【課題】 挿入損失劣化を低減し、小型化を実現した弾性表面波装置及びそれを用いた通信装置を提供すること。
【解決手段】 第１，第２の弾性波表面共振子１８，１９は、中心共通バスバー電極２５の両側に接続されて形成され、中心共通バスバー電極２５に不平衡信号端子２２が接続されており、第１，第２の弾性表面波素子２０，２１は、中心共通バスバー電極部２９の両側に接続されて形成され、弾性表面波素子２０，２１と弾性表面波共振子１８，１９とは、互いに隣接して弾性表面波の伝搬方向に直交する方向に並んで配置され、弾性表面波素子２０，２１の各中央のＩＤＴ電極のバスバー電極が平衡信号端子２３，２４に接続され、弾性表面波素子２０，２１のそれぞれの中央のＩＤＴ電極以外のもののバスバー電極が弾性表面波共振子１８，１９のＩＤＴ電極のバスバー電極に並列接続されている。 （もっと読む）

【課題】異方性を示す方向を精度良く決定することができ、特定の好適な位置に薄膜構造を形成して高精度な球状弾性表面波素子を作成することができる異方性球状材料の方向測定方法、異方性球状材料の方向測定装置および球状弾性表面波素子の製造方法を提供する。
【解決手段】弾性表面波制御手段１２が、マニピュレータ１１ｂに保持された球状材料１の表面の所定の位置で、軸に垂直な平面上の大円に沿って伝搬する弾性表面波を発生可能である。弾性表面波制御手段１２は、所定の位置における大円に沿って周回した弾性表面波の所定の物理量を測定可能である。マニピュレータ１１ｂにより、保持した球状材料１に対し、その周囲で大円に沿って弾性表面波制御手段１２を相対的に回転させ、互いに異なる複数の回転角ごとに弾性表面波の発生および物理量の測定を繰り返し、各回転角ごとに測定された物理量に基づいて、異方性を示す方向を決定する。 （もっと読む）

【課題】水晶基板を用いた表面波デバイスであり、小型で、Ｑ値が大きく、周波数エージング特性の優れたＳＨ波型ＳＡＷデバイスを得る。
【解決手段】圧電基板と、該圧電基板上に形成されＡｌを主成分とする合金からなるＩＤＴ電極とを備え、励振波をＳＨ波とした弾性表面波デバイスであって、前記圧電基板は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°とした水晶平板であり、励振する弾性表面波の波長をλとした時、前記ＩＤＴ電極の波長で基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２としたＳＨ波型弾性表面波デバイスにおいて、前記圧電基板はウエットエッチングにより形成されたエッチング痕を有しており、前記ＩＤＴ電極が前記圧電基板の前記エッチング痕を有する表面に形成されているＳＨ波型弾性表面波デバイス。 （もっと読む）

【課題】面内回転した回転ＳＴカット水晶板等の圧電体平板上に、レイリー型等の弾性表面波を利用して、５次高調波動作させた新しい形式の弾性表面波共振子を提供する。
【解決手段】圧電体平板上に１個のすだれ状電極とその伝播方向両側に配置した一対の反射器とからなる弾性表面波共振子において、すだれ状電極における電極指の前記Ｘ方向の幅寸法をＬＴとし、配列周期長に対する線幅比ＬＴ／ＰＴが（１／２±１／１２）の範囲であり、反射器におけるＸ方向の幅寸法をＬＲとし、配列周期長ＰＲに対する線幅比ＬＲ／ＰＲが（１／２±１／１２）の範囲であり、前記寸法ＰＲに対してＰＴの関係がＰＲ＜ＰＴであり、前記弾性表面波の速度Ｖと動作周波数ｆの関係がｆ＝５Ｖ／（２ＰＴ）である弾性表面波共振子。 （もっと読む）

【課題】本発明は、長期信頼性に優れたアンテナ共用器を提供することを目的とするものである。
【解決手段】セラミックパッケージまたはセラミック基板と、このセラミックパッケージまたはセラミック基板の上面に設けられたバンプ１２と、このバンプ１２の上面に設けられ、かつ前記バンプ１２と電気的に接続された複数の櫛形電極を下面に有する弾性表面波素子１４とを備え、前記複数の櫛形電極は電波の送信側に前記バンプ１２を介して接続された第１の櫛形電極１３ａと、電波の受信側に前記バンプ１２を介して接続された第２の櫛形電極１３ｂからなり、かつ前記セラミックパッケージまたはセラミック基板と前記弾性表面波素子１４との間に前記複数の櫛形電極と電気的に接続されないダミーバンプ１８を形成したものである。 （もっと読む）

【課題】安価で、かつ、良好な振動特性をもって様々な電子機器に使用することができる弾性表面波素子、および弾性表面波デバイスを提供すること。
【解決手段】圧電基板３４の中央付近に、一対の櫛歯電極４０ａ，４０ｂからなるＩＤＴ４０が設けられており、このＩＤＴ４０が設けられた面と反対側の面を接着剤３２でパッケージ２０に接合するようにした弾性表面波素子３０であって、ＩＤＴ４０と電気的に接続された対となる一方の端子４４と他方の端子４６の端子対４４，４６が、圧電基板３４の中央領域Ｍと端部領域Ｅの各領域に設けられている。 （もっと読む）

【課題】ＳＡＷ伝搬方向に沿って２つのＩＤＴの間に第３の反射器を有する２つのＤＭＳ共振子を同一圧電基板上に電気的に並列に接続した４ポートＳＡＷデバイスにおいて、その出力から伝送線路におけるノイズを有効に相殺する。
【解決手段】第１入力経路を構成する各入力側ＩＤＴ５，１０の一方の入力側交差指電極５ａ，１０ａに接続する第１の反射器の反射器部分７ｂ，１２ｂの電気容量と、第２入力経路を構成する各入力側ＩＤＴの他方の入力側交差指電極５ｂ，１０ｂに接続する第３の反射器１４の電気容量とを等しくし、２つの入力経路の電気的な対称性を改善する。 （もっと読む）

【課題】水晶基板を用いた表面波デバイスであり、小型で、Ｑ値が大きく、周波数エージング特性の優れたＳＨ波型ＳＡＷデバイスを得る。
【解決手段】圧電基板と、該圧電基板上に形成されＡｌを主成分とする合金からなるＩＤＴ電極とを備え、励振波をＳＨ波とした弾性表面波デバイスであって、前記圧電基板は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°とした水晶平板であり、励振する弾性表面波の波長をλとした時、前記ＩＤＴ電極の波長で基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２としたＳＨ波型弾性表面波デバイスにおいて、前記水晶基板を０．００２μｍ以上の厚さでエッチングしてＳＨ波型弾性表面波デバイスを構成する。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ実装時でも低損失・高減衰な特性をもつ弾性表面波装置の提供。
【解決手段】圧電素子上に櫛形電極パターンが形成された弾性表面波フィルタを有し，前記弾性表面波フィルタの入出力用の電極端子が，バンプを介してパッケージの対応する電極パターンに接続されている弾性表面波装置であって，前記櫛形電極パターンは，１組の反射電極と，前記１組の反射電極間に配置された入力用の櫛形電極と出力用の櫛形電極を有し，前記入力用の櫛形電極と出力用の櫛形電極のいずれか一方の電極端子が，引き回し配線により，接地電極を挟んで他方の電極端子と反対側に位置するように配置されている。 （もっと読む）

【課題】低損失で急峻な減衰特性を有する小型のローパスフィルタを提供する。
【解決手段】第１のフィルタ１は、２端子対ＳＡＷ共振子１１からなる。第２のフィルタ２は、１端子対ＳＡＷ共振子２１とチップインダクタ２２とからなる。第３のフィルタ３は、１端子対ＳＡＷ共振子３１とチップインダクタ３２とからなる。信号入力端子用ワイヤ１２２と第１のチップインダクタ入力用ワイヤ１２７間の最短距離をワイヤ１２２と第２のチップインダクタ入力用ワイヤ１２５間の最短距離より大きくし、信号出力端子用ワイヤ１３１と第２のチップインダクタ出力用ワイヤ１２６間の最短距離をワイヤ１３１と第１のチップインダクタ出力用ワイヤ１２８間の最短距離より大きくし、相互誘導係数Ｍが正となるようにチップインダクタ２２，３２を配置する。 （もっと読む）

【課題】
著しく高いバイアス電圧を印加することなく、弾性表面波の強度を高速で変調しうる弾性表面波デバイスを提供することにある。
【解決手段】
サファイア基板１１と、ＧａＮからなる伝搬層１２と、ＧａＮと比較して広いバンドギャッブを持つＡｌＧａＮからなるバリア層１３と、バリア層１３の表面に形成された一組の電極である第一の櫛形電極１６および、第二の櫛形電極１７と、を備えるトランスバーサルフィルタ１０において、第一の櫛形電極１６および、第二の櫛形電極１７を、ショットキ電極１６ａ、１７ａと、オーミック電極１６ｂ、１７ｂとから構成し、オーミック電極１６ｂ、１７ｂを伝搬層１２とバリア層１３との接合面付近に存在する二次元電子ガス１５と導通する構造とした。 （もっと読む）

【課題】通過帯域内において、入出力インピーダンスに対する挿入損失特性に表されるうねりを低減することができ、ＶＳＷＲを向上することができる弾性表面波フィルタを提供すること。
【解決手段】弾性表面波フィルタ１は、圧電基板２上に、弾性表面波の伝搬方向に沿って複数の共振子が結合している弾性表面波素子１０，２０が、複数段、縦続接続されて配設されている。弾性表面波素子１０は、ＩＤＴ電極１１，１４ａ，１４ｂと、挿入反射器電極１３ａ，１３ｂとを含み、弾性表面波素子２０は、ＩＤＴ電極２１，２４ａ，２４ｂと、挿入反射器電極２３ａ，２３ｂとを含んでいる。ＩＤＴ電極１４ａ，１４ｂとＩＤＴ電極２４ａ，２４ｂとは、配線パターン３２ａ，３２ｂで接続され、挿入反射器電極１３ａ，１３ｂと挿入反射器電極２３ａ，２３ｂとは、接地パターン３１ａ，３１ｂで接続されている。 （もっと読む）

【課題】圧電基板に水晶基板を用い励振波をＳＨ波としたＳＡＷデバイスにおいて、広帯域で、且つ優れた周波数温度特性を実現することを目的とする。
【解決手段】圧電基板１２上にＩＤＴ１４と反射器２２（２２ａ，２２ｂ）とを有するＳＡＷ素子片１０を備える。前記圧電基板１２は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｚ軸より反時計方向を正として−６２°≦θ≦−５１°の範囲に設定し、且つ、ＳＡＷの伝播方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°とした水晶平板であり、前記ＩＤＴ１４を含む励振電極がＷ又はＷを主成分とする合金にて形成されていることを特徴とする。また、このような特徴を有するＳＡＷ共振子１００では、励振するＳＡＷの波長をλ、励振電極の膜厚をＨ、ＩＤＴを構成する電極指のライン占有率をｍｒとした時に、基準化膜厚Ｈ／λとライン占有率ｍｒとの積を、０．００１≦Ｈ／λ・ｍｒ＜０．０２７の範囲内となるように定める。 （もっと読む）

【課題】帯域外減衰量が大きく、低損失の性能的に優れた弾性表面波フィルタを提供する。
【解決手段】第１の入力電極6aと第１の出力電極6bとを対向して構成した第１の櫛型状電極と、その櫛型状電極の両側にそれぞれ配置した第１の反射器5aとを備えた第１の多電極弾性表面波フィルタ2aと、第２の入力電極4aと第２の出力電極4bとを対向して構成した第２の櫛型状電極と、その櫛型状電極の両側にそれぞれ配置した第２の反射器5bを備えた第２の多電極弾性表面波フィルタ2bとを、同一の圧電基板1上に、各多電極弾性表面波フィルタ2a,2bの櫛型状電極と反射器が弾性表面波伝搬方向Xに沿って設けられた弾性表面波フィルタにおいて、第１の多電極弾性表面波フィルタ2aと第２の多電極弾性表面波フィルタ2bが弾性表面波伝搬方向Xに沿って配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】小型化された構成でありながら、形成した減衰極の変化による減衰量は高域側減衰帯域だけでなく低域側減衰帯域においても、十分に大きくする。
【解決手段】本発明のＳＡＷフィルタは、櫛歯状電極を対向して組み合わせてなるインターディジタル電極と、インターディジタル電極を間に挟んで配置される反射器とを備える共振器を梯子型に接続したＳＡＷフィルタであって、入力と出力間に接続される少なくとも２つの直列腕共振器と、直列腕共振器に対して並列に接続される少なくとも３つの並列腕共振器と、を有し、並列腕共振器のうち、もっとも出力に近く配置された並列腕共振器の櫛歯の交差長は、他の並列腕共振器の櫛歯の交差長に比べて長いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数の周波数を用いる球状表面弾性波素子の電極を、平面型のフォトリソグラフィーを用いて形成した場合でも露光の歪みを最小限に抑えることが可能な球状表面弾性波素子が望まれていた。
【解決手段】圧電結晶球、あるいは圧電材料膜を表面に形成した球上の円環状弾性表面波経路上に第１の電極と第２の電極から交互に突出部を設けた球状表面弾性波(Surface Acoustic Wave)素子において、各第１の電極の突出部と第２の電極の突出部との間に第３の電極を設けたことを特徴とする球状表面弾性波素子を提供するものである。 （もっと読む）

本発明は音響波によって作動する共振器に関する。本発明によれば、この共振器の底面積は、この共振器の伝達特性においてクリティカルな入力信号パワーがインターセプトポイントを決定するために使用されるスペクトル成分の次数に依存して予め設定された目標レベルを下回らないように選択される。さらに本発明はインターセプトポイントに基づいて共振器の最小底面積を決定するための方法に関する。
（もっと読む）

非接触式の弾性表面波に基づくトルク・温度センサは、Ｙ＋３４°カットの水晶で形成される共通基板１上に設けられた３つの弾性表面波共振器（ＳＡＷ）２，３，４を含む。第１のＳＡＷ２は、基板のＸ軸に対して＋４５°で傾く主軸を有する。基板のＸ軸は、使用中において、トルクが測定されるものの長手方向軸に一致するか、垂直となる。第２のＳＡＷ３は、基板のＸ軸に対して−４５°で傾く主軸を有する。第３のＳＡＷ４は、各ＳＡＷが平行とならないように、第２および第３のＳＡＷの両方の主軸に対して、主軸が好ましくは０〜３０°の範囲内の角度で傾くように配置される。第３のＳＡＷ４は、温度測定を可能にする。 （もっと読む）

モノリシック電子デバイスは、基板と、基板上に形成された半絶縁圧電ＩＩＩ族窒化物エピタキシャル層と、エピタキシャル層上に表面弾性波デバイスを形成する一対の入力および出力インターディジタル変換器と、基板上に形成された少なくとも１つの電子デバイス（ＨＥＭＴ、ＭＥＳＦＥＴ、ＪＦＥＴ、ＭＯＳＦＥＴ、フォトダイオード、ＬＥＤなど）とを含む。電子デバイスをＳＡＷデバイスから、反対にＳＡＷデバイスを電子デバイスから電気的かつ音響的に分離するための分離手段が開示される。いくつかの実施形態ではＳＡＷデバイスと電子デバイスとの間にトレンチが形成される。さらに、その上にＳＡＷデバイスを製造することができる半絶縁ＩＩＩ族窒化物エピタキシャル層を形成するためのイオン注入が開示される。インターディジタル変換器に隣接した吸収および／または反射部品が、ＳＡＷデバイスの動作を妨害する可能性がある不要な反射を低減させる。
（もっと読む）

【課題】 デュアルトラック型トランスバーサル弾性表面波フィルタの帯域幅を広げる手段を得る。
【解決手段】 圧電基板上に３つのＩＤＴ電極を配置して第１のトランスバーサル型弾性表面波フィルタを形成し、該第１のトランスバーサル型弾性表面波フィルタに平行して３つのＩＤＴ電極を配置して第２のトランスバーサル型弾性表面波フィルタを形成し、第１及び第２のトランスバーサル型弾性表面波フィルタを並列接続して構成するデュアルトラック型トランスバーサル弾性表面波フィルタであって、前記第１のトランスバーサル型弾性表面波フィルタの電極間間隙ｄ１と第２のトランスバーサル型弾性表面波フィルタの電極間間隙ｄ３とを互いに異ならせたことを特徴とする弾性表面波フィルタ。 （もっと読む）