【課題】 高周波を直接発振させることができると共に、ＡＴカット振動子並みの周波数精度が得られ、発振器を構成した場合において位相雑音やジッタ特性が良好な弾性波素子を提供することである。
【解決手段】 基板内部を板波が伝搬するようにオイラー角（０±２°、３５〜４０°、０±２°）によってカット形成された水晶基板１２と、この水晶基板１２の表面に板波を励振させる少なくとも１つの櫛形励振電極１３と、裏面に周波数の調整を行う周波数調整膜１４とを備え、位相速度が４５００〜６０００ｍ／ｓの範囲にある板波の温度特性が２５℃付近に変曲点を持つ略３次温度特性になるように櫛形励振電極１３と周波数調整膜１４の膜厚を調整した。 （もっと読む）

【課題】設計段階で所望の微小な差周波を得られるようにすることと、２つの弾性表面波素子の共振周波数を同程度に近づけることとの両立を図る。
【解決手段】第１、第２ＳＡＷ共振子２、４の両者における櫛歯電極１２、１３および反射器１４、１５を構成する各電極のピッチｐ１、ｐ２を同一としつつ、両者における各電極の交差指幅Ｌ１、Ｌ２を異ならせる。第１、第２ＳＡＷ共振子２、４をこのような構造とすることで、第１ＳＡＷ共振子２を有する第１発振回路の発振周波数と、第２ＳＡＷ共振子４を有する第２発振回路の発振周波数とを異ならせることができ、両方の発振周波数の差である差周波を微小な周波数に設定することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ラム波デバイスの高周波特性を量産においても高い歩留まりで実現するために、製造ばらつきの影響を最小にする設計・製造の最適化を提供する。
【解決手段】圧電基板の一方の主面に設けられる複数の電極指を間挿してなるＩＤＴ電極２０と、前記ＩＤＴ電極２０のラム波の伝播方向両側に配設される一対の反射器２５，２６と、を備えるラム波型共振子１であって、前記圧電基板の厚さｔが、励振させる前記ラム波の波長をλとすると、０＜ｔ／λ≦３で表される範囲にあり、前記ＩＤＴ電極の前記電極指の幅をＷとしたときの、Ｗ／（λ／２）＝ηで表されるメタライゼーションレシオηの基準値η０と、前記ＩＤＴ電極の電極膜厚Ｈを前記波長λにより規格化したＨ／λの関係が以下を満たす。η０＝−６９１．６６６７（Ｈ／λ）³＋１．３９２９（Ｈ／λ）²＋１．５３３１（Ｈ／λ）＋０．２０８１ （もっと読む）

【課題】ＳＴカット弾性表面波共振子と比べて小型の弾性表面波共振子を提供する。
【解決手段】弾性表面波共振子は、水晶基板１０上に形成され、ＳＨタイプの弾性表面波の位相伝搬方向に沿った周期λｉ内に対数が２対以上、本数が４本以上の電極指２０２，２０３が配置されたすだれ状電極２０と、水晶基板１０上において位相伝搬方向におけるすだれ状電極２０の両側にそれぞれ配置されるように形成され、位相伝搬方向に沿った周期λｒ内のメタライゼーションレシオηｒが（λｉ／λｒ）×ηｒ≧０．６の関係式を満足する電極指３００，３０１が配置された反射器３０，３１とを備える。すだれ状電極２０と反射器３０，３１とは、導電性重金属を主成分とする金属からなり、すだれ状電極２０の電極厚みＨと周期λｉとの比Ｈ／λｉは、０．０１４以上０．０２６以下である。 （もっと読む）

【課題】化学的ウエットエッチング方式が適用可能なオイラー角の水晶基板を用いた高周波共振器の提供。
【解決手段】水晶基板１上に少なくとも一つのラム波型弾性波を発生させるすだれ状電極２又は該電極２と反射器３が配置され、該水晶基板１のカット面及びラム波型弾性波の伝搬方向がオイラー角表示（λ，μ，θ）で所定の関係を満たす様に構成されるラム波型弾性波素子。 （もっと読む）

【課題】増幅度を高めるためにバイアス電圧を高めたとしても半導体において生じた熱を速やかに放散することができ、従って半導体による増幅作用を安定にかつ確実に利用することができる弾性波装置を得る。
【解決手段】圧電基板２と、前記圧電基板２の上に形成されている誘電体層１４と、前記圧電基板２と前記誘電体層１４との間の境界に形成されているＩＤＴ電極３，４と、前記誘電体層１４に接するように設けられた半導体層９とを備え、前記圧電基板２と前記誘電体層１４との間の境界を伝搬する弾性境界波を利用した弾性境界波装置であって、前記半導体層９は、前記弾性境界波によって発生する電界と、前記半導体層９中のキャリアとが結合するように設けられており、前記半導体層中のキャリアの移動速度が、前記弾性境界波の伝搬速度よりも高い、弾性境界波装置１。 （もっと読む）

【課題】良好な周波数温度特性を実現することのできる弾性表面波共振子を提供する。
【解決手段】上記課題を解決するためのＳＡＷ共振子は、オイラー角（−１°≦φ≦１°，１１７°≦θ≦１４２°，４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）の水晶基板３０を用い、ＡｌまたはＡｌを主体とした合金により構成されてストップバンド上端モードのＳＡＷを励振するＩＤＴ１２と、ＩＤＴ１２を構成する電極指１８間に位置する基板を窪ませた溝３２を有するＳＡＷ共振子１０であって、ＳＡＷの波長をλ、溝３２の深さをＧとした場合に、


を満たし、かつ、ＩＤＴ１２のライン占有率をηとした場合に、溝３２の深さＧと前記ライン占有率ηとが


の関係を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＬＢＯ基板の水に対する潮解性を防止しつつ温度特性を限りなく小さくでき、周波数帯２〜３ＧＨｚでの良好な特性を持つ表面弾性波装置を提供する。
【解決手段】本発明の表面弾性波装置１は、オイラー角（０°，３５〜５０°，９０°）のＬＢＯ基板１０と、ＬＢＯ基板１０の表面に設けられ、ＫＨ０．０５〜０．１０の酸化膜あるいは窒化膜からなる保護膜１１と、保護膜１１上に設けられ、ＫＨ０．０４〜０．１５の電極２０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】周波数を有効かつ十分に可変制御し得るＳＡＷ素子及びＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】ＳＡＷ素子１は、水晶からなる圧電基板２の主面に、ＳＡＷを励振するためのＩＤＴ３とヒータ電極５ａ，５ｂとを設け、該ヒータ電極をＩＤＴに対してＳＡＷ伝搬方向と直交する向きの両側に配置した。ＳＡＷ素子の動作温度範囲は、圧電基板の周波数温度特性が２次曲線又は３次曲線で表される場合に、その極値を含まないように設定し、該２次曲線又は３次曲線が温度の上昇に関して常に負方向に変化するようにする。 （もっと読む）

【課題】圧電基板の平面寸法を大型化することなく、周波数を有効かつ十分に可変制御し得るＳＡＷ素子及びＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】ＳＡＷ素子１は、水晶からなる圧電基板２の主面に、ＳＡＷを励振するためのＩＤＴ３と、ＩＤＴに対してＳＡＷ伝搬方向の両側に配置した反射器５，６と、反射器の少なくとも一部から構成されるヒーター電極１０とを備える。ＳＡＷ素子の動作温度範囲は、圧電基板２の周波数温度特性が２次曲線又は３次曲線で表される場合に、その極値となる温度を含まないように設定し、該２次曲線又は３次曲線が温度の上昇に関して常に正方向に変化するようにする。 （もっと読む）

【課題】圧電基板と絶縁体基板とが接着剤を介して貼り合わされた複合化された圧電基板の製造方法において、安価な絶縁体基板を用いたとしても熱処理後のソリの量が小さく、かつソリの大きさのバラツキが小さく安定している複合化された圧電基板の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、圧電基板と絶縁体基板のどちらか一方の主表面に接着剤を塗布する第１の工程と、前記接着剤を介して前記圧電基板と前記絶縁体基板とをお互いに貼り合わせる第２の工程と、前記貼り合わせた基板の温度を２５±５℃となるように制御して、前記接着剤に紫外光を照射して該接着剤を硬化させる第３の工程と、前記貼り合わせた基板を所望の厚さまで研削する第４の工程と、該研削後の貼り合わせた基板を加熱して前記接着剤を完全に硬化させる第５の工程と、を具備することを特徴とする複合化された圧電基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】弾性波デバイスに利用される複合基板であって、耐熱性の優れたものを提供する。
【解決手段】複合基板１０は、弾性波を伝搬可能な圧電基板１２と、該圧電基板１２よりも熱膨張係数の小さな支持基板１４とが接合されたものである。この複合基板１０の面内における最も大きな熱歪み量である面内最大熱歪み量は、圧電基板１２と支持基板１４とを相対的に０〜３６０°回転させたときに最小値と最大値をとるが、圧電基板１２と支持基板１４とは、面内最大熱歪み量が最小値又はその近傍になるように接合されている。 （もっと読む）

【課題】良好な周波数温度特性を実現することのできる弾性表面波共振子を提供する。
【解決手段】上記課題を解決するためのＳＡＷ共振子は、オイラー角（−１°≦φ≦１°，１１７°≦θ≦１４２°，４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）の水晶基板３０を用い、ストップバンド上端モードのＳＡＷを励振するＩＤＴ１２と、ＩＤＴ１２を構成する電極指１８間に位置する基板を窪ませた溝３２を有するＳＡＷ共振子１０であって、ＳＡＷの波長をλ、溝３２の深さをＧとした場合に、
【数３５】


を満たし、かつ、ＩＤＴ１２のライン占有率をηとした場合に、溝３２の深さＧと前記ライン占有率ηとが
【数３６】


の関係を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ラム波の伝搬方向に垂直方向の振動漏れを抑制するラム波型共振子を提供する。
【解決手段】ラム波型共振子１は、電極指片２１ａ〜２１ｃ，２２ａ，２２ｂの一方の端部を接続するバスバー電極２１ｄ，２２ｃを有し、前記複数の電極指片の先端部を互いに間挿してなるＩＤＴ電極２０と、一対の反射器２５，２６と、が水晶基板１０の一方の主面に設けられ、ラム波の波長をλとすると、水晶基板の厚さｔが、０＜ｔ／λ≦３であり、電極指片の交差領域の電極指片の線幅比η＿ＩＤＴ、波長λで規格化した規格化電極膜厚Ｈ＿ＩＤＴ／λ、ギャップ部の電極指片の線幅比η＿ｇ、波長λで規格化した規格化電極膜厚Ｈ＿ｇ／λ、とすると、η＿ＩＤＴ＝η＿ｇ＝０のときの周波数Ｆを基準とした場合の前記交差領域での周波数変化ΔＦ＿ＩＤＴ／Ｆと、前記ギャップ部での周波数変化ΔＦ＿ｇ／Ｆと、の関係が、ΔＦ＿ＩＤＴ／Ｆ＜ΔＦ＿ｇ／Ｆ、を満たす。 （もっと読む）

【課題】周波数温度特性を改善することができ、かつ高次モードスプリアスを充分に抑圧することが可能とされている、弾性波装置を得る。
【解決手段】ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体２と、圧電体２上に積層されたＳｉＯ_２層６と、圧電体２とＳｉＯ_２層６との界面に設けられたＩＤＴ電極３とを備え、ＬｉＮｂＯ_３のオイラー角（φ，θ，ψ）のφ及びθが、それぞれφ＝０°及び８０°≦θ≦１３０でありＳＨ波を主成分とする弾性波を用いる弾性波装置において、ψが、５°≦ψ≦３０°の範囲内にされている弾性波装置１。 （もっと読む）

機械共振構造体、並びに関連する機器および方法が記載される。機械共振構造体は、温度変化を補償する補償構造を有する。
（もっと読む）

【課題】圧電基板に水晶基板を用い、ＳＨ波を利用した、端面反射波の影響が少なく、小型化したＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１０は、水晶基板７１と、水晶基板上に形成されＡｌ又はＡｌを主成分とする合金からなるＩＤＴ電極７２とを備え、水晶基板は、そのカット角θを結晶Ｘ軸を回転軸とした結晶Ｚ軸の回転角度とし、結晶＋Ｚ軸から結晶＋Ｙ軸側へ回転させる方向を前記カット角が負となる回転方向とした時に、カット角を結晶Ｚ軸より−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°とした水晶平板であり、励振する弾性表面波の波長をλとした時、ＩＤＴ電極の波長で基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２とした励振波をＳＨ波としたＳＡＷデバイスであって、弾性表面波の伝搬方向と水晶基板の長辺方向の間のなす傾斜角θ_Eを０°＜θ_E＜３°とする。 （もっと読む）

【課題】電極指の線幅が変動した場合における周波数変動量の差を少なくし、量産化に適した弾性表面波デバイスを提供する。
【解決手段】少なくともＲａｙｌｅｉｇｈ型弾性表面波を励振させるための電極パターン１４としてのＩＤＴ１６を備え、前記弾性表面波のストップバンドの上限モードを励振させる弾性表面波デバイス１０であって、ＩＤＴ１６を形成するための圧電基板１２として、（φ，θ，ψ）で示すオイラー角表示で（０°，９５°≦θ≦１５５°，３３°≦｜ψ｜≦４６°）のカット角で切り出された水晶基板を採用し、ＩＤＴ１６を構成する櫛歯状電極１８（１８ａ，１８ｂ）の電極指間に電極指間溝（溝２８）を形成することで、溝２８で挟まれた水晶部分を電極指台座３０とし、電極指台座３０の上面に電極指２２が位置する構成としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
移動体通信分野で使用できるＯＦＤＭシステム用ＳＡＷチャープＺ変換を実現する。
【解決手段】
ダウンチャープ特性を有するＳＡＷチャープフィルタの前後にチャープ信号を発生させる電気回路が接続されたＳＡＷチャープＺ変換器から構成されるＯＦＤＭシステムでＳＡＷチャープフィルタの遅延時間がゼロ温度特性を有するＳＡＷチャープＺ変換を用いる。
【効果】以上のとおり、本発明のＳＡＷチャープＺ変換を用いたＯＦＤＭシステムは、移動体通信分野の信号処理に適用できる弾性表面波を用いてコンボリューションを行う遅延時間がゼロ温度特性を有するＳＡＷ分散型遅延線から構成されてなるＳＡＷチャープＺ変換を用いたＯＦＤＭシステムであり、その工業的価値は極めて高い。 （もっと読む）

【課題】フィルタ帯域の急峻化や、比帯域幅の異なる複数帯域のフィルタ、共振子を単一基板上に得ることで、小型で高性能な弾性境界波を用いた弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】単結晶基板４上に固体層５が積層されており、単結晶基板４と固体層５との境界に電極が配置されている弾性境界波装置であって、カット角が同じ単結晶基板４を用いて構成された複数の弾性境界波素子２，３が備えられており、弾性境界波素子２の伝搬方位は、弾性境界波素子３の伝搬方位と異なっている、弾性境界波装置１。 （もっと読む）