膜開口部８ａが形成されており、ＵＢＭ下地層１３が、絶縁膜７と吸音膜８との境界において給電ライン１４に接続されており、該給電ラインから電流を通電することによりＵＢＭ下地層１３上にＵＢＭが電解メッキにより形成されている、弾性境界波装置６。 （もっと読む）

【課題】ＳＡＷ装置（ＩＤＴ電極）の耐湿・耐食信頼性を高める。
【解決手段】圧電基板と、この圧電基板の表面に設けたＡｌ又はＡｌ合金により形成されたＩＤＴと、圧電基板の少なくとも一部及びＩＤＴを覆う保護膜とを備えたＳＡＷ装置で、保護膜は、圧電基板の少なくとも一部及びＩＤＴの表面に形成され、ＩＤＴ表面では連続膜でかつ圧電基板表面では不連続膜となっている金属酸化物層と、金属酸化物層上に形成された二酸化珪素層とを含む。好ましくは、圧電基板は単結晶圧電基板で、金属酸化物層は遷移金属の酸化物（例えば酸化クロム）を主成分とし、二酸化珪素層の厚さは１０ｎｍ以下、金属酸化物層の厚さは２ｎｍ以下とする。 （もっと読む）