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【課題】温度の変化に対する中心周波数の変化の小さい、擬似弾性表面波を用いたフィルタを提供する。
【解決手段】電気機械結合係数の大きなLiNbO、LiTaO基板上に膜厚がHの金属膜2を付着させた後、膜厚がHで正の周波数温度特性をもつSiOなどの薄膜3を付着させた構造とする。この基板を伝搬する弾性表面波として、レーレー波より速い速度をもつ擬似弾性表面波を用い、圧電性基板1として、LiNbOの場合、回転Y板のカット角がマイナス25度から180度の範囲のLiNbO基板、LiTaOの場合、25度から45度の範囲であり、かつ弾性表面波の伝搬方向がX軸或いはX軸からプラス・マイナス5度の範囲であり、薄膜2の膜厚H/λ(λ:弾性表面波の動作周波数での波長)が0.005から0.2の範囲であり、薄膜3の膜厚H/λ(λ:弾性表面波の動作周波数での波長)が0.005から0.6の範囲でとする。 (もっと読む)


【課題】 優れた周波数特性と通過特性を有する弾性表面波素子、及びこの弾性表面波素
子の製造方法を提供する。
【解決手段】 弾性表面波素子10は、半導体基板(Si層50)の同一平面上に半導体
配線領域20とSAW領域30が並列して形成されている弾性表面波素子10であって、
ウエハ1に弾性表面波素子10を格子状に配列すると共に、隣接する弾性表面波素子10
に形成される半導体配線領域20を市松模様状に配列し、半導体配線領域20とSAW領
域30の上面に渡って同一平面の絶縁層71〜74を形成し、最上層の絶縁層74の表面
に圧電体層90を形成し、SAW領域30の圧電体層90の表面にIDT40を形成する。 (もっと読む)


【課題】 良好な圧電特性を得ることができる圧電素子を提供する。
【解決手段】 本発明に係る圧電素子10は,
基板1と、
基板1の上方に形成された第1導電層4と、
第1導電層4の上方に形成された、ペロブスカイト構造を有する圧電体からなる圧電体層5と、
圧電体層5に電気的に接続された第2導電層6と、を含み、
第1導電層4は,(001)に優先配向しているランタン系層状ペロブスカイト化合物からなるバッファ層41を1層以上含む。 (もっと読む)


弾性境界波が伝搬する境界面と媒質層の表面との間で閉じ込められる弾性波に起因するスプリアスを効果的に抑圧することができ、良好な共振特性やフィルタ特性を得ることを可能とする弾性境界波装置を提供する。相対的に音速が速い第1の媒質層としてのLiNbO基板と、相対的に音速が遅い第2の媒質層としてのSiO膜との境界に、電気音響変換器としてのIDTと、反射器とが配置されており、SiO膜の上面に、複数本の溝が形成されて凹部及び/または凸部が設けられている、弾性境界波装置。
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【課題】本発明は携帯電話などの小型無線情報通信機器に用いられる弾性表面波フィルタに関して、広帯域なフィルタ特性を有するSAWフィルタを提供するものである。
【解決手段】並列腕に対して複数並列接続された所定の反共振周波数を有する一端子対弾性表面波共振器を備え、隣り合う一端子対弾性表面波共振器5a,5b間を直列腕上においてインダクタ6a,6b或いはキャパシタ7で接続するとともに、一端子対弾性表面波共振器5a,5bとグランド間にインダクタ6a,6bを設けた。 (もっと読む)


【課題】 SAWデバイスを特性の変化無く、より一層薄型化し、簡単な構造でIDT電極と外部電極との電気的導通性及び気密封止性を確保する。
【解決手段】 SAWデバイス1は、圧電基板4にIDT電極5、IDT電極から引き出した取出電極8、及び圧電基板の周辺全体に沿って設けた金属接合部9を有するSAWチップ2と、ガラス基板10に取出電極8に対応して設けた貫通孔11、ガラス基板下面の周辺全体に沿って設けた金属接合部13、ガラス基板下面に貫通孔の開口周辺に設けた接続電極12を有するカバー3とを備える。SAWチップの金属接合部及び取出電極とカバーの金属接合部及び接続電極とをそれぞれ熱圧着で接合し、IDT電極をカバー下面と接触した状態で気密に封止する。貫通孔内に形成した金属膜14及び封止材16で、ガラス基板上面の外部電極15とIDT電極とを電気的に接続する。 (もっと読む)


【課題】 小型化された構成でありながら、形成した減衰極の変化による減衰量は高域側減衰帯域だけでなく低域側減衰帯域においても、十分に大きくする。
【解決手段】 本発明のフィルタパッケージは、入力信号に基づいた第1の信号を伝達する第1の接続点と、前記第1の接続点と接続されると共に前記第1の信号を受けて第2の信号を出力する第1の直列腕共振器と、前記第2の信号に基づいた信号を伝達する第2の接続点と、前記第1の接続点と第3の接続点とに接続された第1の並列腕共振器と、前記第2の接続点と第4の接続点とに接続された第2の並列腕共振器と、前記第3の接続点と前記第4の接続点とに接続された第1のワイヤと、接地電極と前記第3の接続点とに接続された第2のワイヤとを有する。 (もっと読む)


【課題】 2段構成の弾性表面波フィルタの群遅延および挿入損失の周波数特性を簡易な方法で改善する。
【解決手段】 第1の弾性表面波フィルタに温度センサ3と温度調節部5を付設し、第2の弾性表面波フィルタ2に温度センサ4と温度調節部6を付設する。そして、第1の弾性表面波フィルタ1を通過した信号の周波数特性におけるピーク点と、第2の弾性表面波フィルタ2を通過した信号の周波数特性におけるボトム点とが重なり合うように、第1の弾性表面波フィルタ1の温度と第2の弾性表面波フィルタ2の温度とを所定の温度差になるように制御する。 (もっと読む)


【課題】シングル電極の櫛型電極内の内部反射を抑圧するSAWトランスバーサルフィルタとして利用可能な弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】SAWトランスバーサルフィルタ1は、タンタル酸リチウム単結晶からなる圧電基板と、圧電基板の表面に形成され、アルミニウムを主成分とする膜厚HmのIDT2とを備えている。IDT2は、アルミニウムを主成分とする極性が正である正極2−1と、アルミニウムを主成分とする極性が負である負極2−2と、から構成されており、正極2−1と、負極2−2とが弾性表面波の1波長内に配置されている。誘電膜3は、正極2−1と負極2−2の間の圧電基板の表面に形成され、二酸化ケイ素を主成分とし、誘電膜3の膜厚Hdは、弾性表面波の波長で規格化した膜厚Hdが弾性表面波の波長で規格化した膜厚Hmより略3%厚くして設けられている。 (もっと読む)


【課題】弾性表面波の漏洩を低減した弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】圧電基板上に、複数の電極指と一対のバスバー電極とを有するIDTを形成するとともに、該IDTの弾性表面波の伝搬方向の両側に、一対の反射器を形成してなる弾性表面波装置において、バスバー電極のそれぞれに、少なくとも一本のスリットを電極指と垂直に形成したことを特徴とする弾性表面波装置。 (もっと読む)


【課題】 ウェハ上に形成された状態で各トランスバーサル型弾性表面波フィルタ素子の周波数特性の良否を判断するための測定用パッドを備えた状態で、各素子の小型化を図り、ウェハ上の集積密度を高めて、ウェハ一枚あたりからの取り個数を増やす。
【解決手段】 プローブ測定を行うための測定パッドを、隣接するトランスバーサル型弾性表面波フィルタ素子同士で共有してウェハ上に形成し、測定用パッドの個数をおよそ半減させることにより、1素子あたりの専有面積を小さくしたことを特徴とするトランスバーサル型弾性表面波フィルタ素子の製造方法。 (もっと読む)


本発明は、音響表面波で作動する構成素子の電極構造体の層構造に関する。この電極構造体はここで、音響インピーダンスZa,dを有する誘電層(4)によって覆われている。電極構造体の層構造は第1の層システムを含み、当該第1の層システムは、第1の材料から成る少なくとも1つの第1の層(31,32)から成り、この第1の層内では音響インピーダンスは2Za,dより小さく、層構造はさらに第2の層システムを含み、この第2の層システムは、第2の材料から成る少なくとも1つの第2の層(21,22、23)から成り、この第2の層内では音響インピーダンスは値2Za,dを上回る。この多層構造の全体高さに対する、前記第2の層システムの全体厚さの相対的な割合は15%〜85%の間である。
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【課題】 ラダー型フィルタを狭帯域化した際に、挿入損失を小さく、減衰傾度を急峻にする手段を得る。
【解決手段】 共振周波数(frp)と反共振周波数(fap)とを有する第1の共振子が並列腕に、共振周波数(frs)と反共振周波数(fas)を有する第2の共振子が直列腕に配置され、入力と一方の外側共振子とを結ぶ入力配線と、出力と他方の外側共振子とを結ぶ出力配線とを備えたラダー型フィルタにおいて、Δf=(frs−fap)、fo=((frs+fap)/2)と定義したとき、Δf/foが−0.00635≦Δf/fo<0の関係を満たし、且つ入力配線と出力配線の各々に発生する対地容量が0.2〜1.8pFの範囲内でラダー型フィルタである。 (もっと読む)


【課題】 圧電基板の他方主面に導体層が形成された弾性表面波素子をフェースダウン実装した弾性表面波装置の通過帯域外減衰量を改善する。
【解決手段】 圧電基板2の一方主面に励振電極3と入力パッド部と出力パッド部とを具備するフィルタ領域が形成され、他方主面に半導体層22が形成された弾性表面波素子1を、実装用基体上に一方主面を対面させて実装している弾性表面波装置である。弾性表面波素子1の作製工程で発生する焦電破壊を防止するために圧電基板2の他方主面に設けられていた導体層に代えて、キャリア移動度の小さい半導体層2を形成したことによって、フィルタ領域の入力パッド部および出力パッド部間に形成されていた寄生容量による入力パッド部および出力パッド部間の結合量を大幅に小さくすることができ、これにより、通過帯域外減衰量を改善することができる。 (もっと読む)


【課題】 不平衡−平衡変換機能を有し、通過帯域内の平衡度が良好な弾性表面波素子およびそれを用いた通信装置を提供すること。
【解決手段】 弾性表面波素子は、圧電基板1上に、弾性表面波の伝搬方向に第1のIDT電極31〜34の複数を電気的に接続したIDT電極群21,22及び第1の反射器電極2,3を配設し、IDT電極群21,22の少なくとも2つの第1のIDT電極31〜34の間に、第1のIDT電極31〜34に電気的に非接続の、第2のIDT電極及び第2の反射器電極41,42の内いずれか1種以上を第1の分離電極として配設し、IDT電極群21,22と第1の反射器電極2,3との間に、IDT電極群21,22とは電気的に非接続の第3のIDT電極51,52を第2の分離電極として配設した弾性表面波素子部を備え、第3のIDT電極51,52同士が接続されて不平衡入力部4とされ、IDT電極群21,22のそれぞれが平衡出力部5,6とされている。 (もっと読む)


【課題】小型化が可能で、不要共振による電気特性上の不具合が抑制された弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】圧電基板10と、その上に弾性表面波の伝搬方向に沿って形成された一対の反射器電極21a、21bと、その間に形成された少なくとも一つのIDT電極22とを有する弾性表面波装置において、一対の反射器電極21a、21bの一方の電極厚みと他方の電極厚みとを異ならせる。 (もっと読む)


【課題】横モードスプリアスを低減し、電極指の交差幅を大きくできるようにする。
【解決手段】弾性表面波素子片10は、圧電基板12がタンタル酸リチウムのXカット板から形成してある。圧電基板12の表面には、すだれ状電極からなる一対のIDT(14a、14b)と、これらのIDTを挟むように一対の反射器(20a、20b)とが設けてある。IDT(14a、14b)を形成している電極指部18(18a、18b)は、アルミニウム系金属膜からなる電極指本体30を有する。電極指本体30の表面には、電極指本体30を陽極酸化して形成した陽極酸化膜32が設けてある。陽極酸化膜32は、二酸化ケイ素膜26によって覆われている。また、電極指部(18a、18b)の交差幅は、弾性表面波の波長の20倍以上にしてある。 (もっと読む)


【課題】任意の帯域幅の共振器及びフィルタを提供する。
【解決手段】大きな電気機械結合係数をもつ圧電・電歪物質基板の表面或いは圧電薄膜基板上にすだれ状電極を配置した共振器、或いはその両側に反射器を配置した構造の共振器において、電極の交差幅を伝搬方向に変化させることにより、励振効率を低下させ、全体の電極対数を大きくすることにより、共振−反共振の周波数幅を狭くする。 (もっと読む)


【課題】 半導体基板のIC形成層に積層して弾性表面波素子を備えた弾性表面波装置において、ICと弾性表面波素子の間の素子分離をし、ノイズの発生を防止する弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板10と、半導体基板10に形成されたIC形成層11と、IC形成層11に積層された反射層20と、反射層20上に形成された圧電薄膜層30と、圧電薄膜層30上に形成された弾性表面波素子31とを備え、反射層20で弾性表面波素子31から励振される弾性波を反射させるために、反射層20の厚さd1を、弾性波が反射層20を伝搬するときの波長の1/4の厚さに形成する。 (もっと読む)


【課題】 電極膜の剥離を防ぎ、SH型弾性表面波デバイスの振動損失を低減するSiO膜の膜厚を得る。
【解決手段】 オイラー角(0°,110°〜150°,90°±2°)の水晶基板上に少なくともの1つのIDT電極と複数のグレーティング反射器とを配置すると共に、該IDT電極、グレーティング反射器を覆うようにSiO膜を付着して構成したSH型弾性表面波デバイスであり、SiO膜の膜厚Hが8%λ<H<10%λ(λは波長)に設定してSH型弾性表面波デバイスを構成する。 (もっと読む)


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