【課題】製造及び動作が簡単で、大きい帯域幅で動作することができる、プログラマブルデバイスを提供する。
【解決手段】積分器は、第１の電圧供給端子と第２の電圧供給端子との間に直列接続された、一対のｐチャネルトランジスタ、一対の可変抵抗手段、および一対のｎチャネルトランジスタを備える。ｐチャネルトランジスタのドレインが可変抵抗手段のドレインに電流を供給し、可変抵抗手段のソースがｎチャネルトランジスタのドレインに電流を供給する。ｐチャネルトランジスタのゲートは、可変抵抗手段において反対側のトランジスタのドレインに対し、フィードフォワード形態で接続されてもよい。一対のｎチャネルトランジスタのゲートに印加された相補的な入力信号によって駆動された積分器は、ｐチャネルトランジスタと可変抵抗手段との間のノードに相補的な出力を生成する。 （もっと読む）

【課題】電源電圧の変動に起因する入力信号と出力信号のデューティばらつきを抑制する。
【解決手段】トランスミッタ１０は、一端から充電電圧Ｖａが引き出されるコンデンサ１０５と、コンデンサ１０５の充電電流Ｉ１を生成する第１定電流源１０３と、コンデンサ１０３の放電電流Ｉ２を生成する第２定電流源１０４と、送信入力信号ＩＮの論理レベル、及び、充電電圧Ｖａと基準電圧Ｖｒｅｆとの比較結果に基づいて、コンデンサ１０５の充放電制御を行う充放電制御部（１０１、１０２、１０６）と、充電電圧Ｖａに応じてスルーレートが設定され、出力側電源電圧Ｖ２に応じて信号振幅が設定される送信出力信号ＯＵＴを生成する出力段（１０９〜１１６）と、出力側電源電圧Ｖ２に依存して基準電圧Ｖｒｅｆを変動させる基準電圧生成部１０７と、基準電圧Ｖｒｅｆに依存して充電電流Ｉ１及び放電電流Ｉ２の各電流値を変動させる定電流制御部１０８と、を有する。 （もっと読む）

【課題】伝達特性の対称性を向上し、低電圧動作が可能な電力増幅回路を提供する。
【解決手段】電力増幅回路は、Ｇｍアンプと、ミラー回路を構成する第１、第２のトランジスタと、ミラー回路を構成する第３、第４のトランジスタと、ミラー回路を構成する第５、第６のトランジスタと、ミラー回路を構成する第７、第８のトランジスタと、第１の電源レールに一端が接続され、増幅した信号を出力するための信号出力端子に他端が接続され、反転出力端子に制御端子が接続された第９のトランジスタと、信号出力端子に一端が接続され、第２の電源レールに他端が接続され、非反転出力端子に制御端子が接続された第１０のトランジスタと、を備える。 （もっと読む）

【課題】
無線周波数（ＲＦ）電力増幅装置。
【解決手段】
電力増幅システムは、電力トランジスター（３５４、３５８）およびバイアス回路類（３１０）を含む電力制御装置およびパワーアンプ（２２０）を含んでいる。
バイアス回路類は、電力制御装置によって供給される電圧における変化全体にわたって、実質上一次的な動作で自動的に電力トランジスターを維持するような方式によって、１つ以上の電力トランジスター（３５４、３５８）の基部に電流を提供する。 （もっと読む）

【課題】低電源電圧、低消費電流に対応可能とし、高利得、広帯域化を図る演算増幅回路を提供する。
【解決手段】入力信号を差動で受け低抵抗負荷Ｒ１、Ｒ２を持つ差動対Ｍ１、Ｍ２を含む初段増幅部と、前記初段増幅部の出力に接続され出力端子から出力信号を出力する次段増幅部を備え、次段増幅部は前記差動対Ｍ１、Ｍ２の出力対の一つをゲートに入力し前記出力端子にドレインが接続されたトランジスタＭ１９，Ｍ２０を含む１段構成の第１の信号経路と、前記差動対の出力対の他方をゲートに入力するトランジスタＭ５，Ｍ６を含む入力段と、前記出力端子にドレインが接続されたトランジスタＭ１７，Ｍ１８を含む出力段とを備えた第２の信号経路とを備えている。さらに次段増幅部において、第１の信号経路のトランジスタＭ１９，Ｍ２０と第２の信号経路のトランジスタＭ５，Ｍ６に流れるバイアス電流を設定するバイアス回路を備えている。 （もっと読む）

【課題】 １つの入出力回路により差動信号またはシングルエンド信号を伝達することで、回路規模を削減する。
【解決手段】 入出力回路は、一端が第1の基準電位に結合される第１の負荷と、第１の負荷の他端にドレイン端が結合された第１のＭＯＳトランジスタと、一端が第１の基準電位に結合される第２の負荷と、第２の負荷の他端にドレイン端が結合された第２のＭＯＳトランジスタと、第１のＭＯＳトランジスタのソース端及び第２のＭＯＳトランジスタのソース端との間にソース端またはドレイン端が接続された第３のＭＯＳトランジスタと、第１のＭＯＳトランジスタのソース端と第２の基準電位との間に結合される第１の定電流源と、第２のＭＯＳトランジスタのソース端と第２の基準電位との間に結合される第２の定電流源とを有する。 （もっと読む）

【課題】電圧源から提供する電圧が変動した場合でも増幅回路に流れる電流量を制御し、利得の変動を補償する利得変動補償装置を提供すること。
【解決手段】利得変動補償装置１００は、電圧源１１１から提供される電圧及び定電流源を用いて入力信号を増幅する増幅回路１１０と、電圧源１１１から提供される電圧の変動を検知する電源電圧変動検知部１２０と、電源電圧変動検知部１２０により検知された電圧の変動量に応じて、増幅回路１１０に流れる電流量を制御する電流可変回路１３０とを備える。利得変動補償装置１００は、増幅回路１１０又はその差動回路の定電流源トランジスタと並列に電流可変回路１３０を接続し、事前に電流可変回路１３０に電流を流し、電源電圧変動検知部１２０において電源電圧の変動を検知する。電流可変回路１３０は、電圧変動量に応じて電流量の調整を行い、増幅回路１１０に流れる電流量を制御する。 （もっと読む）

【課題】電流源から出力される電流信号を入力信号とする並列−直列形電流帰還増幅器において、ノイズを低減しつつ、帯域も維持しかつ信号歪も抑制する。
【解決手段】並列−直列形電流帰還増幅器２ａは、ベースが電流源の出力端に接続され、エミッタが抵抗２０を介して接地端に接続され、コレクタが抵抗１２を介して電源配線に接続されるトランジスタ１０と、ベースがトランジスタ１０のコレクタに接続され、コレクタが電源配線に接続されるトランジスタ３０と、ベースがトランジスタ３０のエミッタに接続され、エミッタが抵抗２２を介して接地端に接続され、コレクタから出力信号が取り出されるトランジスタ１１と、一端がトランジスタ１１のエミッタに接続され、他端がトランジスタ１０のベースに接続される帰還抵抗１６と、抵抗２０と並列に接続されるキャパシタ２１と、抵抗２２と並列に接続されるキャパシタ２３とを備える。 （もっと読む）

【課題】消費電流および回路規模をほとんど増大させることなく、容易に容量の充電時間を短くすることの出来る比較回路を提供する。
【解決手段】差動増幅回路１０の出力が入力される単相増幅回路２０の出力をＮチャネルＭＯＳトランジスタＭＮ５からなるソースフォロワによるクランプ回路４１に入力し、当該クランプ回路４１により単相増幅回路２０の入力を制限することにより、新たに定電圧源を設けることなく必要な充電電圧幅を狭めて容量Ｃｐの充電時間を短くすることができる。また、単相増幅回路１０の出力に応じて単相増幅回路１０の入力を制限するので、単相増幅回路１０の閾値電圧のばらつきや電源電圧の影響が問題にならない。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードから出力される電流信号を入力信号とする並列−直列形電流帰還増幅器において、ノイズを低減しつつ、帯域も維持しかつ信号歪も抑制する。
【解決手段】並列−直列形電流帰還増幅器２ａは、ベースがフォトダイオード５０の出力端に接続され、エミッタが抵抗２０を介して接地端に接続され、コレクタが抵抗１２を介して電源配線に接続されるトランジスタ１０と、ベースがトランジスタ１０のコレクタに接続され、コレクタが電源配線に接続されるトランジスタ３０と、ベースがトランジスタ３０のエミッタに接続され、エミッタが抵抗２２を介して接地端に接続され、コレクタから出力信号が取り出されるトランジスタ１１と、一端がトランジスタ１１のエミッタに接続され、他端がトランジスタ１０のベースに接続される帰還抵抗１６と、抵抗２０と並列に接続されるキャパシタ２１と、抵抗２２と並列に接続されるキャパシタ２３とを備える。 （もっと読む）

【課題】再帰フィルタ回路のエミッタフォロア回路の数を低減し、回路規模が小さい再帰型フィルタ回路を提供する。
【解決手段】バイポーラトランジスタ（Ｔｒ）１０１を流れる電流Ｉinとフィードバック電流Ｉfbとを加算して電流Iを生成するノードＢ、電流Iをテール電流とし、ゲインを変更する制御信号が入力されるバイポーラＴｒ１０６及びバイポーラＴｒ１０３を含む差動対１００、バイポーラＴｒ１０６に流れる電流を電圧に変換する抵抗素子１０５を含む可変ゲイン増幅部、変換後の電圧を増幅して出力信号を生成するバイポーラＴｒ１１３を含む出力部１１５、可変容量素子１０４を含むハイパス部、ハイパス部から出力された信号をバッファリングする回路１１４、バッファリングされた信号を、可変容量素子１０９を介して周波数帯域制限するローパス部を含む移相部によって再帰型フィルタを構成する。 （もっと読む）

【課題】
高周波信号を取り扱う回路の高周波領域での周波数特性が劣化することをより少ない消費電力で防止するピーキング調整回路を提供する。
【解決手段】
高周波信号のピーキングを調整するピーキング回路を、第１のコンダクタと、第１のインダクタとカップリングする第２のインダクタと、入力信号を受ける信号入力部と、信号入力部から入力された入力信号に応じて第２のインダクタに流れる電流を調整するトランジスタと、第１のインダクタでピーキングを調整された信号を出力する信号出力部とを備えて構成し、信号入力部から入力された入力信号に応じてトランジスタで第２のインダクタに流れる電流を制御して第２のインダクタとカップリングしている第１のインダクタとの相互インダクタンスを変化させることにより第１のインダクタを流れる電流の信号波形のピーキングを調整し、ピーキングを調整した信号を信号出力部から出力するようにした。 （もっと読む）

【課題】 入力電圧レベルに関わらず、ソースフォロアトランジスタの閾値電圧を一定に保つことができるソースフォロア増幅器を提供すること。
【解決手段】 入力ＭＯＳＦＥＴの基板ノードと出力ノードとの間を、入力電位に関わらず、非零の一定電圧に保つ手段を有するソースフォロア増幅器において、上記手段は、入力ＭＯＳＦＥＴの出力ノードと第１の参照電圧源との間に設けられた第１のスイッチ素子と、該入力ＭＯＳＦＥＴの基板ノードと第２の参照電圧源との間に設けられた第２のスイッチ素子と、該入力ＭＯＳＦＥＴの基板ノードと出力ノードとの間に設けられた容量素子であって、入力ＭＯＳＦＥＴの動作時間の内の、校正時間には該第１及び第２のスイッチ素子を短絡し、使用時間には該第１及び第２のスイッチ素子を開放することを特徴とするソースフォロア増幅器。 （もっと読む）

【課題】比較的簡易な構成で、定電圧駆動と定電流駆動を所望に応じて選択可能な電源回路を提供する。
【解決手段】演算増幅器１の出力端子とグランドとの間に第１及び第２の抵抗器３１，３２が直列接続されて設けられ、演算増幅器１の非反転入力端子には、所定の基準電圧が印加され、演算増幅器１の出力端子には、外部からの信号により動作制御可能に構成されてなるバッファアンプ２が接続され、バッファアンプ２の出力端子とグランドとの間には、ＭＯＳトランジスタ１１と第３の抵抗器３３が順に直列接続されて設けられ、これらの接続が、切替制御回路４、及び、第１乃至第４のアナログスイッチ２１〜２４により切り替えられることで、定電圧駆動と定電流駆動が選択可能となっている。 （もっと読む）

【課題】トランジスタは作製工程や使用する基板の相違によって生じるゲート絶
縁膜のバラツキや、チャネル形成領域の結晶状態のバラツキの要因が重なって、
しきい値電圧や移動度にバラツキが生じる。
【解決手段】本発明は、容量素子の両電極がある特定のトランジスタのゲート
・ソース間電圧を保持できるように配置した電気回路を提供する。そして本発明
は、容量素子の両電極間の電位差を定電流源を用いて設定できる機能を有する電
気回路を提供する。 （もっと読む）

【課題】 入出力信号が変化する際の過渡期間に出力バッファを構成するトランジスタへのバイアス電流を一時的に増強することで、バッファ回路全体の定常的なバイアス電流を抑制しつつ、高スルーレートが得られるバッファ回路を提供する。
【解決手段】 ドライバ回路200は信号レベル発生回路100により発生した信号SGOを出力バッファ回路110を駆動する回路150(プリバッファ回路)を介し、出力バッファ回路110により伝送線路120を駆動することで測定対象回路DUT140に伝える。プリバッファ回路150とこれを模擬したレプリカバッファ回路160とを互いに並列に備え、信号SGOが変化する際の入出力新信号の過渡期間において、レプリカバッファ回路160の出力電流に基づいて出力バッファ回路110の出力段トランジスタQN12、QP22の入力バイアス電流を一時的に増強する。 （もっと読む）

【課題】同相入力電流成分に対する耐性を大きくする。
【解決手段】入力端子ＩＴ，ＩＣのそれぞれに一対の電流引抜回路ＩＳ１，ＩＳ２を接続し、入力信号合成回路１２で得られた、入力端子ＩＴ，ＩＣのそれぞれの信号を合成した同相入力電圧と、基準となる参照電圧ＶＲＥＦとの差電圧に応じた制御信号を制御用増幅器１３で生成し、電流引抜回路ＩＳ１，ＩＳ２で、この制御信号に応じた電流引抜量を入力電流信号から引き抜く。 （もっと読む）

【課題】利得制御信号の分配配線を簡素化し、回路の高周波化・広帯域化を実現し、負方向の利得可変幅を増大させる。
【解決手段】利得可変回路は、入力信号Ｉｎを増幅する可変利得増幅器（ＶＧＡ）１と、ＶＧＡ１の出力信号Ｏｕｔ１を増幅する固定利得増幅器（Ａｍｐ）２と、Ａｍｐ２の出力信号Ｏｕｔ２の振幅を検出して、検出した振幅と予め設定された振幅設定値とが等しくなるようにＶＧＡ１の利得を制御する自動利得調整回路（ＡＧＣ）３とを備える。ＶＧＡ１は、ギルバートセル型の可変利得増幅器である。 （もっと読む）

【課題】高速低消費電力の電流検出型センスアンプの実現には、低バイアス電流でゲイン帯域積が大きな増幅器をゲート接地型トランジスタに設ける必要がある。
【解決手段】ソースが電流入力端子Iin1,Iin2、ドレインが負荷8,9および電圧出力端子Vout1,Vout2に接続されたゲート接地型トランジスタペアM1,M2のゲート・ソース間に、トランジスタM3とM5およびM4とM6の２組のソースが共通のプシュプル型CMOS反転増幅器で構成される差動増幅器の共通ソースに定電流トランジスタM7が設けられた差動増幅器AMPを設ける。 （もっと読む）