【課題】回路規模の増大を抑えつつ適切な歪み補償を行うこと。
【解決手段】歪補償装置は、増幅部と、複数の歪補償係数記憶部と、第１アドレス生成部と、第２アドレス生成部と、歪補償部とを備える。増幅部は、入力信号を増幅する。複数の歪補償係数記憶部は、増幅部の歪みを補償するための歪補償係数を、異なる２つのアドレスに対応付けて記憶する。第１アドレス生成部は、現在の入力信号を基にして第１アドレスを生成する。第２アドレス生成部は、過去の入力信号を基にして第１アドレスと異なる第２アドレスを生成する。歪補償部は、第１アドレスおよび第２アドレスの組合せに対応する歪補償係数を各歪補償係数記憶部から取得し、取得した歪補償係数を用いて増幅部に入力される入力信号に対してプリディストーション処理を行う。 （もっと読む）

【課題】経時変化による出力変動を抑圧した送信装置を提供すること。
【解決手段】実施形態によれば、送信装置は、入力信号を増幅する増幅部と、入力信号に前置歪みを与えて増幅部の歪みを補償する補償部と、増幅部からの出力信号を分岐して補償部にフィードバックするループとを具備する。補償部は、データ生成部と、歪補償部とを備える。データ生成部は、入力信号に前置歪みを与えるために必要な補償データを、入力信号とフィードバックされた出力信号とを比較した結果に基づいて生成する。歪補償部は、補償データに基づいて入力信号に前置歪みを与える。ここに補償データは、第１乃至第３データを含む。第１データは、入力信号の入力振幅に依存する出力信号の出力振幅の非線形性を補償するためのデータである。第２データは、入力振幅に依存する出力信号の出力位相の非線形性を補償するためのデータである。第３データは、入力振幅に依存しない出力位相の非線形性を補償するためのデータである。 （もっと読む）

【課題】電力増幅器（パワーアンプ）を使用した真空管アンプにおいても、スピーカの周波数特性の影響を受ける装置を提供すること。
【解決手段】真空管アンプ２０からの出力電圧のレベルをレベル調整部３０で調整しこれを電力増幅部４０に入力する。電力増幅部４０の正相電圧増幅器４１によって、スピーカ５０に電流が供給されスピーカ５０を駆動する。このスピーカ５０の駆動電流は電流検出部６０で検出され、この検出電流に応じた電圧が差動増幅器１０の反転端子に入力されるようにして負帰還ループが形成されているので、半導体素子で製造した電力増幅部４０を備えた構成としても、真空管アンプ２０のようにスピーカ５０の周波数特性の影響を受けることになる。 （もっと読む）

【課題】歪み補償の性能の向上を図った送信装置を提供する。
【解決手段】送信装置は、入力信号を増幅する増幅部と、入力信号に前置歪みを与えて増幅部の歪みを補償する補償部２０と、増幅部からの増幅出力信号を分岐して補償部にフィードバックするループと、補償部の出力を複数に分配する分配部３０と、分配された補償部の出力を個別に移相する複数の移相器９１〜９ｎと、複数の移相器の移相量を個別に制御する制御部８０とを具備する。増幅部は、個別に増幅するオン／オフ可能な複数の増幅器４１〜４ｎと、増幅器の出力を合成して増幅出力信号を生成する合成部５０とを備える。制御部８０は、オンすべき増幅器と、移相器の移相量とを決定する決定部８０ａと、決定されたオンすべき増幅器をオンとするオン／オフ制御部８０ｂと、オンされた増幅器に接続される移相器を決定された移相量で機能させる移相制御部８０ｃとを備える。 （もっと読む）

【課題】レイアウト面積を増加させることなく、各トランジスタの負荷インピーダンスを均一にすることができる高周波電力増幅器を得る。
【解決手段】半導体チップ２上に、トランジスタ３ａ，３ｂと、トランジスタ３ａ，３ｂに隣接したコレクタパッド４ａ，４ｂとが設けられている。トランジスタ３ａ，３ｂとコレクタパッド４ａ，４ｂはそれぞれコレクタ配線６ａ，６ｂにより接続されている。半導体チップ２外に外部パッド８が設けられている。この外部パッド８に出力端子９が接続されている。コレクタパッド４ａ，４ｂと外部パッド８はそれぞれワイヤ１０ａ，１０ｂにより接続されている。コレクタパッド４ａは、コレクタパッド４ｂよりも外部パッド８から遠い位置に配置されている。コレクタパッド４ａから出力端子９までの電気長は、コレクタパッド４ｂから出力端子９までの電気長と同じである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、利得制御装置に関し、構成の大幅な変更と性能の低下とを伴うことなく、所望の回路の可用性を高く維持できることを目的とする。
【解決手段】回路に入力された入力信号、あるいは前記回路によって出力された出力信号の周波数に適した負帰還を前記回路に施し、前記回路の利得を所定の範囲に維持する利得制御装置であって、前記周波数の特定の帯域における前記回路の利得の偏差が許容可能な限度を超えるときに、前記負帰還に供される帰還路の直線性が前記出力信号の振幅の尖頭値でも確保される値に前記帰還路の利得を設定する制御手段を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、機能、性能、特性等が点検の対象となるべき回路を備えた装置の保守や運用に供される保守運用支援装置に関し、構成が大幅に変更されることなく、多様な変調方式の組み合わせに対して柔軟に精度よく適応できることを目的とする。
【解決手段】回路の負荷に代えて擬似負荷が前記回路に接続された第一の状態で、前記回路を負帰還を施すことにより、前記回路の特性の設定、校正、監視の何れかに供される情報を得る制御手段と、前記擬似負荷に代わって前記負荷が前記回路に接続された第二の状態で、前記回路に対する前記情報の反映を図る反映手段とを備え、前記制御手段は、前記回路に入力される信号の信号空間上における振幅が複数通りある場合と１通りである場合とに、前記回路が出力する信号の振幅の尖頭値と平均値とに基づいてそれぞれ前記負帰還を施す。 （もっと読む）

【課題】実質的に平坦な振幅と直線的な位相レスポンスを要する広帯域信号を発生する。
【解決手段】信号発生システムは、入力ラジオ周波数（ＲＦ）信号を提供するように構成された入力源と、補償フィルタパラメータを決定するように構成された補償フィルタ計算（ＣＦＣ）ブロックと、ＡＬＣループ情報をＣＦＣブロックに提供するように構成された自動レベル制御（ＡＬＣ）ループとを含むことができる。補償フィルタパラメータがＡＬＣ情報の少なくとも一部に基づいて決定される。システムは、また、補償フィルタパラメータの少なくとも一部に基づく補償フィルタを入力ＲＦ信号に適用するように構成された予歪フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）と、ＲＦ出力信号を提供するように構成されたＲＦ出力を含むこともできる。 （もっと読む）

【課題】高い処理速度を必要とせず且つ簡単な回路構成にすることができると共に、自身の回路にダメージを与えることなくスピーカーのショート判定を行うことができる。
【解決手段】スピーカー１２と接続されて用いられるデジタルアンプ１１であって、アナログ音声信号をパルス信号に変調する比較回路２３と、変調した音声信号を増幅する増幅回路２５と、増幅した音声信号を、アナログ信号に復調しつつ、その高周波成分を減衰するローパスフィルター２６と、起動時にテスト信号を入力するミュート切替部２９と、テスト信号をローパスフィルターに通した後の残留キャリアレベルを検出するレベル検出部２７と、検出したテスト信号の残留キャリアレベルに基づいて、スピーカーがショートしているか否かを判定する制御部３１と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】本発明は、利得制御装置および回路モジュールに関し、構成の大幅な変更と性能の低下とを伴うことなく、ハードウェアの規模の縮小を可能とすることを目的とする。
【解決手段】回路に入力された入力信号、または出力された出力信号の周波数に対応して、前記回路に対する前記出力信号の負帰還に供される帰還路に設定されるべき利得が予め登録された記憶手段と、前記周波数に対応して前記記憶手段に登録された利得を前記帰還路に設定する制御手段とを備え、前記記憶手段には、前記周波数が分布し得る帯域の内、前記負帰還の下で前記出力信号のレベルが既定の範囲内に維持される部分帯域毎に、前記利得が共通の利得として登録され、前記制御手段は、前記部分帯域の内、前記周波数が属する特定の部分帯域に対応して登録された共通の利得を前記帰還路に設定する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、機能、性能、特性等が点検の対象となるべき回路を備えた装置の保守や運用に供される保守運用支援装置に関し、構成が大幅に変更されることなく、負帰還の対象となる構成要素が異なる特性の要素で交換されても、様々な無線伝送系に対する柔軟な適応を安価に実現できることを目的とする。
【解決手段】回路の負荷に代えて擬似負荷が前記回路に接続された第一の状態で、前記回路に負帰還を施すことにより、前記回路の特性の設定、校正、監視の何れかに供される情報を得る制御手段と、前記擬似負荷の定格が確保される特定の値に、前記負帰還のループ利得を設定するループ利得設定手段と、前記擬似負荷に代わって前記負荷が前記回路に接続された第二の状態で、前記回路に対する前記情報の反映を図る反映手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】電源電圧が低下した場合も、出力信号の位相が変化しないパワーアンプ回路の実現。
【解決手段】電源VDDと、電源に接続されたＭＯＳトランジスタTr,Trxと、ＭＯＳトランジスタのゲート・ドレイン間に接続された補償容量Cxgd,Cxgdxと、を有し、補償容量は、電源の電圧変化に応じて変化するＭＯＳトランジスタのゲート・ドレイン間容量Cgd,Cgdxの変化を相殺するように、電源の電圧変化に応じて容量値が変化する特性を有するパワーアンプ回路。 （もっと読む）

【課題】整数倍の信号成分に起因して、負荷回路やスイッチング素子に余分な電流が流れない電力効率を向上したスイッチング回路を提供する。
【解決手段】スイッチング回路１は、第１端子５０ａ及び第２端子５０ｂを有しており、パルス信号により駆動されて第１端子及び第２端子の導通状態をスイッチするスイッチング素子１０と、スイッチング素子の第１端子１３に電圧を供給する電源部３０と、電源部に並列に接続される負荷回路４０と、電源部と負荷回路との接続点Ｐと、スイッチング素子の第１端子との間に接続され、パルス信号のクロック周波数のＮ倍（Ｎは１以上の整数）の周波数において、接続点からスイッチング素子へ流れる電流を抑制する受動回路部５０と、受動回路部と接続点との間に接続され、Ｎ倍の周波数において共振する共振回路部６０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】
出力の線形性を改善した電力増幅器、及び、電子装置を提供する。
【解決手段】
電力増幅器は、所望波が差動入力される一対の第１増幅部と、前記第１増幅部の出力側に接続される一対の第２増幅部と、前記第２増幅部の出力側に接続されるトランスと、電源から前記第１増幅部に電力を供給するとともに、前記トランスを介して前記第２増幅部に電力を供給する電力供給線と、前記第１増幅部と前記第２増幅部との間に接続され、前記所望波を前記第２増幅部に通過させるとともに、前記所望波の二次歪み成分を遮断する遮断回路とを含む。 （もっと読む）

【課題】圧電素子等の容量性負荷にチャージされたエネルギーを無駄に消費することなく、容量性負荷を低消費電力で駆動することのできる駆動用ドライバ、駆動用アンプおよび情報機器を提供する。
【解決手段】スイッチング駆動回路２４は、容量性負荷である圧電スピーカ１５に転送されたエネルギーを抵抗等でなるべく消費させずに、インダクタ４２を介してキャパシタ４１に再びチャージし、容量性負荷の駆動に再利用する。これにより、圧電スピーカ駆動用アンプ１４は、圧電スピーカ１５を低消費電力で駆動することができる。その際、圧電スピーカ１５を駆動するために必要なエネルギーは、ダイオード４８を介して、電源から自動的にキャパシタ４１に補充される。従って、ゲートドライバ２３は、スイッチング素子の制御を簡潔に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】ゼロクロス付近においてもスイッチングの動作周期に基づく時間内にエネルギーの転送が終了するような駆動信号を生成して、その駆動信号によって容量性負荷を駆動するための各動作フェーズの動作を本来の動作時間通りに行うことのできる駆動用ドライバ、駆動用アンプおよび情報機器を提供する。
【解決手段】ゲートドライバ回路２３は、駆動信号ＶＣＮ，ＶＣＰがゼロクロス付近の範囲ＲＺにあるときに、ＰＭＯＳトランジスタ４７，４９およびＮＭＯＳトランジスタ５０，５１の導通状態を切り換える。これによって、圧電スピーカー駆動用アンプ１４は、動作状態を、通常動作状態からゼロクロス動作状態にする。そして、その駆動信号ＶＣＮ，ＶＣＰによって圧電スピーカー１５を駆動するための各動作フェーズを、本来のスイッチング動作周期に基づく時間通りに行うことができる。 （もっと読む）

【課題】デバイスの温度変動および／またはプロセス変動に起因するＭＯＳデバイスのバイアス条件の変動を正確に補償できる技術を提供する。
【解決手段】ＩＣデバイスがゲート端子、ソース端子およびドレイン端子を有するＭＯＳデバイスを備え、ゲート端子はＩＣデバイスの入力部に動作可能に結合され、ドレイン端子はＩＣデバイスの出力部に動作可能に結合され、ソース端子は負電圧供給源に結合している。ＩＣデバイスは、さらに、ＭＯＳデバイスのゲート端子に動作可能に結合されているバイアス発生器を備え、このバイアス発生器は、ＭＯＳデバイスにほぼ一定の静止動作点でバイアスをかけるバイアス電圧および／またはバイアス電流を発生する。バイアス発生器は、バイアス電圧および／またはバイアス電流がＭＯＳデバイスの接合温度の関数として変化するように構成されている。このようにして、バイアス発生器が、ＭＯＳデバイスの１つまたは複数の動作条件を正確にたどり、それによってデバイスの性能を向上させる。 （もっと読む）

【課題】Ｆ級増幅器における効率を改善することができる電力増幅回路を提供する。
【解決手段】電力増幅回路は、予め定められた周波数の基本波を含む信号を増幅する増幅素子と、増幅素子が増幅した信号に含まれる基本波と、基本波の２倍波と、基本波の３倍波とそれぞれの特性インピーダンスとのインピーダンス整合をとる出力整合回路と、２倍波の反射位相を変化させる２倍波用チューナーと、３倍波の反射位相を変化させる３倍波用チューナーと、出力整合回路が出力する信号に含まれる基本波を通過させるとともに、信号に含まれる２倍波及び３倍波を反射する高調波反射フィルタであって、２倍波用チューナー及び３倍波用チューナーが接続され、２倍波用チューナー及び３倍波用チューナーを用いて２倍波及び３倍波の反射位相を独立に変化させる高調波反射フィルタとを備える。 （もっと読む）

【課題】素子ばらつきや周波数特性に対して鈍感であり低損失な電力増幅器を得る。
【解決手段】入力端子ＩＮから入力した入力信号を増幅素子Ｔｒ１が増幅する。増幅素子Ｔｒ１の出力信号を増幅素子Ｔｒ２が増幅する。増幅素子Ｔｒ２の出力信号は出力端子ＯＵＴから出力される。増幅素子Ｔｒ２の出力と出力端子ＯＵＴとの間に整合回路Ｍ３ａ，Ｍ３ｂが接続されている。増幅素子Ｔｒ１の出力と増幅素子Ｔｒ２の入力との間にスイッチＳＷ１が接続されている。増幅素子Ｔｒ１の出力にスイッチＳＷ２の一端が接続されている。整合回路Ｍ３ａ，Ｍ３ｂは、増幅素子Ｔｒ２の出力と接地点との間に直列に接続されたインダクタＬ５及びキャパシタＣ１を有する。インダクタＬ５とキャパシタＣ１を接続する接続点Ｘに、スイッチＳＷ２の他端が接続されている。 （もっと読む）

【課題】大電力入力時に、出力電力の低下またはゲインの低下を抑制し、かつドレインアイドル電流のドリフトが生じた場合に、ゲインの低下またはひずみ特性の劣化を抑制すること。
【解決手段】Ｓｉ基板またはＳｉＣ基板と前記Ｓｉ基板またはＳｉＣ基板上に形成された窒化物半導体層とを有し、かつ高周波信号がゲート端子に入力されるＦＥＴ１０からなるパワーアンプ１１と、前記パワーアンプのドレインアイドル電流を検出する検出部１２と、前記検出されたドレインアイドル電流が所定値より小さい場合は、前記ドレインアイドル電流に応じたゲートバイアス電圧を前記パワーアンプのゲート端子に出力し、前記検出されたドレインアイドル電流が所定値以上の場合は、固定値のゲートバイアス電圧を前記パワーアンプのゲート端子に出力する制御部１４と、を具備する増幅回路 （もっと読む）