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国際特許分類[B28D5/04]の内容

処理操作;運輸 (1,245,546) | セメント,粘土,または石材の加工 (6,498) | 石材または石材類似材料の加工 (2,419) | 宝石類,結晶体の精密加工,例.半導体の材料;そのための装置 (1,411) | 回転式以外の工具によるもの,例.往復動工具 (429)

国際特許分類[B28D5/04]に分類される特許

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【課題】ワイヤの往復走行でワイヤがワークから抜け切らずに切断することによる切れ味の低下を抑制または防止して切断速度を改善する。
【解決手段】所定の間隔で配置された複数の溝付ローラ2,3間に巻き付けられた切断用のワイヤ41,42の一方端が供給ボビン51,52に巻き付けられ、その他方端が回収ボビン61,62に巻き付けられて、ワイヤ41,42を往復走行させて複数の溝付ローラ2,3間のワイヤ41,42の複数列でワーク7を切断するワイヤソー装置1において、供給ボビン51と回収ボビン61の1対と、供給ボビン52と回収ボビン62の1対との2対設けられ、この2対に対応した2本のワイヤ41,42を往復走行させている。 (もっと読む)


【課題】ソーワイヤを用いてワークを切断したときに、加工変質層深さが浅く、平滑な表面の切断体が得られる樹脂被覆ソーワイヤを提供する。
【解決手段】樹脂被覆ソーワイヤは、ソーマシンでワークを切断するときに用いられるソーワイヤであって、鋼線の表面に、砥粒を含有せず、且つ120℃での硬さが0.07GPa以上の樹脂皮膜が被覆されており、樹脂皮膜は、ワークを切断するときに吹き付けられる砥粒が樹脂皮膜に食い込むことを抑制するように硬さが制御されている。 (もっと読む)


【課題】この発明は、加工物からウェハをスライスするためのワイヤソーのためのワイヤスプールに関する。
【解決手段】固定的に接合された砥粒でコーティングされたソーイングワイヤ7が、ワイヤスプール1に単層状の態様において巻付けられる。この発明はシングルカットワイヤソーおよびマルチプルワイヤソーに適用可能である。 (もっと読む)


【課題】引張破断強度が高く細いソーワイヤを用いて反りの小さいIII族窒化物結晶基板を歩留まり良く製造できるIII族窒化物結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本III族窒化物結晶基板の製造方法は、炭素濃度が0.90〜0.95質量%、ケイ素濃度が0.12〜0.32質量%以下、マンガン濃度が0.40〜0.90質量%以下、リン濃度が0.025質量%以下、イオウ濃度が0.025質量%以下および銅濃度が0.20質量%以下の鋼線を含み、ワイヤの直径が0.07mm以上0.16mm未満で、ワイヤの引張破断強度が4200N/mm2より高く、ワイヤのカール径が400mm以上のソーワイヤ22を用いて、ソーワイヤに破断張力の50%以上65%以下の張力をかけて、III族窒化物結晶体30をスライスする。 (もっと読む)


【課題】遊離砥粒および固定砥粒の双方を用いてワーク切断能力(切れ味)を向上させてワーク切断を早くする。
【解決手段】固定砥粒23と遊離砥粒21の双方を用い、遊離砥粒21の平均砥粒外径が、1μm以上かつ固定砥粒23の平均砥粒外径以下であるかまたは、1μm以上かつ固定砥粒23の平均突き出し量以下の規定範囲であるため、遊離砥粒21が固定砥粒23による切断を阻害することなく、固定砥粒23が主体となってワーク7に対して遊離砥粒21と固定砥粒23の双方が確実に作用するようにワーク切断を行う。 (もっと読む)


【課題】 本発明はシリコンインゴットの切削工程において、従来品より加工熱の冷却性、浸透性、水とシリコンとの反応抑制性、抑泡性が良好であるため、切削加工効率を向上させることができる。また、シリコンウエハの平坦性も良好であるため、過酷なスライス条件下でも被加工面の表面精度を高く維持できる切削液を提供する。
【解決手段】 下記一般式(1)で表される3〜8個の水酸基を有する化合物(a)のポリオキシアルキレン付加物(A)と水を必須成分として含有し、該ポリオキシアルキレン付加物(A)のHLBが6.0〜20.0であることを特徴とするシリコンインゴットスライス用含水切削液。
【化1】


[式(1)中、Rは3〜8個の水酸基を有する化合物から水酸基、(AO)は炭素数が2〜4のオキシアルキレン基を除いた残基を表す。mは炭素数が2〜4のアルキレンオキサイドの平均付加モル数を表し1〜350の数、fは3〜8の整数である。] (もっと読む)


【課題】切断加工の前後にワークの接着や剥離の作業を行う必要がなく、加工能率の向上及び製造コストの低減を図ることができるワイヤソーを提供する。
【解決手段】複数の加工用ローラ11間にワイヤ12を複数回周回させる。ワイヤ12の周回域の上方には、ワークWを横方向から弾性的に挟持する挟持機構13と、その挟持機構13に挟持されたワークWをワイヤ12に向かって押し下げる押下機構25とを設ける。 (もっと読む)


【課題】固定砥粒ワイヤの張力を下げても、軌跡不良を低減して半導体基板をスライスすることが可能な固定砥粒ワイヤを提供する。
【解決手段】ワイヤ芯線表面に砥粒を固定した固定砥粒ワイヤであって、ワイヤ芯線径は80μm以下で、ワイヤ芯線の単位表面積当たりの砥粒の個数は400個/mm以上である固定砥粒ワイヤ。 (もっと読む)


【課題】ワイヤの断線の有無を高精度かつ安定して検出する。
【解決手段】走行するワイヤ3に被加工物Wを押し付けて当該被加工物Wを切断するワイヤソー1である。回転駆動されるワイヤガイド2,2間に略平行なワイヤ群3aが形成されている。一対のワイヤ送り装置5,6がワイヤ3の巻き出し及び巻き取りを交互に行う。ワーク保持部7が被加工物Wを押し付けるワイヤ群3aに液供給装置8が加工補助液を供給する。断線検出部材16、振動センサ17を有するワイヤ断線検出装置9が支持部4に取り付けられている。制御装置10は、ワイヤ3が断線するとワイヤ3の走行を停止する。断線検出部材16、振動センサ17は除振部材15を介して支持部4に取り付けられている。 (もっと読む)


【課題】レジン固定砥粒ワイヤを用いて、大型で反りおよび表面粗さの小さいIII窒化物結晶基板を効率よくかつ歩留まり良く製造できるIII族窒化物結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本III族窒化物結晶基板の製造方法は、III族窒化物結晶体を準備する工程S1と、レジン固定砥粒ワイヤを用いてIII族窒化物結晶体をスライスすることによりIII族窒化物結晶基板を作製する工程S2と、を含む。 (もっと読む)


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