【課題】 入力された信号の位相差が大きいときの出力電力の低下を抑制した信号変換回路を提供する。
【解決手段】 第１信号Ｓ１，第２信号Ｓ２，第１信号Ｓ１をφ１だけ遅延させた第３信号Ｓ３，第２信号Ｓ２をφ２（φ２＝φ１＋φ３）だけ遅延させた第４信号Ｓ４を出力する第１回路４と、第１信号Ｓ１，第２信号Ｓ２がソース端子，ゲート端子に入力されて第５信号Ｓ５を出力するトランジスタ７と、第３信号Ｓ３，第４信号Ｓ４がソース端子，ゲート端子に入力されて第６信号Ｓ６を出力するトランジスタ８と、第６信号Ｓ６をφ４（φ４≧０）だけ遅延させた第７信号Ｓ７をスイッチ回路５７を介して出力し、第５信号Ｓ５をφ５（φ５＝１８０°＋φ１＋φ４）だけ遅延させた第８信号Ｓ８を出力する第２回路５と、スイッチ回路５７を制御する第３回路６と、第７信号Ｓ７，第８信号Ｓ８を加算する第４回路９とを有する信号変換回路とする。 （もっと読む）

【課題】簡単な回路構成によりアンテナに供給する高周波信号の電力を一定に保つことができる高周波信号増幅器を得る。
【解決手段】主増幅器４は高周波信号を増幅する。主増幅器４の出力端子とアンテナ２との間に信号線路５が接続されている。長さ又は終端が異なる結合線路６，７がそれぞれ信号線路５に平行に配置されている。移相器８，１０は、結合された信号線路５及び結合線路６，７を介してそれぞれ印加された高周波信号を位相変化させて主増幅器４の入力端子に供給し、移相器８，１０はそれぞれ異なる位相変化量を持つ。 （もっと読む）

【課題】プッシュプル電力増幅器に適用できるバランであって、バランを介してプッシュプル電力増幅器に、２次高調波を注入もしくは抽出し得る、または直流バイアスを印加し得るバランを提供する。
【解決手段】基本波ｆ₀に対して１／４波長の長さを有し、性能が同等の２つの結合伝送線路１１，１２を用いて構成され、２次高調波を注入もしくは抽出し、または直流バイアスを印加できるように、入力される周波数により短絡および開放を切り換える周波数選択性インピーダンス回路２３を設け、これによりバラン１０３を介してプッシュプル電力増幅器に、２次高調波を注入もしくは抽出することを可能にするとともに、直流バイアスの印可を可能にする。 （もっと読む）

【課題】高周波電力増幅器で発生する歪を補償する収束時間を短時間にする。
【解決手段】高周波電力増幅器の各次数の振幅の奇対称歪補償信号の係数と各次数の位相の奇対称歪補償信号の係数とを独立に生成する前置歪補償回路において、入力信号の振幅の１サンプル前との差分をとり、入力信号の１サンプル前との差分をとり、入力信号の振幅の遅延との差分と入力信号の遅延との差分とから、偶対称の振幅の歪補償信号と偶対称の位相の歪補償信号とそれぞれ独立にかつ奇対称歪補償信号と独立に生成する偶対称歪補償信号生成回路と、生成した偶対称歪補償信号を入力信号に重畳する偶対称歪補償信号重畳回路とを有し、奇対称歪と偶対称歪とを独立に前置歪補償する。 （もっと読む）

【課題】回路面積を縮小しつつ、電力効率の向上を図ることが可能な電力増幅回路を提供する。
【解決手段】電力増幅回路は、シリコン基板上に集積された電力増幅回路である。電力増幅回路は、入力が第１の信号入力端子に接続された第１のアンプを備える。電力増幅回路は、入力が第２の信号入力端子に接続された第２のアンプを備える。電力増幅回路は、入力が前記第１のアンプの出力に接続され、出力が前記第２のアンプの出力に接続されたアンプ出力移相器を備える。電力増幅回路は、一端が電源に接続され、他端が前記アンプ出力移相器の出力に接続された一次側巻線と、一端が第１の信号出力端子に接続され、他端が第２の信号出力端子に接続された二次側巻線と、を有するトランスフォーマと、を備える。 （もっと読む）

【課題】安定動作させながら、ＲＦパルス信号の波形を高速に立ち下げることができるＲＦパルス信号生成用スイッチング回路を提供することにある。
【解決手段】ドレインスイッチング回路２１は、ｎ型からなる第１、第２、第３のＦＥＴ２１１，２１２，２１３を備える。第１、第３のＦＥＴ２１１，２１３のゲートには、制御パルスが印加され、ソースは接地されている。第１のＦＥＴ２１１のドレインは、第２のＦＥＴ２１２のゲートに接続し、第２のＦＥＴ２１２のドレインには、駆動電圧Ｖｄｓが印加される。第２のＦＥＴ２１２のソースと第３のＦＥＴ２１３のドレインは接続され、接続点がパワーＦＥＴ３１のドレインに接続されている。第２のＦＥＴ２１２のゲートソース間には、第２のＦＥＴ２１２がオフ状態からオン状態へ遷移する際のゲート電圧を補償するための電荷を供給するコンデンサ２１５が接続されている。 （もっと読む）

【課題】ＭＲＩ配電システムの安定化方法を提供する。
【解決手段】ＭＲＩ配電システムと電気的に連通する安定化モジュールを提供する。この安定化モジュールは、閉ループ制御システムを含む。この閉ループ制御システムは、入力信号の少なくとも１つの特性を修正するために用いられる。修正された入力信号は、ＭＲＩ配電システムに供給される。一実施形態では、安定化モジュールは開ループ制御システムおよび閉ループ制御システムの双方を含む。 （もっと読む）

【課題】ＡＭ−ＰＭ変換をキャンセルしつつ、ＡＭ−ＰＭ歪みの影響を低減することが可能な電力増幅回路を提供する。
【解決手段】電力増幅回路は、ＲＦ入力信号の位相を変化させて第１の信号を出力し、且つ、その移相量が可変である可変移相回路を備える。電力増幅回路は、所定の電流が流れるようにゲートに電圧が印加された第１導電型の第１のＭＯＳトランジスタを備える。電力増幅回路は、一端が第１のＭＯＳトランジスタの他端に接続され、他端が第２の電位に接続され、ゲートに第１の信号に応じたドライブ信号が入力された第１導電型の第２のＭＯＳトランジスタを備える。電力増幅回路は、第１のＭＯＳトランジスタと第２のＭＯＳトランジスタとの間の第２の信号の平均値を直接的又は間接的に検出し、平均値に応じた検出信号を出力する検出回路を備える。電力増幅回路は、可変移相回路の移相量を制御する制御信号を生成する制御信号生成回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】増幅器の出力を複雑なアナログ信号処理を行うことなく取得できるようにする。
【解決手段】 増幅装置１は、増幅器３と、増幅器３によって増幅されるべき信号を出力するデジタル信号処理部２と、増幅器３の出力側に設けられたアナログフィルタ４と、を備えている。デジタル信号処理部２は、増幅器３の出力に基づいて、増幅器３の歪補償を行う歪補償部１５と、増幅器３によって増幅されるべき信号に対してΔΣ変調を行って量子化信号を出力するΔΣ変調部２５と、を備えている。増幅器３は、量子化信号を増幅し、前記アナログフィルタ４は、量子化信号からアナログ信号を生成する。デジタル信号処理部２は、歪補償部１５による歪補償のために、増幅器３から出力された量子化信号を取得する。 （もっと読む）

【課題】ドレインアイドル電流のドリフトを直接補償すること。
【解決手段】入力信号が入力するゲートと、出力信号が出力するドレインとを有するＦＥＴを含む電子回路の制御方法であって、前記ＦＥＴのゲートに前記入力信号が入力してからの時間ｔ経過後における前記入力信号ｘ（ｔ）に対応するドレインアイドル電流の変化量ΔＩｄｑ（ｔ）を算出するステップＳ１０と、前記変化量ΔＩｄｑ（ｔ）を補償するためのゲートバイアス電圧Ｖｇを算出するステップＳ１２と、前記ゲートバイアス電圧を前記ＦＥＴのゲートに印加するステップＳ１４と、を含むことを特徴とする電子回路の制御方法。 （もっと読む）

【課題】動作電圧の高電圧化を図るも、電極端における電界集中を緩和してデバイス特性の劣化を確実に抑止し、高耐圧及び高出力を実現する信頼性の高い化合物半導体装置を提供する。
【解決手段】ＨＥＭＴは、ＳｉＣ基板１上に、化合物半導体層２と、開口６ｂを有し、化合物半導体層２上を覆う、窒化珪素（ＳｉＮ）の保護膜６と、開口６ｂを埋め込むように化合物半導体層２上に形成されたゲート電極７とを有しており、保護膜６は、その下層部分６ａが開口６ｂの側面から張り出した張出部６ｃが形成されている。 （もっと読む）

【課題】歪補償の精度を向上させる。
【解決手段】歪補償装置１０は、増幅器で生じる信号の歪みを補償する。記憶部１１は、歪補償に用いられる複数の補償係数を記憶する。選択部１２は、信号の電力レベルを示す指標値に対応する補償係数を複数の補償係数の中から選択する。選択部１２は、電力レベルが閾値を超えるか否か判定し、判定結果に応じて、対数演算を用いずに算出される第１の指標値または対数演算を用いて算出される第２の指標値を使用する。 （もっと読む）

【課題】オン時における電流の迅速な立ち上がりを実現し、複雑な工程を経ることなく、ｎ型ＨＥＭＴとモノリシックにインバータを構成可能な半導体装置を得る。
【解決手段】第１の極性の電荷（ホール）供給層２２ａと、電荷供給層２２ａの上方に形成されており、凹部２２ｂａを有する第２の極性の電荷（ホール）走行層２２ｂと、電荷走行層２２ｂの上方で凹部２２ｂａに形成されたゲート電極２９とを含むｐ型ＧａＮトランジスタを備える。 （もっと読む）

【課題】電極と化合物半導体層との界面に電極材料が到達することを抑止し、ゲート特性の劣化を防止した信頼性の高い高耐圧の化合物半導体装置を提供する。
【解決手段】化合物半導体積層構造２と、化合物半導体積層構造２上に形成され、貫通口６ａを有するパッシベーション膜６と、貫通口６ａを埋め込むようにパッシベーション膜６上に形成されたゲート電極７とを有しており、ゲート電極７は、相異なる結晶配列の結晶粒界１０１が形成されており、結晶粒界１０１の起点が貫通口６ａから離間したパッシベーション膜６の平坦面上に位置する。 （もっと読む）

【課題】どの現用増幅器も予備増幅器で代替可能であり、現用系から予備系への切替の前後どちらでも、増幅器の出力間の振幅及び位相が同じで、入力信号の振幅に依存しない冗長化増幅器を提供する。
【解決手段】入力Ｐ１〜Ｐｍと出力Ｑ１〜Ｑｎ（ｍ、ｎは自然数、ｍ＜ｎ）のうちのｍ個とを一対一に接続する第１のスイッチと、入力Ｒ１〜Ｒｎのうちのｍ個と、ｍ個の出力Ｓ１〜Ｓｍとを一対一に接続する第２のスイッチと、出力Ｑ１〜Ｑｎと入力Ｒ１〜Ｒｎの間に一対一に接続された増幅器Ａ１〜Ａｎとを備える冗長化増幅器。第１及び第２のスイッチのそれぞれにおける入出力間の接続状態により、入力Ｐ１と出力Ｓ１、入力Ｐ２と出力Ｓ２、…、入力Ｐｍと出力Ｓｍとを接続し、それぞれ増幅器Ａ１〜Ａｎのいずれかひとつを介して接続する信号経路Ｌ１〜Ｌｍの経路長を、少なくとも２種類の接続状態で全て等しくする。 （もっと読む）

【課題】高周波電力増幅器の汎用性を確保しつつ、低コスト化及び小型化が可能な半導体パッケージ（Ｐ）を提供すること。
【解決手段】接地導体（１３１）と、前記接地導体（１３１）の上部に設けられた２層の高周波基板（１３０）と、上層の前記高周波基板（１３０）を挟むように設けられた一対の導体（１３４）と、を含む、半導体パッケージ（Ｐ）が提供される。また、この半導体パッケージ（Ｐ）を含む高周波電力増幅器（１００）が提供される。 （もっと読む）

【課題】エネルギ効率の優れた歪の少ない高周波電力増幅装置を提供する。
【解決手段】高周波電力増幅装置３は、高周波の入力信号を増幅する電力増幅器ＰＡと、電力増幅器ＰＡと電力増幅器ＰＡに電源電圧を供給する電源部との間に設けられ、電源部からの電源電圧を制御する制御回路３１とを含む。制御回路３１は、電力増幅器ＰＡへの入力信号ｉｎから得られる信号を電力増幅器ＰＡに応じて定まる歪特性に基づいて補正することにより制御信号を生成し、生成した制御信号により電源電圧を制御することにより供給電源電圧Ｖｄｄ１を生成し、生成した供給電源電圧Ｖｄｄ１を電力増幅器ＰＡに供給する。 （もっと読む）

【課題】増幅装置の起動後、送信信号の歪の生じる時間を短縮する。
【解決手段】
処理部１は、入力される信号とフィードバック信号とに基づいて歪補償係数を算出し、歪補償係数を用いて入力される信号に対し歪補償処理を行う。増幅部２は、処理部１から出力される信号を増幅し、アンテナ５に出力する。モニタ増幅部３は、処理部１から出力される信号を増幅する。切替え部４は、増幅装置の起動後、モニタ増幅部３から出力される信号を処理部１にフィードバックし、アンテナ５を介して送信信号を無線送信するときに増幅部２から出力される信号を処理部１にフィードバックする。 （もっと読む）

【課題】ガン発振に伴う負性抵抗を抑制し、安定的かつ高効率の電力増幅を得るための安定化回路を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１０と、基板上に配置され、ガン発振である高周波負性抵抗発振の発振周波数において負性抵抗を生ずる能動素子１４０と、基板上に配置され、能動素子のドレイン端子電極と出力端子との間に接続され、負性抵抗の絶対値に等しい抵抗値を有する抵抗Ｒと、抵抗Ｒに並列に接続され、高周波負性抵抗発振の発振周波数に同調するインダクタンスＬとキャパシタンスＣからなるタンク回路とからなる安定化回路１２０とを備え、安定化回路１２０は、発振周波数に、インダクタンスＬとキャパシタンスＣからなる共振周波数を同調することによって、発振周波数において、抵抗Ｒによって負性抵抗をキャンセルする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】多段増幅段を含むＲＦ電力増幅回路の低パワーおよび中間パワー時における電力付加効率(ＰＡＥ)の低下を軽減する。
【解決手段】ＲＦ電力増幅回路313は、前段増幅器310、後段増幅器311、制御部312を具備する。前段増幅器310はＲＦ送信入力信号Ｐinに応答して、前段増幅器310の出力の増幅信号に後段増幅器311が応答する。制御部312は、出力電力制御電圧Ｖapcに応答して、前段増幅器310と前記後段増幅器311のアイドリング電流を制御して前段増幅器310と前記後段増幅器311の利得を制御する。出力電力制御電圧Ｖapcに応答して、前段増幅器310のアイドリング電流と利得とは第１の連続関数2ndAmpに従って連続的に変化して、後段増幅器311のアイドリング電流と利得とは第２の連続関数3rdAmpに従って連続的に変化する。第２の連続関数3rdAmpは、第１の連続関数2ndAmpよりも１次以上高次の関数である。 （もっと読む）