【課題】 ベースまたはリッド部材とリッドまたはベース部材を気密封止した電子部品用パッケージにおいて、一方の部材に透明ガラス基板を用いたＧＴＭＳ構造とするものを提供する。
【解決手段】 電子部品用パッケージはベース部材１０とリッド部材２０からなり、ベース部材１０上に水晶片３０を搭載配置して構成される。ここで、ベース部材１０は、封着合金に４２アロイの金属フレーム１２と内部電極１４が接続した貫通導体を有するほう珪酸ガラス材のガラス基板１６からなり、水晶片３０を搭載位置にはガラス基板１６の略中央には窪み１８のスペース空間を形成する。 （もっと読む）

【課題】所定の噴霧量を確保しつつ、圧電振動子に印加する電圧の周波数を個々の圧電振動子の共振周波数に調整する調整工程や再調整を不要とする圧電振動子の駆動制御方法及び噴霧装置を提供する。
【課題手段】
液体を霧状に噴霧するビートプレートと、前記ビートプレートを振動させる圧電振動子と、前記圧電振動子を駆動する駆動手段と、を備え、前記駆動手段は、前記圧電振動子の振動周波数を所定範囲の周波数域内でスイープさせて前記圧電振動子を駆動する。ここで、前記圧電振動子の共振周波数は、前記圧電振動子の振動周波数である前記所定範囲の周波数域内に含まれ、特に、前記圧電振動子の振動周波数である前記中心周波数は、前記圧電振動子の共振周波数に略等しい。 （もっと読む）

【課題】本発明は振動特性を良好に維持して電気的短絡を防止した、共晶合金によっての封止とする表面実装水晶デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】開口端面に環状のＡu膜を有する矩形状とした凹状の容器本体内に少なくとも水晶片を収容して前記容器本体内の一端側に設けられた水晶保持端子に電気的・機械的に接続し、前記容器本体の開口端面に少なくとも外周に環状のＡu膜を有する金属カバーをＡuを含む共晶合金の加熱溶融によって接合し、前記金属カバーは前記容器本体の角部の枠壁内周に露出した垂直方向の導電路によって前記容器本体の底面に設けたアース用の実装端子に電気的に接続した表面実装水晶デバイスの製造方法において、前記共晶合金は前記金属カバーの外周又は前記容器本体の開口端面における各角部の塗布量を各辺の中央領域を少なくして加熱溶融した構成とする。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、外部環境の影響を受けない小型の発振器を得ることができる圧電発振器を提供することにある。
【解決手段】
実装回路基板に実装する電極端子１９を有し、上部に凹部開口部１５のある収納容器に半導体部品７を実装した第１の容器１０と、圧電素板に励振電極を形成した圧電振動子５を密閉容器に実装した第２の容器１で、第１の容器１０の開口部１５上部に第２の容器１を搭載し、電気的な接続を含めて接合した圧電発振器において、
第１の容器１０の半導体部品７を実装する収納容器周囲に半導体部品７を実装する面から開口部１５に延びる壁部１６を設けた。 （もっと読む）

【課題】水晶振動子機能または水晶発振器機能を有する究極の水晶モジュールを実現すること。
【解決手段】上側のシリコン素子４０１と下側のシリコン素子４０６が接合箇所４０７、４０８で組合され、真空または不活性ガス（Ｎ２、Ａｒ、Ｈｅ）雰囲気中で、３７０℃の温度で金Ｓｉ共晶接合による拡散接合で一体化された状態の断面図である。接合面４１２、４１３は４０２、４０３のフィードスルー部から外部接続用電極ＰＡＤの接続状態を外観から目視で確認できる。４１６，４１７は水晶モジュールの実装用の金電極ＰＡＤである。接合チップ内部に収納される水晶板４１１は、収納された空間４０５、４０９内にあることから、水晶板４１１の外周部を薄膜からなるハニカム構造で保持し、上下に設けられた励振用ギャップ電極４０４、４１０から高周波電界で励振される厚み振動は妨害されない。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、外部環境の影響を受けない小型の発振器を得ることができる圧電発振器を提供することにある。
【解決手段】
実装回路基板に実装する電極端子１９を有し、上部に凹部開口部１５のある収納容器に半導体部品７を実装した第１の容器１０と、圧電素板に励振電極を形成した圧電振動子５を密閉容器に実装した第２の容器１で、第１の容器１０の開口部上部に第２の容器１を搭載し、電気的な接続を含めて接合した圧電発振器において、
第１の容器１０の半導体部品７を実装する収納容器周囲に溝部２０を形成した。 （もっと読む）

【課題】水晶振動子に熱的なダメージを与えることなく、圧電振動子の金属ケースと熱源
体との間の熱抵抗を極力小さくすることができる高安定圧電発振器を提供する。
【解決手段】収納ケースにパワートランジスタ１３をハンダにより接続することにより熱
源ユニット５を構成し、この熱源ユニット５の振動子収納部２及びサーミスタ収納部３に
水晶振動子１２及びサーミスタ１８を収納する。熱源ユニット５に収納された水晶振動子
１２とサーミスタ１８は、プリント基板１１の下面側に配置され、水晶振動子１２のリー
ド端子１２ｂ及びサーミスタ１８のリード端子１８ｂが夫々プリント基板１１上の所定の
ランドに接続される。 （もっと読む）

【課題】特定物質の検出や物理量の測定をするセンサ用の音叉型圧電振動片および圧電振動子を提供する。また被検出物質を高精度に検出するセンサ検出回路を提供する。
【解決手段】音叉型圧電振動片１０は基部１２と、この基部１２から突出した複数の振動腕１４とを備えている。この基部１２と振動腕１４は圧電材料で形成されている。そして励振電極１６を振動腕１４に設けるとともに、励振電極１６と導通したマウント電極１８を基部１２に設けている。また励振電極１６の少なくとも一部に触媒材２０が設けてある。音叉型圧電振動片１０は屈曲振動をするので、振動腕１４に応力が加わる箇所、すなわち振動腕１４の側面１４ｆに触媒材２０を設ければよい。そして触媒材２０を白金またはパラジウムにすると、可燃性ガスを検出できる。 （もっと読む）

【課題】接合品質を保持しつつ、小型、薄型化を実現する。
【解決手段】第１機能素子を有する第１部材５に形成された第１接続端子５４と、第２機能素子９１を有する第２部材９７に形成された第２接続端子３とが電気的に接続される。第１接続端子５４は、第２接続端子３と対向領域の大きさが略同一で、且つ、対向領域の中央部が縁部に対して凹んだ凹形状に形成される。 （もっと読む）

【課題】圧電振動素子のマウント位置のバラツキによる浮遊容量のバラツキを低減するこ
とができる圧電振動子を提供する。
【解決手段】圧電基板１１と、圧電基板１１の表裏両面に夫々形成された励振電極１２、
１３と、励振電極１２、１３から夫々圧電基板１１の端面に引き出されたリード端子１２
ａ、１３ａとを備えた圧電振動素子１０と、上面に圧電振動素子１０のリード端子１２ａ
、１３ａが導電性接合部材６を介して夫々接合される素子搭載用パッド７ａ、７ｂを備え
た凹所３と、外部底面に設けられた複数の実装電極５ａ〜５ｄと、素子搭載用パッド７ａ
、７ｂと実装電極５ａ、５ｂとを接続する内部配線とを有するパッケージ２とを備えた圧
電振動子１であって、実装電極５ａと素子搭載用パッド７ａとを接続する内部配線８ａが
励振電極１２、１３と対面すると共に、内部配線８ａと励振電極１２、１３間の距離が一
定となるように配置した。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、取り扱いが簡便で、かつ、生産性にも優れた小型の圧電発振器を提供することにある。
【解決手段】
圧電素板１１に励振電極１２を形成した圧電振動片８を密閉容器１に収納した圧電振動子１４と半導体回路部品３７とで構成される圧電発振器において、圧電振動子１４の下部に半導体回路部品３７の電極面を搭載し、圧電振動子１４の入出力端９と半導体回路部品３７は直接的に電気的接続が取られており、半導体回路部品３７の電極面からはリードフレーム３１を介して半導体回路部品３７の裏面に電極端子３８が引き回されている。 （もっと読む）

【課題】圧電デバイス以外の電子部品について調整及び／又は検査をする場合であっても、調整及び／又は検査の作業効率を向上させ、さらに、小型化を図ることができる電子モジュールを提供する。
【解決手段】回路基板３１に圧電デバイス２２，２４とその他の電子部品２３，２６，２７が搭載されている電子モジュールであって、電子部品２３は、その電気的特性を調整及び／又は検査するための調整端子２３ａ，２３ｂを有しており、圧電デバイス２２，２４は、圧電振動片が収容されたパッケージ２２ａ，２４ａを封止するための蓋体２２ｂ，２４ｂの主面が上向きに配置されており、蓋体２２ｂ，２４ｂが調整端子２３ａ，２３ｂと導通されている。 （もっと読む）

【課題】既存の製造ラインを利用して共振周波数が経時的に目標周波数より低下するのを
防止した圧電振動子の製造方法を提供する。
【解決手段】圧電振動素子１２をシリコーン接着剤１３にて絶縁容器１内に搭載する搭載
工程Ｓ１と、圧電振動素子１２の共振周波数を所定値に調整するため励振電極膜２１の厚
みを追加もしくは削減する周波数調整工程Ｓ２と、圧電振動素子１２を搭載した絶縁容器
１に金属リッド１５を仮付けする仮付け工程Ｓ３と、金属リッド１５を仮付けした絶縁容
器１を、窒素ガスとシリコーン蒸気とが満たされた雰囲気内に放置することにより絶縁容
器１内に窒素ガスとシリコーン蒸気とを封入する封入工程Ｓ６と、気密容器１を金属リッ
ド１５により封止する封止工程Ｓ７とからなる。 （もっと読む）

【課題】簡易な構造でＩＣ部品と実装端子とを確実に接続し、小型化および低背化が可能となる圧電デバイスを提供する。
【解決手段】外部接続バンプ４の一部が露出している絶縁部３表面の一つの平面に実装端子５が形成され、外部接続バンプ４に接続されている。このため、従来のように実装端子が導電性接着剤によりＩＣ部品の側面および底面にかけて形成された構造と比べて、圧電デバイスの外周面に実装端子を引き回さずに済み、簡易な構造でＩＣチップ２と実装端子５とを確実に接続することができる水晶発振器１０を提供することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＩＣチップ又はパッケージの反りならびに破損を回避し、薄型化が可能となる圧電デバイスを提供する。
【解決手段】パッケージ１に形成されている貫通部８の少なくとも一部を塞ぐようにして、ＩＣチップ２が第二凹部６内に配置され、接合力を有する樹脂等からなる接着剤により第二凹部６を構成する回路基板１２の下面に固定されている。そして、ＩＣチップ２と第二凹部６との間には、エポキシ樹脂等の接合力を有する樹脂からなる封止部７が形成されている。このようにして、貫通部８はＩＣチップ２と封止部７とにより塞がれている。このため、第二凹部６内にＩＣチップ２が配置された構造となっていることから、従来のように収納凹部を形成するパッケージ凹部の底面の上にＩＣチップが配置された構造と比べて、ＩＣチップ２又はパッケージ１の反りならびに破損を回避して収納凹部の底面の厚み分、水晶発振器１０の薄型化を実現できる。 （もっと読む）

【課題】横モードによる不要振動の発生を防いでスプリアスを抑制することができると共に、応力集中による信頼性低下を回避した圧電薄膜を有するデバイスを提供する。
【解決手段】本発明による音響共振器は、基板１０５と、基板１０５の上に形成された支持部１０４と、支持部１０４の上に形成された下部電極１０３と、下部電極１０３の上に形成された圧電体１０１と、圧電体１０１の上に形成された上部電極１０２とからなる。下部電極１０３、圧電体１０１、及び上部電極１０２は、振動部１０７を構成する。振動部１０７を支持する支持部１０４は、垂直断面の少なくとも１箇所が曲率を有した形状となるように形成される。 （もっと読む）

【課題】 振動片のマウント工程において、プラグのステム表面の半田メッキ層を溶融させることなく、インナーリードと振動片のマウント部とを半田接合することが可能な振動片のマウント装置とマウント方法、及びこれらを用いて製造した圧電振動子を提供する。
【解決手段】 プラグのインナーリードに、圧電材料からなる振動片のマウント部を接合する振動片のマウント装置であって、前記プラグを支持するプラグ支持体と、前記プラグ支持体に隣接して配置され、前記振動片を支持する振動片支持体と、前記振動片支持体の上方に配置され、前記インナーリードと前記マウント部に高温ガスを噴射するガス噴射手段と、前記ガス噴射手段と前記プラグ支持体との間に配置され、前記ガス噴射手段から噴射される高温ガスの、前記プラグ支持体側への回り込みを防止する高温ガス遮断手段と、を有する振動片のマウント装置とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、生産効率に優れ、生産性の高い水晶振動子の製造方法を提供することにあり、さらには、小型で精度の高い水晶振動子の製造方法を提供することにある。さらに、小型で精度の高い水晶振動子と物理量センサーを提供することにある。
【解決手段】水晶ウェハーを加工して、基部と基部から突出してなる振動脚を備えた水晶片を形成する水晶片形成工程と、基部を固定し振動脚を振動させて共振周波数を測定する振動測定工程と、水晶片の表面をウェットエッチング法によってエッチングして所望の共振周波数になるよう調整する追加エッチング工程と、所望の共振周波数に調整された水晶片上に電極を形成する電極形成工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】その目的は、電子部品素子の接続強度を維持することができる。
【解決手段】本発明の電子部品素子の接続構造において、配線基板は、電子部品素子を搭載するための搭載パターンが形成されており、前記電子部品素子を前記搭載パターンと接続されてなる電子部品素子の接続構造において、前記配線基板に形成されている搭載パターンが、該電子部品素子の側面とのみ接続されている。 （もっと読む）

【課題】気密封止におけるシーム溶接の接合強度が確保され、特性および信頼性に優れた圧電デバイスを提供する。
【解決手段】セラミック基板１０と、セラミック基板１０に固着された金属シールリング１２と、セラミック基板１０と金属シールリング１２によって画定された収容凹部１５に収容された水晶振動片１６と、金属シールリング１２と接合され収容凹部１５内を気密に封止する金属蓋体２０と、を備えた水晶振動子１であって、金属蓋体２０が金属シールリング１２の外形より大きな外形を有し、金属蓋体２０の外周縁が金属シールリング１２の側壁面に向かって曲折され、金属シールリング１２上面の外周縁にて金属蓋体２０とシーム溶接されており、この溶接状態は金属シールリング１２上面および側壁面と金属蓋体２０との間に形成されたＡｕとＮｉとを含む共晶合金にて接合されている。 （もっと読む）