【課題】基板上に形成された材料層に割れを生じさせることなく、当該基板から当該材料層を剥離できるようにすること。
【解決手段】基板１と前記材料層２との界面で前記材料層を前記基板から剥離させるため、基板１上に材料層２が形成されたワーク３に対し、基板１を通して、パルスレーザ光をワーク３に対する照射領域を刻々と変えながら、前記ワーク３において隣接する各照射領域が重畳するように照射する。前記ワークへのパルスレーザ光の照射領域は、該照射領域の面積をＳ（ｍｍ^２）、照射領域の周囲長をＬ（ｍｍ）としたとき、Ｓ／Ｌ≦０．１２５の関係を満たすように設定される。これによって、基板上に形成された材料層に割れを生じさせることなく、材料層を基板から確実に剥離させることができる。 （もっと読む）

【課題】薄膜太陽電池等の積層基板における金属膜に溝を形成する際に、良好な絶縁性を維持し、かつ溝の端部不良を抑える。
【解決手段】この積層基板の溝加工方法は、基板上に形成された金属薄膜の一部を除去して溝を形成するための方法であって、レーザビーム照射工程と、レーザビーム走査工程と、を備えている。レーザビーム照射工程は、金属薄膜の溝予定ライン上に、矩形のレーザビームを照射する。レーザビーム走査工程は、レーザビームを、ビーム重なり率が６０％を越え８５％以下の範囲になるように溝予定ラインに沿って走査する。 （もっと読む）

【課題】レーザー熱加工装置および方法を提供すること。
【解決手段】１つ以上のワークピース領域を有するワークピースのレーザー熱加工（ＬＴＰ）を実施する装置である。この装置は、１０００より多い空間モードを有し、かつ１ナノセカンドと１マイクロセカンドの間の時間パルス長を伴う１つ以上の放射パルスを放出し得る、パルス化した半導体光源、ワークピースを支持するためのワークピースステージ、および露光領域を有する照明光学系を備える。この系は、露光領域内で、±５％未満の放射度均一性を有する１つ以上の放射パルスを用いて、１つ以上のワークピース領域の少なくとも１つを照射するように、レーザー光源とワークピースステージとの間に配置される。 （もっと読む）

【課題】レーザ照射による加工を窒化物材料に施す際に生じる可能性のある種々の問題を解決することによって、高歩留りと高スループットを両立させる。
【解決手段】半導体発光素子は、バンドギャップがＥ_ｇｓ（ｅＶ）である窒化物基板２１上に薄膜結晶層を形成する薄膜結晶層形成工程と、薄膜結晶層に接して電極部を形成する電極部形成工程と、分離位置１０ａでレーザ光を照射することによって変性部を形成する変性部形成工程と、変性部が形成された窒化物基板２１、薄膜結晶層および電極部を含む加工対象物を分離位置１０ａで分離して複数の半導体発光素子とする素子分離工程と、を経て製造される。変性部形成工程では、波長λ_ｉ（ｎｍ）が１２４０／λ_ｉ＜Ｅ_ｇｓであり、かつ、偏光がランダム偏光または円偏光であるレーザ光を、スクライブ痕４０ａが窒化物基板２１の内部にのみ形成されるように照射する。 （もっと読む）

【課題】 ３次元加工において、より高い寸法精度を得ることができるレーザ加工装置およびレーザ加工方法を提供すること。
【解決手段】 加工対象物５にレーザビームＬを照射して形状形成を行う加工装置であって、加工対象物にレーザビームを照射すると共に走査するレーザ光照射機構２２と、加工対象物を保持して該加工対象物とレーザビームとの相対的な位置関係を調整可能な位置調整機構と、これら機構を制御する制御部２５と、を備え、レーザ光照射機構が、ビーム断面の光強度分布がガウシアン分布であるレーザビームを照射し、制御部が、加工対象物の加工領域を、加工前形状と設計上の加工後形状との両方において加工面に対するレーザビームの角度が５０°未満になる複数の領域に分割し、レーザ光照射機構と位置調整機構とを制御して、分割した領域毎にレーザビームを走査して照射する。 （もっと読む）

【課題】レーザビーム溶接とアーク溶接を同じ溶接プールで同時に行うハイブリッドレーザアーク溶接プロセスを利用し、溶接深さを増大させ、溶接継手でのポロシティ及びガスポケットを排除する。
【解決手段】ワーク（１２，１４）の接合面（１６）の間に画成される溶接シムを含む継手領域（２２）でレーザビーム溶接プロセスを行った後、継手領域（２２）でハイブリッドレーザアーク溶接プロセスを行ってワーク（１２，１４）を溶接する。レーザビーム溶接プロセスでは、第１のレーザビーム（３２）を継手領域（２２）に沿って移動させ、溶接シムを溶込んで溶接物（４０）を形成する。ハイブリッドレーザアーク溶接プロセスで、電気アーク（３６）と第２のレーザビーム（３４）が重なり合うように継手領域（２２）に沿って同時に移動させ、溶接物（４０）内に溶接プールを形成して溶接物（４０）を再溶融させる。冷却すると溶接継手（３０）が形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体膜のパルスレーザ光を照射してアニールする際に、適正なパルスエネルギー密度を高くすることなく該パルスエネルギー密度のマージンを大きくすることを可能にする。
【解決手段】パルスレーザ光を出力するレーザ光源と、パルスレーザ光を整形して処理対象の半導体膜に導く光学系と、パルスレーザ光が照射される前記半導体膜を設置するステージとを有し、前記半導体膜に照射される前記パルスレーザ光が、パルスエネルギー密度で最大高さの１０％から最大高さに至るまでの立ち上がり時間が３５ｎ秒以下、最大高さから最大高さの１０％に至るまでの立ち下がり時間が８０ｎ秒以上であるものとすることで、結晶化などに適したパルスエネルギー密度を格別に大きくすることなく、そのマージン量を大きくして、良質なアニール処理をスループットを低下させることなく行う。 （もっと読む）

【課題】パルスレーザビームを用いた高分子材料の加工において、ラスタスキャン制御することにより、高分子材料表面の安定した微細加工とその高速化を可能にするパルスレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】高分子材料の被加工物の加工方法であって、基準クロック発振回路によりクロック信号を発生し、クロック信号に同期したパルスレーザビームをレーザ発振器より出射し、クロック信号に同期してパルスピッカーによりパルスレーザビームの通過と遮断を切り替え、クロック信号に同期してレーザ・スキャナーによりパルスレーザビームを被加工物表面に１次元方向に走査し、上記１次元方向にパルスレーザビームを走査した後に、上記１次元方向に直交する方向に被加工物を移動して、更にクロック信号に同期してレーザ・スキャナーにより通過と遮断を切り替えてパルスレーザビームを被加工物表面に上記１次元方向に走査することを特徴とするパルスレーザ加工方法。 （もっと読む）

【課題】大型の被加工物表面の安定した微細加工とその高速化を可能にするパルスレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】２次元中間データを変換してパルスレーザ加工用の加工フォーマットデータを生成し、基準クロック発振回路によりクロック信号を発生し、クロック信号に同期したパルスレーザビームをレーザ発振器より出射し、加工フォーマットデータに基づきクロック信号に同期してパルスピッカーによりパルスレーザビームの通過と遮断を切り替え、クロック信号に同期してレーザビームスキャナによりパルスレーザビームを被加工物表面に１次元方向に走査し、上記１次元方向にパルスレーザビームを走査した後に、上記１次元方向に直交する方向に被加工物を移動して、更にクロック信号に同期してレーザビームスキャナにより通過と遮断を切り替えてパルスレーザビームを被加工物表面に上記１次元方向に走査することを特徴とするパルスレーザ加工方法。 （もっと読む）

【課題】薄膜太陽電池パネルのエッジデリーションの加工時間の増大を抑制しつつ、加工品質を向上させる。
【解決手段】光スポットを、矢印３１１ａ，矢印３１１ｂ，・・・，矢印３１１ｋの順に、薄膜太陽電池パネル１０２に対して光学部が進む主走査方向に走査した後、１つ隣の行に移動し、主走査方向と逆方向に走査した後、１つ隣の行に移動する処理を繰り返す。そして、光スポットを矢印３１１ｋの方向に走査した後、矢印３１１ｌの方向に走査し、次の加工ブロックも同様にして光スポットを走査する。この走査を、薄膜太陽電池パネル１０２の辺３０１ａに沿った直線状の領域の薄膜の剥離が完了するまで繰り返す。本発明は、例えば、エッジデリーションを行うレーザ加工装置に適用できる。 （もっと読む）