【課題】大口径化したウェーハであっても、従来と同様の平坦度を有するシリコンウェーハを、優れた生産効率で得ることができる方法および装置を提供する。
【解決手段】複数の被処理ウェーハをキャリアに保持して上下の回転定盤間で回転させることにより、ウェーハの両面を同時に研削する方法。キャリアにおけるウェーハ保持位置が、複数のウェーハの中心を同一の円周上に位置する。複数のウェーハ中心を通る円と単一の前記ウェーハとの面積比を、１．３３以上２．０未満となるよう設定する。被処理ウェーハの回転数が、５〜８０ｒｐｍの範囲である。ウェーハの回転定盤による研削を固定砥粒を用い、アルカリ溶液の存在下で行う。固定砥粒を備えた上下一対の回転定盤、回転定盤間の回転中心部に設けられた太陽歯車、回転定盤間の外周部に設けられた環状の内歯歯車、前記上下の回転定盤間に設けられ前記太陽歯車及び前記内歯歯車にそれぞれ噛み合う遊星歯車となるキャリア、アルカリ溶液供給系統を備える半導体ウェーハの両面研削装置。 （もっと読む）

【課題】大口径化したウェーハであっても、従来と同様の平坦度を有するシリコンウェーハを、優れた生産効率で得ることができる方法および装置を提供する。
【解決手段】複数の被処理ウェーハをキャリアに保持して上下の回転定盤間で回転させることにより、前記半導体ウェーハの両面を同時に研削する半導体ウェーハ研削方法。前記キャリアにおける前記ウェーハ保持位置が、前記複数のウェーハの中心を同一の円周上に位置するとともに、 前記複数のウェーハ中心を通る円と単一の前記ウェーハとの面積比を、１．３３以上２．０未満となるよう設定し、前記回転定盤の固定砥粒表面は格子状に設けられたペレットから構成され、中心部および周辺部に設けられたペレットは、中心部および周辺部の間の中間部に設けられたペレットより寸法が大きい。 （もっと読む）

【課題】スラリーを含まない水を用いて研磨できる研磨装置と研磨方法を提供する。研磨面をドレッシングすることなく、研磨面を容易に交換できる研磨装置を提供する。短時間で鏡面まで研磨加工することができる研磨装置と研磨方法を提供する。
【解決手段】被加工物(14)を研磨加工する研磨装置は、第１の回転軸(A1)の周りに回転する上定盤(7)と、上定盤を回転させる回転駆動機構と、第２の回転軸(B1)の周りに回転する下定盤(6)と、下定盤を回転させる回転駆動機構と、被加工物を挟んで保持するため、上定盤の下面と下定盤の上面の少なくとも一方に貼り付けられた研磨フィルム(12)とを備える。更に、被加工物を研磨する加工空間に水を供給するための水供給装置を備える。下定盤の第２の回転軸は、第１の回転軸の周りに公転するとともに、下定盤は、第２の回転軸の周りに回転する。 （もっと読む）

【課題】両面ラップ盤用回転定盤においてキャリアの破損を防ぎつつ、効率よく研磨を実施する。
【解決手段】両面ラップ盤用回転定盤において、摺り合せ面（１１）の少なくとも内側周縁（２１）と外側周縁（２２）に沿って、金属粉とダイアモンド粉とを焼結せしめた所定の厚みと幅を有し、断面が矩形をなした棒状の研磨片（２３）を、相互にこれら研磨片（２３）の横巾と同等かより狭い巾の空隙（１６）を保って、ほぼ均等かつ同心円状に固定して研磨片環状配列群（２９）（３０）を形成すると共に、内側周縁（２１）寄りの研磨片（２３）と外周周縁（２２）寄りの研磨片（２３）に挟まれた中間領域に、金属紛とダイアモンド粉とを焼結せしめて所定の厚さと直径を有する円柱状をなしたダイアモンドペレット（１０）をほぼ均等かつ同心円状に固定した。 （もっと読む）

【課題】回転砥石の目詰まりを抑制でき、ワークにダメージを与えることなく効率良く研磨加工することができる研磨装置及び研磨方法、研磨補助装置を提供する。
【解決手段】本発明の研磨装置１は、回転軸部５と、回転軸部５上に設けられ、その上面にワーク３０を保持する回転テーブル６と、回転テーブル６の回転方向と逆方向に回転自在にかつ昇降自在に支持された回転砥石３と、回転軸部５の周囲に配設されたドレス砥石設置部１０と、ドレス砥石設置部１０に固定され、その研磨面が、回転砥石３の研磨面と対向するように配設されたドレス砥石１１とを有し、回転テーブル６及び回転砥石３を互いに逆方向に回転させつつ、回転砥石３の表面をワーク３０の表面に接触させることによって、ワークを研磨するとともに、これと並行して、回転している回転砥石３の研磨面をドレス砥石１１の研磨面に接触させることによって、回転砥石３をドレス処理する。 （もっと読む）

【課題】中央部が外周端部よりも薄い半導体ウェハにおけるデバイスの形成領域を広げること。
【解決手段】半導体ウェハ１をチャックステージ３００に保持させて回転させる。そして、側面の底端部に突起部を有し、突起部を含む底面が平坦であり、かつ突起部を含む底面の径が、半導体ウェハ１の中央部２に形成する凹部の径と同じかそれよりも小さい径の第１砥石１００を、リブ部３に接触させないように、降下させる。第１砥石１００を例えば矢印Ｄ１で示すような時計回り方向に自転させながら、例えば矢印Ｄ３で示すような時計回り方向に公転させて中央部２に押し付け、徐々に公転の回転の径を大きくして、中央部２とリブ部３との境界部分を研削する。このようにして、中央部２からリブ部３の側面より外に向かって平坦な面を延ばす。 （もっと読む）

【課題】モース硬度の高い材料からなる被加工物であっても良好に研削することができる研削装置を提供する。
【解決手段】被加工物を保持するチャックテーブル機構と、被加工物を研削するための研削手段３と、研削送り手段３１とを具備する研削装置であって、研削手段３は回転スピンドル４２と、回転スピンドル４２を流体支持するラジアル軸受部およびスラストプレート４２１を収容するプレート収容空間４１５と該プレート収容空間４１５の複数の領域にそれぞれ開口する複数の流体供給孔４１８を有するスラスト軸受部を備えたスピンドルハウジング４１と、ラジアル軸受部およびスラスト軸受部の複数の流体供給孔４１２，４１６を通してプレート収容室４１５に流体を供給する流体供給手段４７１を具備しており、流体供給手段４７１は流体の供給領域を調整し該スラストプレートの支持剛性を調整する支持剛性調整手段４７４，４７５を備えている。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの裏面を平坦に仕上げることができる半導体ウェーハ裏面の研削方法及びそれに用いる半導体ウェーハ裏面研削装置を提供する。
【解決手段】ウェーハ積層体１０の裏面をインフィード研削する半導体ウェーハ裏面の研削方法であって、ウェーハ積層体１０の裏面のインフィード研削中において、ウェーハ積層体１０の外周部分と内周部分の積層体厚みをインプロセスゲージで測定することと、外周部分と内周部分の積層体厚みの厚み差を算出することと、算出された厚み差が小さくなるように研削砥石１５の軸線Ｒ２を任意の方向に所定角度傾けることと、を備える。 （もっと読む）

【課題】内径部を有する円板状の研磨材を備えた研磨工具でガラス基板を研磨後、研磨材の内周の摩耗量が極端に小さかったり、大きかったりすることがあり、研磨材の表面を修正加工する必要が生じ、またガラス基板を目的形状に研磨できない場合がある。
【解決手段】中心に内径穴１５ｃが形成された円板状の研磨材１５ｄを工具保持円盤１５ｂの片面側に固定し、工具保持円盤１５ｂを研磨装置により回転させて研磨材１５ｄに当接する被研磨部材の表面を研磨する研磨装置用の研磨工具において、円板状の研磨材１５ｄは、前記内径穴１５ｃの内径に対する外径の比である内外径比を１０％以上、２０％以下とした。 （もっと読む）

【課題】基板研削加工時、割れやクラック発生の機会が稀な基板の薄厚平坦化加工装置の提供。
【解決手段】インデックス型回転ポーラスセラミック製ロータリーチャックテーブル上に載置された基板表面に平面粗研削装置１００の回転／直動可能な砥石軸に軸承されたカップホイール型砥石１４を摺擦させて粗研削加工した後、ついで、粗研削加工基板表面に仕上加工装置２００の回転／直動可能なツール軸に軸承された仕上加工ツールを摺擦させて基板表面を仕上加工する薄厚平坦化加工装置であって基板表面加工時の砥石軸およびツール軸の基板への切り込みが、回転／直動アクチュエータの駆動により行われる。 （もっと読む）