【課題】ＬＢＯ基板からなる圧電基板上にＩＤＴを形成したトランスバーサル型ＳＡＷフィルタにおいて周波数温度特性を向上させる。
【解決手段】カット面及びＳＡＷ伝搬方向がオイラー角（φ，θ，ψ）表示でφ＝（２７．１５±８．３５°）＋９０°×ｎ、（但し、ｎ＝０〜３）又はφ＝（６２．８５±８．３５°）＋９０°×ｎ、（但し、ｎ＝０〜３）、θ＝９０±７．５°、及びψ＝９０±１２°であるＬi₂Ｂ₄Ｏ₇からなる圧電基板２上に、レイリーＳＡＷを励振する一方向性の入力用及び出力用ＩＤＴ３，４をＳＡＷ伝搬方向に沿って配置する。 （もっと読む）

【課題】電極指の線幅が変動した場合における周波数変動量の差を少なくし、量産化に適した弾性表面波デバイスを提供する。
【解決手段】少なくともＲａｙｌｅｉｇｈ型弾性表面波を励振させるための電極パターン１４としてのＩＤＴ１６を備え、前記弾性表面波のストップバンドの上限モードを励振させる弾性表面波デバイス１０であって、ＩＤＴ１６を形成するための圧電基板１２として、（φ，θ，ψ）で示すオイラー角表示で（０°，９５°≦θ≦１５５°，３３°≦｜ψ｜≦４６°）のカット角で切り出された水晶基板を採用し、ＩＤＴ１６を構成する櫛歯状電極１８（１８ａ，１８ｂ）の電極指間に電極指間溝（溝２８）を形成することで、溝２８で挟まれた水晶部分を電極指台座３０とし、電極指台座３０の上面に電極指２２が位置する構成としたことを特徴とする。 （もっと読む）

ごくわずかな揮発で一致溶融する化合物から結晶を成長させる方法を提供する。１又はそれ以上の結晶試料の組成を測定する。結晶組成の一致状態からの偏差を求める。初期溶融物組成及び原料物質組成の偏差に対する補正を決定する。この組成の補正を使用して結晶を成長させ、表面弾性基板製造のための再現性のある材料を生み出す。 （もっと読む）

【課題】共振周波数の温度特性と反共振周波数の温度特性との差を小さくすることができる弾性波素子を実現する。
【解決手段】圧電基板５と、圧電基板５上に形成された櫛形電極２と、櫛形電極２を覆うように圧電基板５上に形成された誘電体層２１とを備えた弾性波素子であって、圧電基板５上に形成された誘電体層２１の厚さは、櫛形電極２の厚さと櫛形電極２上に形成された誘電体層２１の厚さとの和より大きいことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】ＳＡＷデバイスの圧電基板上に設けたヒータ電極による熱応力の影響を解消して周波数安定性を向上させる。
【解決手段】
ＳＡＷデバイスは、圧電基板１２の主面にＩＤＴ１３及び反射器１４，１５を有しかつその裏面にヒータ電極１６を有するＳＡＷ素子１１を、ＳＡＷ伝搬方向の一方の端部１２ａで接着剤１７により片持ちに支持する。ヒータ電極１６は、ＳＡＷ素子の平面においてＩＤＴの位置よりもＳＡＷ伝搬方向の端部１２ａ側に配置される。ＳＡＷ伝搬方向の端部１２ａ側の反射器１５を、接着剤で浮かせたＳＡＷ素子の部分に配置することにより、ＩＤＴからより離すようにヒータ電極を配置することができる。 （もっと読む）

【課題】ＳＡＷデバイスの圧電基板上に設けたヒータ電極による熱応力の影響を解消して周波数安定性を向上させる。
【解決手段】
圧電基板２上にＩＤＴ３及び反射器４，５を有するＳＡＷ素子１をＳＡＷ伝搬方向の一方の端部２ａで接着剤９により片持ちに支持したＳＡＷデバイスは、ヒータ電極６がＳＡＷ素子の平面において、その全部を端部の接着剤を塗布した領域に重なるように、又は隣接する一方の反射器と接着剤を塗布した領域との間に配置される。ＩＤＴ及び反射器は、接着剤で浮かせたＳＡＷ素子の他の部分に配置される。 （もっと読む）

【課題】ＳＡＷデバイスの圧電基板上に設けたヒータ電極による熱応力の影響を解消して周波数安定性を向上させる。
【解決手段】
圧電基板２，１２上にＩＤＴ３，１３及び反射器４，１４を備えるＳＡＷ共振子１，１１において、圧電基板の弾性表面波伝搬方向の長さＬ及び厚さＴを、ヒータ電極５を圧電基板の主面に形成したときは、Ｔ／Ｌが０．０６５以下となるように、ヒータ電極１５を圧電基板の裏面に形成したときは、Ｔ／Ｌが０．１２９以上となるように設定する。 （もっと読む）

【課題】温度変化による伸縮が十分に抑えられる圧電素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】圧電基板１は、基材１１と、基材１１の一方の主面上に形成された膜１２とから主に構成されている。基材１１において、膜１２を形成する主面は、鏡面化された主面１１ａである。この圧電基板１は、基材１１の線膨張係数よりも小さい線膨張係数を有する材料で構成された膜１２を、鏡面化された主面１１ａ上にスラリーを用いたコーティング法により直接形成することにより得られる。 （もっと読む）

【課題】電気機械結合係数Ｋ²が大きくスプリアスが少ないＳＨ型バルク波共振子を提供する。
【解決手段】水晶基板１１のカット面および弾性波伝搬方向をオイラー角表示で（０°，θ，ψ）とするとき、ψが約＋９０度または約−９０度である水晶基板１１に少なくとも一つのＩＤＴ電極１２を配置してなるＳＨ型バルク波共振子１０において、ＩＤＴ電極１２がアルミニウムであって、オイラー角表示の角度θが９５°＜θ＜１５１°であり、水晶基板１１の厚みをｔ、弾性波の波長をλとしたとき、規格化基板厚みｔ/λがｔ/λ≦４である。 （もっと読む）

【課題】樹脂封止工程を実施する際に使用する樹脂シートの肉厚を集合基板の表裏面に印刷したダイシング・マークに印刷ずれを考慮して設定することにより、気密空間部への樹脂の浸入がなく、かつ、ダイシングによる端子電極等の切損を阻止可能とする。
【解決手段】圧電部品製造方法は、セラミック基板３にバンプ５付のＳＡＷチップ２をフリップチップ実装する工程と、実装済の集合基板に樹脂シート６を加熱軟化して貼付け、更に加熱硬化にて樹脂封止する工程と、封止・硬化した実装済の集合基板の裏面にダイシング・マークを設け、該ダイシング・マークを用いて集合基板を個片１に切断する工程と、を備え、樹脂封止する工程前の樹脂シート６の厚みが、チップ寸法、表裏ずれ、切断しろ、ＳＡＷデバイス寸法、樹脂封止層厚等間の所定の関係式で規定される。 （もっと読む）

【課題】耐電力特性を向上させつつ、動作周波数の高周波数化を図ることができる弾性表面波素子、および、この弾性表面波素子を備える信頼性に優れた電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の弾性表面波素子１は、ダイヤモンドで構成された硬質層３上に、ＺｎＯで構成された圧電体層４と、Ａｌで構成された櫛歯状電極５、６を備える電極層１０と、ＳｉＯ_２で構成された保護層９とがこの順に積層され、電極層１０の平均層厚をＴ_１、圧電体層４の平均層厚をＴ_２、保護層９の平均層厚をＴ_３、圧電体層４の３次モードの弾性表面波の波長をλ、（２π／λ）をｋとしたときに、下記（１）〜（３）のそれぞれの関係式を満たすことを特徴とする弾性表面波素子。
０．００１≦ｋＴ_１≦０．０２・・・・・・・（１）
１．３≦ｋＴ_２≦２．０・・・・・・・・・・（２）
０．５≦ｋＴ_３≦１．２・・・・・・・・・・（３） （もっと読む）

【課題】小型で広い温度範囲にわたり周波数温度特性に優れたＳＡＷ共振子を提供する。
【解決手段】水晶基板５にＩＤＴ２０が形成され、ＩＤＴ２０の上側および下側のストップバンド付近に共振を有し水晶基板５が斜対称性を備えたＳＡＷ共振子１０であって、前記上側のストップバンド付近の共振が有する高次モードの共振周波数と、前記下側のストップバンド付近の共振が有する基本波モードの共振周波数とを一致させて結合状態を形成した。 （もっと読む）

【課題】使用温度範囲が広く、周波数温度特性が優れる高精度で小型の結合型ＳＡＷ共振子を提供する。
【解決手段】結合型ＳＡＷ共振子１０は、オイラー角表示（φ，θ，ψ）で表されるＳＨカットの水晶基板１００の主面上に、特定の方位に主ＩＤＴ電極１２１、副ＩＤＴ電極１２２と反射器１２３，１２４とを配設した２ポート型の第１共振子１２０と、主ＩＤＴ電極１３１、副ＩＤＴ電極１３２と反射器１３３，１３４と、を配設した２ポート型の第２共振子１３０とを近接して設け、且つＳＨ波の伝搬方向に平行に並設し、第１共振子１２０を縦方向のＬＳ０モードで動作させ、第２共振子１３０を縦方向のＬＡ０モードで動作させ、ＩＤＴ電極の線幅Ｌ１，Ｌ２を異ならせてＬＳ０モードとＬＡ０モードの基本周波数を略一致させたうえで、ＬＳ０モードとＬＡ０モードとを弾性結合状態で動作させる。このことにより、温度特性カーブを平坦化することができる。 （もっと読む）

【課題】検出感度が高く、取り扱いが容易なラム波型高周波センサデバイスを提供する。
【解決手段】表裏に主面１４，１５を有する圧電基板１１と、圧電基板１１の一方の主面１４に形成されたラム波を励振するＩＤＴ電極１２と、を備え、圧電基板１１の一方の主面１４に対向する他方の主面１５が物理量を検出する検出面であるように構成した。このように、ラム波を利用することで、従来方式のバルク波を用いた共振子または弾性表面波を用いた共振子より高い周波数で動作させることが可能となり、検出感度が高いラム波型高周波センサデバイス１０を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 周波数温度特性に優れた薄膜構造の高結合擬似弾性表面波基板および高周波帯の挿入損失を低下させる弾性表面波機能素子を提供する。
【解決手段】 LiNbO₃基板上にSiO₂膜の薄膜層を形成するとともに、前記LiNbO₃基板の回転Ｙ板のカット角度を−１０度から＋３０度とし、前記薄膜層の膜厚寸法をＨ、前記弾性表面波の動作中心周波数の波長をλとしたときに、Ｈ／λの値を０．１１５から０．３１とした。その結果、レーレー型の弾性表面波よりも早い速度の擬似弾性表面波に対する電気機械結合係数ｋ^２を０．２０以上にでき、かつ周波数温度特性を−３０から＋３０ppm／℃の各範囲とすることができ、電気機械結合係数ｋ^２が大きく、周波数温度特性の優れた機能素子を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】水晶基板を用いたＳＡＷデバイスにおいて、容量比γを小さくし、周波数制御性
を高めたＳＡＷデバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】圧電基板１は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｚ軸より反時計方
向に−６１．４°＜θ＜−５１．１°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結
晶Ｘ軸に対し９０°±５°にした水晶平板であり、励振する弾性表面波はＳＨ波である。
また、ＩＤＴ２及びグレーティング反射器３ａ、３ｂはＡｌ又はＡｌを主成分とする合金
からなり、弾性表面波の波長λで基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１
２に設定する。そして、前記ＩＤＴを構成する電極指のライン占有率ｍｒを電極指幅／（
電極指幅＋電極指間スペース）とした時に、前記ライン占有率ｍｒを０．５３≦ｍｒ≦０
．６５、又は０．５５≦ｍｒ≦０．６８に設定する。 （もっと読む）

【課題】高精度な共振周波数、優れた周波数温度特性のラム波型高周波共振子を簡単な構造で実現する。
【解決手段】ラム波型高周波共振子１０は、水晶からなる圧電基板２０と、圧電基板２０の表面２１に形成される櫛歯状のＩＤＴ電極３０と、圧電基板２０の裏面２２の少なくともラム波が伝搬する領域に、圧電基板２０の材質とは密度が異なる材質からなる調整膜６０が形成されている。この調整膜６０の厚さｔを適切に制御することにより、高精度な共振周波数、優れた周波数温度特性のラム波型高周波共振子１０を簡単な構造で実現する。 （もっと読む）

【課題】 周波数温度特性に優れた薄膜構造の高結合擬似弾性表面波基板および高周波帯の挿入損失を低下させる弾性表面波機能素子を提供する。
【解決手段】 LiNbO₃基板上にSiO₂膜の薄膜層を形成するとともに、前記LiNbO₃基板の回転Ｙ板のカット角度を−１０度から＋３０度とし、前記薄膜層の膜厚寸法をＨ、前記弾性表面波の動作中心周波数の波長をλとしたときに、Ｈ／λの値を０．１１５から０．３１とした。その結果、レーレー型の弾性表面波よりも早い速度の擬似弾性表面波に対する電気機械結合係数ｋ^２を０．２０以上にでき、かつ周波数温度特性を−３０から＋３０ppm／℃の各範囲とすることができ、電気機械結合係数ｋ^２が大きく、周波数温度特性の優れた機能素子を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】周波数温度係数（ＴＣＦ）をおよび損失を抑制することが可能な弾性波デバイス、共振器およびフィルタを提供すること。
【解決手段】本発明は、圧電材料（１０）上に設けられた櫛形電極（１２）と、櫛型電極の電極指（１２）上に設けられた空隙（２０ａ）を有し、電極指（１２）を被覆するように設けられた第１誘電体膜（１４）と、を具備する弾性波デバイス、共振器およびフィルタである。本発明によれば、櫛型電極の電極指を被覆するように第１誘電体膜が設けられることにより、ＴＣＦを改善することができる。さらに、第１誘電体膜が櫛型電極の電極指上に空隙を有することにより、挿入損失を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】良好な周波数温度特性と広い周波数帯域を有し、簡素な構成で小型化を実現するラム波型高周波共振子を用いた変調器を提供する。
【解決手段】変調器１は、水晶基板２０の主面に、一組の櫛歯状のＩＤＴ電極３０と該ＩＤＴ電極のラム波の進行方向両側に配設される反射器４０，５０とを有するラム波型高周波共振子１０と、ＩＤＴ電極３０と接続される第１発振回路８０、第２発振回路８１と、入力端子９６から入力されるデジタル変調信号に対応して第１発振回路８０、第２発振回路８１からの出力信号を選択出力する切替回路９０と、が備えられ、選択された出力信号を出力端子９５から出力する。 （もっと読む）